JP2015007898A - Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法 - Google Patents

Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015007898A
JP2015007898A JP2013132898A JP2013132898A JP2015007898A JP 2015007898 A JP2015007898 A JP 2015007898A JP 2013132898 A JP2013132898 A JP 2013132898A JP 2013132898 A JP2013132898 A JP 2013132898A JP 2015007898 A JP2015007898 A JP 2015007898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
module
chip
contact
coil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013132898A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6090006B2 (ja
Inventor
祥之介 溝口
Yoshinosuke Mizoguchi
祥之介 溝口
哲也 塚田
Tetsuya Tsukada
哲也 塚田
エリ子 畠山
Eriko HATAKEYAMA
エリ子 畠山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2013132898A priority Critical patent/JP6090006B2/ja
Priority to CN201480033526.8A priority patent/CN105378760B/zh
Priority to PCT/JP2014/066656 priority patent/WO2014208532A1/ja
Priority to EP14817877.5A priority patent/EP3016032B1/en
Publication of JP2015007898A publication Critical patent/JP2015007898A/ja
Priority to US14/973,457 priority patent/US9633301B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6090006B2 publication Critical patent/JP6090006B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745Mounting details of integrated circuit chips
    • G06K19/07747Mounting details of integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips being mounted as a module
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773Antenna details
    • G06K19/07775Antenna details the antenna being on-chip
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773Antenna details
    • G06K19/07777Antenna details the antenna being of the inductive type
    • G06K19/07779Antenna details the antenna being of the inductive type the inductive antenna being a coil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486Via connections through the substrate with or without pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/4813Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】メッキ処理をすることなく容易かつ安価に製造することができるICモジュールを提供する。【解決手段】ICモジュール30は、基材33と、基材の第一の面33aに設けられた、接触型通信機能および非接触型通信機能を有し端子34b、34cが形成されたICチップ34、および接続コイル31と、基材の第二の面33bに設けられた、接触端子部35、および接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線36とを備え、基材には、基材の厚さ方向Dに見て橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔33cと第二の貫通孔33dが形成され、ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線41により接続され、橋渡し配線と接続コイルの第一の端部とは、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線42により接続され、接続コイルの第二の端部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されている。【選択図】図4

Description

本発明は、接触型通信と非接触型通信が可能なICモジュール、デュアルICカードおよびICモジュールの製造方法に関する。
