JP2015005975A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (3)
- 第１乃至第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。 - 第１乃至第６のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。 - 第１乃至第６のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。
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