JP2015019001A - 半導体チップの実装方法、半導体装置、及び実装治具 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の平板端子(例えば、後述の実施形態における平板端子21)を備えるビームリード(例えば、後述の実施形態におけるビームリード20)と、複数の半導体チップ(例えば、後述の実施形態における半導体チップ11)とを半田接合する半導体チップの実装方法であって、
前記半導体チップ上に前記平板端子を重ね合わせて配置した後、下部から上部に向かうに従って次第に横断面積が小さくなる略円錐状の半田収容孔(例えば、後述の実施形態における半田収容孔32)と、該半田収容孔の上部に連続形成された略円筒状の半田挿入孔(例えば、後述の実施形態における半田挿入孔33)と、を有する実装治具(例えば、後述の実施形態における実装治具30)を前記平板端子上に載置する工程と、
前記実装治具の前記半田挿入孔に棒状半田(例えば、後述の実施形態における棒状半田35)を挿入する工程と、
前記半田挿入孔に前記棒状半田を挿入した状態でリフロー半田する工程と、
前記実装治具を前記平板端子から取り外す工程と、
を備えることを特徴とする。
ビームリード(例えば、後述の実施形態におけるビームリード20)の複数の平板端子(例えば、後述の実施形態における平板端子21)が、複数の半導体チップ(例えば、後述の実施形態における半導体チップ11)に半田接合されてなる半導体装置(例えば、後述の実施形態における半導体装置10)であって、
前記平板端子は、前記平板端子を厚さ方向に貫通して溶融半田(例えば、後述の実施形態における溶融半田35)が流動可能な切欠き部(例えば、後述の実施形態における長孔22)を有し、
前記平板端子と前記半導体チップとの間に設けられる第1半田層(例えば、後述の実施形態における第1半田層36)と、
少なくとも前記切欠き部の一部を覆うように、前記平板端子の上面側に設けられる略円錐状の第2半田層(例えば、後述の実施形態における第2半田層37)と、
を備えることを特徴とする。
前記半導体チップには、前記平板端子の先端部(例えば、後述の実施形態における先端部24)から延出する位置に信号端子(例えば、後述の実施形態における信号端子13)が設けられ、
前記切欠き部は、前記平板端子の先端部側が閉鎖された孔(例えば、後述の実施形態における長孔22)であり、
前記切欠き部を覆って前記平板端子の上面に設けられた前記第2半田層の中心(例えば、後述の実施形態における第2半田層の中心C)は、前記平板端子の長手方向中心(例えば、後述の実施形態における平板端子の長手方向中心CL)より前記先端部から遠い側に配置されることを特徴とする。
複数の平板端子(例えば、後述の実施形態における平板端子21)を備えるビームリード(例えば、後述の実施形態におけるビームリード20)を、複数の半導体チップ(例えば、後述の実施形態における半導体チップ11)に半田接合するための実装治具(例えば、後述の実施形態における実装治具30)であって、
下部から上部に向かうに従って次第に横断面積が小さくなる略円錐状の半田収容孔(例えば、後述の実施形態における半田収容孔32)と、該半田収容孔の上部に連続形成された略円筒状の半田挿入孔(例えば、後述の実施形態における半田挿入孔33)と、を有し、
前記平板端子と前記半導体チップとを半田接合する際に発生する余剰の前記半田(例えば、後述の実施形態における半田35)を前記半田収容孔内に収容することを特徴とする。
前記略円錐状の半田収容孔の容積は、前記半導体チップと前記平板端子との間の隙間のばらつきにより形成されるチップ端子間容量の最大容量と最小容量との差より大きいことを特徴とする。
IGBT11aに平板端子21aを半田接合する実装治具30は、IGBT11a上に載置したとき、半田収容孔32及び半田挿入孔33が、平板端子21aの長手方向中心CLより先端部24から遠い側、換言すれば、信号端子13から遠い側、且つ平板端子21の長孔22に対応する位置に載置される。
11 半導体チップ
11a IGBT(半導体チップ)
11b FWD(半導体チップ)
13 信号端子
20 ビームリード
21,21a,21b 平板端子
22 長孔(切欠き部、孔)
24 平板端子の先端部
30 実装治具
32 半田収容孔
33 半田挿入孔
35 半田
36 第1半田層
37 第2半田層
C 第2半田層の中心
CL 平板端子の長手方向中心
Claims (5)
- 複数の平板端子を備えるビームリードと、複数の半導体チップとを半田接合する半導体チップの実装方法であって、
前記半導体チップ上に前記平板端子を重ね合わせて配置した後、下部から上部に向かうに従って次第に横断面積が小さくなる略円錐状の半田収容孔と、該半田収容孔の上部に連続形成された略円筒状の半田挿入孔と、を有する実装治具を前記平板端子上に載置する工程と、
前記実装治具の前記半田挿入孔に棒状半田を挿入する工程と、
前記半田挿入孔に前記棒状半田を挿入した状態でリフロー半田する工程と、
前記実装治具を前記平板端子から取り外す工程と、
を備えることを特徴とする半導体チップの実装方法。 - ビームリードの複数の平板端子が、複数の半導体チップに半田接合されてなる半導体装置であって、
前記平板端子は、前記平板端子を厚さ方向に貫通して溶融半田が流動可能な切欠き部を有し、
前記平板端子と前記半導体チップとの間に設けられる第1半田層と、
少なくとも前記切欠き部の一部を覆うように、前記平板端子の上面側に設けられる略円錐状の第2半田層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップには、前記平板端子の先端部から延出する位置に信号端子が設けられ、
前記切欠き部は、前記平板端子の先端部側が閉鎖された孔であり、
前記切欠き部を覆って前記平板端子の上面に設けられた前記第2半田層の中心は、前記平板端子の長手方向中心より前記先端部から遠い側に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 複数の平板端子を備えるビームリードを、複数の半導体チップに半田接合するための実装治具であって、
下部から上部に向かうに従って次第に横断面積が小さくなる略円錐状の半田収容孔と、該半田収容孔の上部に連続形成された略円筒状の半田挿入孔と、を有し、
前記平板端子と前記半導体チップとを半田接合する際に発生する余剰の前記半田を前記半田収容孔内に収容することを特徴とする実装治具。 - 前記略円錐状の半田収容孔の容積は、前記半導体チップと前記平板端子との間の隙間のばらつきにより形成されるチップ端子間容量の最大容量と最小容量との差より大きいことを特徴とする請求項4に記載の実装治具。
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Citations (4)
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JPH05315490A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007149784A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Canon Machinery Inc | 半田供給装置 |
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WO2011121756A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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