JP2015045660A - 気体の検出および同定のための、方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 非対称の交流電場が重ねて印加された直流電場である合成電場により、各々イオン化された分子が、部分的に増大または減少されるドリフト速度を有するようにすることで、上記課題が解決され得る。気体の検出および同定に関する、上記方法および関連する装置は、化合物を同定または検出することに用いられ、例えば、非常に小さい濃度での検出が必要な、爆発物、及び/又は、健康を害する物質または化合物に対して用いられる。
【選択図】図1
Description
K = vd / E.
K0 = K ・ (T0 / T) ・ (p / p0) = K ・ (273°K/T) ・ (p / 1013 hPa)
vd = K(E) * E
K(E) = K + k1*E2 + k2* E4+.......
K(E) = K * ( 1 + α(E) )
2 入り口システム
3 検出器
4 開閉グリッド
5 反応空間
6 ドリフト空間
7 イオン源
8 シールドグリッド
9 金属リング
10 絶縁体リング
11 電極
12 交流場電極
13 金属コーム
14 軌跡
15 軌跡
16 飛行時間の分布
17 飛行時間の分布
18 任意の電極
Claims (19)
- 気体を同定するための方法であって、前記同定される気体の分子をイオン化し、ドリフト管(6)を通過する前記イオン化された分子のドリフト時間を測定し、前記測定されたドリフト時間を評価する方法において、
前記ドリフト時間の測定のために、合成電場により、前記イオン化された分子をドリフト速度まで加速する方法であって、
前記合成電場は、直流電圧場に非対称の交流電圧場が重ね合わされたものであり、
前記合成電場にて、各々のイオン化分子が、一定のドリフト運動に振動運動が重ね合わされた挙動を示し、
異なるイオン化分子のドリフト速度及びドリフト時間は、イオン特性によるものであり、前記分子の物性及び前記合成電場に依存する、ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ドリフト速度の変化は、前記各々のイオン化された分子が、前記合成電場により、定常の前記ドリフト運動に前記振動運動が重ね合わされた挙動を示すことによることを特徴とする方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の方法であって、
陽イオン及び/又は陰イオンが、前記イオン化された分子として用いられることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の方法であって、
前記各々のイオン化された分子は、数回加速および減速され、平均すると、前記分子の材料特性に依存して、前記加速が前記減速よりも大きいか又は小さいことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記直流電圧場は、前記非対称の交流電圧場の電場強度に対して小さな電場強度を有し、前記非対称の交流電圧場は、前記直流電圧場の電場強度に対して大きい電場強度を有することを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記非対称の交流電圧の振幅が、前記ドリフト時間の測定の間に変化されることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の方法であって、
前記化合物の同定において、前記測定されたドリフト時間は、予め決められたドリフト時間であって、既知の化合物のドリフト時間と比較されることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記測定されたドリフト時間と、前記既知の化合物のドリフト時間との前記比較は、数学的手法または統計的手法であって、規定に基づいたアルゴリズムまたは人工ニューラルネットワークの手法を使用して実行されることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の方法であって、
前記非対称の交流電圧場の電場強度に対して小さな電場強度にて同一の移動度を有するイオン化された分子の前記ドリフト時間は、前記イオン化された分子の前記ドリフト時間であって、切り替えられた前記交流電圧の電極(12)により生成される前記直流電圧場の電場強度に対して大きい電場強度をもった前記非対称の交流電圧場が印加された後のものと比較されることを特徴とする方法。 - 入り口システム(2)と、少なくとも1つの検出器(3)とを備えた気体の同定のための装置において、一方が前記入り口システム(2)により区切られ、他方が対応する前記検出器(3)により区切られた少なくとも1つのドリフト管(1)と、各々の前記ドリフト管(1)に配置され、前記ドリフト管(1)を反応空間(5)とドリフト空間(6)とに区画する開閉グリッド(4)とを備え、イオン源(7)が前記反応空間(5)に配置され、シールドグリッド(8)が前記ドリフト空間(6)に配置され、前記ドリフト管(1)は、前記ドリフト空間(6)周辺に配置された、数個の直流電圧の電極(11)を備えた装置であって、
前記ドリフト管(1)は、少なくとも3つの交流電圧の電極(12)を前記ドリフト空間(6)内に備え、
前記交流電圧の電極(12)は、前記直流電圧の電極(11)により生成される電場にて非対称の交流電圧の電場が重ねて印加された少なくとも1の領域が形成されるように、前記ドリフト空間の長さに沿って局所的に配置され、
前記直流電圧の電極(11)及び交流電圧の電極(12)は、合成電場にて、各々のイオン化分子が、一定のドリフト運動に振動運動が重ね合わされた挙動を示し、且つ、異なるイオン化分子のドリフト速度及びドリフト時間が、イオン特性によって、前記分子の物性及び前記合成電場に依存するように配置されたことを特徴とする装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
追加的なドリフト管(1)は、一方が前記入り口システム(2)により区切られ、他方が追加的な検出器(3)により区切られ、これらのドリフト管(1)は、互いに異なる極性を有することを特徴とする装置。 - 請求項10又は請求項11に記載の装置であって、
前記ドリフト管(1)は、それぞれ交互に配置された金属リング(9)および絶縁体リング(10)を備え、前記各々の金属リング(9)は、前記ドリフト空間(6)周辺にて電気的に接続され、それぞれ前記直流電圧の電極(11)として形成されることを特徴とする装置。 - 請求項10又は請求項11に記載の装置であって、
前記ドリフト管(1)は、低電気伝導度をもつ1またはそれ以上の管を備えることを特徴とする装置。 - 請求項10乃至請求項13の何れか一項に記載の装置であって、
前記交流電圧の電極(12)は、前記ドリフト空間(6)を横切って伸長する細いワイヤのグリッドを備えることを特徴とする装置。 - 請求項10乃至請求項14の何れか一項に記載の装置であって、
前記開閉グリッド(4)は、前記ドリフト管(1)を横切って伸長する平面にて配置された、電気的伝導性を有する2つの金属コーム(13)を備え、前記金属コーム(13)は、他の前記金属コーム(13)に対し微小なオフセットを有し、互いに接触しないようになされたことを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置であって、
前記開閉グリッド(4)は、2つのスイッチング状態の2つのスイッチング状態を有し、
第1のスイッチング状態にて、前記各金属コーム(13)が異なる電位となり、前記電位差が大きい電場強度を生成するため、前記開閉グリッド(4)が閉鎖されて、前記イオンが前記開閉グリッド(4)を通過することが規制され、
第2のスイッチング状態にて、前記各金属コーム(13)が同一の電位となり、電場が全く無くなるか、又は、前記小さい電場強度が生成されるのみであるため、前記開閉グリッドが開放されて、前記イオンが前記開閉グリッド(4)を通過することが許容される、
ことを特徴とする装置。 - 請求項10乃至請求項16の何れか一項に記載の装置であって、
前記シールドグリッド(8)は、前記検出器(3)の前面に配置され、容量性デカップリングを生成することを特徴とする装置。 - 請求項10乃至請求項17の何れか一項に記載の装置であって、
前記ドリフト管(1)は、追加的な補償電圧を生成するための、前記ドリフト空間(6)に配置される、少なくとも1つの任意の電極(18)を備えることを特徴とする装置。 - 請求項10乃至請求項18の何れか一項に記載の装置であって、
前記ドリフト管(1)は、好ましくは円筒として構成されることを特徴とする装置。
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