JP2014528175A - セルピッチおよびビットラインピッチが整合しないnandメモリアレイ - Google Patents
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Abstract
Description
[項目1]
NANDメモリアレイであって、
複数のワードラインと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のアクティブエリアセクションと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のビットラインと
を備え、
複数のメモリセルが、個々のアクティブエリアセクションと個々のワードラインとの重なり部分に配置され、
前記複数のメモリセルは、前記複数のワードラインの方向の第1のピッチをもち、
前記複数のビットラインは、前記第1のピッチ未満の第2のピッチをもつ、NANDメモリアレイ。
[項目2]
前記第2のピッチは、前記第1のピッチの1/nであり、nは、1より大きい整数である、項目1に記載のNANDメモリアレイ。
[項目3]
第1メモリセルサブブロックと、
前記第1メモリセルサブブロックに隣接する第2メモリセルサブブロックと
をさらに備え、
前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは、互いと同時に駆動される、項目1に記載のNANDメモリアレイ。
[項目4]
前記第1メモリセルサブブロックの第1の複数のNANDストリングと、
前記第2メモリセルサブブロックの第2の複数のNANDストリングと
をさらに備え、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記第1の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、項目3に記載のNANDメモリアレイ。
[項目5]
前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第1のサブセットに対応しており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第2のサブセットに対応しており、
前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとは、重ならないサブセットである、項目4に記載のNANDメモリアレイ。
[項目6]
前記第1のサブセットは、前記第2のサブセットとインタリーブされる、項目5に記載のNANDメモリアレイ。
[項目7]
第1の選択ゲートソースおよび第1の選択ゲートドレインと、
第2の選択ゲートソースおよび第2の選択ゲートドレインと
を備え、
前記第1メモリセルサブブロックは、前記第1の選択ゲートソースおよび前記第1の選択ゲートドレインの間の複数のメモリセルを含み、
前記第2メモリセルサブブロックは、前記第2の選択ゲートソースおよび前記第2の選択ゲートドレインの間の複数のメモリセルを含む、項目3に記載のNANDメモリアレイ。
[項目8]
前記NANDメモリアレイは、二次元NANDメモリアレイを含む、項目1に記載のNANDメモリアレイ。
[項目9]
前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記NANDメモリアレイはさらに、複数のメモリブロックを備え、個々のメモリブロックは、n個のサブブロックを備える、項目1に記載のNANDメモリアレイ。
[項目10]
複数のワードラインと、
複数のアクティブエリアピラーと、
前記複数のアクティブエリアピラーと前記複数のワードラインとの交差点に配置された複数のメモリセルと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のビットラインと
を備え、
前記複数のメモリセルは、前記複数のワードラインの方向の第1のピッチをもち、
前記複数のビットラインは、前記第1のピッチ未満の第2のピッチをもつ、三次元メモリアレイ(3Dメモリアレイ)。
[項目11]
前記第2のピッチは、前記第1のピッチの1/nであり、nは、1より大きい整数である、項目10に記載の3Dメモリアレイ。
[項目12]
第1の選択ゲートソースおよび選択ゲートドレインの間の電気経路に配置された第1メモリセルサブブロックと、
第2の選択ゲートソースおよび前記選択ゲートドレインの間の電気経路に配置された第2メモリセルサブブロックと
をさらに備える、項目10に記載の3Dメモリアレイ。
[項目13]
前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは、同時に駆動される、項目12に記載の3Dメモリアレイ。
[項目14]
前記第1メモリセルサブブロックの第1の複数のNANDストリングと、
前記第2メモリセルサブブロックの第2の複数のNANDストリングと
をさらに備え、
前記第1の複数のNANDストリングは、前記第2の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、項目12に記載の3Dメモリアレイ。
[項目15]
前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のアクティブエリアピラーのうちの第1の対のアクティブエリアピラーの上に設けられており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のアクティブエリアピラーのうちの第2の対のアクティブエリアピラーの上に設けられている、項目14に記載の3Dメモリアレイ。
[項目16]
前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第1のサブセットに対応しており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第2のサブセットに対応しており、
前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとは、重ならないサブセットである、
項目14に記載の3Dメモリアレイ。
[項目17]
前記第1のサブセットは、前記第2のサブセットとインタリーブされる、項目16に記載の3Dメモリアレイ。
[項目18]
前記3Dメモリアレイは、P−BiCS(pipe-shaped bit cost scalable)メモリアレイを含む、項目10に記載の3Dメモリアレイ。
[項目19]
前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記3Dメモリアレイはさらに、複数のメモリブロックを備え、個々のメモリブロックは、n個のサブブロックを有する、項目10に記載の3Dメモリアレイ。
[項目20]
パッケージと、
複数の入出力接続と、