接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップを搭載したICモジュールは、使用者の用途に応じて通信形態を使い分けられるため、様々な用途に用いられてきている。具体的には、このICモジュールは、ICモジュールとの間で電磁結合により電力供給と通信が可能なカード本体に取付けられてデュアルICカードとして用いられる。ICモジュールとカード本体とを電磁結合により電気的に接続することで、ICモジュールとカード本体との電気的な接続が不安定になるのを抑制することができる。これは、ICモジュールとカード本体とをはんだなどの導電性の接続部材で直接接続した場合には、デュアルICカードを曲げたときに接続部材が破損する恐れがあるためである。
このようにICモジュールとカード本体とが電磁結合により電気的に接続されたデュアルICカードとしては、例えば特許文献1から3に記載されたものが知られている。
デュアルICカード用のICモジュールは、接触型外部機器との接触インターフェース用の端子(接触端子部)が表面に形成されており、裏面にトランス結合(電磁結合)用の接続コイルが形成されている。また、ICモジュールの基材については、接続コイルの最も外側の端部をブリッジして基材の中央に移動させるために、基材にメッキスルーホール加工を施し、基材の表面にてブリッジ(橋渡し配線)を形成している。ここで言うメッキスルーホール加工とは、基材にパンチなどによりスルーホール(貫通孔)を形成し、メッキ処理などによりこのスルーホールに配線を形成することを意味する。
なお、基材の表面の端子と裏面のICチップとは、基材のスルーホールを挿通したワイヤを用いた公知のワイヤボンディングであるパンチングホールワイヤボンディングにより接続されている。
デュアルICカードは、クレジットなどの大量のデータ交換や決算業務の交信のような確実性と安全性が求められる用途では接触型通信が用いられる。一方で、入退室のゲート管理などのような認証が主たる交信内容であり、交信データ量が少量の用途では非接触型通信が用いられる。
国際公開第99/26195号 国際公開第98/15916号 国際公開第96/35190号
しかしながら、メッキスルーホール加工を利用した接続方法では、基材にメッキ処理を施す必要がある。このため、ICモジュールの製造工程が複雑になり、ICモジュールの製造コストが高くなる。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、メッキ処理をすることなく容易かつ安価に製造することができるICモジュール、このICモジュールを備えるデュアルICカード、およびICモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のICモジュールは、シート状の基材と、前記基材の第一の面に設けられた、接触型通信機能および非接触型通信機能を有し第一の端子と第二の端子が形成されたICチップ、および螺旋状に形成された接続コイルと、前記基材の第二の面に設けられた、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および前記接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備え、前記基材には、前記基材の厚さ方向に見て前記橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成され、前記ICチップの前記第一の端子と前記橋渡し配線とは、前記第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続され、前記橋渡し配線と前記接続コイルの第一の端部とは、前記第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続され、前記接続コイルの第二の端部と前記ICチップの前記第二の端子とは、第三の導電線により接続されていることを特徴としている。
また、上記のICモジュールにおいて、前記ICチップと前記接触端子部とが、前記基材に形成された補助貫通孔を挿通した補助導電線により接続されていることがより好ましい。
また、上記のICモジュールにおいて、前記ICチップ、前記第一の導電線、前記第二の導電線、および前記第三の導電線を覆う樹脂封止部を備えることがより好ましい。
また、本発明のデュアルICカードは、上記に記載のICモジュールと、前記ICモジュールの前記接続コイルと電磁結合するための結合用コイル、および非接触型外部機器との非接触型通信を行うために前記結合用コイルに接続された主コイルを有するアンテナを備え、前記ICモジュールを収容する凹部が形成された板状のカード本体と、を備えることを特徴としている。
また、本発明のICモジュールの製造方法は、シート状の基材の第一の面に螺旋状に接続コイルを形成し、前記基材に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔を形成し、前記基材の第二の面に、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および前記接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線を、前記基材の厚さ方向に見て前記第一の貫通孔および前記第二の貫通孔に前記橋渡し配線が重なるように形成し、前記基材の前記第一の面に、接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップを取付け、前記ICチップの前記第一の端子と前記橋渡し配線とを、前記第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続し、前記橋渡し配線と前記接続コイルの第一の端部とを、前記第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続し、前記接続コイルの第二の端部と前記ICチップの前記第二の端子とを、第三の導電線により接続することを特徴としている。
