JP2015018149A - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アルミニウムのマイグレーションの影響を抑制して、光の遮光性を有する構成要素と光の反射性を有する構成要素とを透光性の基板の上に形成すること。
【解決手段】透光性の基板本体６と、基板本体６を覆うように配置され、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された光反射膜６０と、光反射膜６０の基板本体６の側とは反対側に配置された遮光層６１と、を含み、遮光層６１は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第２遮光膜６３と、第２遮光膜６３よりも剛性の高い第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４と、を含み、第２遮光膜６３は、第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４で挟まれていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置用基板、当該電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、当該電気光学装置を用いた電子機器、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。

電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）に用いられる透過型のアクティブ液晶装置が知られている。当該液晶装置は、データ線や画素電極が設けられた素子基板、共通電極が設けられた対向基板、及び素子基板と対向基板とで挟持された液晶層などを有している。

例えば、特許文献１に記載の液晶装置の対向基板は、透光性の基材、遮光性の導電材料で構成された遮光層、透光性の導電材料で構成された共通電極などを有している。詳しくは、透光性の基材の上にアルミニウム合金と窒化チタンとが順に積層されて、遮光層が形成されている。遮光層の上には、絶縁膜を挟んでＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が積層されて共通電極が形成されている。遮光層は、表示領域の周囲に形成された表示の見切りとしての見切り部と、表示領域の中に形成された配線部とで構成されている。対向基板に設けられた配線部と共通電極とを電気的に接続させ、共通電極を低抵抗化することで、素子基板に設けられたデータ線や画素電極などとの容量結合による共通電極の電位変動が抑制されている。

さらに、対向基板を複数の製造装置で処理するためには、対向基板にアライメントマークを設ける必要がある。複数の製造装置の中には、透光性の基材からアライメントマークに向けて照射された光の反射光を検出する装置があるため、アライメントマークの透光性の基材の側には、光反射膜を配置する必要があった。特許文献１に記載の液晶装置の対向基板は、透光性の基材の上にアルミニウム合金と窒化チタンとが順に積層された構成を有し、アルミニウム合金が光反射膜となるので、遮光層とアライメントマークとを同じ工程（同じ材料）で形成していた。

特開２０１２−１８５４２３号公報

しかしながら、透光性の基材の側に光反射膜（アルミニウム合金）を配置する構成では、透光性の基材にアルミニウム合金を成膜し、アルミニウム合金の成膜温度（高温状態）から常温に冷却する場合に、アルミニウム合金が透光性の基材と比べて大きく収縮しようとするため、アルミニウム合金に引っ張り応力が作用し、アルミニウム合金にマイグレーションが発生する恐れがあった。仮に、アルミニウム合金にマイグレーションが発生すると、当該マイグレーションは遮光層（見切り部）のピンホールとなり、当該ピンホールは液晶装置における輝点不良となる。

さらに、液晶装置の高輝度化のために、透光性の基材に光の反射部としてのプリズムや、光の集光部としてのマイクロレンズなどを形成すると、透光性の基材にはプリズムやマイクロレンズが形成したことによる残留応力が蓄積し、当該残留応力によってアルミニウム合金のマイグレーションがさらに発生しやすくなるという恐れもあった。

このように、特許文献１に記載の液晶装置の対向基板では、透光性の基材に光反射膜（アルミニウム合金）と窒化チタンとを順に積層して遮光層やアライメントマークを形成する場合に、透光性の基材の側に配置された光反射膜（アルミニウム合金）にマイグレーション（ピンホール）が発生しやすいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置用基板は、透光性の基板と、前記基板を覆うように配置されアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された光反射膜と、前記光反射膜の前記基板の側とは反対側に配置された遮光層とを含み、前記遮光層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜と、前記第１の膜よりも剛性の高い第２の膜とを含み、前記第１の膜は、前記第２の膜で挟まれていることを特徴とする。

アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜は、第１の膜よりも剛性の高い第２の膜で挟まれて変形しにくくなっているため、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜にマイグレーションが発生しにくくなる。よって、第１の膜が第２の膜で挟まれた構成の遮光層では、第１の膜（アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された膜）のマイグレーション（ピンホール）が抑制され、光を良好に遮光することができる。さらに、遮光層と透光性の基板との間には、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された光反射膜が配置され、透光性の基板から遮光層に向かう光を良好に反射することができる。
よって、透光性の基板に、光反射膜と、第１の膜が第１の膜よりも剛性の高い第２の膜で挟まれた構成の遮光層とを順に積層することによって、光の反射部（例えば、アライメントマーク）と、マイグレーション（ピンホール）が抑制された光の遮光部（例えば、表示の見切り部）とを、良好に形成することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置用基板では、前記第２の膜は、窒化チタンで構成されていることが好ましい。

窒化チタンのビッカース硬度は２０００以上であり、窒化チタンは、アルミニウムやアルミニウム合金と比べて極めて硬い材料、つまり剛性が高い材料である。このため、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜を、窒化チタンで構成された第２の膜で挟むことによって、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜がさらに変形しにくくなり、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜のマイグレーションがさらに発生しにくくなる。

［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置用基板では、前記第１の膜の膜厚は、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きいことが好ましい。

アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜の膜厚を、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きくすると、当該第１の膜は高い遮光性を有する。具体的には、当該第１の膜は、光学硬度が４以上の遮光性に優れた遮光膜となる。当該第１の膜を含む遮光層は、例えばプロジェクターの光源から発した高輝度の光を良好に遮光することができる。

［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置用基板では、前記基板と、前記光反射膜との間には、前記基板の屈折率と略同じ屈折率の材料で構成された絶縁膜が配置されていることが好ましい。

基板の表面を、基板の屈折率と略同じ屈折率の材料で構成された絶縁膜で覆うことによって、光の透過率の低下を招くことなく基板の表面の欠陥の影響を抑制し、透光性の基板の上方に形成する光反射膜や遮光層に欠陥が生じにくくすることができる。