前記パッケージ内に配置され、前記複数の入出力接続に電気的に連結された3Dメモリアレイと
を備える、不揮発性記憶チップ。
[項目21]
無線ネットワークにシステムを通信可能に連結する1以上のアンテナを有する通信インタフェースと、
移動通信デバイスに取り外し可能に、または永久に連結された、項目20に記載の不揮発性記憶チップと、
前記不揮発性記憶チップのアクセス処理を制御するメモリコントローラと
を備える、前記移動通信デバイス。
[項目22]
メモリアレイのメモリセルの1つのブロックのうちの、第1メモリセルサブブロックと第2メモリセルサブブロックとを同時に駆動する段階と、
前記第1メモリセルサブブロックの複数のビットラインの第1のサブセットに対応している第1の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階と、
前記第2メモリセルサブブロックの複数のビットラインの第2のサブセットに対応している第2の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階と
を備え、
前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは隣接しており、前記第1の複数のNANDストリングは、前記第2の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、メモリアレイを動作させる方法。
[項目23]
前記複数のビットラインの第1のピッチは、前記複数のメモリセルの、ワードラインの方向の第2のピッチ未満である、項目22に記載のメモリアレイを動作させる方法。
[項目24]
前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記方法はさらに、
前記ブロックのn個のサブブロックを同時に駆動する段階を備える、項目22に記載のメモリアレイを動作させる方法。
[項目25]
前記第1の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階、および、前記第2の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階は、
前記複数のビットラインの前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとに同時にエネルギー供給する段階を有する、項目22に記載のメモリアレイを動作させる方法。
[項目26]
通信インタフェースと、NANDメモリアレイと、システム制御論理とを備えるシステムであって、
前記通信インタフェースは、前記システムを無線ネットワークに通信可能に連結する1以上のアンテナを有し、
前記NANDメモリアレイは、前記NANDメモリアレイのワードラインの方向のセルピッチと、前記ワードラインの方向のビットラインピッチとを有し、前記セルピッチは前記ビットラインピッチと異なっており、
前記システム制御論理は、前記通信インタフェースと前記NANDメモリアレイと連結されており、前記システム制御論理は、前記通信インタフェースおよび前記NANDメモリアレイに対してデータを出し入れするための1以上のインタフェースを提供する、システム。
[項目27]
ピクチャまたはビデオを取得するためのデジタルカメラを更に備え、
前記システム制御論理は、更に前記デジタルカメラに連結されており、前記デジタルカメラからデータを受信する、項目26に記載のシステム。
[項目28]
前記セルピッチの前記ビットラインピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記NANDメモリアレイは、セルの複数のメモリブロックを含み、個々のメモリブロックが、同時に駆動されるn個のサブブロックを有する、項目26に記載のシステム。
Claims (28)
- NANDメモリアレイであって、
複数のワードラインと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のアクティブエリアセクションと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のビットラインと
を備え、
複数のメモリセルが、個々のアクティブエリアセクションと個々のワードラインとの重なり部分に配置され、
前記複数のメモリセルは、前記複数のワードラインの方向の第1のピッチをもち、
前記複数のビットラインは、前記第1のピッチ未満の第2のピッチをもつ、NANDメモリアレイ。 - 前記第2のピッチは、前記第1のピッチの1/nであり、nは、1より大きい整数である、請求項1に記載のNANDメモリアレイ。
- 第1メモリセルサブブロックと、
前記第1メモリセルサブブロックに隣接する第2メモリセルサブブロックと
をさらに備え、
前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは、互いと同時に駆動される、請求項1に記載のNANDメモリアレイ。 - 前記第1メモリセルサブブロックの第1の複数のNANDストリングと、
前記第2メモリセルサブブロックの第2の複数のNANDストリングと
をさらに備え、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記第1の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、請求項3に記載のNANDメモリアレイ。 - 前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第1のサブセットに対応しており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第2のサブセットに対応しており、
前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとは、重ならないサブセットである、請求項4に記載のNANDメモリアレイ。 - 前記第1のサブセットは、前記第2のサブセットとインタリーブされる、請求項5に記載のNANDメモリアレイ。
- 第1の選択ゲートソースおよび第1の選択ゲートドレインと、
第2の選択ゲートソースおよび第2の選択ゲートドレインと
を備え、
前記第1メモリセルサブブロックは、前記第1の選択ゲートソースおよび前記第1の選択ゲートドレインの間の複数のメモリセルを含み、
前記第2メモリセルサブブロックは、前記第2の選択ゲートソースおよび前記第2の選択ゲートドレインの間の複数のメモリセルを含む、請求項3に記載のNANDメモリアレイ。 - 前記NANDメモリアレイは、二次元NANDメモリアレイを含む、請求項1に記載のNANDメモリアレイ。
- 前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記NANDメモリアレイはさらに、複数のメモリブロックを備え、個々のメモリブロックは、n個のサブブロックを備える、請求項1に記載のNANDメモリアレイ。 - 複数のワードラインと、
