JP2015050069A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明によれば、回転ステージを所定角度回動させる回動動作と、気体イオンビーム照射部から気体イオンビームを照射させる照射動作とを交互に行うことにより、効率的に試料から注入イオンを除去することができる。
本発明によれば、検出部が、荷電粒子として様々な種類の荷電粒子を検出することが可能であるため、試料の多面的な観察が可能となる。
半導体材料を含む試料は、イオンビームの照射によるイオン注入の影響を受けやすいことが知られている。本発明によれば、半導体材料を含む試料の表面において、注入イオンによるダメージ層の形成を抑制することが可能となるため、高品質の試料を作製することができる。
本発明によれば、イオンビーム照射部のイオン源として、液体ガリウムイオン源が用いられるため、Siを含む試料にGaイオンが注入されることになる。この場合、Gaイオンのダメージ層により、半導体試料の特性が変化する場合がある。本発明によれば、注入されたGaイオンを除去することが可能となるため、半導体試料への影響を低減することができる。
本発明によれば、先端部が針状に形成された試料であっても、気体イオンビームを照射することにより、注入イオンを除去することができる。これにより、先端部におけるダメージ層の形成が抑制される。
本発明によれば、先端部が針状に形成された試料であっても、先端部におけるダメージ層の形成が抑制されるため、アトムプローブ分析に用いられる、先端の直径が100nm程度の針状試料であっても容易に作製することができる。
図1は、本実施形態に係る荷電粒子ビーム装置100の構成を示す模式図である。
図1に示す荷電粒子ビーム装置100は、アトムプローブ分析法に用いられる針状の試料Sを作製する。試料Sの構成材料としては、例えば金属や半導体などが挙げられる。試料Sは、荷電粒子ビーム装置100により、先端部Saの直径が100nm程度となるように先鋭化される。
図3に示すように、イオンビーム照射部10は、先端部Saに対して+X方向に集束イオンビームFBを照射する。このとき、集束イオンビームFBは、X方向視において先端部Saの中心部からずれた位置に照射される。先端部Saのうち集束イオンビームFBが照射された部分は、集束イオンビームFBによって選択的にエッチングされる。
図5に示すように、ガリウムイオンを除去する場合、気体イオンビーム照射部15から先端部Saに対して気体イオンビームGBを照射する。気体イオンビームGBは、集束イオンビームFBよりもエッチングレートが低いため、先端部Saの形状が変化することなく、先端部Saの表面のみがエッチングされる。これにより、先端部Saの表面に注入されたガリウム原子(ガリウムイオン)がエッチングによって除去される。
特に、試料ステージSTの回転中心合わせを行い、集束イオンビームFB加工を実施するので、ダメージ層が均等に形成され、さらに、気体イオンビームGBにより、先端部Saの周方向の全体にわたって均一にクリーニングを行うことができるので、微細な先端であってもダメージ層の抑制した高品質な試料を作製することができる。
例えば、上記実施形態では、気体イオンビームGBを構成する気体として、アルゴンを例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、このような気体として、アルゴンの他に、ネオンやキセノンなどの希ガスや、窒素などの不活性ガスなどを用いてもよい。
S…試料
FB…集束イオンビーム
GB…気体イオンビーム
EB…電子ビーム
ST…試料ステージ
CB…真空チャンバー
CR…制御部
IP…入力部
E…帯電粒子
10…イオンビーム照射部
15…気体イオンビーム照射部
20…電子ビーム照射部
24…二次電子検出部
30…二次荷電粒子検出部
40…EBSD検出部
50…EDS検出部
60…STEM検出部
100…荷電粒子ビーム装置
Claims (7)
- 第一照射軸を有する電子ビームを試料に照射する電子ビーム照射部と、
前記試料を保持可能であり、前記第一照射軸に対して直交する方向に回転軸を有する回転ステージと、
前記回転軸に略平行な第二照射軸を有するイオンビームを前記試料に照射するイオンビーム照射部と、
前記イオンビーム及び前記電子ビームの照射によって前記試料を介して生じる荷電粒子及びX線のうち少なくとも一方を検出する検出部と、
前記試料に気体イオンビームを照射する気体イオンビーム照射部と
を備える荷電粒子ビーム装置。 - 前記回転ステージを所定角度回動させる回動動作と、前記気体イオンビーム照射部から前記気体イオンビームを照射させる照射動作とを交互に行わせる制御部
を更に備える請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記検出部は、
前記荷電粒子として、前記試料から発生する二次電子、二次イオン、後方散乱電子、前記試料を透過する透過電子のうち少なくとも1つを検出可能である
請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記試料として、半導体材料が用いられる
請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記イオンビーム照射部のイオン源として、液体ガリウムイオン源が用いられ、
前記半導体材料は、Siを含む
請求項4に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記試料は、先端部が針状に形成されている
請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記試料は、アトムプローブ分析に用いられる
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
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