JP2015056480A - アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

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electrode
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浩伸 森山
Hironobu Moriyama
浩伸 森山
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Dexerials Corp
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Abstract

【課題】ボイドの発生を抑制することができるアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、搭載時における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であるアンダーフィル材２０を、ハンダ付き電極が形成された半導体チップ１０に予め貼り合わせ、ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された回路基板３０に搭載し、半導体チップ１０と回路基板３０とを熱圧着する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップの搭載に用いられるアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体チップの実装方法において、工程短縮を目的に、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）電極上にアンダーフィルフィルムを貼り付ける「先供給型アンダーフィルフィルム（ＰＵＦ：Pre-applied Underfill Film）」の使用が検討されている。
この先供給型アンダーフィルフィルムを使用した搭載方法は、例えば、以下のように行われる（例えば、特許文献１参照。）。
工程Ａ：ウエハにアンダーフィルフィルムを貼り付け、ダイシングして半導体チップを得る。
工程Ｂ：基板上で半導体チップの位置合わせを行う。
工程Ｃ：高温・高圧により半導体チップと基板を圧着し、ハンダバンプの金属結合による導通確保、及びアンダーフィルフィルムの硬化による半導体チップと基板の接着を行う。
このような方法は、半導体チップの搭載時にボイドを巻き込み易く、加熱圧着後もボイドが残ることがあった。また、搭載時にボイドが発生しない場合でも、短時間にて昇温する圧着プロファイルでは、昇温過程でボイドが発生することがあった。
特開２００５−２８７３４号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、ボイドの発生を抑制することができるアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
前述した課題を解決するために、本発明は、ハンダ付き電極が形成された半導体チップを、前記ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された電子部品に搭載する際に、前記半導体チップに予め貼り合わされるアンダーフィル材であって、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、前記搭載時における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ハンダ付き電極が形成され、該電極面にアンダーフィル材が貼り合わされた半導体チップを、前記ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された電子部品に第１の温度で搭載する搭載工程と、前記半導体チップと前記電子部品とを、第２の温度まで昇温させて熱圧着する熱圧着工程とを有し、前記アンダーフィル材は、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、第１の温度における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であることを特徴とする。
本発明によれば、搭載時におけるアンダーフィル材の貯蔵弾性率が高く、最低溶融粘度到達温度が低いため、搭載時のボイドを排除することができると共に、加熱圧着時のボイドの発生を抑制することができる。
搭載前の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図である。 搭載時の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図である。 熱圧着後の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図である。 本実施の形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 ウエハ上にアンダーフィルフィルムを貼り付ける工程を模式的に示す斜視図である。 ウエハをダイシングする工程を模式的に示す斜視図である。 半導体チップをピックアップする工程を模式的に示す斜視図である。 実施例における圧着プロファイルを示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．アンダーフィル材
２．半導体装置の製造方法
３．実施例
＜１．アンダーフィル材＞
本実施の形態に係るアンダーフィル材は、ハンダ付き電極が形成された半導体チップを、ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された電子部品に搭載する際に、半導体チップに予め貼り合わされるものである。
図１は、搭載前の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図、図２は、搭載時の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図、及び、図３は、熱圧着後の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図である。
図１〜図３に示すように、本実施の形態におけるアンダーフィル材２０は、ハンダ付き電極が形成された半導体チップ１０の電極面に予め貼り合わされて使用され、アンダーフィル材２０が硬化した接着層２１により半導体チップ１０と、ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された回路基板３０とを接合する。
半導体チップ１０は、シリコンなどの半導体１１表面に集積回路が形成され、バンプと呼ばれる接続用のハンダ付き電極を有する。ハンダ付き電極は、銅などからなる電極１２上にハンダ１３を接合したものであり、電極１２の厚みとハンダ１３の厚みとを合計した厚みを有する。