［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置用基板では、前記基板は光を反射するプリズムまたは光を集光するマイクロレンズのいずれかを含むことが好ましい。

光を反射するプリズムまたは光を集光するマイクロレンズを、基板に形成することによって、電気光学装置用基板の光の利用効率を高めることができる。

［適用例６］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電気光学装置では、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備え、マイグレーション（ピンホール）の発生が抑制された遮光層によって、表示に不要な光が遮られているので、マイグレーションによる輝点不良が抑制され、高いコントラストの表示を提供することができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えているので、マイグレーションによる輝点不良が抑制され、高いコントラストの表示を提供することができる。例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、マイグレーションによる輝点不良が抑制され、高いコントラストの表示を提供することができる。

［適用例８］本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法は、透光性の基板を覆うようにアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む光反射膜を形成する工程と、前記光反射膜の前記基板とは反対側に遮光層を形成する工程と、を含み、前記遮光層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜と、前記第１の膜よりも剛性の高い第２の膜と、を含み、前記第１の膜は、前記第２の膜で挟まれていることを特徴とする。

本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法では、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜が、第１の膜よりも剛性の高い第２の膜で挟まれるように遮光層が形成されているので、第１の膜は第２の膜によって変形しにくくなり、第１の膜にマイグレーション（ピンホール）が発生しにくくなる。よって、第１の膜と第２の膜とで構成された遮光層では、輝点不良となるピンホールの発生が抑制される。

実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図１のＡ−Ａ’線で切った概略断面図。 図３の破線で囲まれた領域Ｂにおける電気光学装置用基板の概略断面図。 電気光学装置用基板の製造方法を示す工程フロー。 各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る液晶装置の概略断面図。 実施形態３に係る液晶装置の電気光学装置用基板の概略断面図。 実施形態４に係る投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例１に係る液晶装置の概略断面図。 変形例１に係る液晶装置の概略断面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型の液晶装置である。本実施形態に係る液晶装置１００は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子として好適に使用することができるものである。

まず、本実施形態に係る液晶装置１００の概要について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、図１のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。

図１及び図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及び素子基板１０と対向基板２０とで挟持された液晶層５０などを有する。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材５２を介して接着され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材５２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が使用されている。シール材５２には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状に見切り部５３が設けられている。見切り部５３は、表示の見切りであり、見切り部５３の内側が表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、画素Ｐがマトリックス状に複数配置されている。なお、表示領域Ｅには、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲んで配置されたダミー画素を含んでいてもよい。
見切り部５３の詳細は、後述する。

素子基板１０の複数の外部接続用端子１０２が配列された第１辺と該第１辺に沿ったシール材５２との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。該第１辺と対向する他の第４辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、二つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該第１辺に沿って配列された複数の外部接続用端子１０２に接続されている。

「液晶装置の電気的な構成」
次に、図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成を説明する。
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１２及び複数のデータ線１６や、データ線１６に対して平行に延在する容量線４１などを有する。なお、容量線４１の配置はこれに限定されず、走査線１２に対して平行に延在するように配置してもよい。
また、走査線１２、データ線１６、及び容量線４１は、遮光性の導電材料で構成され、素子基板１０に設けられている。

走査線１２とデータ線１６とで区分された領域には、画素電極１７、ＴＦＴ３０、及び蓄積容量４０などが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線１２は、ＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続されている。データ線１６は、ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。画素電極１７は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されている。

データ線１６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎを各画素Ｐに供給する。走査線１２は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線１６に供給される画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士に対してグループごとに供給してもよい。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力によりオン状態とされた期間に同期して、データ線１６から供給される画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎがＴＦＴ３０を介して画素電極１７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１７に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎは、画素電極１７と共通電極として機能する共通電極２３との間で一定期間保持される。

保持された画像信号ＶＳ１，ＶＳ２，…，ＶＳｎがリーク（劣化）するのを防止するために、画素電極１７と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量４０が接続されている。蓄積容量４０は、ＴＦＴ３０のドレイン電極と容量線４１との間に設けられている。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。

「素子基板の概要」
次に、素子基板１０の概要を説明する。
図３に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、絶縁層１３、ＴＦＴ３０、絶縁層１４、データ線１６、絶縁層１５、画素電極１７、配向膜１８などを有している。

走査線１２は、素子基板本体１１の上に設けられている。走査線１２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）などの金属材料の少なくとも一つを含む金属単体、これら金属の合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、遮光性を有している。

絶縁層１３は、素子基板本体１１と走査線１２とを覆うように設けられている。絶縁層１３は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。ＴＦＴ３０は、絶縁層１３上に設けられている。ＴＦＴ３０は、画素電極１７を駆動するスイッチング素子である。図示を省略するが、ＴＦＴ３０は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極で構成されている。

半導体層は、例えば多結晶シリコン膜からなり、島状に形成されている。半導体層には、不純物イオンが注入されて、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、または、チャネル領域とドレイン領域との間には、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。

ゲート電極は、Ｚ方向から見て半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層１４の一部（ゲート絶縁膜）を介して配置されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線１２にコンタクトホールを介して電気的に接続されている。

絶縁層１４は、絶縁層１３とＴＦＴ３０とを覆うように設けられている。絶縁層１４は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。絶縁層１４は、ＴＦＴ３０の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層１４により、ＴＦＴ３０によって生じる表面凹凸が緩和される。

絶縁層１４上には、データ線１６が設けられている。データ線１６は、走査線１２と同様の材料で形成され、遮光性を有している。ＴＦＴ３０は、遮光性を有する走査線１２及びデータ線１６との間に挟まれるように配置されている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層に光が入射することによるリーク電流の増加（ＴＦＴ３０の誤動作）が抑制される。

図示を省略するが、絶縁層１４上には、データ線１６と配線層を異ならせて容量線４１が設けられている。絶縁層１４とデータ線１６と容量線４１とを覆うように、絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。

