JP2015059882A - 磁界センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検出精度を高めることの可能な磁界センサを提供する【解決手段】磁界センサ１は、磁界を検出可能な第１ループコイル１１と、第１ループコイル１１が検出する磁界とは異なる向きの磁界を検出可能な第２ループコイル１２を備える。第２ループコイル１２は、第１ループコイル１１と同一形状に形成され、第１ループコイル１１の径内側に所定の隙間をあけて設けられる。これにより、磁界センサ１は、第１ループコイル１１と第２ループコイル１２とが交差する箇所において、短絡を防ぐための絶縁体を廃止することが可能である。そのため、第１ループコイル１１と第２ループコイル１２との間に生じる静電結合を小さくすることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、磁界を検出する磁界センサに関する。

従来より、電子機器等から発生する磁界の強度、位相及び方向を、２次元又は３次元で検出する磁界センサが知られている。磁界センサが検出した磁界の計測値に基づき、電子機器における電磁的な相互干渉による誤動作等の原因個所の特定、及び電磁エネルギーの伝搬経路等を特定することが可能である。
特許文献１に記載の磁界センサは、球状の物体の表面に導電性箔からなる２枚のループコイルを設けている。この磁界センサは、一方のループコイルのループ面と、他方のループコイルのループ面とが直交している。そのため、磁界センサは、磁界を２次元で検出することが可能である。
なお、本明細書において「ループ面」とは、ループコイルが所定の仮想平面に沿って形成されている場合、その仮想平面のうちループコイル内側の面をいうものとする。

特開２０００−２７５２８８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の磁界センサは、２枚のループコイルを形成する導電性箔の接触を防ぐため、２枚のループコイルが交差する箇所に絶縁体を挟む構成である。そのため、隣接する２枚の導電性箔と絶縁体によって静電結合が生じ、磁界の検出精度が悪化することが懸念される。
また、この磁界センサは、ループコイルを形成する導電性箔の幅を広くすると、２個のループコイルの間の静電結合が大きくなり、特に高周波帯域での検出精度が低下するおそれがある。
さらに、この磁界センサは、球状の物体の表面に、一方のループコイル、絶縁体、他方のループコイルの順に重ねる構成である。そのため、絶縁体の厚さ分、一方のループコイルの径よりも他方のループコイルの径が大きくなり、２個のループ面の面積が異なることが懸念される。その場合、２個のループコイルの出力特性が異なるものとなり、磁界の検出精度が低下するおそれがある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、検出精度を高めることが可能な磁界センサを提供することを目的とする。

本発明は、互いに異なる向きの磁界を検出可能な第１ループコイルと第２ループコイルを備えた磁界センサにおいて、第１ループコイルと同一形状の第２ループコイルが、第１ループコイルの径内側に所定の隙間をあけて設けられることを特徴とする。
これにより、第１ループコイルと第２ループコイルとが交差する箇所において、上述した特許文献１の磁界センサが備えた絶縁体を廃止することが可能である。そのため、第１ループコイルと第２ループコイルとの間に生じる静電結合を小さくすることができる。
また、第１ループコイルと第２ループコイルとが同一形状であるので、これらの出力特性が同一となる。したがって、磁界センサは、複数のループコイルによって検出する磁界の検出精度を高めることができる。