ハンダとしては、Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶ハンダ（融点１８３℃）、Ｓｎ−Ｂｉハンダ（融点１３９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−５．０Ｓｂ（融点２４０℃）などを用いることができる。
回路基板３０は、例えばリジット基板、フレキシブル基板などの基材３１に回路が形成されている。また、半導体チップ１０が搭載される実装部には、半導体チップ１０のハンダ付き電極と対向する位置に所定の厚みを有する対向電極３２が形成されている。
アンダーフィル材２０は、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有する。
膜形成樹脂は、平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００〜８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の種々の樹脂を用いることができる。これらの膜形成樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いても良い。これらの中でも、本実施の形態では、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が好適に用いられる。
エポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、スピロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テルペン型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、α−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いても良い。これらの中でも、本実施の形態では、高接着性、耐熱性の点から、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
酸無水物は、ハンダ表面の酸化膜を除去するフラックス機能を有するため、優れた接続信頼性を得ることができる。酸無水物としては、例えばテトラプロペニル無水コハク酸、ドデセニル無水コハク酸、などの脂肪族酸無水物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環式酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などの芳香族酸無水物などを挙げることができる。これらのエポキシ硬化剤は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いても良い。これらのエポキシ硬化剤の中でもこれらのうちハンダ接続性の点から、脂肪族酸無水物を用いることが好ましい。
また、硬化促進剤を添加することが好ましい。硬化促進剤の具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾ−ル類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７塩（ＤＢＵ塩）、２−（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの第３級アミン類、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類、オクチル酸スズなどの金属化合物などが挙げられる。
アクリル樹脂としては、単官能（メタ）アクリレート、２官能以上の（メタ）アクリレートを使用可能である。単官能（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。２官能以上の（メタ）アクリレートとしては、ビスフェノールＦ―ＥＯ変性ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ―ＥＯ変性ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＰＯ変性（メタ）アクリレート、多官能ウレタン（メタ）アクリレート等を挙げることができる。これらのアクリル樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、本実施の形態では、２官能（メタ）アクリレートが好適に用いられる。
有機過酸化物としては、例えば、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート等を挙げることができる。これらの有機過酸化物は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、本実施の形態では、パーオキシエステルが好適に用いられる。
また、その他の添加組成物として、無機フィラーを含有することが好ましい。無機フィラーを含有することにより、圧着時における樹脂層の流動性を調整することができる。無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。
さらに、必要に応じて、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系などのシランカップリング剤を添加してもよい。
このように硬化反応の比較的遅いエポキシ系と、硬化反応の比較的速いアクリル系とを併用することにより、１０秒以内に２５０℃に達するような短時間昇温プロファイルで圧着した場合でも、ボイドの発生を防ぐことができる。
また、アンダーフィル材の搭載時における貯蔵弾性率は、３０００Ｐａ以上である。これにより、搭載時のボイドを排除することができる。搭載時の温度は、３０℃以上、アンダーフィル材の最低溶融粘度到達温度より３０℃高い温度以下であることが好ましく、より具体的には、３０℃以上１５５℃以下であることが好ましい。
また、アンダーフィル材の最低溶融粘度到達温度は、１２５℃以下である。これにより、加熱圧着時のボイドの発生を抑制することができる。最低溶融粘度到達温度における最低溶融粘度は、１０００Ｐａ・ｓ以上２０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
次に、前述したアンダーフィル材が膜状に形成された先供給型アンダーフィルフィルムの製造方法について説明する。先ず、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有する接着剤組成物を溶剤に溶解させる。溶剤としては、トルエン、酢酸エチルなど、又はこれらの混合溶剤を用いることができる。樹脂組成物を調整後、バーコーター、塗布装置などを用いて剥離基材上に塗布する。
