JP2015061406A - Power module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power module that allows achieving both reduction in switching loss and a recovery current in turn-on operation at the time of switching, and allows achieving low noise.SOLUTION: In a power module 100 according to the present invention, a driving circuit 11 includes an output switching circuit 12 for switching output signals supplied to a control terminal of a switching element 13. The output switching circuit 12 cycles a drive capability for an output signal to drive the switching element 13 from a first drive capability to a second drive capability to a third drive capability. The second drive capability is higher than the first drive capability, and the third drive capability is lower than the second drive capability.

Description

本発明はパワーモジュールに関し、特にスイッチング素子と、スイッチング素子を駆動する駆動回路とを内蔵したパワーモジュールに関する。   The present invention relates to a power module, and more particularly to a power module including a switching element and a drive circuit for driving the switching element.

従来、スイッチング素子を駆動するための駆動回路において、MOSFETなどのスイッチング素子のスイッチング損失抑制とリカバリー電流の抑制を両立させるため、そのターンオン動作において、ターンオン初期は比較的高い駆動能力で駆動し、その後比較的低い駆動能力で駆動する技術が用いられてきた(例えば特許文献1参照)。   Conventionally, in a drive circuit for driving a switching element, in order to achieve both suppression of switching loss of a switching element such as a MOSFET and suppression of recovery current, in the turn-on operation, the drive is driven with a relatively high driving ability at the initial turn-on, and A technique of driving with a relatively low driving capability has been used (see, for example, Patent Document 1).

特開2012−147492号公報JP 2012-147492 A

しかしながら、上述の従来技術においては以下の解決すべき課題があった。すなわち、ターンオン初期に比較的高い駆動能力で駆動するため、電流の立ち上がりが急峻となり、このタイミングでゲート電圧の時間変化(dv/dt)が急峻となるため、電磁波ノイズの発生が増大する問題があった。   However, the above prior art has the following problems to be solved. That is, since driving is performed with a relatively high driving capability at the beginning of turn-on, the rise of current becomes steep, and the time change (dv / dt) of the gate voltage becomes steep at this timing, so that the generation of electromagnetic noise increases. there were.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、スイッチング時のターンオン動作において、スイッチング損失の抑制とリカバリー電流の抑制を両立し、かつ低ノイズ化が可能であるパワーモジュールの提供を目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and in a turn-on operation at the time of switching, a power module that can suppress switching loss and suppress recovery current and can reduce noise. For the purpose of provision.

本発明に係るパワーモジュールは、スイッチング素子と、スイッチング素子を駆動する駆動回路とを内蔵したパワーモジュールであって、駆動回路は、スイッチング素子の制御端子に与える出力信号を切り替える出力切替回路を備え、出力切替回路は、スイッチング素子のターンオン時に、出力信号がスイッチング素子を駆動する駆動能力を、第1の駆動能力、第2の駆動能力、第3の駆動能力の順に切り替え、第2の駆動能力は第1の駆動能力よりも高く、第3の駆動能力は第2の駆動能力よりも低いことを特徴とする。   A power module according to the present invention is a power module that includes a switching element and a drive circuit that drives the switching element, and the drive circuit includes an output switching circuit that switches an output signal applied to a control terminal of the switching element, The output switching circuit switches the driving ability of the output signal to drive the switching element when the switching element is turned on in the order of the first driving ability, the second driving ability, and the third driving ability. The third driving capability is higher than the first driving capability, and the third driving capability is lower than the second driving capability.

本発明に係るパワーモジュールによれば、ターンオン動作の中期において比較的高い駆動能力でスイッチング素子の駆動を行い、かつ末期において比較的低い駆動能力で駆動を行うことにより、スイッチング損失抑制とリカバリー電流の抑制を両立することが可能である。さらに、ターンオン動作の初期において比較的低い駆動能力でスイッチング素子の駆動を行うことにより、ゲート電圧の時間変化(dv/dt)を緩やかにして、電磁波ノイズの発生を抑制することが可能である。   According to the power module of the present invention, the switching element is driven with a relatively high driving capability in the middle period of the turn-on operation, and is driven with a relatively low driving capability in the final period, thereby suppressing the switching loss and the recovery current. It is possible to achieve both suppression. Further, by driving the switching element with a relatively low driving capability in the early stage of the turn-on operation, it is possible to moderate the time change (dv / dt) of the gate voltage and suppress the generation of electromagnetic noise.

実施の形態1に係るパワーモジュールの機能ブロック図である。2 is a functional block diagram of a power module according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係るパワーモジュールの動作の概要を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an outline of the operation of the power module according to the first embodiment. 実施の形態1に係るパワーモジュールの回路図である。1 is a circuit diagram of a power module according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係るパワーモジュールの動作シーケンスを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an operation sequence of the power module according to the first embodiment. 実施の形態2に係るパワーモジュールの回路図である。4 is a circuit diagram of a power module according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態2に係るパワーモジュールの動作シーケンスを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an operation sequence of the power module according to the second embodiment. 実施の形態3に係るパワーモジュールの回路図である。6 is a circuit diagram of a power module according to Embodiment 3. FIG. 実施の形態3に係るパワーモジュールの動作シーケンスを示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an operation sequence of a power module according to a third embodiment. 実施の形態4に係るパワーモジュールの機能ブロック図である。FIG. 6 is a functional block diagram of a power module according to a fourth embodiment. 前提技術に係るパワーモジュールの動作の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of operation | movement of the power module which concerns on a premise technique.