本発明の第１実施形態による磁界センサの斜視図である。 図１のＩＩ方向の矢視図である。 本発明の第２実施形態による磁界センサの斜視図である。 第２実施形態の磁界センサによる出力試験の構成を示す模式図である。 第１比較例の磁界センサによる出力試験の構成を示す模式図である。 第２実施形態と第１比較例の磁界センサの出力の特性図である。 本発明の第３実施形態による磁界センサの斜視図である。 本発明の第４実施形態による磁界センサの斜視図である。 図８のＩＸ方向の矢視図である。 第４実施形態の磁界センサによる出力試験の構成を示す模式図である。 図１０のＸＩ方向の矢視図である。 第２比較例の磁界センサによる出力試験の構成を示す模式図である。 図１２のＸＩＩＩ方向の矢視図である。 第４実施形態と第２比較例の磁界センサの出力の特性図である。 本発明の第５実施形態による磁界センサの斜視図である。 図１５のＸＶＩ方向の矢視図である。 第５実施形態による磁界センサの分解図である。 図１７のＸＶＩＩＩ部分の拡大図である。 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線の断面図である。 本発明の第６実施形態による磁界センサの斜視図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１及び図２に示す。第１実施形態の磁界センサ１は、種々の電子機器等から発生する磁界の強度、位相及び方向を３次元で検出するものである。
磁界センサ１は、第１ループコイル１１、第２ループコイル１２、第３ループコイル１３及び検出部１４を備えている。第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、例えばセミリジットケーブル又は銅板などの導電体から形成される。検出部１４は、第１−第３ループコイル１１，１２，１３に電気的に接続し、それらのループコイルに流れる電流値に基づき、第１−第３ループコイル１１，１２，１３に鎖交する磁界を検出する。

なお、第１−第３ループコイル１１，１２，１３をセミリジットケーブルから形成する場合、中央を信号線とし、その周囲をシールド用の配線としたシールデッドループコイルとすることが可能である。
また、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、銅板などの金属板から形成してもよいし、或いは、後述する第４、第５実施形態のように、基板の配線パターンとして構成してもよい。その場合、金属板又は基板の配線パターンは、各ループコイル１１，１２，１３のループ面に沿った方向に延びるものとする。

第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、長手方向と短手方向とを有する楕円形に形成される。第１−第３ループコイル１１，１２，１３は全て同一形状であり、長手方向の内径ｄ１が短手方向の外径ｄ２よりも大きい。そのため、第１ループコイル１１の長手方向の内径ｄ１よりも、第２ループコイル１２の短手方向の外径ｄ２が小さい。したがって、第１ループコイル１１の長手方向の内壁よりも径内側に、第２ループコイル１２の短手方向の外壁が位置し、それらの間に所定の隙間が形成される。
これと同様に、第２ループコイル１２の長手方向の内壁よりも径内側に、第３ループコイル１３の短手方向の外壁が位置する。また、第３ループコイル１３の長手方向の内壁よりも径内側に、第１ループコイル１１の短手方向の外壁が位置する。

また、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、それらの中心Ｏが全て同一位置となるように組み合わされる。これにより、第１ループコイル１１の長手方向の中心線Ｃ１と、第２ループコイル１２の短手方向の中心線Ｃ１とが重なる。第２ループコイル１２の長手方向の中心線Ｃ２と、第３ループコイル１３の短手方向の中心線Ｃ２とが重なる。第３ループコイル１３の長手方向の中心線Ｃ３と、第１ループコイル１１の短手方向の中心線Ｃ３とが重なる。

さらに、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、それぞれのループ面が互いに直交するように組み合わされる。これにより、第１ループコイル１１の長手方向の中心線Ｃ１、第２ループコイル１２の長手方向の中心線Ｃ２、及び第３ループコイル１３の長手方向の中心線Ｃ３は、３次元直交座標を形成する。
第１−第３ループコイル１１，１２，１３のそれぞれに磁界が鎖交すると、第１−第３ループコイル１１，１２，１３には、その磁界を打ち消す方向に電流が流れる。検出部１４は、第１−第３ループコイル１１，１２，１３両端の電位差などから第１−第３ループコイル１１，１２，１３に流れる電流値を計測する。そして、検出部１４は、その電流値に基づき、第１−第３ループコイル１１，１２，１３それぞれに鎖交する磁界を検出する。したがって、磁界センサ１は、中心Ｏの周囲に存在する磁界を３次元で検出することが可能である。

