JP2015051445A - 接合体の製造方法および接合体 - Google Patents
接合体の製造方法および接合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015051445A JP2015051445A JP2013184998A JP2013184998A JP2015051445A JP 2015051445 A JP2015051445 A JP 2015051445A JP 2013184998 A JP2013184998 A JP 2013184998A JP 2013184998 A JP2013184998 A JP 2013184998A JP 2015051445 A JP2015051445 A JP 2015051445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- light
- bonded
- joined
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
【解決手段】母材上に接合材および被接合材を設置する工程と、光を被接合材を透過させて接合材に照射する工程とを含む接合体の製造方法である。
【選択図】図4
Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の実施形態は以下の(1)〜(10)を含んでいる。
以下、本願発明の一例である実施の形態について説明する。なお、本願明細書の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
図1に、実施の形態の接合体の製造方法のフローチャートを示す。図1に示すように、実施の形態の接合体の製造方法は、設置工程(S10)と、光照射工程(S20)とを含んでおり、設置工程(S10)の後に光照射工程(S20)が行なわれる。なお、実施の形態の接合体の製造方法には、設置工程(S10)および光照射工程(S20)以外の工程が含まれていてもよいことは言うまでもない。
設置工程(S10)は、たとえば、図2の模式的断面図に示すように、母材2上に接合材3を設置し、その後、図3の模式的断面図に示すように、接合材3上に被接合材4を設置することによって行なうことができる。
光照射工程(S20)は、たとえば、図4の模式的断面図に示すように、被接合材4の上方から光5を照射し、図5の模式的拡大断面図に示すように、光5を被接合材4を透過させて接合材3に照射することにより行なうことができる。
透過率T[%]=100×I/I0 …(a)
図9に、実施の形態の接合体の一例であるダイヤモンド工具としてのダイヤモンドバイト1の刃先部分の模式的な拡大断面図を示す。ダイヤモンドバイト1は、母材2としての台金と、接合材3としてのろう材と、被接合材4としてのダイヤモンド結晶の刃先とを備えている。ダイヤモンドバイト1において、母材2上には接合材3が設けられており、接合材3上には被接合材4が設けられている。
実施の形態においては、被接合材4を透過させるように光5を照射することによって、接合材3に選択的に光5を照射して、接合材3を選択的に加熱することができる。これにより、実施の形態においては、少なくとも以下の(i)および(ii)の作用効果が発現する。
[実験例1]
<単結晶ダイヤモンドの作製>
実験例1においては、以下のようにして、単結晶ダイヤモンドを作製した。まず、5mm×5mmの正方形状を有し、厚みが0.7mmの高温高圧合成法により製造された単結晶ダイヤモンドからなる単結晶基板を準備した。次に、当該単結晶基板の表面を酸素(O2)ガスおよび四フッ化炭素(CF4)ガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)によって表面から0.3μmの深さの領域までエッチングした。
次に、図10の模式的断面図に示すように、所定の台金12の表面上にAgとCuとTiとを含む活性ろう材13(Ag:Cu:Ti=70重量%:25重量%:2重量%)を設置し、活性ろう材13の表面上にサンプル1の単結晶ダイヤモンド14を設置した。
平均出力 :100W、CW(Continuous Wave)
ビーム品質:M2<1.2
パルス幅 :150μs(マイクロ秒)未満
ビーム径 :4mm
ビームスポット径:200μm
実験例1においては、まず、サンプル1の単結晶ダイヤモンド14の表面におけるCO2レーザ光15の照射エネルギ密度を変化させて、それによって、サンプル1の単結晶ダイヤモンド14の表面温度(CO2レーザ光15の照射側の表面温度)がどのように変化するかを評価した。その結果を図11に示す。なお、図11において、横軸がCO2レーザ光15の照射エネルギ密度[J/cm2]を示し、縦軸がサンプル1の単結晶ダイヤモンド14の表面温度[℃]を示している。
次に、CO2レーザ光15の照射エネルギ密度を200[J/cm2]とし、活性ろう材13の表面には焦点が合っているが、サンプル1の単結晶ダイヤモンド15には焦点が合っていない状態でCO2レーザ光15を大気中で3秒間照射した。ここで、CO2レーザ光の焦点深度は0.1mm以下であった。このとき、厚さが、1mm、0.5mm、0.3mm、0.2mmおよび0.1mmのサンプル1の単結晶ダイヤモンド15を活性ろう材13によって、サンプル1の単結晶ダイヤモンド15が割れることなく、接合できることが確認された。
また、サンプル1の単結晶ダイヤモンド14と台金12とが活性ろう材13によって接合された接合体について、活性ろう材13の接合強度を島津製作所製AGS−J(5kN)を用いて、クロスヘッドスピード0.5mm/分での押し抜き試験により測定したところ、いずれも20kg/cm2以上であった。したがって、当該接合体における活性ろう材13の接合強度は、切削工具として使用するのに十分な強度であることが確認された。
[実験例2]
<サンプル1〜3のダイヤモンドバイトの作製>
母材としてのワイパーチップ(住友電工ハードメタル株式会社製のSNEW1204ADFR−WS)の表面上に、被接合材としてのサンプル1の単結晶ダイヤモンドの刃先を取り付けることによって、サンプル1のダイヤモンドバイトを作製した。
上記のようにして作製したサンプル1〜3のダイヤモンドバイトをカッター(住友電工ハードメタル株式会社製のRF4080R)に取り付け、旋盤としてファナック株式会社製の縦型マシニングセンターα−14iEを用いて、一枚刃で、ワークとしてAl材(Al以外の成分として、0.25重量%のSi(珪素)、0.40重量%のFe、0.10重量%のCu、0.10重量%のMn(マンガン)、2.2〜2.8重量%のMg、0.15〜0.35重量%のCr(クロム)および0.10重量%のZn(亜鉛)を含む。)の端面の湿式切削加工を以下の切削条件で行なった。
ワーク :A5052
切削速度:2000m/min
送り量 :0.05mm/rev、0.1mm/revまたは0.15mm/rev
切込み量:0.05mm
Claims (10)
- 母材上に接合材および被接合材を設置する工程と、
光を前記被接合材を透過させて前記接合材に照射する工程と、を含む、接合体の製造方法。 - 前記被接合材の厚さが1mm以下である、請求項1に記載の接合体の製造方法。
- 前記被接合材に対する前記光の透過率が50%以上である、請求項1または請求項2に記載の接合体の製造方法。
- 前記光は、光学系によって集光された後に前記被接合材に照射される、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 前記光は、前記接合材には焦点が合っているが、前記被接合材には焦点が合っていない状態で照射される、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 前記光の焦点深度は、0.2mm以下である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 前記光は、炭酸ガスレーザ光である、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 前記被接合材の表面粗さRaが1μm以下である、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 前記被接合材は、ダイヤモンド単結晶またはダイヤモンド多結晶を含む、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。
- 母材と、
前記母材上の接合材と、
前記接合材上の被接合材とを含み、
前記被接合材の厚さが1mm以下である、接合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184998A JP2015051445A (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 接合体の製造方法および接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184998A JP2015051445A (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 接合体の製造方法および接合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015051445A true JP2015051445A (ja) | 2015-03-19 |
