JP2014529502A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 元素の周期表の第ＶＩＢ族とも呼ばれる第６族からの少なくとも１種の金属、元素の周期表の第ＶＩＩＩ族とも呼ばれる第８、９もしくは１０族からの少なくとも１種の金属を含んでなり、且つ場合によりリンを含んでなる担持触媒であって、ここで該金属及び存在する場合リンは、小孔状担体又は支持体上に担持されており、該担体又は支持体は約０．６ｃｃ／ｇ〜約１．１ｃｃ／ｇの合計細孔容積（ＴＰＶ）を有し、且つ：
（ａ）２００オングストローム（Å）より小さい直径を有する細孔中に約７８％に等しいかもしくはそれより多量から約９５％の範囲のＴＰＶ；
（ｂ）２００（Å）から１０００Åより小さい値の範囲の直径を有する細孔中に約２％より多量から約１９％より少量の範囲のＴＰＶ；
（ｃ）１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中に３％に等しいか又はそれより多量から１２％より少量の範囲のＴＰＶ；ならびに
（ｄ）約９０Åに等しいかそれより大きく且つ約１６０Åより小さい細孔モード
を含んでなる担持触媒。 - さらに該支持体が約１００Åより大きく且つ約１５０Åより小さいｄ５０を示すことを特徴とする請求項１における担持触媒。
- さらに約５％より多量から約１９％より少量の範囲のＴＰＶが２００Åから１０００Åより小さい値の範囲の直径を有する細孔中にあることを特徴とする請求項１における担持触媒。
- さらに約３％に等しいかそれより多量から約１０％より少量の範囲の該ＴＰＶが１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中にあることを特徴とする請求項１における担持触媒。
- さらに約５％に等しいかそれより多量から約１０％より少量の範囲の該ＴＰＶが１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中にあることを特徴とする請求項４における担持触媒。
- 該小孔状担体が水銀ポロシメトリーを用いて測定される実質的に単峰型の細孔寸法分布を示す請求項１における担持触媒。
- 該細孔寸法分布が約２００Åより高くに追加のピークを含み、但し、そのような追加のピーク内に含まれる細孔の合計容積は該多孔質アルミナ中に存在する合計細孔容積の約ゼロより多量から約１０％の範囲である請求項６における担持触媒。
- さらに該第６族の金属がモリブデンであり、該８、９及び１０族の金属がコバルト、ニッケル及びそれらの混合物より成る群から選ばれることを特徴とする請求項１における担持触媒。
- さらにリンを含んでなる請求項８における担持触媒。
- （Ｉ）石油供給材料の水素化処理；
（ＩＩ）炭化水素の水素化脱硫；
（ＩＩＩ）炭化水素の水素化脱硝；
（ＩＶ）炭化水素の脱金属；ならびに
（Ｖ）１０００°Ｆより高温で沸騰する成分ならびに硫黄含有化合物、窒素含有化合物、金属含有化合物、アスファルテン、炭素残留物、沈降前駆体及びそれらの混合物より成る群から選ばれる少なくとも１つの成分を含有する装入炭化水素供給材料の水素化処理
より成る群から選ばれる少なくとも１つのプロセスにおいて有用な触媒であって、
該触媒は元素の周期表の第ＶＩＢ族とも呼ばれる第６族からの少なくとも１種の金属、元素の周期表の第ＶＩＩＩ族とも呼ばれる第８、９もしくは１０族からの少なくとも１種の金属を含んでなり、且つ場合によりリンを含んでなり、ここで該金属及び存在する場合リンは、小孔状担体又は支持体上に担持されており、ここで該支持体は約０．６ｃｃ／ｇ〜約１．１ｃｃ／ｇの合計細孔容積（ＴＰＶ）を示し、且つ水銀ポロシメトリー法により測定される：
（１）２００オングストローム（Å）より小さい直径を有する細孔中に約７８％に等しいかもしくはそれより多量から約９５％の範囲のＴＰＶ；
（２）２００オングストローム（Å）から１０００Åより小さい値の範囲の直径を有する細孔中に約２％より多量から約１９％より少量の範囲のＴＰＶ；
