JP2015065269A - 固体撮像素子及びその駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素アレイ部には、入射光を受光して光電変換するフォトダイオード(PD)を有し、色成分信号が得られる通常画素と、受光面が像高に応じたサイズからなる一対のフォトダイオード(PD1)とフォトダイオード(PD2)を有し、位相差検出用信号が得られる位相差画素とが行列状に配置され、一対のフォトダイオード(PD1)とフォトダイオード(PD2)は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。
【選択図】図6
Description
入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子。
(2)
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部において、光の入射側となる前記第2の領域は瞳補正に応じたサイズとなり、光の入射側の反対側となる前記第1の領域は同一のサイズとなる
(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1の領域における不純物濃度は、前記第2の領域における不純物濃度よりも高くなる
(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも大きくなる
(3)に記載の固体撮像素子。
(5)
前記第1の光電変換部に蓄積された電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換部に蓄積された電荷を転送する第2の転送トランジスタと
をさらに有し、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部において、前記第1の転送トランジスタの近傍の領域と、前記第2の転送トランジスタの近傍の領域の不純物濃度は、他の領域の不純物濃度よりも高くなる
(1)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第1の転送トランジスタは、前記第1の光電変換部の受光面の中心から最も近い位置の近傍に配置され、
前記第2の転送トランジスタは、前記第2の光電変換部の受光面の中心から最も近い位置の近傍に配置される
(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記第1の転送トランジスタによって前記第1の光電変換部から転送される電荷を信号として読み出すために保持する第1の浮遊拡散領域と、
前記第2の転送トランジスタによって前記第2の光電変換部から転送される電荷を信号として読み出すために保持する第2の浮遊拡散領域と
をさらに有する(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部における露光と転送を同時に行う
(1)乃至(7)のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
(9)
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、その分離部が連続的に変化する
(1)乃至(8)のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
(10)
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、金属、酸化膜、又は不純物により分離されている
(1)乃至(9)のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
(11)
入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子の駆動方法において、
画素駆動部が、一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部を別個に駆動して、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部における露光と転送を同時に行うステップ
を含む駆動方法。
(12)
入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子を搭載し、
前記固体撮像素子から出力される前記位相差検出用信号を用いて、像面位相差AF(Autofocus)を制御する制御部を備える
電子機器。
Claims (12)
- 入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子。 - 一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部において、光の入射側となる前記第2の領域は瞳補正に応じたサイズとなり、光の入射側の反対側となる前記第1の領域は同一のサイズとなる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の領域における不純物濃度は、前記第2の領域における不純物濃度よりも高くなる
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の領域は、前記第1の領域よりも大きくなる
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の光電変換部に蓄積された電荷を転送する第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換部に蓄積された電荷を転送する第2の転送トランジスタと
をさらに有し、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部において、前記第1の転送トランジスタの近傍の領域と、前記第2の転送トランジスタの近傍の領域の不純物濃度は、他の領域の不純物濃度よりも高くなる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の転送トランジスタは、前記第1の光電変換部の受光面の中心から最も近い位置の近傍に配置され、
前記第2の転送トランジスタは、前記第2の光電変換部の受光面の中心から最も近い位置の近傍に配置される
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の転送トランジスタによって前記第1の光電変換部から転送される電荷を信号として読み出すために保持する第1の浮遊拡散領域と、
前記第2の転送トランジスタによって前記第2の光電変換部から転送される電荷を信号として読み出すために保持する第2の浮遊拡散領域と
をさらに有する請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部における露光と転送を同時に行う
請求項7に記載の固体撮像素子。 - 一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、その分離部が連続的に変化する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、金属、酸化膜、又は不純物により分離されている
請求項9に記載の固体撮像素子。 - 入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子の駆動方法において、
画素駆動部が、一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部を別個に駆動して、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部における露光と転送を同時に行うステップ
を含む駆動方法。 - 入射光を受光して光電変換する光電変換部を有し、色成分信号が得られる第1の画素と、
受光面が像高に応じたサイズからなる一対の第1の光電変換部と第2の光電変換部を有し、位相差検出用信号が得られる第2の画素と
を行列状に配置した画素アレイ部を備え、
一対の前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、電荷蓄積の主要部となる第1の領域と、光電変換をするとともに前記主要部への電荷転送に寄与する第2の領域をそれぞれ有している
固体撮像素子を搭載し、
前記固体撮像素子から出力される前記位相差検出用信号を用いて、像面位相差AF(Autofocus)を制御する制御部を備える
電子機器。
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WO (1) | WO2015045915A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170043050A (ko) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서를 이용한 인증 방법 및 장치 |
WO2017130723A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2017188633A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2018078976A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
US10021328B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and manufacturing method of imaging device |
JP2018129461A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 三重富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2019155782A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2020188267A (ja) * | 2020-07-14 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US11006036B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capturing apparatus |
US11404456B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150121564A (ko) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 삼성전자주식회사 | 촬상 소자 및 촬영 장치 |
KR20180024604A (ko) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 구동 방법 |
WO2018061497A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
KR102574236B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2023-09-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 서로 다른 사이즈의 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서 |
TWI754696B (zh) * | 2016-12-14 | 2022-02-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及電子機器 |
JP6932580B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-09-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
US10714517B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
US11658193B2 (en) | 2018-01-23 | 2023-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
KR102532003B1 (ko) | 2018-10-31 | 2023-05-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 하나의 포토다이오드를 공유하는 두 색의 컬러 필터들을 가진 이미지 센서 |
CN109713002B (zh) * | 2018-12-07 | 2021-08-31 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
KR102519712B1 (ko) | 2019-01-18 | 2023-04-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN110062144A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-07-26 | 德淮半导体有限公司 | 相位对焦图像传感器及其形成方法、工作方法 |
CN110233961B (zh) * | 2019-07-30 | 2021-03-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | 互补金属氧化物图像传感器及终端 |
JP2021068788A (ja) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
KR20220139740A (ko) | 2021-04-08 | 2022-10-17 | 삼성전자주식회사 | 오토 포커스 픽셀을 포함하는 이미지 센서 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090201393A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Black reference pixel for backside illuminated image sensor |
