JP2015008328A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015008328A JP2015008328A JP2014183142A JP2014183142A JP2015008328A JP 2015008328 A JP2015008328 A JP 2015008328A JP 2014183142 A JP2014183142 A JP 2014183142A JP 2014183142 A JP2014183142 A JP 2014183142A JP 2015008328 A JP2015008328 A JP 2015008328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- semiconductor layer
- electrode
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】他の特性を損ねずにスイッチング速度の高速化を図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第1導電形のカソード層と、前記カソード層上に設けられた第2導電形のアノード層と、前記アノード層上に設けられた第2導電形半導体層と、前記カソード層から前記アノード層に向かう方向と直交する方向において、前記第2導電形半導体層に隣接して設けられ、且つ前記アノード層上に設けられた第1導電形半導体層と、前記第1導電形半導体層上及び前記第2導電形半導体層上に設けられた第2電極と、前記第2電極と接続され、絶縁膜を介して前記カソード層内、前記アノード層内、前記第1導電形半導体層内及び前記第2導電形半導体層内に設けられた第3電極と、を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第1導電形のカソード層と、前記カソード層上に設けられた第2導電形のアノード層と、前記アノード層上に設けられた第2導電形半導体層と、前記カソード層から前記アノード層に向かう方向と直交する方向において、前記第2導電形半導体層に隣接して設けられ、且つ前記アノード層上に設けられた第1導電形半導体層と、前記第1導電形半導体層上及び前記第2導電形半導体層上に設けられた第2電極と、前記第2電極と接続され、絶縁膜を介して前記カソード層内、前記アノード層内、前記第1導電形半導体層内及び前記第2導電形半導体層内に設けられた第3電極と、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
近年、インバータなどの電力変換装置用のパワー半導体素子としてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)とダイオードが広く用いられている。ダイオードは、一般に還流用としてIGBTと逆並列に接続して用いられる。インバータなどの電力変換装置の特性改善には、IGBTの特性改善と並行してダイオードの特性改善も求められる。ダイオードの特性としては、オン電圧(導通状態での電圧降下)、スイッチング速度(ターンオフ時のリカバリー電流の消滅時間)、ターンオフ時の逆バイアス安全動作領域(リカバリー電流が流れている状態で電圧が印加されても破壊しない領域)、ターンオフ時の電流振動(電圧振動)が挙げられる。
他の特性を損ねずにスイッチング速度の高速化を図れる半導体装置を提供する。
実施形態によれば、半導体装置は、第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第1導電形のカソード層と、前記カソード層上に設けられた第2導電形のアノード層と、前記アノード層上に設けられた第2導電形半導体層と、前記カソード層から前記アノード層に向かう方向と直交する方向において、前記第2導電形半導体層に隣接して設けられ、且つ前記アノード層上に設けられた第1導電形半導体層と、前記第1導電形半導体層上及び前記第2導電形半導体層上に設けられた第2電極と、前記第2電極と接続され、絶縁膜を介して前記カソード層内、前記アノード層内、前記第1導電形半導体層内及び前記第2導電形半導体層内に設けられた第3電極と、を備えている。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。以下の実施形態では第1導電形をn形、第2導電形をp形として説明するが、第1導電形をp形、第2導電形をn形としてもよい。
以下の実施形態では、半導体装置として、半導体層における厚さ方向の一方の主面側に設けられた第1の電極21と、他方の主面側に設けられた第2の電極22との間を結ぶ縦方向に電流が流れる縦型pin(p-intrinsic-n)ダイオードを例に挙げて説明する。
また、実施形態の半導体装置は、半導体材料として例えばシリコンを用いている。あるいは、シリコン以外の半導体(例えばSiC、GaN等の化合物半導体)を用いてもよい。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の半導体装置の模式断面図である。
図1は、第1実施形態の半導体装置の模式断面図である。
実施形態において、第1の電極21はカソード電極として機能し、第2の電極22はアノード電極として機能する。それら第1の電極21と第2の電極22との間に設けられた半導体層は、n形カソード層11と、n形ベース層12と、p形アノード層13と、n形半導体層14とを含む。
n形カソード層11は、第1の電極21上に設けられている。n形カソード層11は、第1の電極21にオーミック接触して電気的に接続されている。
n形ベース層12は、n形カソード層11上に設けられている。p形アノード層13は、n形ベース層12上に設けられている。n形半導体層14は、p形アノード層13上に設けられている。
第2の電極22は、n形半導体層14上に設けられている。n形半導体層14は、第2の電極22にオーミック接触している。図1に示す例では、p形アノード層13の全面にわたってn形半導体層14が設けられている。したがって、p形アノード層13は、第2の電極22に接していない。
