JP2015081786A - 半導体素子の熱抵抗評価方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の熱抵抗を一層精確に評価する。【解決手段】半導体素子に対して第1の電圧測定用電流の通電を開始し、その開始直後の順方向電圧を第1の順方向電圧Vce1とする。次に、第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら第2の電圧測定用電流の通電を開始し、順方向電圧が飽和したときの飽和順方向電圧Vcesatを求める。さらに、第2の電圧測定用電流のみ通電を停止し、その後、経時変化する順方向電圧を測定する。順方向電圧の経時変化に基づき、例えば、最小自乗法によって近似直線を求める等して、第2の電圧測定用電流の通電を停止した際の順方向電圧の推定値を求める。この推定値を第2の順方向電圧Vce2として評価し、Vce1、Vcesat及びVce2に基づいて半導体素子の熱抵抗を求める。【選択図】図3
Description
本発明は、順方向電圧に基づいて半導体素子の熱抵抗を求める半導体素子の熱抵抗評価方法に関する。
トランジスタ等の半導体素子は、装置基板に対してハンダ等を介して接合される。この接合が不十分であると、ヒートシンク等への放熱が十分になされなくなり、該半導体素子が過熱に起因して劣化することがある。これを回避するべく、半導体素子について熱抵抗が求められる(例えば、特許文献1参照)。熱抵抗の値の大小により、速やかな放熱がなされているか否かを評価することができるからである。例えば、熱抵抗の値が小さいときには、速やかな放熱がなされていると判断することができる。
半導体素子の熱抵抗は、一般的には次のようにして求められる。すなわち、先ず、比較的微弱な第1の電圧測定用電流を半導体素子に通電し、このときの第1の順方向電圧値Vce1を測定する。
次に、半導体素子に対し、第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、該第1の電圧測定用電流に比して電流値が大きな第2の電圧測定用電流を通電する。この通電により順方向電圧が上昇し、時間の経過とともに一定値となる。すなわち、順方向電圧が飽和する。このときの飽和順方向電圧値Vcesatを求める。
次に、第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、第2の電圧測定用電流のみ通電を停止する。このとき、順方向電圧が急激に低減する。このときの第2の順方向電圧値Vce2を求める。Vce2は、Vce1よりも小さな値である。
本来は、第2の電圧測定用電流の通電を停止した直後の順方向電圧の測定値が第2の順方向電圧値Vce2として評価されるべきである。しかしながら、第2の電圧測定用電流の通電を停止すると、図4に示すように、極短時間ではあるものの、順方向電圧の値が脈動するように上下する。すなわち、リプル電圧が発生する。このため、順方向電圧の値が安定しない。
順方向電圧の値の脈動は、第2の電圧測定用電流の通電を停止して0.5秒(500μ秒)を超えるまでには終了する。そこで、通電を停止して0.5秒後の順方向電圧を測定し、そのときの値を第2の順方向電圧値Vce2とするようにしている。
しかしながら、図4から諒解されるように、順方向電圧は、第2の電圧測定用電流の通電を停止した後、緩やかに上昇する。必然的に、通電を停止して0.5秒後の順方向電圧の値は、通電停止直後の順方向電圧の値よりも高い値である。従って、通電を停止して0.5秒後の順方向電圧の値を第2の順方向電圧値Vce2として求められた熱抵抗Rthには、精確な評価であるとは言い難い側面がある。
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、半導体素子の熱抵抗を一層精確に評価することが可能な半導体素子の熱抵抗評価方法を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は、半導体素子に対し、第1の電圧測定用電流を通電して第1の順方向電圧を測定する工程と、
前記半導体素子に対し、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、該第1の電圧測定用電流に比して電流値が大きな第2の電圧測定用電流を通電し、飽和順方向電圧を測定する工程と、
前記第2の電圧測定用電流のみ通電を停止し、その後、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、リプル電圧が収束した後に経時変化する順方向電圧を測定する工程と、
経時変化した順方向電圧に基づいて、経過時間に対する順方向電圧の変化量を求める工程と、
前記変化量に基づいて、前記第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの第2の順方向電圧を推測する工程と、
前記第1の順方向電圧、前記飽和順方向電圧及び前記第2の順方向電圧に基づき、前記半導体素子の熱抵抗を算出する工程と、
を有することを特徴とする。
前記半導体素子に対し、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、該第1の電圧測定用電流に比して電流値が大きな第2の電圧測定用電流を通電し、飽和順方向電圧を測定する工程と、
前記第2の電圧測定用電流のみ通電を停止し、その後、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、リプル電圧が収束した後に経時変化する順方向電圧を測定する工程と、
経時変化した順方向電圧に基づいて、経過時間に対する順方向電圧の変化量を求める工程と、
前記変化量に基づいて、前記第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの第2の順方向電圧を推測する工程と、
