JP2015025173A - プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理対象物の脱水処理部から成膜処理部への搬送を確実に行うための技術を提供する。
【解決手段】プラズマ成膜装置１は、成膜処理部２と、脱水処理部３と、ワークWを保持すると共に、成膜処理部２と脱水処理部３の間に形成された搬送連絡口３０を通じてワークWを成膜処理部２と脱水処理部３の間で搬送する搬送機構４と、搬送連絡口３０内の空間としての連絡空間４０を仕切ることで搬送連絡口３０を開閉するゲートバルブ５と、搬送機構４を制御する制御部６と、を備える。連絡空間４０は、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。連絡空間４０は、ゲートバルブ５によって仕切られた際に脱水処理部３側に位置する脱水側連絡空間５０を有する。制御部６は、脱水処理部３によるワークWの脱水処理が開始されるとき、ワークWの下端W1が脱水側連絡空間５０内に位置するように、搬送機構４を制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法に関する。

この種の技術として、特許文献１は、プラズマ処理装置の反応室内で起きる異常放電を防止するため、真空処理室の隣に予備処理室を設け、基板を真空処理室で処理する前に、基板を予備処理室で十分に脱水させる技術を開示している。

特開２００７−１８４２８５号公報

しかしながら、上記特許文献１では、予備処理室から真空処理室への搬送時に起き得る搬送不良について全く検討がなされていない。

本発明の目的は、処理対象物の脱水処理部から成膜処理部への搬送を確実に行うための技術を提供することにある。

処理対象物に対してプラズマCVDで成膜処理を行う成膜処理部と、前記処理対象物に対して脱水処理を行う脱水処理部と、前記処理対象物を保持すると共に、前記成膜処理部と前記脱水処理部の間に形成された搬送連絡口を通じて前記処理対象物を前記成膜処理部と前記脱水処理部の間で搬送する搬送手段と、前記搬送連絡口内の空間としての連絡空間を仕切ることで前記搬送連絡口を開閉する開閉手段と、前記搬送手段を制御する制御手段と、を備え、前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かってストレート状に又は広がるように形成されており、前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記脱水処理部側に位置する脱水側連絡空間を有し、前記制御手段は、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理が開始されるとき、前記処理対象物の少なくとも一部が前記脱水側連絡空間内に位置するように、前記搬送手段を制御する、プラズマ成膜装置が提供される。以上の構成によれば、前記処理対象物が脱水処理される際には前記処理対象物の少なくとも一部が前記脱水側連絡空間内に位置しているので、脱水処理の際に前記処理対象物の反り等が発生しても前記脱水側連絡空間内から前記成膜処理部への前記処理対象物の搬送において、反りによる引っ掛かり等の影響は受け難い。従って、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理後に前記処理対象物を前記脱水処理部から前記成膜処理部へ確実に搬入することができる。
前記成膜処理部は、所定の電位に設定された成膜側電極を有する。前記搬送手段は、前記処理対象物と電気的に接続された搬送側電極を有する。前記搬送側電極は、前記脱水処理部から前記成膜処理部への前記処理対象物の搬入によって前記成膜側電極と電気的に接触する。以上の構成によれば、前記脱水処理部から前記成膜処理部への前記処理対象物の搬入から、前記処理対象物と前記成膜側電極との電気的な接続までの時間がなくなるので、サイクルタイムが短縮化する。
前記搬送手段は、前記処理対象物を吊り下げて保持する導電性の保持部を更に有する。前記搬送側電極は、前記保持部から分岐して形成されている。
前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かって広がるように形成されている。以上の構成によれば、前記成膜処理部による前記処理対象物の成膜処理後に前記処理対象物を前記成膜処理部から前記脱水処理部へ確実に搬出することができる。
前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記成膜処理部側に位置する成膜側連絡空間を有する。前記成膜側連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かって広がるように形成されている。
処理対象物に対してプラズマCVDで成膜処理を行う成膜処理部と、前記処理対象物に対して脱水処理を行う脱水処理部と、前記処理対象物を保持すると共に、前記成膜処理部と前記脱水処理部の間に形成された搬送連絡口を通じて前記処理対象物を前記成膜処理部と前記脱水処理部の間で搬送する搬送手段と、前記搬送連絡口内の空間としての連絡空間を仕切ることで前記搬送連絡口を開閉する開閉手段と、を備え、前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かってストレート状に又は広がるように形成されており、前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記脱水処理部側に位置する脱水側連絡空間を有する、プラズマ成膜装置を用いたプラズマ成膜方法であって、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理が開始されるとき、前記処理対象物の少なくとも一部を前記脱水側連絡空間内に位置させる、プラズマ成膜方法が提供される。以上の方法によれば、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理後に前記処理対象物を前記脱水処理部から前記成膜処理部へ確実に搬入することができる。