画素電極１７は、絶縁層１５上に設けられている。画素電極１７は、絶縁層１４や絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示省略）を介して、ＴＦＴ３０の半導体層におけるドレイン領域に電気的に接続されている。配向膜１８は、画素電極１７を覆うように設けられている。

画素電極１７を覆う配向膜１８は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が使用されている。また、配向膜１８には、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。

上述したように、走査線１２、データ線１６、及び容量線４１は、遮光性の導電材料で構成され、表示領域Ｅの内側に遮光領域を形成する。遮光領域（走査線１２、データ線１６、容量線４１など）は、Ｚ方向から見て、Ｘ方向及びＹ方向に延在する格子形状を有し、画素Ｐと隣り合う画素Ｐとの境界に重なるように配置されている。また、遮光領域で囲まれた領域が、光を透過し変調する領域（以降、変調領域と称す）となる。画素電極１７は変調領域に跨って配置され、Ｚ方向から見て、画素電極１７の外縁部は遮光領域と重なっている。

「対向基板の概要」
次に、対向基板の概要を説明する。
図３に示すように、対向基板２０は、電気光学装置用基板５、絶縁膜２２、共通電極２３、配向膜２４などを有している。換言すれば、電気光学装置用基板５に、絶縁膜２２と、共通電極２３と、配向膜２４とが順に積層されて対向基板２０となる。

電気光学装置用基板５は、基板本体６、プリズム７０、見切り部５３などを有している。
基板本体６は、透光性の絶縁基板であり、例えば石英基板が使用されている。基板本体６には、石英基板の他にガラス基板などを使用することができる。
なお、基板本体６は、本発明における「基板」の一例である。

基板本体６の液晶層５０側の面６ａには、プリズム７０が形成されている。プリズム７０は、第１の溝７１、第１絶縁膜８１、第２の溝７５、第２絶縁膜８２、第３絶縁膜８３、及び空気層８５などで構成される。
以降、基板本体６の液晶層５０側の面６ａを、基板本体６の表面６ａと称す。

第１の溝７１は、基板本体６の表面６ａをエッチングすることで形成され、Ｘ方向から見てＺ（−）方向に広がったＶ字形状の断面を有している。第１の溝７１が形成された基板本体６の表面６ａは、第１絶縁膜８１で覆われている。第１の溝７１の内部も第１絶縁膜８１で覆われ、第１の溝７１の内部に第２の溝７５が形成される。第２の溝７５は、第１の溝７１と同様に、Ｘ方向から見てＺ（−）方向に広がったＶ字形状の断面を有している。第２絶縁膜８２は、第１絶縁膜８１を覆い、第２の溝７５の開口部を塞ぐように設けられている。第２の溝７５の開口部に配置された第２絶縁膜８２には、第２の溝７５の内部に連通された孔７９が設けられている。第３絶縁膜８３は、第２絶縁膜８２を覆い、第２絶縁膜８２に設けられた孔７９を塞ぐ。つまり、第２の溝７５の開口部は、第２絶縁膜８２及び第３絶縁膜８３で塞がれ（密封され）、第２の溝７５の内部に空気層８５が密封されている。

第１絶縁膜８１、第２絶縁膜８２、及び第３絶縁膜８３は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。上述したように、基板本体６は石英基板で構成されている。このため、基板本体６、第１絶縁膜８１、第２絶縁膜８２、及び第３絶縁膜８３は、同じ屈折率の材料で構成されている。第２の溝７５の内部に密封された空気層８５は、基板本体６よりも低屈折率の材料で構成されている。

かかる構成において、第２の溝７５（空気層８５）が配置されていない領域では、同じ屈折率の材料（基板本体６、第１絶縁膜８１、第２絶縁膜８２、第３絶縁膜８３）が積層されている。同じ屈折率の材料の界面（境界）では、反射等による光の減衰が発生せず、光が良好に透過する。一方、第２の溝７５（空気層８５）が配置された領域では、第２の溝７５の斜面７５ａが異なる屈折率の材料（基板本体６、空気層８５）の界面となり、光が反射される。このように、第１の溝７１と、第１絶縁膜８１と、第２の溝７５と、第２絶縁膜８２と、第３絶縁膜８３と、空気層８５とで光の反射部としてのプリズム７０が形成され、第２の溝７５の斜面７５ａが、プリズム７０における光の反射面となる。
なお、第１絶縁膜８１、第２絶縁膜８２、及び第３絶縁膜８３は、本発明における「基板の屈折率と略同じ屈折率の材料で構成された絶縁膜」の一例である。

第２の溝７５の斜面７５ａが形成された領域は、光を反射し、光を透過しないので、対向基板２０における遮光領域（光が透過しない領域）となる。表示領域Ｅの内側では、Ｚ方向から見て、第２の溝７５の斜面７５ａが形成された領域（対向基板２０の遮光領域）は、素子基板１０の遮光領域（走査線１２、データ線１６、容量線４１など）と重なっている。このため、第２の溝７５の斜面７５ａが形成された領域は、Ｚ方向から見て、Ｘ方向及びＹ方向に延在する格子形状を有し、画素Ｐと隣り合う画素Ｐとの境界に重なるように配置されている。さらに、Ｚ方向から見て、第２の溝７５の斜面７５ａが形成された領域の外縁部は、見切り部５３と重なっている。

見切り部５３は、額縁形状を有し、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを実現する。さらに、見切り部５３は、平面的に走査線駆動回路１０４（図１）と重なり、対向基板２０から素子基板１０に向けて入射する光を遮光して、走査線駆動回路１０４の光による誤動作を防止している。
見切り部５３の詳細は、後述する。

絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料で構成され、例えばプラズマＣＶＤなどを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、電気光学装置用基板５に見切り部５３を形成することで生ずる表面凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。

共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、表示領域Ｅに跨って形成される。共通電極２３は、図１に示すように、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６によって、素子基板１０の側の配線に電気的に接続されている。

共通電極２３を覆う配向膜２４は、画素電極１７を覆う配向膜１８と同じ材料、すなわち酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が使用されている。また、配向膜２４には、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。