第１実施形態の磁界センサ１は、次の作用効果を奏する。
（１）第１実施形態では、第１−第３ループコイル１１，１２，１３が同一形状に形成される。そして、一方のループコイルの径内側に所定の隙間をあけて他方のループコイルが設けられる。
これにより、第１−第３ループコイル１１，１２，１３が交差する箇所に絶縁体を設けることなく、これらを組み合わせることが可能である。そのため、第１−第３ループコイル１１，１２，１３の間に生じる静電結合を小さくすることができる。
また、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は同一形状であるので、３個のループ面の面積が同一であり、第１−第３ループコイル１１，１２，１３の出力特性が同一となる。したがって、磁界センサ１は、磁界の検出精度を高めることができる。

（２）第１実施形態では、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、長手方向および短手方向を有する楕円形である。そして、一方のループコイルの長手方向の内壁よりも径内側に、他方のループコイルの短手方向の外壁が位置するように組み合わされる。
これにより、第１−第３ループコイル１１，１２，１３を同一形状にすることができる。

（３）第１実施形態では、第１−第３ループコイル１１，１２，１３は、それらの中心Ｏが同一位置となるように組み合わされる。
これにより、磁界センサ１は、第１−第３ループコイル１１，１２，１３の中心Ｏを磁界の計測地点と一致させることにより、一つの計測地点において異なる向きの磁界を３次元で検出することができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図３に示す。以下、複数の実施形態において、上述した第１実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第２実施形態の磁界センサ２は、第１−第３ループコイル２１，２２，２３が、同一の概略長方形に形成される。第１−第３ループコイル２１，２２，２３は、長手方向の内径が短手方向の外径よりも大きい。そのため、一方のループコイルの径内側に所定の隙間をあけて他方のループコイルを設けることが可能である。
第１−第３ループコイル２１，２２，２３は、それらの中心Ｏが同一位置となるように組み合わされる。また、第１−第３ループコイル２１，２２，２３の長手方向又は短手方向の中心線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、３次元直交座標を形成する。これにより、磁界センサ２は、中心Ｏの周囲に存在する磁界を３次元で検出することが可能である。

次に、第２実施形態の磁界センサ２と第１比較例の磁界センサ１００の出力特性を比較した試験結果について、図４から図６を参照して説明する。
第２実施形態の磁界センサ２による出力試験の構成を図４に示す。
この磁界センサ２は、基板９１に設けられたマイクロストリップライン９２に対し、第１ループコイル２１のループ面と第３ループコイル２３のループ面とが平行に設置され、第２ループコイル２２のループ面が垂直に設置される。なお、マイクロストリップライン９２に対し、第１ループコイル２１は隣接し、第３ループコイル２３は離れている。
この構成で、ネットワークアナライザ９３からマイクロストリップライン９２に電力を注入し、第１、第２ループコイル２１，２２の出力をネットワークアナライザ９３に入力して、伝送特性を計測した。

これに対する第１比較例の磁界センサ１００による出力試験の構成を図５に示す。
第１比較例の磁界センサ１００は、立方体の物体の表面に第１−第３ループコイル１０１，１０２，１０３を設けたものである。第１−第３ループコイル１０１，１０２，１０３は、同一の円形であるが、それぞれの中心位置が異なっている。
比較例の磁界センサ１００も、マイクロストリップライン９２に対し、第１ループコイル１０１のループ面と第３ループコイル１０３のループ面とが平行に設置され、第２ループコイル１０２のループ面が垂直に設置される。第１ループコイル１０１はマイクロストリップライン９２に隣接し、第３ループコイル１０３は離れている。
この構成で、ネットワークアナライザ９３からマイクロストリップライン９２に電力を注入し、第１、第２ループコイル１０１，１０２の出力をネットワークアナライザ９３に入力して、伝送特性を計測した。

第２実施形態の磁界センサ２と第１比較例の磁界センサ１００は、いずれもマイクロストリップライン９２から発生する磁界Ｂ１が、それぞれの第１ループコイル２１，１０１によって計測される。一方、いずれのセンサ２，１００も、第２ループコイル２２，１０２が、そのループ面がマイクロストリップライン９２に対して垂直であるので、２個のループコイルが互いに干渉することがなければ、原理上、磁界Ｂ１を計測しない。したがって、第１ループコイル２１，１０１の出力と第２ループコイル２２，１０２の出力との差が大きい程、その２個のループコイル同士は干渉しにくい構成であるといえる。