複数のアクティブエリアピラーと、
前記複数のアクティブエリアピラーと前記複数のワードラインとの交差点に配置された複数のメモリセルと、
前記複数のワードラインに直交するよう配置された複数のビットラインと
を備え、
前記複数のメモリセルは、前記複数のワードラインの方向の第1のピッチをもち、
前記複数のビットラインは、前記第1のピッチ未満の第2のピッチをもつ、三次元メモリアレイ(3Dメモリアレイ)。 - 前記第2のピッチは、前記第1のピッチの1/nであり、nは、1より大きい整数である、請求項10に記載の3Dメモリアレイ。
- 第1の選択ゲートソースおよび選択ゲートドレインの間の電気経路に配置された第1メモリセルサブブロックと、
第2の選択ゲートソースおよび前記選択ゲートドレインの間の電気経路に配置された第2メモリセルサブブロックと
をさらに備える、請求項10に記載の3Dメモリアレイ。 - 前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは、同時に駆動される、請求項12に記載の3Dメモリアレイ。
- 前記第1メモリセルサブブロックの第1の複数のNANDストリングと、
前記第2メモリセルサブブロックの第2の複数のNANDストリングと
をさらに備え、
前記第1の複数のNANDストリングは、前記第2の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、請求項12に記載の3Dメモリアレイ。 - 前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のアクティブエリアピラーのうちの第1の対のアクティブエリアピラーの上に設けられており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のアクティブエリアピラーのうちの第2の対のアクティブエリアピラーの上に設けられている、請求項14に記載の3Dメモリアレイ。 - 前記第1の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第1のサブセットに対応しており、
前記第2の複数のNANDストリングは、前記複数のビットラインの第2のサブセットに対応しており、
前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとは、重ならないサブセットである、
請求項14に記載の3Dメモリアレイ。 - 前記第1のサブセットは、前記第2のサブセットとインタリーブされる、請求項16に記載の3Dメモリアレイ。
- 前記3Dメモリアレイは、P−BiCS(pipe-shaped bit cost scalable)メモリアレイを含む、請求項10に記載の3Dメモリアレイ。
- 前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記3Dメモリアレイはさらに、複数のメモリブロックを備え、個々のメモリブロックは、n個のサブブロックを有する、請求項10に記載の3Dメモリアレイ。 - パッケージと、
複数の入出力接続と、
前記パッケージ内に配置され、前記複数の入出力接続に電気的に連結された3Dメモリアレイと
を備える、不揮発性記憶チップ。 - 無線ネットワークにシステムを通信可能に連結する1以上のアンテナを有する通信インタフェースと、
移動通信デバイスに取り外し可能に、または永久に連結された、請求項20に記載の不揮発性記憶チップと、
前記不揮発性記憶チップのアクセス処理を制御するメモリコントローラと
を備える、前記移動通信デバイス。 - メモリアレイのメモリセルの1つのブロックのうちの、第1メモリセルサブブロックと第2メモリセルサブブロックとを同時に駆動する段階と、
前記第1メモリセルサブブロックの複数のビットラインの第1のサブセットに対応している第1の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階と、
前記第2メモリセルサブブロックの複数のビットラインの第2のサブセットに対応している第2の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階と
を備え、
前記第1メモリセルサブブロックおよび前記第2メモリセルサブブロックは隣接しており、前記第1の複数のNANDストリングは、前記第2の複数のNANDストリングに対してオフセットされている、メモリアレイを動作させる方法。 - 前記複数のビットラインの第1のピッチは、前記複数のメモリセルの、ワードラインの方向の第2のピッチ未満である、請求項22に記載のメモリアレイを動作させる方法。
- 前記第1のピッチの前記第2のピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記方法はさらに、
前記ブロックのn個のサブブロックを同時に駆動する段階を備える、請求項22に記載のメモリアレイを動作させる方法。 - 前記第1の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階、および、前記第2の複数のNANDストリングの上の複数のメモリセルにアクセスする段階は、
前記複数のビットラインの前記第1のサブセットと前記第2のサブセットとに同時にエネルギー供給する段階を有する、請求項22に記載のメモリアレイを動作させる方法。 - 通信インタフェースと、NANDメモリアレイと、システム制御論理とを備えるシステムであって、
前記通信インタフェースは、前記システムを無線ネットワークに通信可能に連結する1以上のアンテナを有し、
前記NANDメモリアレイは、前記NANDメモリアレイのワードラインの方向のセルピッチと、前記ワードラインの方向のビットラインピッチとを有し、前記セルピッチは前記ビットラインピッチと異なっており、
前記システム制御論理は、前記通信インタフェースと前記NANDメモリアレイと連結されており、前記システム制御論理は、前記通信インタフェースおよび前記NANDメモリアレイに対してデータを出し入れするための1以上のインタフェースを提供する、システム。 - ピクチャまたはビデオを取得するためのデジタルカメラを更に備え、
前記システム制御論理は、更に前記デジタルカメラに連結されており、前記デジタルカメラからデータを受信する、請求項26に記載のシステム。 - 前記セルピッチの前記ビットラインピッチに対する比率は、n:1であり、nは1より大きい整数であり、
前記NANDメモリアレイは、セルの複数のメモリブロックを含み、個々のメモリブロックが、同時に駆動されるn個のサブブロックを有する、請求項26に記載のシステム。
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