本発明によれば、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理後に前記処理対象物を前記脱水処理部から前記成膜処理部へ確実に搬入することができる。

図1は、プラズマ成膜装置の側面断面図である。 図2は、プラズマ成膜装置の正面断面図である。 図3は、図１のA部拡大図である。 図4は、脱水処理部にワークを収容して、扉を閉めた状態を示す、プラズマ成膜装置の側面断面図である。 図5は、脱水処理を終え、ゲートバルブを開いた状態を示す、プラズマ成膜装置の側面断面図である。 図6は、ワークを脱水処理部から成膜処理部へ搬入した状態を示す、プラズマ成膜装置の側面断面図である。 図7は、ワークを脱水処理部から成膜処理部へ搬入した状態を示す、プラズマ成膜装置の正面断面図である。 図8は、プラズマ成膜装置の側面断面図である。 図9は、プラズマ成膜装置の側面断面図である。

（プラズマ成膜装置１）
図１及び図２に示すプラズマ成膜装置１は、プラズマCVD（PECVD、Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）によって半導体基板や燃料電池用部品であるワークW（処理対象物）上に例えばDLC（Diamond Like Carbon）や導電性を付与したカーボン膜を成膜させる装置である。プラズマ成膜装置１は、成膜処理部２と脱水処理部３、搬送機構４（搬送手段）、ゲートバルブ５（開閉手段）、制御部６（制御手段）を備えている。

（成膜処理部２）
成膜処理部２は、ワークWに対してプラズマCVDで成膜処理を行う部分である。成膜処理部２は、箱型の成膜処理部本体７と真空ポンプ８、ガス源９、直流電源１０、電極ユニット１１（成膜側電極）を有する。成膜処理部本体７は、内部に成膜処理室１２を有する。

成膜処理部本体７は、天板７Aと側板７Bを有する。天板７Aには、ワーク搬送口７Cが形成されている。ワーク搬送口７Cは、図１〜図３に示すように、上方に向かうにつれて狭くなるようにテーパー状に形成されている。ワーク搬送口７Cは、下方に向かうにつれて広くなるようにテーパー状に形成されている。側板７Bには、ガス供給口７Dと真空排出口７Eが形成されている。

真空ポンプ８は、成膜処理部本体７の成膜処理室１２を真空引きするためのものである。真空ポンプ８は、成膜処理部本体７の真空排出口７Eに接続されている。

ガス源９は、成膜処理部本体７の成膜処理室１２にピリジンなどの反応ガスやArガスなどの不活性ガスを供給するためのものである。ガス源９は、成膜処理部本体７のガス供給口７Dに接続されている。

直流電源１０は、成膜処理部本体７の成膜処理室１２に供給された反応ガスをプラズマ化するためのものである。直流電源１０は、成膜処理部本体７と電極ユニット１１に接続されている。直流電源１０は、例えば、成膜処理部本体７を０Vとし、電極ユニット１１を-3kVとする。

電極ユニット１１は、例えば-3kVなどの所定の電位に設定された電極である。電極ユニット１１は、成膜処理部本体７の側板７Bに絶縁ブッシュ１３を介して保持されている。電極ユニット１１は、成膜処理部本体７の側板７Bから成膜処理室１２内に突出すると共に、上下方向にバネ性を有している。

（脱水処理部３）
脱水処理部３は、ワークWに対して脱水処理を行う部分である。即ち、成膜処理部２の成膜処理部本体７の成膜処理室１２内に水分が存在していると、ワークW上にプラズマCVDによってDLCの成膜処理を行う際に異常放電が発生し、形成された薄膜の耐久密着性が損なわれる虞がある。そこで、脱水処理部３は、成膜処理部２で成膜処理を行う前に予めワークWに付着している水分を除去する役割を担っている。脱水処理部３は、ゲートバルブ５を挟んで成膜処理部２の上方に設けられている。脱水処理部３は、脱水処理部本体２０と真空ポンプ２１、ハロゲンヒーター２２（加熱手段）、前面扉２３を有する。脱水処理部本体２０は、内部に脱水処理室２４を有する。