本実施形態の液晶装置１００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）である。光源（図示省略）から発した光は、Ｚ（−）方向に沿って進行し、対向基板２０から素子基板１０に向けて入射し、変調され、表示光としてＺ（−）方向に射出されるようになっている。

図３において符号Ｌ１，Ｌ２が付された矢印は、光源から発せられ対向基板２０から素子基板１０に向けて入射する光（以降、入射光と称す）である。また、入射光Ｌ１は、変調領域に向けて進行する光であり、入射光Ｌ２は対向基板２０の遮光領域に向けて進行する光である。

変調領域に向けて進行する入射光Ｌ１は、変調領域を通過してＺ（−）方向に射出され、表示光となる。対向基板２０の遮光領域に向けて進行する入射光Ｌ２は、プリズム７０（第２の溝７５の斜面７５ａ）によって変調領域に向けて反射され、変調領域を通過してＺ（−）方向に射出され、表示光となる。
このように、プリズム７０によって、変調領域に向けて進行する入射光Ｌ１以外に、対向基板２０の遮光領域に向けて進行する入射光Ｌ２も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて光の利用効率を高めることができ、より明るい表示が実現される。

「見切り部が抱える課題」
次に、見切り部５３が抱える課題の概要を説明する。
図１に示す対向基板２０には、見切り部５３と同じ材料（同じ工程）で、対向基板２０の位置を検出するためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。見切り部５３及びアライメントマークを、別の材料（別の工程）で形成することもできるが、工数の増となるため好ましくない。このため、見切り部５３及びアライメントマークは、同じ材料（同じ工程）で形成されている。さらに、素子基板１０にも、素子基板１０の位置を検出するためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。

液晶装置１００を形成する工程では、例えば貼り合せ装置を用いて、対向基板２０と素子基板１０とを所定の位置に貼り合せている。当該貼り合せ装置では、対向基板２０から素子基板１０に向かう光（検出光）が照射され、アライメントマークの反射光を検出して対向基板２０及び素子基板１０の位置が求められている。このため、アライメントマークの検出光が照射される側には、光の反射性を有する膜を配置する必要があった。

アルミニウムは、光の反射性を有し、酸化シリコンとの密着性に優れ、安価で微細加工が容易であるという優れた長所を有しているので、アライメントマークの構成材料（光の反射性を有する膜）として好適である。さらに、アルミニウムは、光の遮光性にも優れているので、見切り部５３の構成材料（光を遮光する膜）としても好適である。つまり、見切り部５３及びアライメントマークの構成材料として、アルミニウムが好ましい。なお、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金、例えばシリコンや銅などが添加されたアルミニウム合金は、アルミニウムと同様の性質を有し、アルミニウムと同様に見切り部５３及びアライメントマークの構成材料として好適である。よって、見切り部５３及びアライメントマークの構成材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金が好適である。
以降、アルミニウム及びアルミニウム合金を、アルミニウムと称する。つまり、以降の説明では、アルミニウムはアルミニウム合金を含む。

しかしながら、アルミニウムはストレスによってマイグレーション（以降、ストレスマイグレーションと称す）が発生しやすいという課題を有している。
例えば、アルミニウムで構成された見切り部５３やアライメントマークの上に絶縁膜２２を成膜すると、絶縁膜２２の成膜温度でアルミニウムが常温に対して膨張した状態になり、絶縁膜２２の成膜温度から常温に冷却すると、アルミニウムは絶縁膜２２に比べて大きく収縮しようとし、さらに絶縁膜２２の応力の影響が加わり、アルミニウムに引っ張り応力が作用し、ストレスマイグレーションが発生する恐れがある。

例えば、第３絶縁膜８３の上にアルミニウムを成膜して見切り部５３やアライメントメークを形成する場合、第３絶縁膜８３の上にアルミニウムを成膜し、アルミニウムの成膜温度（高温状態）から常温に冷却すると、アルミニウムは第３絶縁膜８３に比べて大きく収縮しようとし、さらに第３絶縁膜８３の残留応力の影響が加わり、アルミニウムに引っ張り応力が作用し、ストレスマイグレーションが発生する恐れがある。

当該ストレスマイグレーションによって、見切り部５３やアライメントマークに概略数μｍ以下の大きさの微小なピンホールが発生する。後述する液晶プロジェクターでは、液晶装置１００の映像が拡大表示されるので、見切り部５３の微小なピンホールは拡大表示され、輝点不良（点欠陥）となる。一方、アライメントマークに微小なピンホールが発生しても、貼り合せ装置への悪影響は少なく、アライメントマーク側の微小なピンホールで不具合が生じることはない。

見切り部５３及びアライメントマークの絶縁膜２２の側は、検出光が照射される側でないので、見切り部５３及びアライメントマークのアルミニウムと絶縁膜２２との間に、バリア膜（例えば窒化チタンなど）を配置することで、アルミニウムのストレスマイグレーションを抑制することができる。

一方、見切り部５３及びアライメントマークの第３絶縁膜８３の側は、検出光が照射される側であるので、光の反射性に優れたアルミニウムを配置することが好ましい。仮に、見切り部５３及びアライメントマークのアルミニウムと第３絶縁膜８３との間に窒化チタンを配置すると、窒化チタンはアルミニウムと比べて反射率が小さいため、上述した貼り合せ装置でアライメントマークを安定して検出することが難しくなる。

ところが、見切り部５３及びアライメントマークの第３絶縁膜８３の側にアルミニウムを配置すると、上述したメカニズムによってアルミニウムにストレスマイグレーションが発生しやすくなる。本実施形態では、基板本体６にプリズム７０が形成され、プリズム７０を形成することによる残留応力が蓄積されているので、プリズム７０が形成されていない基板本体６にアルミニウムを形成する場合と比べて、アルミニウムのストレスマイグレーションがより発生しやすくなる。