図2は、図1におけるx−x’方向の不純物濃度(cm−3)の分布を表す。p形アノード層13においてはp形不純物濃度を、n形半導体層14においてはn形不純物濃度を表す。
n形半導体層14のn形不純物濃度は、n形半導体層14と第2の電極22との境界面付近で最大となる。n形半導体層14のn形不純物濃度は、n形半導体層14と第2の電極22との境界面からp形アノード層13側に向かうにしたがって徐々に低下し、n形半導体層14とp形アノード層13との境界面付近で最小となる。
p形アノード層13のp形不純物濃度は、p形アノード層13とn形半導体層14との境界面からn形ベース層12側に向かうにしたがって徐々に上昇してピーク値をとり、そのピーク値をとる位置からn形ベース層12側に向かうにしたがって徐々に低下する。なお、p形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値の位置は、n形半導体層14よりもn形ベース層12側にあってもよい。
図2に示す例では、n形半導体層14のn形不純物濃度のピーク値と、p形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値とはほぼ同じである。
ここで、図13は、比較例の半導体装置の模式断面図である。
比較例の半導体装置は、p形アノード層13と第2電極22との間にn形半導体層を設けていない点で、第1実施形態と異なる。
導通状態でのn形ベース層12への正孔注入を抑制し、スイッチング速度の高速化を図るため、p形アノード層13の不純物濃度(ネット濃度)は、例えば、1×1013(cm−2)以下にすることが望ましい。しかしながら、p形アノード層13の不純物濃度を低くし過ぎると、導通状態でのキャリアが減少するため、ターンオフ時のキャリアの排出が速くなり、電流振動が大きくなる問題が懸念される。
ここで、図3は、シミュレーションによる、第1実施形態と、上記比較例のスイッチング波形図である。横軸は時間を表し、縦軸はリバース電流(A)を表す。
第1実施形態と比較例とで、p形アノード層13の総電荷量及び不純物濃度は同一とし、よって、オン電圧は同一である。
第1実施形態は、逆方向電流のピーク値以降の電流減少が、比較例に比べて緩やかであり、電流振動が小さいことがわかる。
第1実施形態では、p形アノード層13と第2の電極22との間にn形半導体層14を設け、さらに、そのn形半導体層14のn形不純物濃度のピーク値をp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値と同程度の比較的低い濃度にしている。
これにより、n形半導体層14が、ターンオフ時の正孔に対して障壁となり、正孔の第2の電極22への排出を抑制でき、ソフトリカバリー化(電圧振動の抑制)を図れる。
また、n形半導体層14のn形不純物濃度のピーク値を、p形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値と同程度に抑えることにより、n形半導体層14とp形アノード層13とn形カソード層11とを含む寄生npnトランジスタの動作を抑制することができる。これにより、耐圧の低下を抑制することができる。
なお、n形半導体層14のn形不純物濃度のピーク値をp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値と同程度にすることに限らず、n形半導体層14のn形不純物濃度のピーク値がp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値の10倍以下であれば、前述したソフトリカバー化及び寄生npnトランジスタ動作を、比較例に比べて抑制できることがシミュレーションにより確認できた。
図4は、第1実施形態の半導体装置の変形例の模式断面図である。
図4の構造では、n形半導体層14は、p形アノード層13の全面にわたって設けられておらず、面方向に分断されている。n形半導体層14が分断された部分では、p形半導体層13aが設けられている。p形半導体層13aは、p形アノード層13よりもp形不純物濃度が高く、第2の電極22にオーミック接触している。
n形半導体層14は、図5(a)に示すように、例えばストライプ状の平面パターンで形成することができる。あるいは、n形半導体層14は、図5(b)に示すように、例えば円形状の平面パターンで形成することができる。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態の半導体装置の模式斜視図である。
図7(a)は、図6におけるA−A’断面図であり、図7(b)は、図6におけるB−B’断面図である。
なお、図6では、図7(a)及び(b)に示す第2の電極22の図示を省略している。
図6は、第2実施形態の半導体装置の模式斜視図である。
図7(a)は、図6におけるA−A’断面図であり、図7(b)は、図6におけるB−B’断面図である。
なお、図6では、図7(a)及び(b)に示す第2の電極22の図示を省略している。
第2実施形態の半導体装置も、第1の電極21と第2の電極22との間を結ぶ縦方向に電流が流れる縦型pinダイオードである。
カソード電極として機能する第1の電極21と、アノード電極として機能する第2の電極22との間に設けられた半導体層は、n形カソード層11と、n形ベース層12と、p形アノード層13と、n形半導体層24と、p形半導体層23とを含む。
n形カソード層11は、第1の電極21上に設けられている。n形カソード層11は、第1の電極21にオーミック接触して電気的に接続されている。
n形ベース層12は、n形カソード層11上に設けられている。p形アノード層13は、n形ベース層12上に設けられている。p形アノード層13上には、n形半導体層24とp形半導体層23が設けられている。
ここで、p形アノード層13の表面に対して平行な面内で、互いに直交する第1の方向Yと第2の方向Xを定義する。n形半導体層24とp形半導体層23は、p形アノード層13の表面上で第1の方向Yに並んで隣接している。