また、上記のICモジュールの製造方法において、前記基材に補助貫通孔を形成し、前記ICチップと前記接触端子部とを、前記補助貫通孔を挿通した補助導電線により接続することがより好ましい。
また、上記のICモジュールの製造方法において、前記ICチップ、前記第一の導電線、前記第二の導電線、および前記第三の導電線を樹脂封止部で覆うことがより好ましい。
本発明のICモジュール、デュアルICカード、およびICモジュールの製造方法によれば、メッキスルーホール加工することなく容易かつ安価に製造することができる。
本発明の一実施形態のデュアルICカードを模式的に示す側面の断面図である。 同デュアルICカードのカード本体の一部を透過させた平面図である。 同デュアルICカードのICモジュールの平面図である。 図3中の切断線A1−A1の断面図である。 同ICモジュールの底面図である。 本発明の一実施形態の変形例のデュアルICカードにおける側面の断面図である。 同デュアルICカードの底面図である。 本発明の一実施形態の変形例のデュアルICカードにおける底面図である。 図8中の切断線A2−A2の断面図である。 同デュアルICカードの平面図である。 同ICモジュールの製造方法を説明する断面図である。 同ICモジュールの製造方法を説明する断面図である。 同ICモジュールの製造方法を説明する断面図である。 同ICモジュールの製造方法を説明する断面図である。 同デュアルICカードの原理を説明するための等価回路図である。
以下、本発明に係るデュアルICカードの一実施形態を、図1から図15を参照しながら説明する。
図1および図2に示すように、本デュアルICカード1は、凹部11が形成された板状のカード本体10と、この凹部11に収容された本発明のICモジュール30とを備えている。
なお、図1はデュアルICカード1を模式的に示す断面図であり、後述するアンテナ13の巻き数を簡略化して示している。図2では、カード本体10におけるアンテナ13および容量性素子14を示し、基板12を透過させてその外形のみ示している。
カード本体10は、基板12と、基板12の凹部11の開口11a側となる第一の面12aに設けられたアンテナ13と、アンテナ13に接続(電気的に接続)された容量性素子14と、基板12、アンテナ13、および容量性素子14を挟んで積層した一対のカード基材15とを有している。
基板12は、PET(ポリエチレンテレフタレート)やポリエチレンナフタレート(PEN)などの絶縁性を有する材料を用いて、平面視で矩形状に形成されている(図2参照。)。なお、各カード基材15も平面視で矩形状に形成されている。
基板12の短辺12c側、すなわちカード基材15の短辺側には、基板12の厚さ方向Dに貫通する収容孔12dが形成されている。収容孔12dは、平面視で基板12の短辺や長辺に平行な辺を有する矩形状に形成されている。基板12の厚さは、例えば15〜50μm(マイクロメートル)である。
アンテナ13は、ICモジュール30の後述する接続コイル31と電磁結合するための結合用コイル18、およびリーダライタなどの非接触型外部機器(不図示。)との非接触型通信を行うために結合用コイル18に接続された主コイル19を有している。なお、結合用コイル18は、図2における領域R1内に配されたコイルであり、主コイル19は領域R1に隣合う領域R2内に配されたコイルである。収容孔12dに対する基板12の長辺12e側、すなわちカード基材15の長辺側には、エンボスが形成可能なエンボス領域R3がICカードの規格(X 6302−1:2005(ISO/IEC 7811−1:2002))に基づいて設定されている。
この例では、結合用コイル18は、螺旋状に形成されて収容孔12dの周りに5回巻回されている。エンボス領域R3における結合用コイル18を構成する素線18aの幅は、エンボス領域R3以外における素線18bの幅よりも広い。結合用コイル18の最も内側に配された素線18bの端部には、素線18bよりも幅が広く略円形状に形成された端子部20が設けられている。この端子部20は、第一の面12aに形成されている。
主コイル19は、螺旋状に形成されて領域R2内で3回巻回されている。エンボス領域R3における主コイル19を構成する素線19aの幅は、エンボス領域R3以外における素線19bの幅よりも広い。素線19aの幅および前述の素線18aの幅を広くすることで、エンボス領域R3にエンボスが形成されたときに素線18a、19aが断線するのを防ぐことができる。
主コイル19の最も外側に配された素線19aの端部に、結合用コイル18の最も外側に配された素線18aの端部が接続されている。
容量性素子14は、図1および図2に示すように、基板12の第一の面12aに設けられた電極板14aと、基板12の第二の面12bに設けられた電極板14bとを有している。電極板14a、14bは、基板12を挟んで対向するように配置されている。
電極板14aは、主コイル19の最も内側に配された素線19bの端部に接続されている。
電極板14bには、第二の面12bに設けられた接続配線21が接続されている。この接続配線21は、基板12の第二の面12bにおける端子部20に対向する部分まで延び、この延びた部分に不図示の端子部が設けられている。結合用コイル18の端子部20と接続配線21の端子部とは、公知のクリンピング加工などにより電気的に接続されている。容量性素子14は、結合用コイル18と主コイル19との間に直列に接続されている。
カード基材15は、非晶質ポリエステルなどのポリエステル系材料、PVC(ポリ塩化ビニル)などの塩化ビニル系材料、ポリカーボネート系材料、PET−G(ポリエチレンテレフタレート共重合体)などの絶縁性および耐久性を有する材料で形成されている。
前述の凹部11は、図1に示すように、カード基材15に形成されている。凹部11は、カード基材15の側面に形成された第一の収容部24と、第一の収容部24の底面に形成された第一の収容部24よりも小径の第二の収容部25とを有している。第一の収容部24のカード基材15の側面側の開口が、前述の開口11aとなっている。