脱水処理部本体２０は、天板２０Aと底板２０B、側板２０Cを有する。天板２０Aには、ロッド貫通孔２０Dが形成されている。底板２０Bには、ワーク搬送口２０Eが形成されている。ワーク搬送口２０Eは、図１〜図３に示すように、上下方向にストレート状に形成されている。ワーク搬送口２０Eの下端の縁の形状は、成膜処理部２の成膜処理部本体７のワーク搬送口７Cの上端の縁の形状と、平面視で略同一に設定されている。側板２０Cには、真空排出口２０Fとワーク取出口２０Gが形成されている。

真空ポンプ２１は、脱水処理部本体２０の脱水処理室２４を真空引きするためのものである。真空ポンプ２１は、脱水処理部本体２０の真空排出口２０Fに接続されている。

ハロゲンヒーター２２は、脱水処理部本体２０の脱水処理室２４に収容されたワークWを加熱して、ワークWに付着している水分を蒸発させるためのものである。

前面扉２３は、ワーク取出口２０Gを閉塞するための扉である。前面扉２３は、脱水処理部本体２０に対して着脱自在である。前面扉２３を脱水処理部本体２０から取り外すことで、外部から脱水処理部本体２０の脱水処理室２４内へワークWを搬入したり、脱水処理部本体２０の脱水処理室２４から外部へワークWを搬出したりできるようになる。脱水処理部本体２０の側板２０Cには、ワーク取出口２０Gを取り囲む環状のシール部材２５が取り付けられている。

（搬送機構４）
搬送機構４は、ワークWを保持すると共に、成膜処理部２と脱水処理部３の間に形成された搬送連絡口３０を通じてワークWを成膜処理部２と脱水処理部３の間で搬送するものである。搬送機構４は、シリンダ３１とロッド３２、アクチュエータ３３、気密蓋３４、シール部材３５、フックユニット３６を有する。

シリンダ３１は、脱水処理部３の上方に隣接し、上下方向に延びるように配置されている。

ロッド３２は、上下方向に延びており、シリンダ３１内で上下方向に進退自在に支持されている。

アクチュエータ３３は、シリンダ３１によって支持されているロッド３２を上下方向に進退させるための駆動源である。

気密蓋３４は、ワークWが脱水処理部３から成膜処理部２へ搬送された際に、搬送連絡口３０を閉塞するものである。気密蓋３４は、電気的に接地されている。

シール部材３５は、気密蓋３４が搬送連絡口３０を確実に閉塞するためのものであって、気密蓋３４の下面に環状に取り付けられている。

フックユニット３６は、図２に示すように、一対のフック３７（保持部）とワーク側電極３８（搬送側電極）を有する。一対のフック３７は、ワークWを引っ掛けて保持するためのものである。一対のフック３７は、導電性であり、夫々、絶縁体３９を介して、気密蓋３４に取り付けられている。一対のフック３７は、夫々、絶縁体３９を介して、気密蓋３４から下方に延びて配置されている。各フック３７の下端には、ワークWを引っ掛けるために略９０度折れ曲がっている。ワーク側電極３８は、導電性であり、L字状に形成されており、一方のフック３７から分岐して形成されている。従って、ワーク側電極３８は、一対のフック３７に保持されたワークWと電気的に接続される。

（ゲートバルブ５）
ゲートバルブ５は、図３に示すように、搬送連絡口３０内の空間としての連絡空間４０を仕切ることで搬送連絡口３０を開閉するものである。ゲートバルブ５は、成膜処理部２と脱水処理部３の間に配置されている。ゲートバルブ５は、ゲートバルブ本体４１とスライダー４２、アクチュエータ４３を有する。

ゲートバルブ本体４１は、扁平箱型形状であって、天板４１Aと底板４１Bを有する。天板４１Aには、上下方向にストレート状のワーク搬送口４１Cが形成されている。ワーク搬送口４１Cは、脱水処理部本体２０の底板２０Bのワーク搬送口２０Eと平面視で見て略同一の形状である。底板４１Bには、上下方向にストレート状のワーク搬送口４１Dが形成されている。ワーク搬送口４１Dの下端の縁は、成膜処理部本体７の天板７Aのワーク搬送口７Cの上端の縁に接続している。

スライダー４２は、ゲートバルブ本体４１によって水平方向に進退自在に支持された仕切り板である。

アクチュエータ４３は、ゲートバルブ本体４１によって支持されているスライダー４２を水平方向に進退させるための駆動源である。

（制御部６）
制御部６は、成膜処理部２の真空ポンプ８及びガス源９、脱水処理部３の真空ポンプ２１、搬送機構４のアクチュエータ３３、ゲートバルブ５のアクチュエータ４３を制御する部分である。