n形半導体層24は、第2の方向Xに延在している。
n形半導体層24とp形半導体層23が設けられた半導体層の表面側には、複数のトレンチ構造31が形成されている。複数のトレンチ構造31は、例えばストライプ状の平面パターンで第2の方向Xに並んで形成されている。各トレンチ構造31は、第1の方向Yに延びている。各トレンチ構造31は、トレンチt1と、トレンチt1内に埋め込まれた埋込体とを有する。
トレンチt1は、n形半導体層24の表面及びp形半導体層23の表面から、p形アノード層13を貫通して、n形ベース層12に達する。また、トレンチt1は、第1の方向Yに延びている。
埋込体は、トレンチt1の内壁(側壁及び底壁)に設けられた絶縁膜25と、その絶縁膜25の内側に設けられた埋込電極26とを有する。図7(a)及び(b)に示すように、例えば、第2の電極22の一部が、埋込電極26としてトレンチt1内に埋め込まれている。したがって、埋込電極26は、第2の電極22と電気的に接続されている。なお、埋込電極26は、第2の電極22と電気的に接続されていなくても機能は変わらない。
トレンチ構造31は、p形アノード層13、n形半導体層24及びp形半導体層23のそれぞれを、第2の方向Xに分断する。n形半導体層24は、トレンチ構造31が延びる第1の方向Yに対して直交している。
n形半導体層24、p形半導体層23およびトレンチ構造31上には、図7(a)及び(b)に示すように、第2の電極22が設けられている。n形半導体層24及びp形半導体層23は、第2の電極22にオーミック接触している。
n形半導体層24のn形不純物濃度のピーク値は、n形ベース層12のn形不純物濃度のピーク値よりも高い。p形半導体層23のp形不純物濃度のピーク値は、p形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値よりも高い。
導通状態でのn形ベース層12への正孔注入を抑制し、スイッチング速度の高速化を図るため、p形アノード層13の不純物濃度(ネット濃度)は、例えば、1×1013(cm−2)以下にすることが望ましい。
n形ベース層12よりもn形不純物濃度が高いn形半導体層24は、オン状態でn形カソード層11から注入された電子を蓄積することなく第2の電極22へと排出する。このため、n形ベース層12での電子の蓄積を抑制して、スイッチング速度の高速化を図れる。なお、このときn形半導体層24は、p形半導体層23とトレンチ構造31に対して直交しているため、確実にオン状態でn形カソード層11から注入された電子を蓄積することなく第2の電極22へと排出することができる。逆に、n形半導体層24をトレンチ構造31に対して平行に形成するには、数μm以下程度の微細なトレンチ間に形成することが求められ、プロセス的に困難になる。
また、ターンオフ電流は、p形半導体層23を介して、第2の電極22に流れ込む。n形半導体層24の下では、ターンオフ電流は、p形アノード層13をp形半導体層23側に流れる。それにより、n形半導体層24とp形アノード層13とn形カソード層11とを含む寄生npnトランジスタの動作を抑制することができる。これにより、耐圧の低下を抑制することができる。
なお、第1実施形態と同様に、n形半導体層24のn形不純物濃度のピーク値をp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値と同程度にする、あるいはn形半導体層24のn形不純物濃度のピーク値がp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値の10倍以下であれば、前述した寄生npnトランジスタの動作を抑制する効果が更に増大することがシミュレーションにより確認できた。
なお、第1実施形態と同様に、n形半導体層24のn形不純物濃度のピーク値をp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値と同程度にする、あるいはn形半導体層24のn形不純物濃度のピーク値がp形アノード層13のp形不純物濃度のピーク値の10倍以下であれば、前述した寄生npnトランジスタの動作を抑制する効果が更に増大することがシミュレーションにより確認できた。
ここで、図8は、シミュレーションによる、第2実施形態と、前述した図13に示す比較例のスイッチング波形図である。横軸は時間を表し、縦軸はリバース電流(A)を表す。
第2実施形態と比較例とで、p形アノード層13の総電荷量及び不純物濃度は同一とし、よって、オン電圧は同一である。
第2実施形態では、比較例に比べて、スイッチング時の逆方向最大電流が小さく、さらにテイル電流の変化が緩やか(ソフト)になっている。テイル電流の変化がソフトであることにより、電圧振動が抑制される。
図9は、第2実施形態と上記比較例における、最大電流通電状態におけるアノード側のキャリア密度(cm−3)のシミュレーション結果を表す。
h1は第2実施形態における正孔密度を、e1は第2実施形態における電子密度を、h2は比較例における正孔密度を、e2は比較例における電子密度を、それぞれ表す。
第2実施形態では、p形アノード層13の総電荷量及び不純物濃度が比較例と同一でありながら、比較例よりも蓄積キャリアが減少していることが分かる。したがって、第2実施形態では、比較例よりもスイッチング速度を高速にできる。
(第3実施形態)
図10は、第3実施形態の半導体装置の模式断面図である。
図10は、第3実施形態の半導体装置の模式断面図である。
この実施形態の半導体装置は、共通の基板または半導体層上に設けられたトランジスタセル61とダイオードセル62とを有する。
トランジスタセル61及びダイオードセル62は、それらに共通な要素として、n形ベース層12と、第1の電極21と、第2の電極22とを有する。トランジスタセル61とダイオードセル62との間における第2電極22側の半導体層の表面上には、絶縁膜51が設けられている。
トランジスタセル61及びダイオードセル62は、いずれも第1の電極21と第2の電極22との間を結ぶ縦方向に主電流が流れる縦型デバイスである。トランジスタセル61及びダイオードセル63は、第1の電極21と第2の電極22との間に電気的に並列接続されている。