ICモジュール30は、図3から図5に示すように、シート状のモジュール基材(基材)33と、モジュール基材33の第一の面33aに設けられたICチップ34および接続コイル31と、モジュール基材33の第二の面33bに設けられた複数の接触端子(接触端子部)35およびブリッジ(橋渡し配線)36とを備えている。
モジュール基材33は、基板12と同一の材料で平面視で矩形状に形成されている。モジュール基材33には、厚さ方向Dに見てブリッジ36に重なる位置に互いに離間した第一のスルーホール(第一の貫通孔)33cと第二のスルーホール(第二の貫通孔)33dが形成されている。モジュール基材33の厚さ方向は、前述の基板12の厚さ方向Dに一致する。モジュール基材33にはスルーホール33c、33d以外にもスルーホール(補助貫通孔)33eが形成されている。モジュール基材33の厚さは、例えば50〜200μmである。
ICチップ34は、接触型通信機能および非接触型通信機能を有する公知の構成のものを用いることができる。ICチップ34は、チップ本体34aの外面に第一の端子34b、第二の端子34cおよび複数の接続端子34dが形成されたものである。
接続コイル31は、螺旋状に形成されている。接続コイル31は、ICチップ34、およびスルーホール33c、33eの周りに3回巻回されている。第二のスルーホール33dは、接続コイル31の外側に形成されている。接続コイル31の最も外側に配された素線の端部(第一の端部)、および最も内側に配された素線の端部(第二の端部)には、素線よりも幅が広く形成された端子部39、40がそれぞれ設けられている。接続コイル31は、銅箔やアルミニウム箔をエッチングでパターン化することで形成されている。接続コイル31の厚さは、例えば5〜50μmである。接続コイル31は、カード本体10の結合用コイル18との電磁結合による非接触端子部を構成する。
複数の接触端子35およびブリッジ36は、モジュール基材33の第二の面33bに例えば銅箔をラミネートすることで、所定のパターンに形成されている。ブリッジ36は、厚さ方向Dに見て接続コイル31を跨ぐようにL字状に形成されている(図5参照。)。
複数の接触端子35およびブリッジ36は、互いに電気的に絶縁されている。銅箔における外部に露出する部分には、厚さ0.5〜3μmのニッケル層をメッキにより設けてもよく、さらにこのニッケル膜上に厚さ0.01〜0.3μmの金層をメッキにより設けてもよい。
各接触端子35は、現金自動預け払い機などの接触型外部機器と接触するためのものである。接触端子35は、ICチップ34のチップ本体34aに内蔵された不図示の素子などと接続されている。
モジュール基材33の第二の面33bに複数の接触端子を厚さ50〜200μmのリードフレームで形成し、モジュール基材33の第一の面33aに接続コイルを銅線により形成してもよい。
ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36とは、第一のスルーホール33cを挿通した第一のワイヤ(第一の導電線)41により接続されている。ブリッジ36と接続コイル31の端子部39とは、第二のスルーホール33dを挿通した第二のワイヤ(第二の導電線)42により接続されている。接続コイル31の端子部40とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ(第三の導電線)43により接続されている。
この例では、ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とは、スルーホール33eを挿通した接続ワイヤ(補助導電線)44により接続されている。ワイヤ41、42、43および接続ワイヤ44は金や銅で形成され、外径は例えば10〜40μmである。
このように、ICチップ34、接続コイル31、ブリッジ36、およびワイヤ41、42、43、44により、閉回路が構成される。
ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36、ブリッジ36と接続コイル31とは、ワイヤ41、42を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とも、接続ワイヤ44を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。接続コイル31とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ43を用いたワイヤボンディングにより接続される。
なお、本実施形態では、図6および図7に示すICモジュール30Aのように、ICモジュール30の各構成に加えて、ICチップ34、第一のワイヤ41、第三のワイヤ43、および接続ワイヤ44を覆う樹脂封止部51を備えてもよい。図7においては、樹脂封止部51を透過させて二点鎖線で示している。樹脂封止部51は、例えば、公知のエポキシ樹脂などで形成することができる。
ICモジュール30Aに樹脂封止部51を備えることで、ICチップ34を保護したり、ワイヤ41、43の断線を防ぐことができる。
また、図8から図10に示すICモジュール30Bのように、第二のスルーホール33dを接続コイル31の内周よりも内側に配置するために接続コイル31の一部をICチップ34側に湾曲させ、第二のスルーホール33dを挿通する第二のワイヤ42が樹脂封止部51で覆われる(封止される)ように構成してもよい(図9参照)。この場合、スルーホール33c、33d、33eの全てが樹脂封止部51で覆われることになる。この例では、ブリッジ56は直線状に形成されている(図10参照)。
このようにICモジュール30Bを構成することで、ワイヤ41、42、43の断線を防ぐことができる。
なお、樹脂封止部51は、ICチップ34およびワイヤ41、42、43を覆うことができ、一定の強度を有するものであれば、大きさは小さい方がよい。樹脂封止部51が接続コイル31の全体を覆うまで大きくする必要はない。
次に、以上のように構成されたICモジュール30を製造するICモジュール30の製造方法について説明する。
まず、図11に示すように、モジュール基材33の第一の面33aに接続コイル31および端子部39、40を形成する(端子部40は不図示。)。接続コイル31は、モジュール基材33の第一の面33aに取付けた銅箔に公知のエッチングをして銅箔に一定のパターンを形成することなどで形成される。
