JPH04503406A - イオン移動度検出装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 1.サンプル入口メンブレンと、サンプルをメンブレンを通ってイオン化源を介 して2又はそれ以上のイオンドリフト領域が連通しているイオン反応領域に流す 装置と、各ドリフト領域に電位勾配を印加する装置と、各ドリフト領域の入口に 位置し反応領域の中に位置する特定の符号のイオンをドリフト領域がアクセス可 能またはアクセス不能と為し得るイオン注入シャッタと、各ドリフト領域内のイ オン検出器と、ドリフト領域のドリフトガスを反応領域に通す装置と、更に反応 領域からドリフトガスを排気するためにイオン化源から離れて位置する排気装置 とを有して成り、イオン化源(26)が反応領域(27)からオフセットしてい る事を特徴とするイオン移動度検出装置。
- 2.好ましくは反対極性のイオンを吸引するように配列され、円筒型反応領域( 27)の両端に位置し2円筒状ドリフト領域(10A、10B)を有し、イオン 化源(26)が円筒型反応領域の外側のハウジング(12)に位置し、前記ハウ ジングが反応領域と連通している事を特徴とする請求項1記載のイオン移動度検 出装置。
- 3.ドリフトガスの排気用の出口装置(22)がイオン化源用のハウジング(1 2)とは直径反対方向に位置している事を特徴とする請求項2記載のイオン移動 度検出装置。
- 4.イオン化源に交番電位が給電される事を特徴とするイオン移動度検出装置。
- 5.請求項1乃至3の任意1項に記載され、請求項4に記載のイオン移動度検出 装置。
- 6.サンプル入口メンブレンと、サンプルをメンブレンを通ってイオン化源を介 して少なくとも1のイオンドリフト領域が連通しているイオン反応領域に流す装 置と、1または各ドリフト領域に電位勾配を印加する装置と、各ドリフト領域の 入口に位置し反応領域の中に位置する特定の符号のイオンをドリフト領域がアク セス可能またはアクセス不能と為し得るイオン注入シャッタと、各ドリフト領域 内のイオン検出器と、ドリフト領域のドリフトガスを反応領域に通す装置と、更 に反応領域からドリフトガスを排気するためにイオン化源から離れて位置する排 気装置とを有して成るイオン移動度検出装置の使用方法において、この使用方法 は、反応領域からのサンプルがイオン注入シャッタまたはグリッドに短いゲート 開放パルスの印加によってドリフト領域への到着が許可され、交番電位の1半サ イクルの開始とゲート開放パルスとの間の時間的遅延は若干数の予備的段階の間 に変化されてドリフト領域内のイオン検出器で検出されたその結果の電流はメモ リ内に予備段階の終了まで蓄積され、ゲート開放パルスの好ましい時間遅延が予 備段階が実施されたイオンに対して最適な結果、例えば評価中のイオンピークの 最大振幅を与えるようにその後の試験のために選択され、時間遅延はその後この イオンのために使用される事を特徴とするイオン移動度検出装置の使用方法。
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