ダイオードセル62は、前述した図6、図7(a)及び(b)に示す第2実施形態の半導体装置と同じ構造である。図10は、図7(a)の断面に対応する。
トランジスタセル61は、例えば、トレンチゲート構造の縦型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。
すなわち、トランジスタセル61は、コレクタ層として機能するp形半導体層71を有する。p形半導体層71は、第1の電極21とn形ベース層12との間に設けられている。
n形ベース層12上には、p形ベース層43が設けられている。p形ベース層43上には、n形半導体層42とp形半導体層41が選択的に設けられている。n形半導体層42は、エミッタ領域として機能する。
n形半導体層42及びp形半導体層41上には第2の電極22が設けられ、n形半導体層42及びp形半導体層41は第2の電極22とオーミック接触している。
以上説明した半導体積層体における第2の電極22側の表面側には、トレンチゲート30が設けられている。トレンチゲート30は、トレンチt2と、絶縁膜27と、ゲート電極28とを有する。
トレンチt2は、p形ベース層43を貫通して、n形ベース層12に達する。トレンチt2の側壁及び底部に絶縁膜27が設けられている。その絶縁膜27の内側にゲート電極28が設けられている。n形半導体層42及びp形ベース層43は、トレンチゲート30に隣接している。
ゲート電極28上には絶縁膜27が設けられ、ゲート電極28と第2の電極22とは接していない。ゲート電極28の一部は上方に引き出されて、図示しないゲート配線と接続されている。
相対的に、第1の電極21に高電位、第2の電極22に低電位が印加された状態で、ゲート電極28に所望のゲート電位が印加されると、p形ベース層43における絶縁膜27との界面付近に反転層(n形チャネル)が形成される。
これにより、電子がn形半導体層42からn形チャネルを介してn形ベース層12に注入され、トランジスタセル61がオン状態となる。このときさらに、p形半導体層71から正孔がn形ベース層12に注入される。IGBTでは、オン状態のとき、正孔がp形半導体層71からn形ベース層12に注入され、伝導度変調が生じ、n形ベース層12の抵抗が低減する。
トランジスタセル61及びダイオードセル62は、例えば誘導性負荷に接続される。トランジスタセル61は、ゲート電極28に与えられるゲート電位に応じてオンオフされるスイッチング素子として機能する。ダイオードセル62は、誘導性負荷に蓄積されたエネルギーによる還流電流を流すフリーホイールダイオードとして機能する。あるいは、ダイオードセル62は、サージ電流を流す保護素子として機能する。
実施形態によれば、ダイオードをIGBTと一体化して集積化するのに容易な構造であるため、別チップで構成していた組み合わせを1チップ化でき、システムの簡略化に効果がある。
ダイオードセル62の複数のトレンチt1、およびトランジスタセル61の複数のトレンチt2は、同じマスクを使ったエッチングにより同時に形成することができる。
トランジスタセル(IGBT)61のp形ベース層43にとって適切なp形不純物濃度をダイオードセル62のp形アノード層13に適用すると、ダイオードセル62が導通状態のときにn形ベース層12に注入される正孔の注入量がダイオードセル62にとって適切な注入量よりも多くなってまう懸念がある。また、トランジスタセル(IGBT)61のp形ベース層43のp形不純物濃度をダイオードセル62のp形アノード層13にとって適切なp形不純物濃度に合わせると、IGBTがオンするためのしきい値電圧が低下する懸念がある。したがって、トランジスタセル(IGBT)61のp形ベース層43のp形不純物濃度より、ダイオードセル62のp形アノード層13のp形不純物濃度を低くすることが望ましい。
図11は、第3実施形態の半導体装置の第1変形例の模式断面図である。
図11に示す構造は、ダイオードセル62におけるトレンチ構造が図10に示す構造と異なる。
図11に示すダイオードセル62のトレンチ構造32は、トレンチt1と、トレンチt1内に埋め込まれた埋込体とを有する。
埋込体は、トレンチt1の内壁(側壁及び底壁)に設けられた絶縁膜25と、その絶縁膜25の内側に設けられた埋込電極28aとを有する。埋込電極28aは、トランジスタセル(IGBT)61のゲート電極28と同時に形成され、そのゲート電極28と電気的に接続されている。
図12は、第3実施形態の半導体装置の第2変形例の模式断面図である。
図12に示す構造も、ダイオードセル62におけるトレンチ構造が図10に示す構造と異なる。
図12に示すダイオードセル62のトレンチ構造33は、トレンチt1と、トレンチt1内に埋め込まれた埋込体とを有する。埋込体として、絶縁物29がトレンチt1内に埋め込まれている。この構造によれば、ゲート容量を低減できる。
以上述べた少なくともひとつの実施形態によれば、ダイオードにおけるスイッチング速度の高速化とリカバリーのソフト化を両立することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
11…n形カソード層、12…n形ベース層、13…p形アノード層、14…n形半導体層、21…第1の電極、22…第2の電極、23…p形半導体層、24…n形半導体層、26…埋込電極、29…絶縁物、31〜33…トレンチ構造、61…トランジスタセル、62…ダイオードセル、Y…第1の方向、X…第2の方向
Claims (4)
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1導電形のカソード層と、
前記カソード層上に設けられた第2導電形のアノード層と、
前記アノード層上に設けられた第2導電形半導体層と、
前記カソード層から前記アノード層に向かう方向と直交する方向において、前記第2導電形半導体層に隣接して設けられ、且つ前記アノード層上に設けられた第1導電形半導体層と、
前記第1導電形半導体層上及び前記第2導電形半導体層上に設けられた第2の電極と、