<前提技術>
本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の前提となる技術について説明する。図10は、前提技術におけるパワーモジュールの動作の概要を示す図である。図10中において、スイッチング素子のゲート電圧、ドレイン電流、およびドレイン・ソース間電圧をそれぞれ、VG、ID、VDSと表記する。また、ゲート電圧の閾値をVthと表記する。
<Prerequisite technology>
Prior to the description of the embodiments of the present invention, the technology that is the premise of the present invention will be described. FIG. 10 is a diagram showing an outline of the operation of the power module in the base technology. In FIG. 10, the gate voltage, drain current, and drain-source voltage of the switching element are denoted as VG, ID, and VDS, respectively. The threshold value of the gate voltage is expressed as Vth.

図10に示すように、前提技術においては、ターンオン初期は比較的高い駆動能力で駆動し、図10中のAで示す領域において駆動能力を切り替えることにより、その後は比較的低い駆動能力で駆動する技術が用いられてきた。このように、2段階の駆動能力でターンオン動作を行うことにより、スイッチング損失抑制とリカバリー電流の抑制を両立していた。   As shown in FIG. 10, in the base technology, driving is performed with a relatively high driving capability at the initial turn-on, and switching is performed in a region indicated by A in FIG. Technology has been used. Thus, by performing the turn-on operation with the two-stage driving capability, both switching loss suppression and recovery current suppression are achieved.

しかし、前提技術においては、ターンオン初期に比較的高い駆動能力で駆動するため、電流の立ち上がりが急峻となり、このタイミングでゲート電圧の時間変化(dv/dt)が急峻となるため、電磁波ノイズの発生が増大する問題があった。   However, in the base technology, since driving is performed with a relatively high driving capability at the beginning of turn-on, the rise of current becomes steep, and the time change (dv / dt) of the gate voltage becomes steep at this timing. There was a problem that increased.

<実施の形態1>
<概要>
図1は、本実施の形態におけるパワーモジュール100の機能ブロック図である。パワーモジュール100は、スイッチング素子13と、入力信号に基づいてスイッチング素子13の制御端子(以下ゲートと記載)を駆動する駆動回路11を備える。スイッチング素子13はMOSFETであり、駆動回路11はICチップ内に配置されている。駆動回路11の出力はスイッチング素子13のゲートに接続されている。駆動回路11は入力信号(Vin)に基づいてゲート電圧(VG)を変化させることにより、スイッチング素子13のターンオンおよびターンオフを行う。
<Embodiment 1>
<Overview>
FIG. 1 is a functional block diagram of a power module 100 in the present embodiment. The power module 100 includes a switching element 13 and a drive circuit 11 that drives a control terminal (hereinafter referred to as a gate) of the switching element 13 based on an input signal. The switching element 13 is a MOSFET, and the drive circuit 11 is disposed in the IC chip. The output of the drive circuit 11 is connected to the gate of the switching element 13. The drive circuit 11 turns on and off the switching element 13 by changing the gate voltage (VG) based on the input signal (Vin).

本実施の形態において、駆動回路11は、スイッチング素子13のゲートに与える出力信号を切り替える出力切替回路12を備える。出力切替回路12は、スイッチング素子13のターンオン時に、スイッチング素子13を駆動する駆動能力を、第1の駆動能力、第2の駆動能力、第3の駆動能力の順に切り替える。本実施の形態において、駆動能力とは駆動回路11が出力する出力電圧のことである。   In the present embodiment, the drive circuit 11 includes an output switching circuit 12 that switches an output signal applied to the gate of the switching element 13. The output switching circuit 12 switches the driving ability for driving the switching element 13 in the order of the first driving ability, the second driving ability, and the third driving ability when the switching element 13 is turned on. In the present embodiment, the driving capability is an output voltage output from the driving circuit 11.

本実施の形態において、第2の駆動能力は第1の駆動能力よりも高く、第3の駆動能力は第2の駆動能力よりも低いことを特徴とする。ここで、第1の駆動能力における出力電圧を第1電圧(V1)、第2の駆動能力における出力電圧を第2電圧(V2)、第3の駆動能力における出力電圧を第3電圧(V3)と定義すると、第2電圧(V2)は第1電圧(V1)よりも大きく、第3電圧(V3)は第2電圧(V2)よりも小さい、と言い換えることができる。   In the present embodiment, the second driving capability is higher than the first driving capability, and the third driving capability is lower than the second driving capability. Here, the output voltage in the first driving capability is the first voltage (V1), the output voltage in the second driving capability is the second voltage (V2), and the output voltage in the third driving capability is the third voltage (V3). In other words, the second voltage (V2) is larger than the first voltage (V1), and the third voltage (V3) is smaller than the second voltage (V2).