このように、対向基板２０に見切り部５３やアライメントマークを形成する場合、検出光が照射される側、つまり見切り部５３やアライメントマークの第３絶縁膜８３の側にアルミニウムを配置する必要がある。見切り部５３やアライメントマークの第３絶縁膜８３の側に配置されたアルミニウムは、ストレスマイグレーションが発生しやすい。仮にアルミニウムのストレスマイグレーションが発生すると、当該ストレスマイグレーションは見切り部５３の微小なピンホールとなり、輝点不良が誘発されるという課題があった。
本発明は、かかる課題を解決するための有効な構成を有している。以下に、その詳細を説明する。

「見切り部の概要」
図４は、図３の破線で囲まれた領域Ｂにおける電気光学装置用基板の概略断面図である。以降、図３の破線で囲まれた領域Ｂを、見切り領域と称す。

図４に示すように、見切り領域では、基板本体６に、第１絶縁膜８１と第２絶縁膜８２と第３絶縁膜８３と見切り部５３とが順に積層されている。なお、第１絶縁膜８１と第２絶縁膜８２と第３絶縁膜８３とは、図３に示すプリズム７０の構成要素の一部である。見切り部５３は、第３絶縁膜８３の側に配置された光反射膜６０と、第３絶縁膜８３とは反対側に配置された遮光層６１とで構成される。上述したように、アライメントマーク（図示省略）も見切り部５３と同じ構成を有している。

光反射膜６０は、貼り合せ装置の検出光を反射し、貼り合せ装置がアライメントマークを検出しやすくする役割を有している。遮光層６１は、液晶プロジェクターの光源から発した高輝度の光を遮光する役割を有していている。なお、液晶装置１００を液晶プロジェクターに適用する場合には、見切り部５３には、４以上の光学濃度（遮光性）が要求される。つまり、光学濃度が４以上となるように、遮光層６１を形成する必要がある。

光反射膜６０は、アルミニウムで構成されている。光反射膜６０の膜厚は、概略５０ｎｍである。光反射膜６０は、光反射性を有する程度の膜厚であればよく、例えば光反射膜６０の膜厚は概略２０ｎｍ以上であればよい。アライメントマークの第３絶縁膜８３の側に光反射膜６０を配置することによって、貼り合せ装置はアライメントマークを良好に検出することができる。上述したように、光反射膜６０（アルミニウム）のストレスマイグレーションによって、アライメントマークに微小なピンホールが発生しても、貼り合せ装置への影響は少ない。

遮光層６１は、光反射膜６０の側に順に積層された、第１遮光膜６２と、第２遮光膜６３と、第３遮光膜６４とを有している。第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４は、窒化チタンで構成されている。第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４の膜厚は、概略５０ｎｍである。第２遮光膜６３は、アルミニウムで構成されている。第２遮光膜６３の膜厚は、概略１００ｎｍである。
なお、第２遮光膜６３は、本発明における「第１の膜」の一例である。第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４は、本発明における「第２の膜」の一例である。

窒化チタンはアルミニウムと比べて遮光性が悪く、窒化チタンだけで光学濃度４以上の遮光性を実現することが難しい。アルミニウムは、窒化チタンと比べて遮光性に優れている。例えば、アルミニウムの膜厚が概略１００ｎｍ以上であれば、光学濃度４以上の遮光性が実現される。このため、アルミニウムで構成される第２遮光膜６３の膜厚は、概略１００ｎｍとなっている。換言すれば、第２遮光膜６３の膜厚は、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きいことが好ましい。第２遮光膜６３の膜厚を、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きくすることで、光学濃度４以上の遮光性を有する遮光層６１を安定して形成することができる。

なお、第２遮光膜６３の膜厚は、要求される遮光性（光学濃度）によって、変化する。また、アルミニウムの膜厚が大きくなるとストレスマイグレーションが発生しやすく、アルミニウムの膜厚が小さくなるとストレスマイグレーションが発生しにくくなる。第２遮光膜６３（アルミニウム）は、光反射膜６０よりも厚くなっているので、光反射膜６０と比べてストレスマイグレーションが発生しやすい。

遮光層６１は、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）が、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟まれた構成を有している。アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）は、ストレスによって変形しにくいので、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）をアルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟むことによって、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）も変形しにくくなる。すなわち、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）に、ストレスマイグレーションが発生しにくくなる。

アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）としては、窒化チタンが好ましい。窒化チタンのビッカース硬度は２０００以上であり、窒化チタンは、アルミニウムと比べて、極めて硬い膜（剛性が高い膜）であり、ストレスによって変形しにくい。つまり、アルミニウムを窒化チタンで覆うことで、アルミニウムの変形（アルミニウムのストレスマイグレーション）を確実に抑制することができる。
従って、本実施形態では、第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４は、窒化チタンで構成されている。

なお、第１遮光膜６２及び第３遮光膜６４を構成する材料は、窒化チタンの他に、例えば、チタン、チタン合金、タングステン、チタンを含有するタングステン、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイドなどを使用することができる。

光学濃度４以上を実現するために、第２遮光膜６３（アルミニウム）を光反射膜６０（アルミニウム）よりも厚く形成しても、第２遮光膜６３はアルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟まれているので、第２遮光膜６３のストレスマイグレーションが抑制される。
このように、本実施形態では、プリズム７０が形成された基板本体６の上に、アルミニウム（光反射膜６０）と、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２）と、アルミニウム（第２遮光膜６３）と、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第３遮光膜６４）とを順に積層して、貼り合せ装置の検出光を反射する構成要素（アライメントマーク）と、プロジェクターの光源から発した高輝度の光を遮る構成要素（見切り部５３）とが形成されている。さらに、アルミニウムで構成された第２遮光膜６３は、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟まれ、ストレスマイグレーション（ピンホール）が抑制され、さらに光学濃度が４以上という優れた遮光性を有している。その結果、貼り合せ装置の検出光を、アライメントマークで良好に反射し、プロジェクターの光源から発した高輝度の光を、見切り部５３で良好に遮光することができる。