前記第1の順方向電圧、前記飽和順方向電圧及び前記第2の順方向電圧に基づき、前記半導体素子の熱抵抗を算出する工程と、
を有することを特徴とする。
すなわち、本発明においては、第2の電圧測定用電流の通電を停止してから順方向電圧の脈動が収束した後に順方向電圧の経時変化を求め、このときの変化量に基づいて、第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの第2の順方向電圧を推測するようにしている。
この場合、第2の電圧測定用電流の通電を停止したときに遡って第2の順方向電圧が求められる。従って、通電停止から所定の時間が経過した後の順方向電圧を第2の電圧測定用電流として評価する場合に比して、第2の順方向電圧の見積もり値が精確となる。このため、熱抵抗を一層精確に評価することができるようになる。
第2の順方向電圧を見積もるには、例えば、第2の電圧測定用電流のみ通電を停止した後、順方向電圧を断続的に測定する。すなわち、経時変化に対する順方向電圧の値が複数個得られる。その後、これらの値に基づき、最小自乗法を用いて、順方向電圧を時間の関数とした近似直線を求めればよい。これにより、経過時間に対する順方向電圧の変化量を容易に求めることができる。
そして、前記近似直線を、第2の電圧測定用電流の通電を停止した時間まで外挿する。この外挿値を、第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの順方向電圧として評価すればよい。
なお、半導体素子の好適な例としては、絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ(IGBT)が挙げられる。
本発明によれば、半導体素子に対する第1の電圧測定用電流の通電を継続する一方で第2の電圧測定用電流の通電を停止した際に発生するリプル電圧が収束した後、経時変化する順方向電圧の変化量に基づいて、第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの第2の順方向電圧を推測するようにしている。すなわち、第2の電圧測定用電流の通電を停止したときに遡って第2の順方向電圧を求めている。
このため、第2の順方向電圧を一層精確に評価することができる。従って、第2の順方向電圧をパラメータの1つとする前記半導体素子の熱抵抗を、一層精確に評価することができる。
以下、本発明に係る半導体素子の熱抵抗評価方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本実施の形態に係る熱抵抗評価方法を実施するための電気回路図である。この熱抵抗評価回路には、半導体素子としての絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ(IGBT)10と、該IGBT10に電圧を印加するための電圧印加用電源12とが組み込まれる。
周知の通り、IGBT10は、エミッタ電極14、ゲート電極16、コレクタ電極18を有し、エミッタ電極14側からコレクタ電極18側に向かう方向が順方向である。この電気回路においては、エミッタ電極14はアース20に接続されている。
電気回路には、さらに、第1の電圧測定用電流Imを通電するための第1電源22と、第2の電圧測定用電流Icを通電するための第2電源24とが組み込まれる。第1の電圧測定用電流Im、第2の電圧測定用電流Icの通電又は通電停止は、第1電源22又は第2電源24の各近傍に配設される図示しないスイッチを開閉することによって切り換えることが可能である。
第1の電圧測定用電流Im、第2の電圧測定用電流Ic及び順方向電圧Vceは、第1電流計26、第2電流計28及び電圧計30の各々に表示され且つ記録される。
本実施の形態に係る熱抵抗評価方法は、以下のように実施される。すなわち、図2に示すように、電圧印加用電源12によって電圧が印加されたIGBT10に対し、時間T1において、第1電源22を源とする第1の電圧測定用電流Imが通電される。これにより、順方向電圧Vceが所定の値を示す。この際の順方向電圧Vceを、第1の順方向電圧Vce1とする。すなわち、第1の順方向電圧Vce1は、第1の電圧測定用電流Imの通電が開始された瞬間の、換言すれば、時間T1における順方向電圧である。
第1の電圧測定用電流Imの通電を開始して所定時間が経過した後、時間T2において、第1の電圧測定用電流Imの通電を継続しながら、第2電源24を源とする第2の電圧測定用電流Icの通電を開始する。第2の電圧測定用電流Icは第1の電圧測定用電流Imよりも大電流であり、このため、順方向電圧Vceは、第2の電圧測定用電流Icの通電が開始された瞬間に上昇する。
第2の電圧測定用電流Icの通電を継続すると、順方向電圧Vceは略一定値に収束する。このときの順方向電圧Vceを、飽和順方向電圧Vcesatとする。
次に、時間T3において、第1の電圧測定用電流Imの通電を継続しながら、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止する。この通電停止に伴い、順方向電圧Vceが瞬間に下降する。その後、順方向電圧Vceが徐々に上昇する。
ここで、時間T3の近傍における順方向電圧Vceを拡大して図3に示す。この図3に示すように、順方向電圧Vceは、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した直後から所定の時間が経過するまで上昇と下降を繰り返す。すなわち、脈動する。要するに、リプル電圧が観測される時間帯がある。