図2は、本実施の形態におけるパワーモジュール100の動作の概要を示す図である。図2に、ターンオン動作時におけるスイッチング素子13のゲート電圧(VG)、ドレイン電流(ID)およびドレイン・ソース間電圧(VDS)の波形の時間変化を示す。駆動回路11は、まず、第1の駆動能力によって駆動を行い、時刻t1にてゲート閾値(Vth)を超える。その後、駆動回路11は、時刻t2において第1の駆動能力から第2の駆動能力に切り替えて、時刻t3まで駆動を行う。さらに、時刻t3において第2の駆動能力から第3の駆動能力に切り替えて駆動を行う。   FIG. 2 is a diagram showing an outline of the operation of the power module 100 in the present embodiment. FIG. 2 shows temporal changes in the waveforms of the gate voltage (VG), drain current (ID), and drain-source voltage (VDS) of the switching element 13 during the turn-on operation. The drive circuit 11 first drives with the first drive capability, and exceeds the gate threshold value (Vth) at time t1. Thereafter, the drive circuit 11 switches from the first drive capability to the second drive capability at time t2, and performs driving until time t3. Further, at time t3, driving is performed by switching from the second driving capability to the third driving capability.

図2において、図2中のB、Cで示す領域の前後におけるVGとIDの時間変化に着目する。時刻t2から時刻t3の間の時間変化は、時刻t1から時刻t2の間の時間変化と比較して急峻であることがわかる。これは、図2中のBで示す領域の前後において、第1の駆動能力から、より駆動能力が高い第2の駆動能力に切り替わるためである。また、時刻t3から時刻t4の間の時間変化は、時刻t2から時刻t3の間の時間変化と比較して緩やかであることがわかる。これは、図2中のCで示す領域の前後において、第2の駆動能力から、より駆動能力の低い第3の駆動能力に切り替わるためである。   In FIG. 2, attention is paid to the time change of VG and ID before and after the regions indicated by B and C in FIG. 2. It can be seen that the time change from time t2 to time t3 is steeper than the time change from time t1 to time t2. This is because before and after the region indicated by B in FIG. 2, the first drive capability is switched to the second drive capability having a higher drive capability. Also, it can be seen that the time change from time t3 to time t4 is more gradual than the time change from time t2 to time t3. This is because before and after the region indicated by C in FIG. 2, the second drive capability is switched to the third drive capability having a lower drive capability.

以上のように、本実施の形態における駆動回路11は、ターンオン動作の初期(時刻t1〜t2)と末期(時刻t3〜t4)においては、比較的低い駆動能力でスイッチング素子13の駆動を行う。一方、ターンオン動作の中期(時刻t2〜t3)においては、比較的高い駆動能力でスイッチング素子13の駆動を行う。   As described above, the driving circuit 11 in the present embodiment drives the switching element 13 with a relatively low driving capability in the initial stage (time t1 to t2) and the final stage (time t3 to t4) of the turn-on operation. On the other hand, in the middle period (time t2 to t3) of the turn-on operation, the switching element 13 is driven with a relatively high driving capability.

<構成>
図3は、本実施の形態におけるパワーモジュール100の回路図である。また、図4は、本実施の形態におけるパワーモジュール100の動作シーケンスを示す図である。
<Configuration>
FIG. 3 is a circuit diagram of power module 100 in the present embodiment. Moreover, FIG. 4 is a figure which shows the operation | movement sequence of the power module 100 in this Embodiment.

図3に示すように、駆動回路11は直列接続されたnチャネルMOSFET1,2を備える。シンク側のnチャネルMOSFET2のゲート前段にはNOT素子5が挿入されている。入力信号(Vin)のハイレベル/ローレベルのパルスに応じて、入力回路3を介して可変電圧回路4の出力電圧(VrOut)がハイレベル/ローレベルに切り替わることにより、ドライブ側のnチャネルMOSFET1およびシンク側のnチャネルMOSFET2が交互にオンオフされ、スイッチング素子13のゲートが駆動される。ここで、入力回路3は入力信号(Vin)の増幅を行う回路である。可変電圧回路4については後述する。   As shown in FIG. 3, the drive circuit 11 includes n-channel MOSFETs 1 and 2 connected in series. A NOT element 5 is inserted before the gate of the n-channel MOSFET 2 on the sink side. In response to the high level / low level pulse of the input signal (Vin), the output voltage (VrOut) of the variable voltage circuit 4 is switched to the high level / low level via the input circuit 3, whereby the n-channel MOSFET 1 on the drive side. And the n-channel MOSFET 2 on the sink side is alternately turned on and off, and the gate of the switching element 13 is driven. Here, the input circuit 3 is a circuit that amplifies the input signal (Vin). The variable voltage circuit 4 will be described later.

駆動回路11はさらに出力切替回路12を備える。出力切替回路12は、出力信号が付与されているスイッチング素子13のゲート電圧(VG)をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路と、比較回路の比較結果に基づいて駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)とを備える。   The drive circuit 11 further includes an output switching circuit 12. The output switching circuit 12 feeds back the gate voltage (VG) of the switching element 13 to which the output signal is given and compares it with a predetermined voltage value, and switches the driving capability based on the comparison result of the comparison circuit. And a circuit to perform (that is, variable voltage circuit 4).

比較回路はコンパレータ10A,10Bから構成される。コンパレータ10Aの非反転入力には、ゲート電圧(VG)が入力され、反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第1の駆動能力から第2の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図4の時刻t2)を決定する電圧である。VGが所定の電圧値を上回ると、コンパレータ10Aの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。   The comparison circuit includes comparators 10A and 10B. A gate voltage (VG) is input to the non-inverting input of the comparator 10A, and a predetermined voltage value is input to the inverting input. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines the timing (time t2 in FIG. 4) at which the driving capability is switched from the first driving capability to the second driving capability. When VG exceeds a predetermined voltage value, the output of the comparator 10A is switched from the low level to the high level.