図12に示すように、モジュール基材33における接続コイル31が形成されていない部分に、互いに離間したスルーホール33c、33d、33e(スルーホール33eは不図示。)を公知のパンチなどにより形成する。なお、モジュール基材33にスルーホール33c、33d、33eを形成してから、このモジュール基材33に接続コイル31を形成してもよい。
図13に示すように、モジュール基材33の第二の面33bに、複数の接触端子35およびブリッジ36を形成する。接触端子35やブリッジ36は、予め所定のパターンが形成された銅箔をモジュール基材33の第二の面33bにラミネートすることで形成することができる。このとき、厚さ方向Dに見たときに、スルーホール33c、33dにブリッジ36が重なるように銅箔を位置合わせする。
次に、図14に示すように、モジュール基材33の第一の面33aにICチップ34を取付ける。ICチップ34の取付けには、公知のダイアタッチ用接着剤を好適に用いることができる。
続いて、図4および図5に示すように、接続コイル31、ICチップ34、複数の接触端子35、およびブリッジ36をワイヤ41、42、43、44を用いた公知のパンチングホールワイヤボンディングやワイヤボンディングにより接続する。具体的には、ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36とを、スルーホール33cを挿通した第一のワイヤ41により接続する。ブリッジ36と接続コイル31の端子部39とを、第二のスルーホール33dを挿通した第二のワイヤ42により接続する。接続コイル31の端子部40とICチップ34の第二の端子34cとを、第三のワイヤ43により接続する。
このとき、ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とを、スルーホール33eを挿通した接続ワイヤ44により接続する。
以上の工程により、ICモジュール30を製造する。
基板12に、例えば、一般的なグラビア印刷によるレジスト塗工方式のエッチングによりアンテナ13や容量性素子14などを形成する。基板12、アンテナ13、および容量性素子14を一対のカード基材15間に挟み込み、熱圧によるラミネートあるいは接着剤で一対のカード基材15同士を一体化する。その後でカード個片形状に打ち抜く。
カード基材15にミリング加工により凹部11を形成し、カード本体10を製造する。
図1に示すように、このカード本体10の第二の収容部25にICモジュール30のICチップ34が収容されるように、カード本体10とICモジュール30とを、図示しないホットメルトシートなどの接着剤などにより接続し、デュアルICカード1を製造する。
なお、前述のICモジュール30Bを製造するときには、ICチップ34、ワイヤ41、42、43を不図示の金型中で樹脂封止し、ICチップ34、ワイヤ41、42、43を覆う樹脂封止部51を形成する。
次に、以上のように構成されたデュアルICカード1の作用について説明する。図15は、本デュアルICカード1は原理を説明するための等価回路図である。
リーダライタ(非接触型外部機器)D10の送受信回路D11で発生された不図示の高周波信号により、送受信コイルD12に高周波磁界が誘起される。この高周波磁界は、磁気エネルギーとして空間に放射される。
このときデュアルICカード1がこの高周波磁界中に位置すると、高周波磁界により、デュアルICカード1のアンテナ13および容量性素子14で構成する並列共振回路に電流が流れる。このとき、結合用コイル18にも高周波磁界による電流が誘起されるが、主コイル19に誘起される量に比べて1桁以上小さいため、受信感度は主コイル19の特性に大きく依存する。
主コイル19と容量性素子14の共振回路で受信した信号は、結合用コイル18に伝達される。その後、結合用コイル18と接続コイル31との電磁結合によってICチップ34に信号が伝達される。
なお、図示はしないが、デュアルICカード1が現金自動預け払い機などの接触型外部機器との間で電力供給と通信を行う場合には、現金自動預け払い機に設けられた端子をデュアルICカード1の接触端子35に接触させる。そして、現金自動預け払い機の制御部とICチップ34との間で電力供給と通信を行う。
以上説明したように、本実施形態のICモジュール30およびICモジュール30の製造方法によれば、ICチップ34、接続コイル31およびブリッジ36、およびワイヤ41、42、43は、メッキスルーホール加工することなく、パンチングホールワイヤボンディングやワイヤボンディングにより閉回路が構成される。したがって、ICモジュール30を製造するときにモジュール基材33にメッキ処理を施す必要がなく、ICモジュール30を容易かつ安価に製造することができる。
ICチップ34と接触端子35とが、モジュール基材33に形成されたスルーホール33eを挿通した接続ワイヤ44により接続されている。ICチップ34と接触端子35との接続にもパンチングホールワイヤボンディングを用いることで、ICモジュール30をより安価に製造することができる。
ICチップ34、ワイヤ41、42、43第一の導電線、第二の導電線、および第三の導電線を樹脂封止部51で覆うことで、ICチップ34を保護するとともにワイヤ41、42、43の断線を防ぐことができる。
また、本デュアルICカード1によれば、ICモジュール30を容易かつ安価に製造できることで、ICモジュール30を備えるデュアルICカード1全体としても、容易かつ安価に製造することができる。
以上、本発明の一実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の構成の変更、組み合わせなども含まれる。
例えば、前記実施形態では、主コイル19および接続コイル31は3回巻回され、結合用コイル18は5回巻回されているとした。しかし、これらのコイル18、19、31が巻回される回数はこの限りではなく、これらのコイル18、19、31は1回以上巻回されていればよい。
接触端子部が有する接触端子35の数は、複数でなく1つでもよい。