剥離基材は、例えば、シリコーンなどの剥離剤をＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methylpentene-1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）などに塗布した積層構造からなり、組成物の乾燥を防ぐとともに、組成物の形状を維持するものである。
次に、剥離基材上に塗布された樹脂組成物を熱オーブン、加熱乾燥装置などにより乾燥させる。これにより、所定の厚さの先供給型アンダーフィルフィルムを得ることができる。
＜２．半導体装置の製造方法＞
次に、前述した先供給型アンダーフィルフィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
図４は、本実施の形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図３に示すように、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、アンダーフィルフィルム貼付工程Ｓ１と、ダイシング工程Ｓ２と、半導体チップ搭載工程Ｓ３と、熱圧着工程Ｓ４とを有する。
図５は、ウエハ上にアンダーフィルフィルムを貼り付ける工程を模式的に示す斜視図である。図５に示すように、アンダーフィルフィルム貼付工程Ｓ１では、ウエハ１の直径よりも大きな直径を有するリング状又は枠状のフレームを有する治具３によりウエハ１を固定し、ウエハ１上にアンダーフィルフィルム２を貼り付ける。アンダーフィルフィルム２は、ウエハ１のダイシング時にウエハ１を保護・固定し、ピックアップ時に保持するダイシングテープとして機能する。なお、ウエハ１には多数のＩＣ（Integrated Circuit）が作り込まれ、ウエハ１の接着面には、図１に示すようにスクライブラインによって区分される半導体チップ１０毎にハンダ付き電極が設けられている。
図６は、ウエハをダイシングする工程を模式的に示す斜視図である。図６に示すように、ダイシング工程Ｓ２では、ブレード４をスクライブラインに沿って押圧してウエハ１を切削し、個々の半導体チップに分割する。
図７は、半導体チップをピックアップする工程を模式的に示す斜視図である。図７に示すように、各アンダーフィルフィルム付き半導体チップ１０は、アンダーフィルフィルムに保持されてピックアップされる。
半導体チップ搭載工程Ｓ３では、図２に示すように、アンダーフィルフィルム付き半導体チップ１０と回路基板３０とをアンダーフィルフィルムを介して配置する。また、アンダーフィルフィルム付き半導体チップ１０をハンダ付き電極と対向電極３２とが対向するように位置合わせして配置する。そして、加熱ボンダーによって、アンダーフィルフィルムに流動性は生じるが、本硬化は生じない程度の所定の温度、圧力、時間の条件で加熱押圧し、搭載する。
搭載時の温度条件は、３０℃以上、アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度より３０℃高い温度以下であることが好ましく、より具体的には、３０℃以上１５５℃以下であることが好ましい。また、圧力条件は５０Ｎ以下であることが好ましく、より好ましくは４０Ｎ以下である。また、時間条件は０．１秒以上１０秒以下であることが好ましく、より好ましくは０．１秒以上１．０秒以下である。これにより、ハンダ付き電極が溶融せずに回路基板３０側の電極と接している状態とすることができ、アンダーフィルフィルムが完全硬化していない状態とすることができる。また、低い温度で固定するため、ボイドの発生を抑制し、半導体チップ１０へのダメージを低減することができる。
次の熱圧着工程Ｓ４では、第１の温度から第２の温度まで所定の昇温速度で昇温させるボンディング条件で、ハンダ付き電極のハンダを溶融させて金属結合を形成させるとともに、アンダーフィルフィルムを完全硬化させる。
また、昇温速度は、５０℃／ｓｅｃ以上１５０℃／ｓｅｃ以下であることが好ましい。また、第２の温度は、ハンダの種類にもよるが、２００℃以上２８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは２２０℃以上２６０℃以下である。また、時間条件は５秒以上５００秒以下であることが好ましく、より好ましくは５秒以上１００秒以下である。これにより、ハンダ付き電極と基板電極とを金属結合させるとともに、アンダーフィルフィルムを完全硬化させ、半導体チップ１０の電極と回路基板３０の電極とを電気的、機械的に接続させることができる。
また、熱圧着工程Ｓ４において、ボンダーヘッドは、搭載後のアンダーフィルフィルムの溶融開始温度まで樹脂の弾性率により一定の高さに保たれた後、昇温に伴う樹脂溶融により一気に下降し、ヘッドの最下点に達する。この最下点は、ヘッドの下降速度と樹脂の硬化速度との関係により決まる。樹脂硬化がさらに進行した後、ヘッドの高さは、樹脂とヘッドの熱膨張により徐々に上昇する。このように、第１の温度から第２の温度に昇温する時間内にボンダーヘッドを最下点まで下降させることにより、樹脂溶融に伴うボイドの発生を抑制することができる。
このように本実施の形態における半導体装置の製造方法は、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、搭載時における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であるアンダーフィル材２０を、ハンダ付き電極が形成された半導体チップ１０に予め貼り合わせることにより、搭載時のボイドを排除することができると共に、加熱圧着時のボイドの発生を抑制することができる。
なお、前述の実施の形態では、アンダーフィルフィルムをダイシングテープとして機能させることとしたが、これに限られるものではなく、ダイシングテープを別に用い、ダイシング後にアンダーフィルフィルムを使用してフリップチップ実装を行ってもよい。
［他の実施の形態］
また、本技術は、半導体チップに設けた小さな孔に金属を充填することによって、サンドイッチ状に積み重ねた複数のチップ基板を電気的に接続するＴＳＶ（Through Silicon Via）技術にも適用可能である。
すなわち、ハンダ付き電極が形成された第１の面と、第１の面の反対側にハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された第２の面を有する複数のチップ基板を積層する半導体装置の製造方法にも適用可能である。
この場合、第１のチップ基板の第１の面側にアンダーフィルフィルムを貼り付けた状態で、第２のチップ基板の第２の面に搭載する。その後、第１のチップ基板の第１の面と第２のチップ基板の第２の面とをハンダ付き電極のハンダの融点以上の温度で熱圧着することにより、複数のチップ基板を積層した半導体装置を得ることができる。