（連絡空間４０）
次に、搬送連絡口３０内の空間としての連絡空間４０について詳細に説明する。図３に示すように、本実施形態において、連絡空間４０は、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。連絡空間４０は、ゲートバルブ５のスライダー４２によって仕切られた際に脱水処理部３側に位置する脱水側連絡空間５０と、成膜処理部２側に位置する成膜側連絡空間５１と、を含む。

脱水側連絡空間５０は、脱水処理部本体２０の底板２０Bのワーク搬送口２０Eと、ゲートバルブ本体４１の天板４１Aのワーク搬送口４１Cと、によって形成されている。ワーク搬送口２０Eもワーク搬送口４１Cも上下方向にストレート状に形成されている。ワーク搬送口２０Eの下端の縁は、ワーク搬送口４１Cの上端の縁と接続している。従って、脱水側連絡空間５０も同様に、上下方向にストレート状に形成されている。

成膜側連絡空間５１は、成膜処理部本体７の天板７Aのワーク搬送口７Cと、ゲートバルブ本体４１の底板４１Bのワーク搬送口４１Dと、によって形成されている。ワーク搬送口７Cは、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かってテーパー状に広がるように形成されている。ワーク搬送口４１Dは、上下方向にストレート状に形成されている。ワーク搬送口７Cの上端の縁は、ワーク搬送口４１Dの下端の縁と接続している。従って、成膜側連絡空間５１は、全体としては、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。

また、ワーク搬送口４１Cの下端の縁と、ワーク搬送口４１Dの上端の縁は、平面視で略一致している。従って、上下方向にストレート状の脱水側連絡空間５０と、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成される成膜側連絡空間５１と、を含む連絡空間４０は、前述の通り、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。

（作動）
次に、プラズマ成膜装置１の作動を説明する。制御部６は、成膜処理部２の真空ポンプ８を制御して、成膜処理部２の成膜処理室１２内を常時、真空引きしている。

先ず、図１に示すように、ワークWを脱水処理部３に搬入するに際しては、制御部６は、ゲートバルブ５のアクチュエータ４３を制御して、成膜処理部２と脱水処理部３の間の搬送連絡口３０を閉塞させる。

そして、オペレータは、脱水処理部本体２０から前面扉２３を取り外し、ワークWを脱水処理部本体２０内に搬入する。そして、オペレータは、ワークWを搬送機構４のフックユニット３６に吊り下げる。これにより、ワークWは、搬送機構４のフックユニット３６によって保持された状態となる。このとき、図３に示すように、オペレータは、ワークWの下端W1が搬送連絡口３０の脱水側連絡空間５０のワーク搬送口２０E内に位置するように、ワークWを搬送機構４のフックユニット３６に吊り下げる。換言すれば、オペレータがワークWを搬送機構４のフックユニット３６に吊り下げたときに、ワークWの下端W1が搬送連絡口３０の脱水側連絡空間５０のワーク搬送口２０E内に位置するように、制御部６は、アクチュエータ３３を制御して、オペレータによるワークWの搬入の前に予めフックユニット３６の上下方向の位置を調整しておく。

次に、図４に示すように、オペレータは、脱水処理部本体２０に前面扉２３を取り付ける。制御部６は、これに呼応して、ハロゲンヒーター２２を通電させると共に、真空ポンプ２１を制御して脱水処理室２４内を真空引きすることで、ワークWに対する脱水処理を開始する。これにより、ワークWがハロゲンヒーター２２によって加熱されることで、ワークWに付着した水分が蒸発し、蒸発により生じた水蒸気は真空ポンプ２１によって外部へと排気される。

所定の時間、この脱水処理が行われたら、図５に示すように、制御部６は、脱水処理部３の脱水処理室２４を真空状態に維持したまま、アクチュエータ４３を制御して、成膜処理部２と脱水処理部３の間の搬送連絡口３０を開放させる。そして、図６に示すように、制御部６は、アクチュエータ３３を制御して、ワークWを真空状態の脱水処理部３から真空状態の成膜処理部２へ搬送する。ワークWが所定位置まで下降すると、気密蓋３４がシール部材３５を介して脱水処理部本体２０の底板２０Bに着座し、気密蓋３４が搬送連絡口３０を閉塞する。また、図７に示すように、ワークWが所定位置まで下降すると、ワーク側電極３８が成膜処理部２の電極ユニット１１に電気的に接触する。これにより、ワークWは、フック３７とワーク側電極３８を介して電極ユニット１１と同電位となり、ワークWと成膜処理部２の成膜処理部本体７との間、及び、ワークWと気密蓋３４との間で放電が開始される。この状態で、制御部６は、ガス源９を制御して、成膜処理部２の成膜処理室１２内に反応ガスを供給する。反応ガスは、上記放電により励起されてプラズマ状態となり、もって、ワークWの表面にDLCなどの薄膜が形成される。