前記実施形態では、ICモジュール30がデュアルICカード1に備えられるとした。しかし、ICモジュール30が備えられるものはこれに限られず、例えば、インレットや、パスポートなどの冊子などに備えてもよい。冊子の裏表紙にICモジュール30を設ける場合には、この裏表紙の中央部に凹部を形成し、凹部の周囲に結合用コイルを設けるとともに裏表紙の縁部に主コイルを設ける。
1 デュアルICカード
10 カード本体
11 凹部
13 アンテナ
18 結合用コイル
19 主コイル
30、30A、30B ICモジュール
31 接続コイル
33 モジュール基材(基材)
33a 第一の面
33b 第二の面
33c 第一のスルーホール(第一の貫通孔)
33d 第二のスルーホール(第二の貫通孔)
33e スルーホール(補助貫通孔)
34 ICチップ
34b 第一の端子
34c 第二の端子
35 接触端子(接触端子部)
36、56 ブリッジ(橋渡し配線)
41 第一のワイヤ(第一の導電線)
42 第二のワイヤ(第二の導電線)
43 第三のワイヤ(第三の導電線)
44 接続ワイヤ(補助導電線)
51 樹脂封止部
D 厚さ方向
D10 リーダライタ

Claims (7)

  1. シート状の基材と、
    前記基材の第一の面に設けられた、接触型通信機能および非接触型通信機能を有し第一の端子と第二の端子が形成されたICチップ、および螺旋状に形成された接続コイルと、
    前記基材の第二の面に設けられた、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および前記接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、
    を備え、
    前記基材には、前記基材の厚さ方向に見て前記橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成され、
    前記ICチップの前記第一の端子と前記橋渡し配線とは、前記第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続され、
    前記橋渡し配線と前記接続コイルの第一の端部とは、前記第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続され、
    前記接続コイルの第二の端部と前記ICチップの前記第二の端子とは、第三の導電線により接続されているICモジュール。
  2. 前記ICチップと前記接触端子部とが、前記基材に形成された補助貫通孔を挿通した補助導電線により接続されていることを特徴とする請求項1に記載のICモジュール。
  3. 前記ICチップ、前記第一の導電線、前記第二の導電線、および前記第三の導電線を覆う樹脂封止部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載のICモジュール。
  4. 請求項1に記載のICモジュールと、
    前記ICモジュールの前記接続コイルと電磁結合するための結合用コイル、および非接触型外部機器との非接触型通信を行うために前記結合用コイルに接続された主コイルを有するアンテナを備え、前記ICモジュールを収容する凹部が形成された板状のカード本体と、
    を備えるデュアルICカード。
  5. シート状の基材の第一の面に螺旋状に接続コイルを形成し、
    前記基材に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔を形成し、
    前記基材の第二の面に、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および前記接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線を、前記基材の厚さ方向に見て前記第一の貫通孔および前記第二の貫通孔に前記橋渡し配線が重なるように形成し、
    前記基材の前記第一の面に、接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップを取付け、
    前記ICチップの前記第一の端子と前記橋渡し配線とを、前記第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続し、
    前記橋渡し配線と前記接続コイルの第一の端部とを、前記第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続し、
    前記接続コイルの第二の端部と前記ICチップの前記第二の端子とを、第三の導電線により接続するICモジュールの製造方法。
  6. 前記基材に補助貫通孔を形成し、
    前記ICチップと前記接触端子部とを、前記補助貫通孔を挿通した補助導電線により接続することを特徴とする請求項5に記載のICモジュールの製造方法。
  7. 前記ICチップ、前記第一の導電線、前記第二の導電線、および前記第三の導電線を樹脂封止部で覆うことを特徴とする請求項5または6に記載のICモジュールの製造方法。
JP2013132898A 2013-06-25 2013-06-25 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法 Active JP6090006B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013132898A JP6090006B2 (ja) 2013-06-25 2013-06-25 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
CN201480033526.8A CN105378760B (zh) 2013-06-25 2014-06-24 Ic模块、双ic卡、以及ic模块的制造方法
PCT/JP2014/066656 WO2014208532A1 (ja) 2013-06-25 2014-06-24 Icモジュール、デュアルicカード、およびicモジュールの製造方法