JP2012128248A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2012182332A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
JP2013037296A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Olympus Imaging Corp | 撮像装置及び撮像素子 |
JP2013080797A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Canon Inc | 固体撮像装置およびカメラ |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2500428B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | イメ―ジセンサおよびその駆動方法 |
US6563105B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-05-13 | University Of Washington | Image acquisition with depth enhancement |
US6750437B2 (en) * | 2000-08-28 | 2004-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus that suitably adjusts a focus |
JP2004165462A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006294871A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP5002412B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5451111B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置およびそれを有する撮像装置 |
JP5552214B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
JP5098831B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5276371B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5537172B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
TW201200959A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Fujifilm Corp | One-eyed stereo photographic device |
JP2012023207A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP2012084816A (ja) | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及び撮像装置 |
JP5753371B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
JP5664270B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
JP5750918B2 (ja) | 2011-02-03 | 2015-07-22 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2012173531A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Sony Corp | 撮像装置、およびフォーカス制御方法、並びにプログラム |
US8810713B2 (en) * | 2011-07-13 | 2014-08-19 | Olympus Imaging Corp. | Image pickup apparatus and image pickup device for performing auto-focusing |
-
2013
- 2013-09-25 JP JP2013197872A patent/JP6127869B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-02 TW TW103130294A patent/TWI663877B/zh active
- 2014-09-12 CN CN201480048428.1A patent/CN105518862B/zh active Active
- 2014-09-12 KR KR1020167007217A patent/KR101857377B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-12 CN CN201710012765.0A patent/CN106888358B/zh active Active
- 2014-09-12 US US15/022,478 patent/US9706145B2/en active Active
- 2014-09-12 CN CN201710014175.1A patent/CN107068702B/zh active Active
- 2014-09-12 WO PCT/JP2014/074245 patent/WO2015045915A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-05-04 US US15/587,035 patent/US9888196B2/en active Active
- 2017-11-16 US US15/815,415 patent/US10015426B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090201393A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Black reference pixel for backside illuminated image sensor |
JP2012128248A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2012182332A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
JP2013037296A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Olympus Imaging Corp | 撮像装置及び撮像素子 |
JP2013080797A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Canon Inc | 固体撮像装置およびカメラ |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102449720B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-09-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서를 이용한 인증 방법 및 장치 |
KR20170043050A (ko) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서를 이용한 인증 방법 및 장치 |
KR102626441B1 (ko) * | 2016-01-27 | 2024-01-18 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
WO2017130723A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US11024661B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-01 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device having pixel separation wall |
JP2022113736A (ja) * | 2016-01-27 | 2022-08-04 | ソニーグループ株式会社 | 光検出素子および電子機器 |
US11776978B2 (en) | 2016-01-27 | 2023-10-03 | Sony Group Corporation | Solid-state image pickup device and electronic apparatus having a separation wall between the first photodiode and the second photodiode |
KR20180108414A (ko) * | 2016-01-27 | 2018-10-04 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
JPWO2017130723A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US11444112B2 (en) | 2016-01-27 | 2022-09-13 | Sony Group Corporation | Solid-state image pickup device and electronic apparatus having a wall between the first pixel and the second pixel |
US10658412B2 (en) | 2016-01-27 | 2020-05-19 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device having pixel separation wall |
EP3410487A4 (en) * | 2016-01-27 | 2019-08-28 | Sony Corporation | SEMICONDUCTOR IMAGE CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE |
CN107408568A (zh) * | 2016-01-27 | 2017-11-28 | 索尼公司 | 固态成像元件和电子设备 |
US10431619B2 (en) | 2016-01-27 | 2019-10-01 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device having a pixel separation wall |
JP2017188633A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US11006036B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capturing apparatus |
US10298867B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having a plurality of pixels each with a plurality of photoelectric conversion portions covered by one microlens of a plurality of microlenses |
US10021328B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and manufacturing method of imaging device |
JPWO2018078976A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2019-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
US10840289B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-11-17 | Sony Corporation | Solid-state image pickup element, method of manufacturing solid-state image pickup element, and electronic apparatus |
US11749703B2 (en) | 2016-10-28 | 2023-09-05 | Sony Group Corporation | Solid-state image pickup element, method of manufacturing solid-state image pickup element, and electronic apparatus |
WO2018078976A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
JP2018129461A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 三重富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2019155782A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11404456B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
JP2020188267A (ja) * | 2020-07-14 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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