第２実施形態の磁界センサ２と第１比較例の磁界センサ１００の出力特性の試験結果を図６に示す。
図６は、横軸に周波数を示し、縦軸に第１ループコイル１０１と第２ループコイルとの出力比を示している。
実線Ｐに示すように、第１比較例の磁界センサ１００は、周波数が高くなるに従い、２個のループコイル１０１，１０２の出力比が低くなっている。
この原因として、まず、マイクロストリップライン９２から生じた磁界Ｂ１が第１ループコイル１０１に鎖交すると、それを打ち消そうとする電流が第１ループコイル１０１に流れる。これにより、第１ループコイル１０１の周りに磁界Ｂ２が発生し、その磁界成分が第２ループコイル１０２に鎖交する。このようにして、第１ループコイル１０１と第２ループコイル１０２との間に干渉が生じたため、原理上磁界を計測しない第２ループコイル１０２が磁界を計測したと考えられる。

これに対し、実線Ｑに示すように、第２実施形態の磁界センサ２は、計測した周波数の全領域において、２個のループコイル２１，２２の出力比が高い値となっている。
即ち、第２実施形態の磁界センサ２は、３個のループコイルの中心Ｏが同じ位置にあり、且つ、２個のループコイル２１，２２交差する箇所に所定の隙間があるので、２個のループコイル同士の干渉が生じることがない。そのため、第２実施形態の磁界センサ２は、マイクロストリップライン９２から生じた磁界Ｂ１を、広い周波数領域において正確に計測することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３施形態を図７に示す。第３施形態の磁界センサ３は、第１−第３ループコイル３１，３２，３３が、同一の概略長方形又は正方形に形成される。第１−第３ループコイル３１，３２，３３は、他のループコイルと交差する箇所に、矩形内方向に凹む凹部３４，３５，３６を有している。そのため、第３施形態の磁界センサ３は、一方のループコイルの径内側に所定の隙間をあけて他方のループコイルを設けることが可能である。

第３実施形態では、第１−第３ループコイル３１，３２，３３の全体の形状を必ずしも楕円形または長方形にすることなく、その一部に凹部３４，３５，３６を形成することで、一方のループコイルの径内側に他方のループコイルを配置することができる。
また、第３実施形態においても、第１−第３ループコイル３１，３２，３３は同一形状であるので、３個のループ面の面積が同一であり、第１−第３ループコイル３１，３２，３３の出力特性を同一にすることができる。
なお、第３実施形態では、第１−第３ループコイルが凹部３４，３５，３６を有しているので、それらの形状を円形としてもよい。

（第４実施形態）
本発明の第４施形態を図８及び図９に示す。第４施形態の磁界センサ４は、第１−第３ループコイル４１，４２，４３が、それぞれ第１−第３基板４４，４５，４６の配線パターンとして形成されている。
第１−第３基板４４，４５，４６は、同一の楕円形状に形成される。第１−第３基板４４，４５，４６は、第１−第３ループコイル４１，４２，４３が形成された位置よりも径内側の部分が切り取られた、環状の基板である。

第１−第３基板４４，４５，４６は、長手方向の内径ｄ３が短手方向の外径ｄ４よりも大きい。そのため、一方の基板の長手方向の内壁の径内側に、他方の基板の短手方向の外壁を設けることが可能である。これにより、第１ループコイル４１と第２ループコイル４２との間に所定の隙間が形成される。
第１−第３基板４４，４５，４６は、それぞれの基板に形成された第１−第３ループコイル４１，４２，４３のループ面が互いに直交するように配置される。したがって、第１−第３基板４４，４５，４６は、ループコイル同士が非接触で交差する箇所で、一方の基板の板厚面と他方の基板の板厚面とが向き合うように配置される。
また、第１−第３基板４４，４５，４６に形成された第１−第３ループコイル４１，４２，４３の中心Ｏは同一位置となる。そして、第１−第３ループコイル４１，４２，４３の長手方向又は短手方向の中心線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、３次元直交座標を形成する。したがって、磁界センサ４は、中心Ｏの周囲に存在する磁界を３次元で検出することが可能である。