EP14817877.5A EP3016032B1 (en) 2013-06-25 2014-06-24 Ic module, dual ic card, and method for producing ic module
US14/973,457 US9633301B2 (en) 2013-06-25 2015-12-17 IC module, dual IC card, and method for manufacturing IC module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013132898A JP6090006B2 (ja) 2013-06-25 2013-06-25 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015007898A true JP2015007898A (ja) 2015-01-15
JP6090006B2 JP6090006B2 (ja) 2017-03-08

Family

ID=52141866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013132898A Active JP6090006B2 (ja) 2013-06-25 2013-06-25 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9633301B2 (ja)
EP (1) EP3016032B1 (ja)
JP (1) JP6090006B2 (ja)
CN (1) CN105378760B (ja)
WO (1) WO2014208532A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016212778A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェース通信媒体
JP2021504819A (ja) * 2017-11-24 2021-02-15 スマート パッケージング ソリューションズSmart Packaging Solutions 最適化されたアンテナを有する、デュアル通信インターフェースチップカード用電子モジュール
JP2021018516A (ja) * 2019-07-18 2021-02-15 凸版印刷株式会社 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
JP2021033744A (ja) * 2019-08-27 2021-03-01 凸版印刷株式会社 Icモジュール

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2256672B1 (en) * 2008-02-22 2016-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Transponder and book form
FR3047101B1 (fr) 2016-01-26 2022-04-01 Linxens Holding Procede de fabrication d’un module de carte a puce et d’une carte a puce
DE102016106698A1 (de) * 2016-04-12 2017-10-12 Infineon Technologies Ag Chipkarte und Verfahren zum Herstellen einer Chipkarte
WO2018092897A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 凸版印刷株式会社 電磁結合デュアルicカード及びicモジュール
KR20220032774A (ko) * 2020-09-08 2022-03-15 엘지이노텍 주식회사 스마트 ic 기판, 스마트 ic 모듈 및 이를 포함하는 ic 카드
FR3131411B1 (fr) * 2021-12-24 2024-01-05 Wisekey Semiconductors Procédé de fabrication d’un module sans contact ayant une bobine d'antenne à inductance finement ajustable

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999026197A1 (en) * 1997-11-19 1999-05-27 On Track Innovations Ltd. Data transaction card and method of manufacture thereof
JPH11149536A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Toppan Printing Co Ltd 複合icカード
JP2009075782A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Toshiba Corp Icモジュール及びicカード

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63149191A (ja) * 1986-12-15 1988-06-21 日立マクセル株式会社 Icカ−ド
FR2625000B1 (fr) * 1987-12-22 1991-08-16 Sgs Thomson Microelectronics Structure de carte a puce
FR2721732B1 (fr) * 1994-06-22 1996-08-30 Solaic Sa Carte à mémoire sans contact dont le circuit électronique comporte un module.