前記第2電極と接続され、絶縁膜を介して前記カソード層内、前記アノード層内、前記第1導電形半導体層内及び前記第2導電形半導体層内に設けられた第3電極と、
を備えた半導体装置。 - 前記アノード層上に設けられた前記第1導電形半導体層の不純物濃度のピーク値が、前記アノード層の不純物濃度のピーク値の10倍以下である請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1導電形半導体層の不純物濃度のピーク値は、前記ベース層の不純物濃度のピーク値よりも高い請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2導電形半導体層の不純物濃度のピーク値は、前記アノード層の不純物濃度のピーク値よりも高い請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014183142A JP2015008328A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014183142A JP2015008328A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012041994A Division JP5620421B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015008328A true JP2015008328A (ja) | 2015-01-15 |
Family
ID=52338373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014183142A Pending JP2015008328A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015008328A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817848A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | Mos型電力装置の製造方法 |
JP2011146682A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-09-09 JP JP2014183142A patent/JP2015008328A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817848A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | Mos型電力装置の製造方法 |
JP2011146682A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5620421B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6407455B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5987990B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6119577B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110797403B (zh) | 一种rc-igbt半导体装置 | |
US9853024B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5340695B2 (ja) | トレンチゲート型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP6222702B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019169597A (ja) | 半導体装置 | |
JP5480084B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6946219B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014056942A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5771984B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015138789A (ja) | 半導体装置 | |
JP6736531B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6441192B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007324539A (ja) | トレンチ型絶縁ゲート半導体装置 | |
KR20150076814A (ko) | 전력 반도체 소자 | |
JP2015177058A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016058428A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019075502A (ja) | 半導体装置 | |
CN107785413B (zh) | 具有高电流鲁棒性的晶体管器件 | |
US20150187922A1 (en) | Power semiconductor device | |
JP2012028719A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
US9209287B2 (en) | Power semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160323 |