次に、第４実施形態の磁界センサ４と第２比較例の磁界センサ２００の出力特性を比較した試験結果について、図１０から図１４を参照して説明する。
第４実施形態の磁界センサ４による出力試験の構成を図１０及び図１１に示す。なお、図１０及び図１１では、磁界センサ４を模式的に示しており、第３ループコイル４３及び第１−第３基板４４，４５，４６は省略している。
第４実施形態の磁界センサ４は、基板９１に設けられたマイクロストリップライン９２に対し、第１ループコイル４１のループ面が平行に設置され、第２ループコイル４２のループ面が垂直に設置される。図１１に示すように、この磁界センサ４は、２個のループコイル同士が交差する箇所で、ループコイルの板厚面同士が向き合う構成である。なお、ループコイルの板厚面の幅をＷ１とする。
この構成で、ネットワークアナライザ９３からマイクロストリップライン９２に電力を注入し、第１、第２ループコイル４１，４２の出力をネットワークアナライザ９３に入力して、伝送特性を計測した。

第２比較例の磁界センサ２００による出力試験の構成を図１２及び図１３に示す。
第２比較例の磁界センサ２００は、図示しない球体の表面に第１、第２ループコイル２０１，２０２を設けたものである。また、この磁界センサ２００は、２枚のループコイル２０１，２０２が交差する箇所に絶縁体２０４を挟むことで、短絡を防いでいる。
図１３に示すように、第１、第２ループコイル２０１，２０２は、球体の表面に沿った所定の幅Ｗ２を有する。第２比較例の磁界センサ２００は、２個のループコイル同士が交差する箇所で、ループコイルの板幅面同士が向き合う構成である。第２比較例のループコイルの板幅Ｗ２は、第４実施形態のループコイルの板厚の幅Ｗ１よりも広い。
比較例の磁界センサ２００も、マイクロストリップライン９２に対し、第１ループコイル２０１のループ面が平行に設置され、第２ループコイル２０２のループ面が垂直に設置される。この構成で、ネットワークアナライザ９３からマイクロストリップライン９２に電力を注入し、第１、第２ループコイル２０１，２０２の出力をネットワークアナライザ９３に入力して、伝送特性を計測した。

第４実施形態の磁界センサ４と第２比較例の磁界センサ２００の出力特性の試験結果を図１４に示す。
図１４は、横軸に周波数を示し、縦軸に第１ループコイルと第２ループコイルとの出力比を示している。
第２比較例の磁界センサ２００による２個のループコイル２０１，２０２の出力比を実線Ｒに示し、第４実施形態の磁界センサ４による２個のループコイル４１，４２の出力比を実線Ｓに示す。第４実施形態の出力比を示した実線Ｓは、第２比較例の出力比を示した実線Ｒよりも高い値を示している。
この原因として、第２比較例の磁界センサ２００は、第１ループコイル２０１と第２ループコイル２０２との距離が近いので、これらが交差する箇所で絶縁体２０４による容量結合が生じる。そのため、第１ループコイル２０１が計測した磁界Ｂ１が容量結合によって第２ループコイル２０２に影響を与え、原理上磁界を計測しない第２ループコイル２０２が磁界を計測したものと考えられる。