DE19516227C2 (de) 1995-05-03 2002-02-07 Infineon Technologies Ag Datenträgeranordnung, insbesondere Chipkarte
KR20000049028A (ko) 1996-10-09 2000-07-25 피에이브이 카드 게엠베하 칩카드 제조방법과 칩카드제조용 접속장치
EP0953179B1 (en) * 1997-11-14 2009-04-15 Western Atlas International, Inc. Seismic data acquisition and processing using non-linear distortion in a groundforce signal
CN1179295C (zh) 1997-11-14 2004-12-08 凸版印刷株式会社 复合ic模块及复合ic卡
TWI234252B (en) * 2003-05-13 2005-06-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Flash-preventing window ball grid array semiconductor package and chip carrier and method for fabricating the same
US7777317B2 (en) * 2005-12-20 2010-08-17 Assa Abloy Identification Technologies Austria GmbH (Austria) Card and manufacturing method
CN101416206A (zh) * 2006-03-30 2009-04-22 王子制纸株式会社 Ic模块、ic引入线以及ic封装体
EP2426627B1 (fr) * 2010-09-02 2016-10-12 Oberthur Technologies Module lumineux pour dispositif à microcircuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11149536A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Toppan Printing Co Ltd 複合icカード
WO1999026197A1 (en) * 1997-11-19 1999-05-27 On Track Innovations Ltd. Data transaction card and method of manufacture thereof
JP2009075782A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Toshiba Corp Icモジュール及びicカード

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016212778A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェース通信媒体
JP2021504819A (ja) * 2017-11-24 2021-02-15 スマート パッケージング ソリューションズSmart Packaging Solutions 最適化されたアンテナを有する、デュアル通信インターフェースチップカード用電子モジュール
JP7201682B2 (ja) 2017-11-24 2023-01-10 スマート パッケージング ソリューションズ 最適化されたアンテナを有する、デュアル通信インターフェースチップカード用電子モジュール
JP2021018516A (ja) * 2019-07-18 2021-02-15 凸版印刷株式会社 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
JP7306123B2 (ja) 2019-07-18 2023-07-11 凸版印刷株式会社 Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
JP2021033744A (ja) * 2019-08-27 2021-03-01 凸版印刷株式会社 Icモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN105378760A (zh) 2016-03-02
WO2014208532A1 (ja) 2014-12-31
US20160104064A1 (en) 2016-04-14
CN105378760B (zh) 2019-07-26
US9633301B2 (en) 2017-04-25
JP6090006B2 (ja) 2017-03-08
EP3016032B1 (en) 2021-05-26
EP3016032A1 (en) 2016-05-04
EP3016032A4 (en) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6090006B2 (ja) Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
EP2988254B1 (en) Composite ic card
US10679117B2 (en) Dual IC card
KR20090043077A (ko) 알에프아이디 안테나 및 그 제조방법
JP2018097724A (ja) Icモジュール、およびicモジュールを搭載した媒体
JP6225508B2 (ja) デュアルicカード
JP2018092482A (ja) Icモジュール、icモジュールを搭載した媒体およびicモジュールの製造方法
WO2018092897A1 (ja) 電磁結合デュアルicカード及びicモジュール
US10936932B2 (en) Dual IC cards and antenna sheets
JP2019004292A (ja) デュアルicカード
KR100883830B1 (ko) 알에프아이디 안테나의 제조방법
KR100735618B1 (ko) 알에프아이디 안테나 및 그 제조방법
JP7159663B2 (ja) ブースタアンテナおよびデュアルicカード
JP7306123B2 (ja) Icモジュール、デュアルicカードおよびicモジュールの製造方法
JP6451298B2 (ja) デュアルインターフェイスicカード、及び、当該icカードに用いられるicモジュール
JP2014119784A (ja) Ic付冊子及びその製造方法
JP2020095348A (ja) 非接触式通信媒体
JP2017156929A (ja) アンテナシートの製造方法、アンテナシート及び非接触情報媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20161221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170123

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6090006

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250