成膜処理が完了したら、制御部６は、アクチュエータ３３を制御して、ワークWを成膜処理部２から脱水処理部３へ搬送し、アクチュエータ４３を制御して、搬送連絡口３０を閉塞する。そして、オペレータは、前面扉２３を取り外して、脱水処理部本体２０からワークWを取り出す。

以上に、本願発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、以下の特長を有する。

図８に示すように、元からワークWが反り返っていたり、脱水処理部３による脱水処理でワークWが反り返ってしまったとする。この場合、その後にワークWを脱水処理部３から成膜処理部２へ搬送する際に、ワークWの下端W1が脱水処理部３の脱水処理部本体２０の底板２０Bに引っ掛かり、この結果、搬送機構４のロッド３２やフックユニット３６、ワークWそのものが破損する虞がある。また、脱水処理部３による脱水処理でワークWが反り返らなかったとしても、その後にワークWを脱水処理部３から成膜処理部２へ搬送する際に、ワークWが揺れ動くことでワークWの下端W1が脱水処理部３の脱水処理部本体２０の底板２０Bに引っ掛かり、この結果、搬送機構４のロッド３２やフックユニット３６、ワークWそのものが破損する虞がある。

（１）これに対し、上記実施形態のプラズマ成膜装置１は、ワークW（処理対象物）に対してプラズマCVDで成膜処理を行う成膜処理部２と、ワークWに対して脱水処理を行う脱水処理部３と、ワークWを保持すると共に、成膜処理部２と脱水処理部３の間に形成された搬送連絡口３０を通じてワークWを成膜処理部２と脱水処理部３の間で搬送する搬送機構４（搬送手段）と、搬送連絡口３０内の空間としての連絡空間４０を仕切ることで搬送連絡口３０を開閉するゲートバルブ５（開閉手段）と、搬送機構４を制御する制御部６（制御手段）と、を備える。連絡空間４０は、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。連絡空間４０は、ゲートバルブ５によって仕切られた際に脱水処理部３側に位置する脱水側連絡空間５０を有する。制御部６は、脱水処理部３によるワークWの脱水処理が開始されるとき、ワークWの下端W1が脱水側連絡空間５０内に位置するように、搬送機構４を制御する。以上の構成によれば、ワークWが脱水処理部３で脱水処理される際にはワークWの下端W1が脱水側連絡空間５０内に位置しているので、脱水処理の際にワークWの反り等が発生しても脱水側連絡空間５０内から成膜処理部２へのワークWの搬送において、反りによる引っ掛かり等の影響は受け難い。従って、ワークWを脱水処理部３から成膜処理部２へ搬送する際に、ワークWの下端W1が脱水処理部３の脱水処理部本体２０の底板２０Bに引っ掛かることがないので、脱水処理部３によるワークWの脱水処理後にワークWを脱水処理部３から成膜処理部２へ確実に搬入することができる。

（２）また、成膜処理部２は、所定の電位に設定された電極ユニット１１（成膜側電極）を有する。搬送機構４は、ワークWと電気的に接続されたワーク側電極３８（搬送側電極）を有する。ワーク側電極３８は、脱水処理部３から成膜処理部２へのワークWの搬入によって電極ユニット１１と電気的に接触する。以上の構成によれば、脱水処理部３から成膜処理部２へのワークWの搬入から、ワークWと電極ユニット１１との電気的な接続までの時間がなくなるので、サイクルタイムが短縮化する。

（３）搬送機構４は、ワークWを吊り下げて保持する導電性のフック３７（保持部）を更に有する。ワーク側電極３８は、フック３７から分岐して形成されている。

また、図９に示すように、成膜処理部２による成膜処理でワークWが強く反り返ってしまったとする。この場合、その後にワークWを成膜処理部２から脱水処理部３へ搬送する際に、ワークWの下端W1が成膜処理部２の成膜処理部本体７の天板７Aに引っ掛かり、この結果、搬送機構４のロッド３２やフックユニット３６、ワークWそのものが破損する虞がある。また、成膜処理部２による成膜処理でワークWが反り返らなかったとしても、その後にワークWを成膜処理部２から脱水処理部３へ搬送する際に、ワークWが揺れ動くことでワークWの下端W1が成膜処理部２の成膜処理部本体７の天板７Aに引っ掛かり、この結果、搬送機構４のロッド３２やフックユニット３６、ワークWそのものが破損する虞がある。