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、先供給型のアンダーフィルフィルムを作製し、最低溶融粘度到達温度、及び搭載温度（６０℃）での貯蔵弾性率を測定した。そして、アンダーフィルフィルムを用いてハンダ付き電極を有するＩＣチップと、これに対向する電極を有するＩＣ基板とを接続させて実装体を作製し、ボイドを評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
最低溶融粘度到達温度及び搭載温度における貯蔵弾性率の測定、実装体の作製、及びボイドの評価は、次のように行った。
［最低溶融粘度到達温度、及び搭載温度における貯蔵弾性率の測定］
各アンダーフィルフィルムについて、レオメータ（ＴＡ社製ＡＲＥＳ）を用いて、５℃／ｍｉｎ、１Ｈｚの条件でサンプルの最低溶融粘度到達温度、及び搭載温度（６０℃）における貯蔵弾性率を測定した。
［実装体の作製］
アンダーフィルフィルムをウエハ上にプレス機にて、５０℃−０．５ＭＰａの条件で貼り合わせ、ダンシングしてハンダ付き電極を有するＩＣチップを得た。
ＩＣチップは、その大きさが７ｍｍ□、厚み２００μｍであり、厚み２０μｍのＣｕからなる電極の先端に厚み１６μｍのハンダ（Ｓｎ−３．５Ａｇ、融点２２１℃）が形成されたペリフェラル配置のバンプ（φ３０μｍ、８５μｍピッチ、２８０ピン）を有するものであった。
また、これに対向するＩＣ基板は、同様に、その大きさは７ｍｍ□、厚み２００μｍであり、厚み２０μｍのＣｕからなる電極が形成されたペリフェラル配置のバンプ（φ３０μｍ、８５μｍピッチ、２８０ピン）を有するものであった。
次に、フリップチップボンダーを用いて、６０℃−０．５秒−３０Ｎの条件でＩＣ基板上にＩＣチップを搭載した。
その後、図８に示す圧着プロファイルのように、フリップチップボンダーを用いて、１０秒間に６０℃から２５０℃まで温度を上げて熱圧着した。また、６０℃から２５０℃に昇温する時間内にボンダーヘッドを最下点まで下降させた（３０Ｎ）。さらに、１５０℃−２時間の条件でキュアし、実装体を得た。なお、フリップチップボンダー使用時における温度は、熱電対によりサンプルの実温を測定したものである。
［ボイドの評価］
各実装体について、ＳＡＴ（Scanning Acoustic Tomograph, 超音波映像装置）を用いて観察し、ボイドがＩＣチップ面積の１％以下であるものを○、ボイドがＩＣチップ面積の１％超であるものを×とした。
［実施例１］
フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１３．７質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を２３．３質量部、酸無水物（品名：ＭＨ−７００、新日本理化社製)を１３．７質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成工業社製）を０．１質量部、アクリル樹脂（品名：ＤＣＰ、新中村化学社製）を８．７質量部、開始剤（品名：パーブチルＺ、日本油脂社製）を０．５質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス社製）を３５．０質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、アンダーフィルフィルムの樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み５０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／アンダーフィルフィルム（５０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
表１に、実施例１のアンダーフィルフィルムの評価結果を示す。アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度は１２５℃であった。また、搭載温度における貯蔵弾性率は３３００Ｐａであった。また、アンダーフィルフィルムを用いて作製した実装体のボイドの評価は○であった。
［実施例２］
フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１３．７質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を１７．５質量部、酸無水物（品名：ＭＨ−７００、新日本理化社製)を１０．３質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成工業社製）を０．１質量部、アクリル樹脂（品名：ＤＣＰ、新中村化学社製）を１７．５質量部、開始剤（品名：パーブチルＺ、日本油脂社製）を０．９質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス社製）を３５．０質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、アンダーフィルフィルムの樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み５０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／アンダーフィルフィルム（５０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
表１に、実施例２のアンダーフィルフィルムの評価結果を示す。アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度は１１８℃であった。また、搭載温度における貯蔵弾性率は３３００Ｐａであった。また、アンダーフィルフィルムを用いて作製した実装体のボイドの評価は○であった。
［実施例３］
フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１３．７質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を１８．３質量部、酸無水物（品名：ＭＨ−７００、新日本理化社製)を１０．８質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成工業社製）を０．１質量部、アクリル樹脂（品名：ＤＣＰ、新中村化学社製）を６．８質量部、開始剤（品名：パーブチルＺ、日本油脂社製）を０．４質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス社製）を４４．５質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、アンダーフィルフィルムの樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み５０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／アンダーフィルフィルム（５０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