また、コンパレータ10Bの非反転入力には、ゲート電圧(VG)が入力され、反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第2の駆動能力から第3の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図4の時刻t3)を決定する電圧である。VGが所定の電圧値を上回ると、コンパレータ10Bの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。コンパレータ10A,10Bの出力は可変電圧回路4に入力される。   The gate voltage (VG) is input to the non-inverting input of the comparator 10B, and a predetermined voltage value is input to the inverting input. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines a timing (time t3 in FIG. 4) at which the driving capability is switched from the second driving capability to the third driving capability. When VG exceeds a predetermined voltage value, the output of the comparator 10B is switched from the low level to the high level. The outputs of the comparators 10A and 10B are input to the variable voltage circuit 4.

<動作>
図4に示すように、可変電圧回路4は、入力信号(Vin)がハイレベルで、かつコンパレータ10A,10Bからの出力信号(CompA、CompB)がローレベルの場合(時刻t1〜t2)は、VrOutとしてV1を出力する。
<Operation>
As shown in FIG. 4, in the variable voltage circuit 4, when the input signal (Vin) is at a high level and the output signals (CompA, CompB) from the comparators 10A and 10B are at a low level (time t1 to t2), V1 is output as VrOut.

そして、時刻t2において、VGが前述した所定の電圧を上回ると、コンパレータ10Aの出力信号(CompA)がハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4は、VrOutとして、V1より大きい電圧のV2を出力する。さらに、時刻t3においてVGが前述した所定の電圧を上回るとCompBがハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4はVrOutとして、V2より小さい電圧のV3を出力する。   At time t2, when VG exceeds the above-described predetermined voltage, the output signal (CompA) of the comparator 10A changes to a high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V2 having a voltage higher than V1 as VrOut. Further, when VG exceeds the predetermined voltage described above at time t3, CompB changes to a high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V3 having a voltage smaller than V2 as VrOut.

以上のように、本実施の形態におけるパワーモジュール100に備わる駆動回路11は、スイッチング素子13のゲート電圧(VG)をフィードバックして比較回路(即ち、コンパレータ10A,10B)において所定の電圧値との比較を行い、その比較結果に基づいて駆動能力の切り替えを行う。駆動回路11は、時刻t2および時刻t3において駆動能力の切り替えを行うため、3段階の駆動能力でスイッチング素子13を駆動することが可能である。   As described above, the drive circuit 11 provided in the power module 100 according to the present embodiment feeds back the gate voltage (VG) of the switching element 13 to obtain a predetermined voltage value in the comparison circuit (that is, the comparators 10A and 10B). The comparison is performed, and the driving ability is switched based on the comparison result. Since the drive circuit 11 switches the drive capability at time t2 and time t3, the drive circuit 11 can drive the switching element 13 with three stages of drive capability.

なお、本実施の形態では、駆動能力は駆動回路11が出力する出力電圧であるとしたが、スイッチング素子13の制御端子に与える出力信号として、電流を想定する場合には、駆動回路11が出力する出力電流を駆動能力としてもよい。   In the present embodiment, the driving capability is the output voltage output from the drive circuit 11. However, when the current is assumed as the output signal to be supplied to the control terminal of the switching element 13, the drive circuit 11 outputs the output voltage. The output current to be used may be the driving capability.

<効果>
本実施の形態におけるパワーモジュール100は、スイッチング素子13と、スイッチング素子13を駆動する駆動回路11とを内蔵したパワーモジュールであって、駆動回路11は、スイッチング素子13の制御端子に与える出力信号を切り替える出力切替回路12を備え、出力切替回路12は、スイッチング素子13のターンオン時に、出力信号がスイッチング素子13を駆動する駆動能力を、第1の駆動能力、第2の駆動能力、第3の駆動能力の順に切り替え、第2の駆動能力は第1の駆動能力よりも高く、第3の駆動能力は第2の駆動能力よりも低いことを特徴とする。
<Effect>
The power module 100 in the present embodiment is a power module that includes a switching element 13 and a drive circuit 11 that drives the switching element 13, and the drive circuit 11 outputs an output signal to be supplied to a control terminal of the switching element 13. The output switching circuit 12 includes an output switching circuit 12. The output switching circuit 12 includes a first driving capability, a second driving capability, and a third driving capability for driving the switching device 13 with an output signal when the switching device 13 is turned on. The second driving capability is higher than the first driving capability, and the third driving capability is lower than the second driving capability.

従って、本実施の形態において駆動回路11は、ターンオン時において、スイッチング素子13を駆動する駆動能力を低、高、低の順に3段階に切り替える制御を行う。よって、ターンオン動作の中期において比較的高い駆動能力で駆動を行い、かつ末期において比較的低い駆動能力で駆動を行うことにより、スイッチング損失抑制とリカバリー電流の抑制を両立することが可能である。さらに、ターンオン動作の初期において比較的低い駆動能力で駆動を行うことにより、ゲート電圧の時間変化(dv/dt)を緩やかにして、電磁波ノイズの発生を抑制することが可能である。   Therefore, in the present embodiment, the drive circuit 11 performs control to switch the driving capability for driving the switching element 13 in three steps in the order of low, high, and low at the time of turn-on. Therefore, it is possible to achieve both switching loss suppression and recovery current suppression by driving with a relatively high driving capability in the middle period of the turn-on operation and driving with a relatively low driving capability in the final period. Further, by performing driving with a relatively low driving capability in the early stage of the turn-on operation, it is possible to moderate the time change (dv / dt) of the gate voltage and suppress the generation of electromagnetic noise.