「電気光学装置用基板の製造方法」
次に、図５及び図６を参照して、電気光学装置用基板の製造方法を説明する。図５は、電気光学装置用基板の製造方法を示す工程フローである。図６は、図４に対応し、図５に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の見切り領域の状態を示す、概略断面図である。

図５に示すように、電気光学装置用基板を製造する工程は、プリズム７０を形成する工程（ステップＳ１）と、光反射膜６０を形成する工程と（ステップＳ２）と、遮光層６１を形成する工程（ステップＳ３）とを含む。

図５のステップＳ１では、基板本体６を公知技術（例えば、ドライエッチング）でエッチングし、Ｖ字形状の断面を有する第１の溝７１を形成する。第１の溝７１が形成された基板本体６の表面に、公知技術（例えば、プラズマＣＶＤ）によって酸化シリコンを成膜し、第１の溝７１の内部を第１絶縁膜８１で覆い、第１の溝７１の内部に第２の溝７５を形成する。第２の溝７５の内部に、公知技術（例えば、ＣＶＤ）によって、例えば犠牲膜となるポリシリコンを埋め込み、ダマシン法で埋め込み平坦化する。その上層に、公知技術（例えば、プラズマＣＶＤ）によって酸化シリコンを成膜し、第２絶縁膜８２を形成する。さらに、第２絶縁膜８２にエッチング用の孔７９を形成して、選択的に犠牲膜をエッチング除去することで、第２の溝７５の内部を空洞にする。その後、公知技術（例えば、プラズマＣＶＤ）によって酸化シリコンを成膜し、第２の溝７５に設けられた孔７９を塞ぐ第３絶縁膜８３を形成する。このとき、第２の溝７５の内部には、酸化シリコンを成膜する際の雰囲気（減圧雰囲気）の状態で空気層８５が密封される。その結果、第１の溝７１と、第１絶縁膜８１と、第２の溝７５と、第２絶縁膜８２と、第３絶縁膜８３と、空気層８５とで、光の反射部としてのプリズム７０が、表示領域Ｅに形成される。

図６（ａ）は、ステップＳ１を経た後の状態を示している。同図に示すように、見切り領域では、基板本体６の表面６ａの上に、第１絶縁膜８１と、第２絶縁膜８２と、第３絶縁膜８３とが積層されている。

図５のステップＳ２では、例えばスパッタ法で第３絶縁膜８３の上に概略５０ｎｍの膜厚のアルミニウムを堆積し、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法でパターニングして光反射膜６０を形成する。

図６（ｂ）は、ステップＳ２を経た後の状態を示している。同図に示すように、見切り領域では、基板本体６の表面６ａの上に、第１絶縁膜８１と、第２絶縁膜８２と、第３絶縁膜８３と、光反射膜６０とが順に積層されている。換言すれば、プリズム７０が形成された基板本体６を覆うように、光反射膜６０が形成されている。

図５のステップＳ３では、例えばスパッタ法で光反射膜６０の上に、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンと、概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムと、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンとを順に成膜する。続いて、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンをパターニングして光反射膜６０の上に第１遮光膜６２を形成し、概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムをパターニングして第１遮光膜６２の上に第２遮光膜６３を形成し、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンをパターニングして第２遮光膜６３の上に第３遮光膜６４を形成する。

図６（ｃ）は、ステップＳ３を経た後の状態を示している。同図に示すように、見切り領域では、光反射膜６０の上に、第１遮光膜６２と第２遮光膜６３と第３遮光膜６４とを積層して、遮光層６１が形成されている。また、光反射膜６０と遮光層６１とによって、見切り部５３やアライメントマークが形成される。

第２遮光膜６３（アルミニウム）は、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟まれているので、ステップＳ３において第２遮光膜６３（アルミニウム）のストレスマイグレーションが抑制される。さらに、図３に示す絶縁膜２２を見切り部５３の上に形成しても、見切り部５３（第２遮光膜６３）のストレスマイグレーションが抑制される。

なお、電気光学装置用基板５の製造方法は、上述したステップＳ２とステップＳ３とを一括処理する工程を含んでいてもよい。
具体的には、例えばスパッタ法で、第３絶縁膜８３の上に、概略５０ｎｍの膜厚のアルミニウムと、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンと、概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムと、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンとを順に成膜する。続いて、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で、概略５０ｎｍの膜厚のアルミニウムをパターニングして光反射膜６０を形成し、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンをパターニングして第１遮光膜６２を形成し、概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムをパターニングして第２遮光膜６３を形成し、概略５０ｎｍの膜厚の窒化チタンをパターニングして第３遮光膜６４を形成して見切り部５３やアライメントマークを形成してもよい。つまり、四つの膜を連続的に成膜し、連続的に（一括で）パターニングすることで、見切り部５３やアライメントマークを形成してもよい。

（実施形態２）
実施形態２に係る液晶装置２００では、対向基板２０にマイクロレンズ９０が形成されている点が、実施形態１と異なる。詳しくは、対向基板２０の基板本体６の表面６ａには、本実施形態ではマイクロレンズ９０が形成され、実施形態１ではプリズム７０が形成されている点が異なり、他の構成は実施形態１と同じである。

図７は、図３に対応し、本実施形態に係る液晶装置２００の概略断面図である。以下、図７を参照して、本実施形態に係る液晶装置２００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図７に示すように、対向基板２０は、電気光学装置用基板５、電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面６ａに順に積層された見切り部５３、絶縁膜２２、共通電極２３、及び配向膜２４などを有している。

電気光学装置用基板５は、基板本体６、マイクロレンズ９０などを有している。
基板本体６は、透光性の絶縁基板であり、例えば石英基板が使用されている。
マイクロレンズ９０は、レンズ層９１やパス層９５などを有している。レンズ層９１は、光を集光する役割を有し、凹部９２と高屈折率膜９３とで構成される。パス層９５は、レンズ層９１の焦点距離を調整する役割を有している。