従来技術においては、図4に示すように、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止して所定時間(例えば、0.5秒)が経過し、リプル電圧が観測されなくなった後の順方向電圧Vceを第2の順方向電圧Vce2と評価し、この値に基づいてIGBT10の熱抵抗を求めるようにしているが、このときの順方向電圧Vceの値は、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した直後の順方向電圧Vceの値に比して大きい。従って、熱抵抗の評価が精確であるとは言い難い。
そこで、本実施の形態では、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した後、所定時間(例えば、0.5秒)が経過する度に順方向電圧Vceを測定する。測定回数は、3〜5回程度で十分である。図3には、4回測定した際の各回の順方向電圧Vceのプロットを黒丸(●)として表している。
図3に示すように、順方向電圧Vceは、時間の経過とともに上昇する。次に、この際の経過時間に対する順方向電圧の変化量を求める。このためには、各プロットから最小自乗法によって近似直線を求めればよい。最小自乗法による近似直線の求め方は周知であるので、その説明は省略する。
図3中に実線で示した直線L1は、最小自乗法によって求められた近似直線である。この直線L1の傾きから、経過時間に対する順方向電圧Vceの変化量が分かる。
そして、直線L1を、破線で示すように時間T3の箇所まで外挿する。本実施の形態においては、このときの直線L1の外挿値を第2の順方向電圧Vce2と評価する。これにより、第1の順方向電圧Vce1、飽和順方向電圧Vcesat、第2の順方向電圧Vce2(推定値)の各値の取得が終了する。
このように、本実施の形態によれば、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した後、経時変化する順方向電圧Vceを断続的に測定し、その測定結果に基づいて近似直線を求めるとともに、該近似直線の外挿値から、第2の順方向電圧Vce2を推測するようにしている。このようにすることにより、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した直後の順方向電圧の値を一層精確に評価することが可能となる。
その後、図2に示す時間T4において、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止する。そして、上記のようにして取得された第1の順方向電圧Vce1及び第2の順方向電圧Vce2に基づき、下記の式によって電圧変化量ΔmVを算出する。
第2の順方向電圧Vce2の評価が従来技術に比して精確であるので、熱抵抗Rthを一層精確に評価することができる。このことから、本実施の形態によれば、IGBT10を組み込んだ電気回路において、速やかな放熱がなされているか否かを精度よく評価することができる。
本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、この実施の形態では、第2の電圧測定用電流Icの通電を停止した後、順方向電圧Vceを断続的に測定するようにしているが、連続的に測定して直線を得、この直線の外挿値を、第2の順方向電圧Vce2として評価するようにしてもよい。
また、半導体素子はIGBT10に特に限定されるものではなく、電解効果型トランジスタ等であってもよい。
10…絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ 12…電圧印加用電源
14…エミッタ電極 16…ゲート電極
18…コレクタ電極 20…アース
22…第1電源 24…第2電源
26…第1電流計 28…第2電流計
30…電圧計
14…エミッタ電極 16…ゲート電極
18…コレクタ電極 20…アース
22…第1電源 24…第2電源
26…第1電流計 28…第2電流計
30…電圧計
Claims (3)
- 半導体素子に対し、第1の電圧測定用電流を通電して第1の順方向電圧を測定する工程と、
前記半導体素子に対し、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、該第1の電圧測定用電流に比して電流値が大きな第2の電圧測定用電流を通電し、飽和順方向電圧を測定する工程と、
前記第2の電圧測定用電流のみ通電を停止し、その後、前記第1の電圧測定用電流の通電を継続しながら、リプル電圧が収束した後に経時変化する順方向電圧を測定する工程と、
経時変化した順方向電圧に基づいて、経過時間に対する順方向電圧の変化量を求める工程と、
前記変化量に基づいて、前記第2の電圧測定用電流の通電を停止したときの第2の順方向電圧を推測する工程と、
前記第1の順方向電圧、前記飽和順方向電圧及び前記第2の順方向電圧に基づき、前記半導体素子の熱抵抗を算出する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の熱抵抗評価方法。 - 請求項1記載の評価方法において、前記第2の電圧測定用電流のみ通電を停止した後に順方向電圧を断続的に測定し、複数個の値から最小自乗法を用いて経過時間に対する順方向電圧の変化量を求めることを特徴とする半導体素子の熱抵抗評価方法。
- 請求項1又は2記載の評価方法において、前記半導体素子として絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタを用いることを特徴とする半導体素子の熱抵抗評価方法。
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- 2013-10-21 JP JP2013218339A patent/JP2015081786A/ja active Pending
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