また、本実施の形態におけるパワーモジュール100において、出力切替回路12は、出力信号が付与されているスイッチング素子13の前記制御端子の電圧をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路(即ちコンパレータ10A,10B)と、比較回路の比較結果に基づいて駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)と、を備えることを特徴とする。   Further, in the power module 100 according to the present embodiment, the output switching circuit 12 feeds back the voltage at the control terminal of the switching element 13 to which the output signal is given and compares it with a predetermined voltage value (that is, a comparator). 10A, 10B) and a circuit (that is, variable voltage circuit 4) for switching the driving capability based on the comparison result of the comparison circuit.

従って、2つのコンパレータ10A,10Bを備える比較回路において、フィードバックしたスイッチング素子13の制御端子の電圧と所定の電圧値とを比較して、比較結果に基づいて可変電圧回路4が駆動能力の切り替えを行うことにより、駆動能力を3段階に切り替えることが可能である。また、スイッチング素子13のゲート電圧をフィードバックすることにより、ゲート電圧に対応した駆動能力の切り替えを行うことが可能である。   Accordingly, in the comparison circuit including the two comparators 10A and 10B, the voltage of the control terminal of the switching element 13 fed back is compared with a predetermined voltage value, and the variable voltage circuit 4 switches the driving capability based on the comparison result. By doing so, it is possible to switch the driving capability to three stages. Further, by feeding back the gate voltage of the switching element 13, it is possible to switch the driving capability corresponding to the gate voltage.

また、本実施の形態において、スイッチング素子13はMOSFETであることを特徴とする。従って、MOSFETはターンオン時の電流の立ち上がりが急峻であるため、スイッチング速度を制御する本発明が有効である。   In the present embodiment, the switching element 13 is a MOSFET. Accordingly, since the MOSFET has a sharp rise in current at turn-on, the present invention for controlling the switching speed is effective.

<実施の形態2>
図5は、本実施の形態におけるパワーモジュール200の回路図である。図6は、本実施の形態におけるパワーモジュール200の動作シーケンスを示す図である。
<Embodiment 2>
FIG. 5 is a circuit diagram of power module 200 in the present embodiment. FIG. 6 is a diagram showing an operation sequence of the power module 200 in the present embodiment.

本実施の形態において、出力切替回路12Aは、駆動回路11への入力信号に基づいて動作するタイマ回路14と、タイマ回路14の出力に基づいて駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)とを備えることを特徴とする。   In the present embodiment, the output switching circuit 12A includes a timer circuit 14 that operates based on an input signal to the driving circuit 11, and a circuit that switches the driving capability based on the output of the timer circuit 14 (that is, the variable voltage circuit 4). ).

タイマ回路14は、コンパレータ20A,20Bを備える。コンパレータ20A,20Bの非反転入力は、タイマ用スイッチング素子50のソースとタイマ用コンデンサ40との間に接続されている。タイマ用スイッチング素子50の制御端子には、入力回路3を介して入力信号(Vin)が入力される。   The timer circuit 14 includes comparators 20A and 20B. The non-inverting inputs of the comparators 20A and 20B are connected between the source of the timer switching element 50 and the timer capacitor 40. An input signal (Vin) is input to the control terminal of the timer switching element 50 via the input circuit 3.

コンパレータ20Aの反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第1の駆動能力から第2の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図6の時刻t2)を決定する電圧である。非反転入力の電圧が反転入力の電圧を上回ると、コンパレータ20Aの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。また、コンパレータ20Bの反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第2の駆動能力から第3の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図6の時刻t3)を決定する電圧である。非反転入力の電圧が反転入力の電圧を上回ると、コンパレータ20Bの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。実施の形態1と同様、コンパレータ20A,20Bの出力は可変電圧回路4に入力される。その他の構成は実施の形態1(図3)と同じため、説明を省略する。   A predetermined voltage value is input to the inverting input of the comparator 20A. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines a timing (time t2 in FIG. 6) at which the driving capability is switched from the first driving capability to the second driving capability. When the voltage at the non-inverting input exceeds the voltage at the inverting input, the output of the comparator 20A is switched from the low level to the high level. A predetermined voltage value is input to the inverting input of the comparator 20B. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines the timing (time t3 in FIG. 6) at which the driving capability is switched from the second driving capability to the third driving capability. When the voltage of the non-inverting input exceeds the voltage of the inverting input, the output of the comparator 20B is switched from the low level to the high level. As in the first embodiment, the outputs of the comparators 20A and 20B are input to the variable voltage circuit 4. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 3), description thereof is omitted.