表１に、実施例３のアンダーフィルフィルムの評価結果を示す。アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度は１２５℃であった。また、搭載温度における貯蔵弾性率は４０００Ｐａであった。また、アンダーフィルフィルムを用いて作製した実装体のボイドの評価は○であった。
［比較例１］
フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１３．７質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を２９．０質量部、酸無水物（品名：ＭＨ−７００、新日本理化社製)を１７．１質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成工業社製）を０．１質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス社製）を３５．０質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、アンダーフィルフィルムの樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み５０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／アンダーフィルフィルム（５０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
表１に、比較例１のアンダーフィルフィルムの評価結果を示す。アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度は１３５℃であった。また、搭載温度における貯蔵弾性率は３３００Ｐａであった。また、アンダーフィルフィルムを用いて作製した実装体のボイドの評価は×であった。
［比較例２］
フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１３．７質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を２５．９質量部、酸無水物（品名：ＭＨ−７００、新日本理化社製)を１５．３質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成工業社製）を０．１質量部、アクリル樹脂（品名：ＤＣＰ、新中村化学社製）を９．６質量部、開始剤（品名：パーブチルＺ、日本油脂社製）を０．６質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス社製）を３０．０質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、アンダーフィルフィルムの樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み５０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／アンダーフィルフィルム（５０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
表１に、比較例１のアンダーフィルフィルムの評価結果を示す。アンダーフィルフィルムの最低溶融粘度到達温度は１２５℃であった。また、搭載温度における貯蔵弾性率は２８００Ｐａであった。また、アンダーフィルフィルムを用いて作製した実装体のボイドの評価は×であった。
比較例１では、チップ搭載後にはボイドが観察されなかったが、熱圧着後にはボイドが観察された。また、比較例２では、チップ搭載後にボイドが観察され、熱圧着後にもボイドが観察された。
一方、実施例１〜３では、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、搭載時における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であるアンダーフィルフィルムを用いることにより、ボイドの発生を抑制することができた。
１ ウエハ、 ２ アンダーフィルフィルム、 ３ 治具、 ４ ブレード、 １０ 半導体チップ、１１ 半導体、１２ 電極、１３ ハンダ、２０ アンダーフィル材、２１ 第１の接着剤層、２２ 第２の接着剤層、 ３０ 回路基板、３１ 基材、３２ 対向電極

Claims (5)

  1. ハンダ付き電極が形成された半導体チップを、前記ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された電子部品に搭載する際に、前記半導体チップに予め貼り合わされるアンダーフィル材であって、
    エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、
    前記搭載時における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、
    最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下であるアンダーフィル材。
  2. 前記搭載時の温度が、３０℃以上１５５℃以下である請求項１記載のアンダーフィル材。
  3. 前記エポキシ樹脂が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂であり、
    前記酸無水物が、脂肪族酸無水物である請求項１又は２記載のアンダーフィル材。
  4. 前記アクリル樹脂が、２官能（メタ）アクリレートであり、
    前記有機過酸化物が、パーオキシエステルである請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアンダーフィル材。
  5. ハンダ付き電極が形成され、該電極面にアンダーフィル材が貼り合わされた半導体チップを、前記ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された電子部品に第１の温度で搭載する搭載工程と、
    前記半導体チップと前記電子部品とを、第２の温度まで昇温させて熱圧着する熱圧着工程とを有し、
    前記アンダーフィル材は、エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、第１の温度における貯蔵弾性率が、３０００Ｐａ以上であり、最低溶融粘度到達温度が、１２５℃以下である半導体装置の製造方法。

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