Family
ID=52700881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013184998A Pending JP2015051445A (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 接合体の製造方法および接合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015051445A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110773859A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-02-11 | 深圳市汇城精密科技有限公司 | 金属材料焊接方法 |
KR20200129499A (ko) * | 2019-05-09 | 2020-11-18 | 경북대학교 산학협력단 | 레이저를 이용한 랩온어칩 제조 방법 및 제조 시스템 |
WO2021020007A1 (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 切削工具の製造方法および切削工具 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07156003A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド工具及びその製造方法 |
JP2008036687A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | 表面加工方法 |
JP2009255146A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Yuichi Tanaka | シリコン接着方法 |
JP4366697B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2009-11-18 | 鹿児島県 | 熱線ろう付け装置及び熱線ろう付け方法 |
JP2011240363A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Oputo System:Kk | ウェハ状基板の分割方法 |
-
2013
- 2013-09-06 JP JP2013184998A patent/JP2015051445A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07156003A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンド工具及びその製造方法 |
JP4366697B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2009-11-18 | 鹿児島県 | 熱線ろう付け装置及び熱線ろう付け方法 |
JP2008036687A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | 表面加工方法 |
JP2009255146A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Yuichi Tanaka | シリコン接着方法 |
JP2011240363A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Oputo System:Kk | ウェハ状基板の分割方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200129499A (ko) * | 2019-05-09 | 2020-11-18 | 경북대학교 산학협력단 | 레이저를 이용한 랩온어칩 제조 방법 및 제조 시스템 |
KR102235753B1 (ko) * | 2019-05-09 | 2021-04-05 | 경북대학교 산학협력단 | 레이저를 이용한 랩온어칩 제조 방법 및 제조 시스템 |
WO2021020007A1 (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 切削工具の製造方法および切削工具 |
JPWO2021020007A1 (ja) * | 2019-08-01 | 2021-09-13 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 切削工具の製造方法および切削工具 |
JP7001245B2 (ja) | 2019-08-01 | 2022-01-19 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 切削工具の製造方法 |
CN110773859A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-02-11 | 深圳市汇城精密科技有限公司 | 金属材料焊接方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7184967B2 (ja) | 青色レーザーを使用して銅を溶接するための方法及びシステム | |
EP3246937B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor diamond substrate and semiconductor diamond substrate | |
JP4907965B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4749799B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP6575522B2 (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
TW200932461A (en) | Working object cutting method | |
JP4298953B2 (ja) | レーザゲッタリング方法 | |
JP2009131942A (ja) | 加工対象物研削方法 | |
WO2004080643A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
WO2017056739A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2007014993A (ja) | レーザを用いたワーク切断方法とレーザ加工装置 | |
CA2735088A1 (en) | A fiber laser cutting process with multiple foci | |
JP2015051445A (ja) | 接合体の製造方法および接合体 | |
JP2022515871A (ja) | 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 | |
CN102030486B (zh) | 一种玻璃-可伐合金激光焊接方法及其专用夹具 | |
JP2010201602A (ja) | 固定砥粒式ワイヤーソー及びその製造方法 | |
JP2006224134A (ja) | 高エネルギビームによる異種金属の接合構造、接合方法及び接合装置 | |
WO2017077829A1 (ja) | 立方晶窒化硼素焼結体工具、これに用いられる立方晶窒化硼素焼結体および立方晶窒化硼素焼結体工具の製造方法 | |
CN105108362B (zh) | 一种电子束焊接截齿的方法 | |
JP5821088B2 (ja) | 立方晶窒化硼素焼結体工具およびその製造方法 | |
JP4962752B2 (ja) | 高エネルギビームによる異種金属の接合方法 | |
JP2000061667A (ja) | ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品 | |
JP7283886B2 (ja) | スライス方法およびスライス装置 | |
TW201807751A (zh) | 電極用環 | |
KR20210106566A (ko) | 청색 레이저를 사용하여 구리 및 기타 금속을 용접하는 방법 및 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20160623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170509 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170905 |