<動作>
図6に示すように、可変電圧回路4は、入力信号Vinがハイレベルで、かつコンパレータ20A,20Bからの出力信号(DelyA、DelyB)がローレベルの場合(時刻t1〜t2)は、VrOutとしてV1を出力する。同時に、ハイレベルの入力信号Vinがタイマ用スイッチング素子50をオンすることにより、タイマ用コンデンサ40の充電が開始される。
<Operation>
As shown in FIG. 6, when the input signal Vin is at a high level and the output signals (DelyA, DelyB) from the comparators 20A and 20B are at a low level (time t1 to t2), the variable voltage circuit 4 is set as VrOut. V1 is output. At the same time, the high-level input signal Vin turns on the timer switching element 50, whereby charging of the timer capacitor 40 is started.

そして、タイマ用コンデンサ40の充電が進むことにより、時刻t2において、コンパレータ20Aの非反転入力が前述した所定の電圧値を上回ると、コンパレータ20Aの出力信号(DelyA)がハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4は、VrOutとして、V1より大きい電圧のV2を出力する。   As the charging of the timer capacitor 40 proceeds, when the non-inverting input of the comparator 20A exceeds the predetermined voltage value described above at time t2, the output signal (DelyA) of the comparator 20A changes to a high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V2 having a voltage higher than V1 as VrOut.

さらに、タイマ用コンデンサ40の充電が進むことにより、時刻t3において、コンパレータ20Bの非反転入力が前述した所定の電圧値を上回ると、コンパレータ20Bの出力信号(DelyB)がハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4は、VrOutとして、V2より小さい電圧のV3を出力する。   Further, as the charging of the timer capacitor 40 proceeds, when the non-inverting input of the comparator 20B exceeds the above-described predetermined voltage value at time t3, the output signal (DelyB) of the comparator 20B changes to a high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V3 having a voltage smaller than V2 as VrOut.

以上のように、本実施の形態におけるパワーモジュール200に備わる駆動回路11は、駆動回路11への入力信号に基づいて動作するタイマ回路14が時間差で出力するハイレベル信号に基づいて駆動能力の切り替えを行う。駆動回路11は、時刻t2および時刻t3において駆動能力の切り替えを行うため、3段階の駆動能力でスイッチング素子13を駆動することが可能である。   As described above, the driving circuit 11 provided in the power module 200 according to the present embodiment switches the driving capability based on the high level signal output by the timer circuit 14 that operates based on the input signal to the driving circuit 11 with a time difference. I do. Since the drive circuit 11 switches the drive capability at time t2 and time t3, the drive circuit 11 can drive the switching element 13 with three stages of drive capability.

<効果>
本実施の形態におけるパワーモジュール200において、出力切替回路12Aは、駆動回路11への入力信号に基づいて動作するタイマ回路14と、タイマ回路14の出力に基づいて駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)と、を備えることを特徴とする。
<Effect>
In the power module 200 according to the present embodiment, the output switching circuit 12A includes a timer circuit 14 that operates based on an input signal to the driving circuit 11 and a circuit that switches driving capability based on the output of the timer circuit 14 (that is, And a variable voltage circuit 4).

従って、タイマ回路14に備わる2つのコンパレータ20A,20Bのそれぞれにおいて、タイマ用コンデンサ40の充電により上昇する電圧と所定の電圧値とを比較する。そして、タイマ回路14の出力に基づいて可変電圧回路4が駆動能力の切り替えを行うことにより、実施の形態1と同様、駆動能力を3段階に切り替えることが可能である。また、タイマ回路14を用いて駆動能力切り替えのタイミングを制御することにより、スイッチング素子13の特性のばらつきに依存せずに駆動能力の切り替えを行うことが可能である。   Accordingly, in each of the two comparators 20A and 20B provided in the timer circuit 14, a voltage that rises due to charging of the timer capacitor 40 is compared with a predetermined voltage value. Then, the variable voltage circuit 4 switches the driving capability based on the output of the timer circuit 14, so that the driving capability can be switched in three stages as in the first embodiment. In addition, by controlling the driving capability switching timing using the timer circuit 14, it is possible to switch the driving capability without depending on the variation in the characteristics of the switching element 13.

<実施の形態3>
図7は、本実施の形態におけるパワーモジュール300の回路図である。図8は、本実施の形態におけるパワーモジュール300の動作シーケンスを示す図である。
<Embodiment 3>
FIG. 7 is a circuit diagram of power module 300 in the present embodiment. FIG. 8 is a diagram showing an operation sequence of the power module 300 in the present embodiment.

図7に示す様に、本実施の形態において、スイッチング素子13はセンス端子15を備える。本実施の形態において、出力切替回路12Bは、センス端子15のセンス電流をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路と、比較回路の比較結果に基づいて前記駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)とを備えることを特徴とする。   As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the switching element 13 includes a sense terminal 15. In the present embodiment, the output switching circuit 12B includes a comparison circuit that feeds back the sense current of the sense terminal 15 and compares it with a predetermined voltage value, and a circuit that switches the drive capability based on the comparison result of the comparison circuit ( That is, a variable voltage circuit 4) is provided.