基板本体６の表面６ａには、Ｚ方向に向かって先細りとなった半球面形状の複数の凹部９２が形成されている。凹部９２は、レンズ層９１における凸状のレンズ面となる。凹部９２は画素Ｐごとに設けられ、凹部９２の中心は、画素Ｐの中心と略一致する。また、凹部９２と隣り合う凹部９２との境界は、画素Ｐと隣り合う画素Ｐとの境界に略一致する。なお、凹部９２の形状は、半球面形状に限定されず非球面形状であってもよい。

凹部９２が設けられた基板本体６の表面６ａは、基板本体６（石英）の屈折率（概略１．４６）よりも高い屈折率の材料で構成された高屈折率膜９３で覆われている。つまり、凹部９２の内部には、高屈折率膜９３が充填されている。高屈折率膜９３には平坦化処理が施され、高屈折率膜９３の表面は平坦となっている。高屈折率膜９３を構成する材料としては、例えば酸窒化シリコン（屈折率が概略１．５５〜１．６）や、酸化アルミニウム（屈折率が概略１．７６）などが挙げられる。

高屈折率膜９３の表面は、パス層９５で覆われている。パス層９５は、基板本体６と略同じ屈折率の材料、例えば酸化シリコンで形成される。パス層９５には平坦化処理が施されている。上述したように、パス層９５は、マイクロレンズ９０の焦点距離を所望の値に合わせるために設けられており、パス層９５の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズ９０の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。
その結果、凹部９２と、高屈折率膜９３と、パス層９５とでマイクロレンズ９０が、基板本体６の表面６ａに形成される。凹部９２は画素Ｐの略全域に形成されているので、マイクロレンズ９０は、画素Ｐにおいて、より多くの光を取り込めるようになっている。

光源（図示省略）から発せられ変調領域に向けて進行する入射光Ｌ１は、変調領域を通過してＺ（−）方向に射出され、表示光となる。光源から発せられ対向基板２０の遮光領域に向けて進行する入射光Ｌ２は、マイクロレンズ９０で変調領域に向けて集光され、変調領域を通過してＺ（−）方向に射出され、表示光となる。このように、マイクロレンズ９０によって、変調領域に向けて進行する入射光Ｌ１以外に、対向基板２０の遮光領域に向けて進行する入射光Ｌ２も表示光として利用できるので、マイクロレンズ９０を形成していない場合と比べて光の利用効率を高めることができ、より明るい表示が実現される。

なお、画素Ｐの凹部９２が形成されていない領域には、見切り部５３と同じ工程で形成された遮光層（図示省略）が設けられ、表示に寄与しない不要な光が遮光されている。

パス層９５には、光反射膜６０と遮光層６１（第１遮光膜６２、第２遮光膜６３、第３遮光膜６４）とが順に積層されて、見切り部５３やアライメントマークが設けられている。さらに、遮光層６１（第３遮光膜６４）には、絶縁膜２２と、共通電極２３と、配向膜２４とが積層されている。

本実施形態においても、第２遮光膜６３（アルミニウム）は、第１遮光膜６２（窒化チタン）と第３遮光膜６４（窒化チタン）とで挟まれた構成を有している。つまり、アルミニウムで構成された第２遮光膜６３は、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）で挟まれているので、ストレスマイグレーションが発生しにくくなっている。その結果、基板本体６の表面６ａにマイクロレンズ９０を形成したことによる残留応力が残留しても、第２遮光膜６３（アルミニウム）のストレスマイグレーションが抑制される。さらに、見切り部５３やアライメントマークなどの上に、絶縁膜２２を形成しても、第２遮光膜６３（アルミニウム）のストレスマイグレーションが抑制される。
従って、光反射膜６０と遮光層６１（第１遮光膜６２、第２遮光膜６３、第３遮光膜６４）とで、貼り合せ装置の検出光を良好に反射するアライメントマークと、プロジェクターの光源から発した高輝度の光を良好に遮光する見切り部５３とを形成することができる。

また、画素Ｐの凹部９２が形成されていない領域に設けられた遮光層も、見切り部５３やアライメントマークと同じ工程で形成され、見切り部５３やアライメントマークと同じ構造を有しているので、第２遮光膜６３（アルミニウム）のストレスマイグレーションが抑制される。従って、ストレスマイグレーションによるピンホールの発生が抑制された、遮光性に優れた遮光層を形成することができる。

（実施形態３）
実施形態３に係る液晶装置３００では、見切り部５３やアライメントマークにおける遮光層６１の構成（層構造）が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。

図８は、図４に対応し、見切り領域における電気光学装置用基板の概略断面図である。以下、図８を参照して、本実施形態に係る液晶装置３００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図８に示すように、見切り部５３やアライメントマーク（図示省略）は、第３絶縁膜８３の側に配置された光反射膜６０と、光反射膜６０の第３絶縁膜８３の側と反対側に配置された遮光層６１とで構成される。

光反射膜６０の上に、第１遮光膜６５と、第２遮光膜６６と、第３遮光膜６７と、第４遮光膜６８と、第５遮光膜６９とが順に積層されて、遮光層６１が形成されている。第１遮光膜６５と、第３遮光膜６７と、第５遮光膜６９とは、窒化チタンで構成され、膜厚は概略５０ｎｍである。第２遮光膜６６と、第４遮光膜６８とは、アルミニウムで構成され、膜厚は概略５０ｎｍである。
なお、第２遮光膜６６及び第４遮光膜６８は、本発明における「第１の膜」の一例である。第１遮光膜６５、第３遮光膜６７、及び第５遮光膜６９は、本発明における「第２の膜」の一例である。

本実施形態においても、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）は、アルミニウムよりも剛性が高い膜（第１遮光膜６５、第３遮光膜６７、第５遮光膜６９）で挟まれた構成を有しているので、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）にストレスマイグレーションが発生しにくいという実施形態１と同じ効果を奏する。