これに対し、第４実施形態の磁界センサ４は、計測した周波数の全領域において、２個のループコイル４１，４２の出力比が、第２比較例の出力比よりも高い値となっている。
即ち、第４実施形態の磁界センサ４は、２個のループコイル同士が交差する箇所で、ループコイルの板厚面同士が向き合う構成であり、且つ、２個のループコイル同士が所定の隙間をあけて設けられるので、ループコイルの間の容量結合が弱い構成である。そのため、第１ループコイル４１が計測した磁界が第２ループコイル４２にほとんど影響を与えることなく、計測した周波数の全領域において、２個のループコイル４１，４２の出力比が高い値となる。したがって、第４実施形態の磁界センサ４は、マイクロストリップライン９２から生じた磁界を、広い周波数領域において正確に計測することができる。

（第５実施形態）
本発明の第５施形態を図１５から図１９に示す。第５施形態の磁界センサ５は、第１−第３基板５４，５５，５６が、第１−第３ループコイル５１，５２，５３が形成された位置よりも径内側の部分が切り取られていない、楕円形の基板である。
図１７に示すように、第１−第３基板５４，５５，５６は、それぞれ長手方向に延びるスリット５７，５８，５９を有する。このスリット５７，５８，５９は、他の基板の短手方向を差し込み可能な大きさに形成される。第１−第３基板５４，５５，５６の少なくともいずれか１つは、スリットが長手方向の一方に開口している。図１７（Ｃ）に示すように、第５実施形態では、第３基板５６のスリット５９のみが長手方向の一方に開口している。

この磁界センサ５の組付け方法は、次のとおりである。
まず、第１基板５４のスリット５７に第２基板５５を挿し込む。次に、第３基板５６のスリット５９に第１基板５４を挿し込むと同時に、第２基板５５のスリット５８に第３基板５６を挿し込む。これにより、第１−第３基板５４，５５，５６が組み付けられる。

図１８及び図１９に示すように、第５実施形態の第１−第３ループコイル５１，５２，５３は、例えば３層基板の配線パターンとして形成される。
第１−第３ループコイル５１，５２，５３は、３層基板の中央の配線パターンを信号線５１１とし、その上下をシールド用の配線５１２，５１３とする。また、上下のシールド用の配線５１２，５１３をスルーホール５１４，５１５で接続し、信号線５１１の両側を囲う。これにより、第１−第３ループコイル５１，５２，５３をシールデッドループコイルとすることができる。

第５実施形態では、第１−第３基板５４，５５，５６は、他の基板の短手方向を差し込み可能なスリット５７，５８，５９を長手方向に有する。これにより、第１−第３基板５４，５５，５６を容易に組み合わせることができる。
また、第５実施形態では、第１−第３基板５４，５５，５６の少なくともいずれか１つは、スリットが長手方向の一方に開口している。これにより、２個の基板のスリットを開口することなく、基板の剛性を高めることができる。
なお、第１−第３基板５４，５５，５６のスリットをいずれも長手方向の一方に開口することにより、３枚の基板を全て同一形状としてもよい。

（第６実施形態）
本発明の第６施形態を図２０に示す。第６施形態の磁界センサ６は、上述した第１実施形態の磁界センサ１に対し、第３ループコイルを備えていない。第６施形態の磁界センサ６は、第１ループコイル１１と第２ループコイル１２のみを備える構成により、磁界を２次元で計測することが可能である。
なお、第２−第５実施形態においても、磁界センサは、第１ループコイルと第２ループコイルのみを備え、第３ループコイルを備えないものとすることが可能である。

（他の実施形態）
上述した複数の実施形態では、磁界を検出する磁界センサが備える第１−第３ループコイルについて説明した。これに対し、他の実施形態では、第１−第３ループコイルは、電波を送受信可能なアンテナとして使用してもよい。
上述した第４、第５実施形態では、ループコイルを基板に形成する場合、基板の板厚面が向き合うように構成した。これに対し、他の実施形態では、ループコイルを基板に形成する場合、基板の板幅面が向き合うように構成してもよい。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記複数の実施形態を組み合わせることに加え、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。

１，２，３，４，５，６ ・・・磁界センサ
１１，２１，３１，４２，５１，６１・・・第１ループコイル
１２，２２，３２，４２，５２，６２・・・第２ループコイル

Claims (10)

