JP2015074812A - 成膜装置、成膜方法及び金属酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記排気ラインは、前記真空チャンバの内部を排気可能な真空ポンプを含む。
前記ガス導入ラインは、前記排気ラインに接続され、前記真空チャンバへ反応性ガスを含むプロセスガスを導入する。
前記制御弁は、前記排気ラインと前記ガス導入ラインとの接続点と前記真空チャンバとの間に配置され、前記真空ポンプによる前記真空チャンバの排気速度と前記ガス導入ラインから前記真空チャンバへ導入される前記プロセスガスの流量とを制御可能に構成される。
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、反応性ガスを含むプロセスガスが前記真空ポンプによって排気されつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入される。
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属化合物薄膜が形成される。
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、酸素を含むプロセスガスが前記真空ポンプによって排気されつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入される。
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属酸化物薄膜が形成される。
前記排気ラインは、前記真空チャンバの内部を排気可能な真空ポンプを含む。
前記ガス導入ラインは、前記排気ラインに接続され、前記真空チャンバへ反応性ガスを含むプロセスガスを導入する。
前記制御弁は、前記排気ラインと前記ガス導入ラインとの接続点と前記真空チャンバとの間に配置され、前記真空ポンプによる前記真空チャンバの排気速度と前記ガス導入ラインから前記真空チャンバへ導入される前記プロセスガスの流量とを制御可能に構成される。
上記隔壁は、前記真空チャンバの内部に配置され、前記真空チャンバの内部を成膜室と前記排気ラインに接続される排気室とに区画する。
上記ガス流路は、前記真空チャンバの底壁部と前記隔壁との間に設けられ、前記排気室へ導入された前記プロセスガスを前記成膜室へ供給する。
上記構成によれば、成膜室を区画する隔壁が筒状に形成されているため、排気室から成膜室へプロセスガスが等方的に供給される。これにより基板上における反応性ガスの濃度分布のばらつきが抑えられ、所望の膜特性を有する金属化合物層を基板面内に均一に形成することが可能となる。
これにより、ターゲットに対してより離れた位置からプロセスガスを成膜室へ供給することが可能となるため、ターゲット表面の酸化度等のばらつきを低減でき、スパッタ成膜される金属化合物層の面内均一性をより高めることができる。
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、反応性ガスを含むプロセスガスが前記真空ポンプによって排気されつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入される。
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属化合物薄膜が形成される。
排気室から成膜室へプロセスガスを等方的に供給されるため、基板上における反応性ガスの濃度分布のばらつきが抑えられ、所望の膜特性を有する金属化合物層を基板面内に均一に形成することが可能となる。
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、酸素を含むプロセスガスが前記真空ポンプによって排気されつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入される。
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属酸化物薄膜が形成される。
まず、抵抗変化素子の概略構成について説明する。図1に示すように、抵抗変化素子1は、基板2、下部電極層3、第1の金属酸化物層4、第2の金属酸化物層5および上部電極層6を有する。
図5及び図6は、本発明の一実施形態に係る成膜装置を示す概略構成図であり、図5は側断面図、図6は図5における[A]−[A]線方向断面図である。本実施形態の成膜装置100は、例えば、抵抗変化素子1の製造工程において第1及び第2の金属酸化物層4,5を成膜するためのスパッタ装置として構成される。
次に、本実施形態に係る成膜方法について成膜装置100の一動作例とともに説明する。
4,5…金属酸化物層
10…真空チャンバ
20…隔壁
30…ステージ
40…ターゲットユニット
50…排気ライン
51…排気バルブ
52…真空ポンプ
60…ガス導入ライン
70…コントローラ
80…ガス流路
81…通路部
82…流路部
100…成膜装置
101…成膜室
102…排気室
Claims (6)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部を排気可能な真空ポンプを含む排気ラインと、
前記排気ラインに接続され、前記真空チャンバへ反応性ガスを含むプロセスガスを導入するためのガス導入ラインと、
前記排気ラインと前記ガス導入ラインとの接続点と前記真空チャンバとの間に配置され、前記真空ポンプによる前記真空チャンバの排気速度と前記ガス導入ラインから前記真空チャンバへ導入される前記プロセスガスの流量とを制御可能な制御弁と
を具備する成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記真空チャンバの内部に配置され、前記真空チャンバの内部を成膜室と前記排気ラインに接続される排気室とに区画する筒状の隔壁と、
前記真空チャンバの底壁部と前記隔壁との間に設けられ、前記排気室へ導入された前記プロセスガスを前記成膜室へ供給するガス流路とをさらに具備する
成膜装置。 - 請求項2に記載の成膜装置であって、
前記成膜室は、前記底壁部に設置され基板支持用の支持面を有するステージと、前記天板部に設置され前記ステージに対向するスパッタリング用のターゲットとを含み、
前記ガス流路は、前記支持面よりも前記底壁部側に設けられる
成膜装置。 - 排気速度を制御可能な制御弁を介して、真空チャンバの内部を真空ポンプによって排気し、
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、反応性ガスを含むプロセスガスを前記真空ポンプによって排気しつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入し、
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属化合物薄膜を形成する
成膜方法。 - 請求項4に記載の成膜方法であって、
前記真空チャンバは、筒状の隔壁の内部に形成された成膜室と前記隔壁の外部に形成された排気室とを有し、
前記プロセスガスは、前記排気室と、前記隔壁と前記真空チャンバとの間に形成されたガス流路を介して前記成膜室へ導入される
成膜方法。 - 排気速度を制御可能な制御弁を介して、真空チャンバの内部を真空ポンプによって排気し、
前記制御弁と前記真空ポンプとの間に接続されたガス導入ラインを介して、酸素を含むプロセスガスを前記真空ポンプによって排気しつつ、前記制御弁を介して前記真空チャンバの内部へ導入し、
前記真空チャンバ内で金属製ターゲットを前記プロセスガスのプラズマでスパッタすることで、基板上に金属酸化物薄膜を形成する
金属酸化物薄膜の製造方法。
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2013
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