比較回路はコンパレータ30A,30Bから構成される。コンパレータ30Aの非反転入力には、センス電流が抵抗素子16を流れることによって生じる電圧(以降、これをセンス電圧と呼ぶ)が入力され、反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第1の駆動能力から第2の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図8の時刻t2)を決定する電圧である。センス電圧が所定の電圧を上回ると、コンパレータ30Aの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。   The comparison circuit includes comparators 30A and 30B. A voltage (hereinafter referred to as a sense voltage) generated when a sense current flows through the resistance element 16 is input to the non-inverting input of the comparator 30A, and a predetermined voltage value is input to the inverting input. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines the timing (time t2 in FIG. 8) at which the driving capability is switched from the first driving capability to the second driving capability. When the sense voltage exceeds a predetermined voltage, the output of the comparator 30A is switched from the low level to the high level.

また、コンパレータ30Bの非反転入力には、コンパレータ30Aと同様、センス電圧が入力され、反転入力には、所定の電圧値が入力されている。ここで所定の電圧値とは、第2の駆動能力から第3の駆動能力へ駆動能力が切り替わるタイミング(図8の時刻t3)を決定する電圧である。センス電圧が所定の電圧を上回ると、コンパレータ30Bの出力はローレベルからハイレベルに切り替わる。実施の形態1と同様、コンパレータ30A,30Bの出力は可変電圧回路4に入力される。その他の構成は実施の形態1(図3)と同じため、説明を省略する。   Similarly to the comparator 30A, a sense voltage is input to the non-inverting input of the comparator 30B, and a predetermined voltage value is input to the inverting input. Here, the predetermined voltage value is a voltage that determines the timing (time t3 in FIG. 8) at which the driving capability is switched from the second driving capability to the third driving capability. When the sense voltage exceeds a predetermined voltage, the output of the comparator 30B is switched from the low level to the high level. As in the first embodiment, the outputs of the comparators 30A and 30B are input to the variable voltage circuit 4. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 3), description thereof is omitted.

<動作>
図8に示すように、可変電圧回路4は、入力信号(Vin)がハイレベルで、かつコンパレータ30A,30Bからの出力信号(CompA、CompB)がローレベルの場合(時刻t1〜t2)は、VrOutとしてV1を出力する。
<Operation>
As shown in FIG. 8, in the variable voltage circuit 4, when the input signal (Vin) is at a high level and the output signals (CompA, CompB) from the comparators 30A and 30B are at a low level (time t1 to t2), V1 is output as VrOut.

そして、時刻t2において、センス電圧が前述した所定の電圧値を上回ると、コンパレータ30Aの出力信号(CompA)がハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4は、VrOutとして、V1より大きい電圧のV2を出力する。さらに、時刻t3においてセンス電圧が前述した所定の電圧値を上回るとCompBがハイレベルに変化する。すると、可変電圧回路4はVrOutとして、V2より小さい電圧のV3を出力する。   When the sense voltage exceeds the predetermined voltage value described above at time t2, the output signal (CompA) of the comparator 30A changes to a high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V2 having a voltage higher than V1 as VrOut. Further, when the sense voltage exceeds the predetermined voltage value described above at time t3, CompB changes to high level. Then, the variable voltage circuit 4 outputs V3 having a voltage smaller than V2 as VrOut.

以上のように、本実施の形態におけるパワーモジュール300に備わる駆動回路11は、スイッチング素子13のセンス電流をフィードバックして比較回路(即ち、コンパレータ30A,30B)において比較を行い、その比較結果に基づいて駆動能力の切り替えを行う。駆動回路11は、時刻t2および時刻t3において駆動能力の切り替えを行うため、3段階の駆動能力でスイッチング素子13を駆動することが可能である。   As described above, the drive circuit 11 provided in the power module 300 according to the present embodiment feeds back the sense current of the switching element 13 to perform comparison in the comparison circuit (that is, the comparators 30A and 30B), and based on the comparison result. Switch the driving capacity. Since the drive circuit 11 switches the drive capability at time t2 and time t3, the drive circuit 11 can drive the switching element 13 with three stages of drive capability.

<効果>
本実施の形態におけるパワーモジュール300において、スイッチング素子13はセンス端子を備え、出力切替回路12Bは、センス端子15のセンス電流をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路(即ちコンパレータ30A,30B)と、比較回路の比較結果に基づいて駆動能力の切り替えを行う回路(即ち可変電圧回路4)と、を備えることを特徴とする。
<Effect>
In the power module 300 in the present embodiment, the switching element 13 includes a sense terminal, and the output switching circuit 12B feeds back the sense current of the sense terminal 15 and compares it with a predetermined voltage value (that is, comparators 30A and 30B). ) And a circuit (that is, variable voltage circuit 4) for switching the driving ability based on the comparison result of the comparison circuit.

従って、2つのコンパレータ30A,30Bを備える比較回路において、スイッチング素子13のセンス端子15の電流をフィードバックして、所定の電圧値と比較し、比較結果に基づいて可変電圧回路4が駆動能力の切り替えを行うことにより、駆動能力を3段階に切り替えることが可能である。また、スイッチング素子13のセンス電流をフィードバックすることにより、スイッチング素子13の特性のばらつきに対応した駆動能力の切り替えを行うことが可能である。   Accordingly, in the comparison circuit including the two comparators 30A and 30B, the current of the sense terminal 15 of the switching element 13 is fed back and compared with a predetermined voltage value, and the variable voltage circuit 4 switches the driving capability based on the comparison result. By performing the above, it is possible to switch the driving capability to three stages. Further, by feeding back the sense current of the switching element 13, it is possible to switch the driving capability corresponding to the variation in characteristics of the switching element 13.