遮光層６１において、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）、つまり遮光性に優れた膜の膜厚（膜厚の合計）は１００ｎｍであり、実施形態１におけるアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）の膜厚と同等であるので、本実施形態の見切り部５３は、実施形態１の見切り部５３と同等の光学濃度（遮光性）を有する。

換言すれば、アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）の膜厚は、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きいことが好ましい。アルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）の膜厚を、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きくすることで、光学濃度が４以上の遮光性を有する遮光層６１を安定して形成することができる。

遮光層６１におけるアルミニウムで構成された膜は、第２遮光膜６６及び第４遮光膜６８の２層に分割されているので、実施形態１の遮光層６１におけるアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）よりも膜厚が小さくなっている。このため、本実施形態のアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）は、実施形態１のアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）と比べて、ストレスマイグレーションが発生しにくい。

（実施形態４）
「電子機器」
図９は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての二つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と二つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、四つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０には、上述した実施形態１の液晶装置１００、実施形態２の液晶装置２００、実施形態３の液晶装置３００のいずれかが適用されている。これら液晶装置では、アルミニウムで構成された膜がアルミニウムよりも剛性が高い膜で挟まれ、アルミニウムで構成された膜にストレスマイグレーションが発生しにくく、見切り部５３にピンホールが発生しにくくなっているので、輝点不良が抑制され、高いコントラストの表示を提供することができる。従って、これら液晶装置を搭載した投射型表示装置１０００においても、輝点不良が抑制され高いコントラストの表示を提供することができる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板が適用された電気光学装置、並びに該電気光学装置が適用された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）図１０は、図３に対応し、変形例１に係る液晶装置の概略断面図である。図１１は、図７に対応し、変形例１に係る他の液晶装置の概略断面図である。
実施形態１における見切り部５３を、第３絶縁膜８３と絶縁膜２２との間に配置すること（図３）に限定されない。例えば、図１０に示すように、見切り部５３を第２絶縁膜８２と第３絶縁膜８３との間に配置してもよい。なお、見切り部５３を第２絶縁膜８２と第３絶縁膜８３の間に配置する構成では、第３絶縁膜８３を見切り部５３の段差を軽減する平坦化膜として活用することによって、同図における絶縁膜２２を省略することができる。

さらに、実施形態２における見切り部５３を、パス層９５と絶縁膜２２との間に配置すること（図７）に限定されない。例えば、図１１に示すように、見切り部５３を高屈折率膜９３とパス層９５との間に配置してもよい。なお、見切り部５３を高屈折率膜９３とパス層９５との間に配置する構成では、パス層９５を見切り部５３の段差を軽減する平坦化膜として活用することによって、同図における絶縁膜２２を省略することができる。

さらに、基板本体６にプリズム７０やマイクロレンズ９０が形成されていない構成、つまり基板本体６の表面６ａの上に見切り部５３を形成する構成であってもよい。

（変形例２）遮光層６１は、一つのアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６３）と窒化チタンなどの高い剛性の膜（第１遮光膜６２、第３遮光膜６４）からなる３層構造（実施形態１）や、二つのアルミニウムで構成された膜（第２遮光膜６６、第４遮光膜６８）と三つの窒化チタンなどの高い剛性の膜（第１遮光膜６５、第３遮光膜６７、第５遮光膜６９）からなる５層構造（実施形態３）に限定されない。遮光層６１は、一つのアルミニウムで構成された膜が窒化チタンなどの高い剛性の膜で挟まれる構成を有していればよく、３層構造（実施形態１）や５層構造（実施形態３）の他に、例えば７層構造であってもよいし、９層構造であってもよい。遮光層６１を構成する膜の数を増やすことで、アルミニウムで構成された膜の膜厚をさらに小さくし、アルミニウムで構成された膜のストレスマイグレーションを、より生じにくくすることができる。

（変形例３）上記液晶装置が適用される電子機器は、実施形態４の投射型表示装置１０００に限定されない。投射型表示装置１０００の他に、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）やＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記液晶装置を適用させることができる。

５…電気光学装置用基板、６…基板本体、６ａ…表面、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…走査線、１３，１４，１５…絶縁層、１６…データ線、１７…画素電極、１８…配向膜、２０…対向基板、２２…絶縁膜、２３…共通電極、２４…配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…蓄積容量、４１…容量線、５０…液晶層、５２…シール材、５３…見切り部、６０…光反射膜、６１…遮光層、６２，６５…第１遮光膜、６３，６６…第２遮光膜、６４，６７…第３遮光膜、６８…第４遮光膜、６９…第５遮光膜、７０…プリズム、７１…第１の溝、７５…第２の溝、７５ａ…斜面、７９…孔、８１…第１絶縁膜、８２…第２絶縁膜、８３…第３絶縁膜、８５…空気層、９０…マイクロレンズ、９１…レンズ層、９２…凹部、９３…高屈折率膜、９５…パス層、１００，２００，３００…液晶装置。

Claims (8)

1. 透光性の基板と、
   前記基板を覆うように配置され、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された光反射膜と、
   前記光反射膜の前記基板の側とは反対側に配置された遮光層と、
   を含み、
   前記遮光層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜と、前記第１の膜よりも剛性の高い第２の膜と、を含み、
   前記第１の膜は、前記第２の膜で挟まれていることを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記第２の膜は、窒化チタンで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記第１の膜の膜厚は、１００ｎｍを含み１００ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記基板と、前記光反射膜との間には、前記基板の屈折率と略同じ屈折率の材料で構成された絶縁膜が配置されていることを特徴する請求項１または３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記基板は、光を反射するプリズムまたは光を集光するマイクロレンズのいずれかを含むことを特徴とする請求項１または４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
8. 透光性の基板を覆うようにアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む光反射膜を形成する工程と、
   前記光反射膜の前記基板とは反対側に遮光層を形成する工程と、
   を含み、
   前記遮光層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された第１の膜と、前記第１の膜よりも剛性の高い第２の膜と、を含み、
   前記第１の膜は、前記第２の膜で挟まれていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。

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