（３）１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中に３％に等しいか又はそれより多量から１２％より少量の範囲のＴＰＶ；ならびに
（４）約９０Åに等しいかもしくはそれより大きく且つ１６０Åより小さい細孔モード
の値に対応する細孔寸法分布及び含有率を示す触媒。 - 該触媒が予備含浸され、成形され、乾燥され、そしてカ焼されている請求項１０の触媒。
- さらに約１００Åより大きく且つ約１５０Åより小さいｄ５０を示す請求項１０の触媒。
- 炭化水素供給原料を処理して処理生成物を生産するためのプロセスであって、該プロセスは：
（Ｉ）該供給原料を少なくとも１つの反応器中で、触媒を用いる水素化分解条件下で水素と接触させ、該生成物を回収することを含んでなる水素化脱金属、水素化脱硝、水素化脱硫及び水素化分解；
（ＩＩ）１０００°Ｆより高温で沸騰する成分ならびに硫黄含有化合物、窒素含有化合物、金属含有化合物、アスファルテン、炭素残留物、沈降物前駆体及びそれらの混合物より成る群から選ばれる少なくとも１つの成分を含有する該炭化水素供給材料を等温又は実質的に等温の水素化処理条件において水素及び触媒と接触させ、該処理生成物を回収することを含んでなる、該供給材料の水素化処理；
（ＩＩＩ）１０００°Ｆより高い沸点を示す成分を有する該炭化水素供給材料を等温又は実質的に等温の水素化処理条件において水素及び触媒と接触させ、該生成物を回収することを含んでなる、約１０００°Ｆより低い沸点を示す成分の割合が増加した生成物を形成するための該供給材料の水素化転換；ならびに
（ＩＶ）炭化水素油を含んでなる該供給材料を約６００OＦより高い高められた温度及び
約５００ｐ．ｓ．ｉ．ｇ．より高い圧力の条件下で水素及び触媒と接触させ、該生成物を回収することを含んでなる、該供給材料の水素化転換
より成る群から選ばれ；該触媒は元素の周期表の第ＶＩＢ族とも呼ばれる第６族からの少なくとも１種の金属、元素の周期表の第ＶＩＩＩ族とも呼ばれる第８、９もしくは１０族からの少なくとも１種の金属を含んでなり、且つ場合によりリンを含んでなり、ここで該金属及び存在する場合リンは、小孔状担体又は支持体上に担持されており、ここで：該支持体は約０．６ｃｃ／ｇ〜約１．１ｃｃ／ｇの合計細孔容積（ＴＰＶ）を示し、且つ水銀ポロシメトリー法により測定される：
（１）２００オングストローム（Å）より小さい直径を有する細孔中に約７８％に等しいかもしくはそれより多量から約９５％の範囲のＴＰＶ；
（２）２００オングストローム（Å）から１０００Åより小さい値の範囲の直径を有する細孔中に約２％より多量から約１９％より少量の範囲のＴＰＶ；
（３）１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中に３％に等しいか又はそれより多量から１２％より少量の範囲のＴＰＶ；ならびに
（４）約９０Åに等しいかもしくはそれより大きく且つ約１６０Åより小さい細孔モードの値に対応する細孔寸法分布及び含有率を示す、
プロセス。 - 約０．６ｃｃ／ｇ〜約１．１ｃｃ／ｇの合計細孔容積（ＴＰＶ）を有し、且つ：
（ａ）２００オングストローム（Å）より小さい直径を有する細孔中に約７８％に等しいかもしくはそれより多量から約９５％の範囲のＴＰＶ；
（ｂ）２００（Å）から１０００Åより小さい値の範囲の直径を有する細孔中に約２％より多量から約１９％より少量の範囲のＴＰＶ；
（ｃ）１０００Åに等しいかそれより大きい直径を有する細孔中に３％に等しいか又はそれより多量から１２％より少量の範囲のＴＰＶ；ならびに
（ｄ）約９０Åに等しいかもしくはそれより大きく且つ約１６０Åより小さい細孔モード
を含んでなる小孔状触媒支持体。 - 該小孔状支持体が水銀ポロシメトリーを用いて測定される実質的に単峰型の細孔寸法分布を示し、且つ該細孔寸法分布が約２００Åより高くに追加のピークを含み、但し、そのような追加のピーク内に含まれる細孔の合計容積は該多孔質アルミナ中に存在する合計細孔容積の約ゼロより多量から約１０％の範囲である請求項１４における支持体。
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