<実施の形態4>
図9は、本実施の形態におけるパワーモジュール400の機能ブロック図である。実施の形態1〜3においては、スイッチング素子13としてMOSFETを用いたが、本実施の形態では、スイッチング素子13としてIGBT21を用いる。特に、近年スイッチングに要する時間の短縮による損失低減を目的として、コレクタの不純物濃度が比較的薄いIGBTがインバータ用途に広く用いられてきている。
<Embodiment 4>
FIG. 9 is a functional block diagram of power module 400 in the present embodiment. Although the MOSFET is used as the switching element 13 in the first to third embodiments, the IGBT 21 is used as the switching element 13 in the present embodiment. In particular, IGBTs having a relatively low collector impurity concentration have been widely used for inverter applications in recent years for the purpose of reducing loss by shortening the time required for switching.

このようなIGBTは従来のIGBTと比較して電流の立ち上がりが急峻となり、MOSFETに似たターンオン波形となるため、本発明を適用した効果をより顕著に得ることが可能である。なお、ターンオン時の波形がMOSFETと類似するのであれば、他の種類のスイッチング素子であってもよい。   Such an IGBT has a steep current rise as compared with a conventional IGBT and has a turn-on waveform similar to that of a MOSFET. Therefore, the effect of applying the present invention can be obtained more remarkably. Note that other types of switching elements may be used as long as the waveform at turn-on is similar to that of the MOSFET.

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.

1,2 nチャネルMOSFET、3 入力回路、4 可変電圧回路、5 NOT素子、10A,10B,20A,20B,30A,30B コンパレータ、11 駆動回路、12,12A,12B 出力切替回路、13 スイッチング素子、14 タイマ回路、15 センス端子、16 抵抗素子、21 IGBT、40 タイマ用コンデンサ、50 タイマ用スイッチング素子、100,200,300,400 パワーモジュール。   1, 2 n-channel MOSFET, 3 input circuit, 4 variable voltage circuit, 5 NOT element, 10A, 10B, 20A, 20B, 30A, 30B comparator, 11 drive circuit, 12, 12A, 12B output switching circuit, 13 switching element, 14 timer circuit, 15 sense terminal, 16 resistance element, 21 IGBT, 40 timer capacitor, 50 timer switching element, 100, 200, 300, 400 power module.

Claims (6)

スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する駆動回路とを内蔵したパワーモジュールであって、
前記駆動回路は、前記スイッチング素子の制御端子に与える出力信号を切り替える出力切替回路を備え、
前記出力切替回路は、前記スイッチング素子のターンオン時に、前記出力信号が前記スイッチング素子を駆動する駆動能力を、第1の駆動能力、第2の駆動能力、第3の駆動能力の順に切り替え、
前記第2の駆動能力は前記第1の駆動能力よりも高く、前記第3の駆動能力は前記第2の駆動能力よりも低いことを特徴とする、
パワーモジュール。
A power module including a switching element and a drive circuit for driving the switching element,
The drive circuit includes an output switching circuit that switches an output signal applied to a control terminal of the switching element,
The output switching circuit switches the driving ability of the output signal to drive the switching element when the switching element is turned on in the order of a first driving ability, a second driving ability, and a third driving ability;
The second driving capability is higher than the first driving capability, and the third driving capability is lower than the second driving capability.
Power module.
前記出力切替回路は、
前記出力信号が付与されている前記スイッチング素子の前記制御端子の電圧をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路と、
前記比較回路の比較結果に基づいて前記駆動能力の切り替えを行う回路と、
を備えることを特徴とする、
請求項1に記載のパワーモジュール。
The output switching circuit is
A comparison circuit that feeds back a voltage of the control terminal of the switching element to which the output signal is applied and compares it with a predetermined voltage value;
A circuit for switching the driving capability based on a comparison result of the comparison circuit;
Characterized by comprising,
The power module according to claim 1.
前記出力切替回路は、
前記駆動回路への入力信号に基づいて動作するタイマ回路と、
前記タイマ回路の出力に基づいて前記駆動能力の切り替えを行う回路と、
を備えることを特徴とする、
請求項1に記載のパワーモジュール。
The output switching circuit is
A timer circuit that operates based on an input signal to the drive circuit;
A circuit for switching the driving capability based on the output of the timer circuit;
Characterized by comprising,
The power module according to claim 1.
前記スイッチング素子はセンス端子を備え、
前記出力切替回路は、
前記センス端子のセンス電流をフィードバックして所定の電圧値と比較する比較回路と、
前記比較回路の比較結果に基づいて前記駆動能力の切り替えを行う回路と、
を備えることを特徴とする、
請求項1に記載のパワーモジュール。
The switching element includes a sense terminal;
The output switching circuit is
A comparison circuit that feeds back a sense current of the sense terminal and compares it with a predetermined voltage value;
A circuit for switching the driving capability based on a comparison result of the comparison circuit;
Characterized by comprising,
The power module according to claim 1.
前記スイッチング素子はMOSFETであることを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載のパワーモジュール。
The switching element is a MOSFET,
The power module according to claim 1.
前記スイッチング素子はIGBTであることを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載のパワーモジュール。
The switching element is an IGBT,
The power module according to claim 1.
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