（４）これに対し、連絡空間４０は、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。以上の構成によれば、成膜処理部２によるワークWの成膜処理後にワークWを成膜処理部２から脱水処理部３へ確実に搬出することができる。

（５）詳しくは、連絡空間４０は、ゲートバルブ５によって仕切られた際に成膜処理部２側に位置する成膜側連絡空間５１を有する。成膜側連絡空間５１は、脱水処理部３から成膜処理部２へ向かって広がるように形成されている。

（６）また、オペレータは、脱水処理部３によるワークWの脱水処理が開始されるとき、ワークWの下端W1を脱水側連絡空間５０内に位置させる。以上の方法によれば、脱水処理部３によるワークWの脱水処理後にワークWを脱水処理部３から成膜処理部２へ確実に搬入することができる。

１ プラズマ成膜装置
２ 成膜処理部
３ 脱水処理部
４ 搬送機構
５ ゲートバルブ
３０ 搬送連絡口
４０ 連絡空間
５０ 脱水側連絡空間
５１ 成膜側連絡空間
W ワーク
W1 下端

Claims (6)

1. 処理対象物に対してプラズマCVDで成膜処理を行う成膜処理部と、
   前記処理対象物に対して脱水処理を行う脱水処理部と、
   前記処理対象物を保持すると共に、前記成膜処理部と前記脱水処理部の間に形成された搬送連絡口を通じて前記処理対象物を前記成膜処理部と前記脱水処理部の間で搬送する搬送手段と、
   前記搬送連絡口内の空間としての連絡空間を仕切ることで前記搬送連絡口を開閉する開閉手段と、
   前記搬送手段を制御する制御手段と、
   を備え、
   前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かってストレート状に又は広がるように形成されており、
   前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記脱水処理部側に位置する脱水側連絡空間を有し、
   前記制御手段は、前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理が開始されるとき、前記処理対象物の少なくとも一部が前記脱水側連絡空間内に位置するように、前記搬送手段を制御する、
   プラズマ成膜装置。
2. 請求項１に記載のプラズマ成膜装置であって、
   前記成膜処理部は、所定の電位に設定された成膜側電極を有し、
   前記搬送手段は、前記処理対象物と電気的に接続された搬送側電極を有し、
   前記搬送側電極は、前記脱水処理部から前記成膜処理部への前記処理対象物の搬入によって前記成膜側電極と電気的に接触する、
   プラズマ成膜装置。
3. 請求項２に記載のプラズマ成膜装置であって、
   前記搬送手段は、前記処理対象物を吊り下げて保持する導電性の保持部を更に有し、
   前記搬送側電極は、前記保持部から分岐して形成されている、
   プラズマ成膜装置。
4. 請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ成膜装置であって、
   前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かって広がるように形成されている、
   プラズマ成膜装置。
5. 請求項４に記載のプラズマ成膜装置であって、
   前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記成膜処理部側に位置する成膜側連絡空間を有し、
   前記成膜側連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かって広がるように形成されている、
   プラズマ成膜装置。
6. 処理対象物に対してプラズマCVDで成膜処理を行う成膜処理部と、
   前記処理対象物に対して脱水処理を行う脱水処理部と、
   前記処理対象物を保持すると共に、前記成膜処理部と前記脱水処理部の間に形成された搬送連絡口を通じて前記処理対象物を前記成膜処理部と前記脱水処理部の間で搬送する搬送手段と、
   前記搬送連絡口内の空間としての連絡空間を仕切ることで前記搬送連絡口を開閉する開閉手段と、
   を備え、
   前記連絡空間は、前記脱水処理部から前記成膜処理部へ向かってストレート状に又は広がるように形成されており、
   前記連絡空間は、前記開閉手段によって仕切られた際に前記脱水処理部側に位置する脱水側連絡空間を有する、
   プラズマ成膜装置を用いたプラズマ成膜方法であって、
   前記脱水処理部による前記処理対象物の脱水処理が開始されるとき、前記処理対象物の少なくとも一部を前記脱水側連絡空間内に位置させる、
   プラズマ成膜方法。

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