1. 磁界を検出可能な第１ループコイル（１１，２１，３１，４２，５１，６１）と、
   前記第１ループコイルと同一形状に形成され、前記第１ループコイルの径内側に所定の隙間をあけて設けられることにより、前記第１ループコイルが検出する磁界とは異なる向きの磁界を検出可能な第２ループコイル（１２，２２，３２，４２，５２，６２）と、を備えることを特徴とする磁界センサ（１，２，３，４，５，６）。
2. 前記第１ループコイル及び前記第２ループコイルは、長手方向および短手方向を有する環状に形成され、
   前記第１ループコイルの長手方向の内壁よりも径内側に前記第２ループコイルの短手方向の外壁が位置することを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ（１，２，４，５，６）。
3. 前記第１ループコイルの中心と、前記第２ループコイルの中心とは同じ位置であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁界センサ。
4. 前記第１ループコイル（４１，５１）が配線パターンとして形成された第１基板（４４，５４）と、
   前記第２ループコイル（４２，５２）が配線パターンとして形成された第２基板（４５，５５）と、を備え、
   前記第１基板の板厚面と前記第２基板の板厚面とは、前記第１ループコイルと前記第２ループコイルとが非接触で交差する箇所で向き合うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の磁界センサ（４，５）。
5. 前記第１基板（５４）は、前記第２基板の短手方向を差し込み可能なスリット（５７）を長手方向に有することを特徴とする請求項４に記載の磁界センサ（５）。
6. 前記第１ループコイルの径外側且つ前記第２ループコイルの径内側に前記第１ループコイル及び前記第２ループコイルから所定の隙間を開けて設けられ、前記第１ループコイル及び前記第２ループコイルが検出する磁界とは異なる向きの磁界を検出可能な第３ループコイル（１３，２３，４３，５３，６３）をさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の磁界センサ（１，２，３，４，５）。
7. 前記第１ループコイル、前記第２ループコイル及び前記第３ループコイルは、長手方向および短手方向を有する環状に形成され、
   前記第１ループコイルの長手方向の内壁よりも径内側に前記第２ループコイルの短手方向の外壁が位置し、
   前記第２ループコイルの長手方向の内壁よりも径内側に前記第３ループコイルの短手方向の外壁が位置し、
   前記第３ループコイルの長手方向の内壁よりも径内側に前記第１ループコイルの短手方向の外壁が位置することを特徴とする請求項６に記載の磁界センサ（１，２，４，５）。
8. 前記第１ループコイルが配線パターンとして形成された第１基板と、
   前記第２ループコイルが配線パターンとして形成された第２基板と、
   前記第３ループコイル（４３，５３）が配線パターンとして形成された第３基板（４６，５６）と、を備え、
   前記第１ループコイルと前記第２ループコイルとが非接触で交差する箇所で、前記第１基板の板厚面と前記第２基板の板厚面とが向き合い、
   前記第２ループコイルと前記第３ループコイルとが非接触で交差する箇所で、前記第２基板の板厚面と前記第３基板の板厚面とが向き合い、
   前記第３ループコイルと前記第１ループコイルとが非接触で交差する箇所で、前記第３基板の板厚面と前記第１基板の板厚面とが向き合うことを特徴とする請求項６または７に記載の磁界センサ（４，５）。
9. 前記第１基板は、前記第２基板の短手方向を差し込み可能なスリットを長手方向に有し、
   前記第２基板（５５）は、前記第３基板の短手方向を差し込み可能なスリット（５８）を長手方向に有し、
   前記第３基板（５６）は、前記第１基板の短手方向を差し込み可能なスリット（５９）を長手方向に有することを特徴とする請求項８に記載の磁界センサ（５）。
10. 前記第１基板のスリット、前記第２基板のスリット及び前記第３基板のスリットのいずれか一つは、長軸方向の一方に開口していることを特徴とする請求項９に記載の磁界センサ。

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