JP2014523616A - ナノ構造を含む装置及びその製造方法 - Google Patents
ナノ構造を含む装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014523616A JP2014523616A JP2014517742A JP2014517742A JP2014523616A JP 2014523616 A JP2014523616 A JP 2014523616A JP 2014517742 A JP2014517742 A JP 2014517742A JP 2014517742 A JP2014517742 A JP 2014517742A JP 2014523616 A JP2014523616 A JP 2014523616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- substrate
- layer
- insulating
- nanostructure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 20
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 6
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/7688—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by deposition over sacrificial masking layer, e.g. lift-off
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
〈導電性カーボンナノチューブフォレストの成長〉
0.5μmの酸化物層を有するシリコンウェハーを使用して、装置を組み立てた。金属、及び触媒(300nmのアルミニウム、及び1nmの鉄)を、フォトリソグラフィー、金属蒸着、及びリフトオフを使用して、パターン化した。触媒を、100sccm(標準状態において100mL/分)の水素、及び400sccm(標準状態において400mL/分)のヘリウムの流れの下、20分間、775℃でアニーリングして、触媒材料を活性化した。アニーリングの直後、サンプルを冷やす前に、同じ温度を維持しつつ、100sccm(標準状態において100mL/分)のエチレンを、30分間、石英管に導入することによって、カーボンナノチューブを成長させた。ナノ構造を成長させるために用いた処方を表1にまとめる。
―30分間、750℃において、200sccm(標準状態において200mL/分)のエチレン、80sccm(標準状態において80mL/分)の水素、150sccm(標準状態において150mL/分)のアルゴン、
―30分間、700℃において、150sccm(標準状態において150mL/分)のエチレン、400sccm(標準状態において400mL/分)の水素、200sccm(標準状態において200mL/分)のアルゴン、
―30分間、700℃において、200sccm(標準状態において200mL/分)のアセチレン、200sccm(標準状態において200mL/分)の水素、
が挙げられる。
更に、選択した材料の組合せに応じて、工程3及び4の温度を変更してもよい。
―30分間、750℃において、200sccm(標準状態において200mL/分)のエチレン、80sccm(標準状態において80mL/分)の水素、150sccm(標準状態において150mL/分)のアルゴン、
―30分間、700℃において、150sccm(標準状態において150mL/分)のエチレン、400sccm(標準状態において400mL/分)の水素、200sccm(標準状態において200mL/分)のアルゴン、
―30分間、700℃において、200sccm(標準状態において200mL/分)のアセチレン、200sccm(標準状態において200mL/分)の水素、
が挙げられる。
更に、選択した材料の組合せに応じて、工程3及び4の温度を変更してもよい。
本発明の実施形態を以下の項目1〜22に列記する。
[1]
第一の基材(201)上に配置された複数のナノ構造の集合(207)を含む前記第一の基材を含む装置(300、410〜412)の製造方法であって、前記ナノ構造の集合のそれぞれは、個々に電気的にアドレス指定可能であり、前記方法は:
第一の表面(202)を有する基材(200)を提供する工程(101)であって、前記基材は、前記基材の前記第一の表面(202)の上に配置され、前記絶縁層と前記基材との間の界面(203)を形成している絶縁性材料を含む絶縁層(210)を有する、工程と;
前記第一の基材上に複数の積層体(204)を提供する工程(102)であって、前記積層体は互いに間隔を開けて離れており、前記積層体のそれぞれは、第一の導電性材料を含む第一の導電層(205)と、前記第一の材料とは異なる第二の導電性材料を含む第二の導電層(206)とを含んでおり、前記第二の導電層は、ナノ構造の成長を触媒するために前記第一の導電層上に配置されている、工程と;
前記第一の基材上に配置された前記複数の積層体(204)を有する前記第一の基材を、前記第二の導電性材料上にナノ構造を形成可能な還元性雰囲気中で加熱する工程(103)と;
前記第一の基材上に配置された前記複数の積層体を有する前記第一の基材を、前記第二の層(206)の上にナノ構造(207)が形成されるような雰囲気中で、加熱する工程(103)と;
を含んでおり、
前記加熱する工程の間に、前記第一の導電性材料が前記絶縁性材料と相互作用して、前記積層体(204)のそれぞれの下の前記絶縁層(201)内に導電性部分(208)を形成するように、前記絶縁性材料及び前記第一の導電性材料が選択され、
前記導電性部分は、前記第一の導電性材料、及び前記絶縁性材料、並びに/又はこれらの反応付加体の混合物を含む、
方法。
[2]
前記第一の基材上に配置された前記積層体(204)を有する前記第一の基材を100℃〜1000℃の温度範囲内に加熱することによって、前記第一の基材(201)内への前記第一の材料の拡散、及び/又は前記第一の材料と前記絶縁性材料との間の化学反応を得ることができるように、前記第一の材料及び/又は前記絶縁性材料が選択される、項目1に記載の方法。
[3]
前記温度範囲が、好ましくは500℃〜1000℃、より好ましくは700℃〜900℃、及び最も好ましくは750℃〜800℃である、項目2に記載の方法。
[4]
前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれが、電気的接続接合のそれぞれによって電気的に接続可能であるように、前記導電性部分(208)が、前記絶縁層(201)を通って形成された経路である、項目1〜3のいずれか一項に記載の方法。
[5]
前記方法が、前記導電性部分(208)の一つひとつによって、前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成された、接続構造体(210)を提供する工程を更に含む、項目1〜4のいずれか一項に記載の方法。
[6]
前記方法が、前記導電性部分(208)の一つひとつによって、前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成された、接続構造体(210)を含む第二の基材(209)を提供する工程(104)を更に含む、項目1〜4のいずれか一項に記載の方法。
[7]
前記積層体が、前記第二の層と前記第一の層との間に配置された中間層を含んでおり、前記中間層は導電性材料及び/又は半導性材料を含んでおり、前記中間層のそれぞれは電源又は検出装置へと電気的に接続可能であり、それによって、ナノ構造の集合のそれぞれに、第二の個々にアドレス指定可能な電気的接続を提供する、項目1〜6のいずれか一項に記載の方法。
[8]
前記第一の導電性材料が金属を含む、項目1〜7のいずれか一項に記載の方法。
[9]
前記第一の導電性材料が、Al又はAuを含む、項目1〜8のいずれか一項に記載の方法。
[10]
前記絶縁性材料が、SiO 2 、Si 3 N 4 、及び石英の少なくとも一つを含む、項目1〜9のいずれか一項に記載の方法。
[11]
個々にアドレス指定可能なナノ構造の集合(207)を有する装置(300、410〜412)であって、
第一の表面(202)と、絶縁性材料を含み、基材の前記第一の表面(202)上に配置された絶縁層(201)とを有する基材(200)と;
絶縁層内の、絶縁性材料と導電性材料との間の反応によって形成された複数の導電性部分(208)であって、互いに間隔を開けて離れている複数の導電性部分と;
導電性部分(208)のそれぞれが、ナノ構造の集合の一つひとつと電気的に接続するように、導電性部分のそれぞれの上に配置された、ナノ構造の集合と;
絶縁層の下にある接続構造体(210)であって、電源又は検出装置へと接続可能であり、前記導電性部分のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成されており、これによって、ナノ構造の集合のそれぞれを個々にアドレス指定可能にしている、接続構造体と、
を含む装置。
[12]
前記装置が、前記第一の基材(200)の下に第二の基材(209)を含んでおり、前記第二の基材は、前記接続構造体(210)を含む、項目11に記載の装置(300、410〜412)。
[13]
前記接続構造体が、導電性材料及び/又は半導性材料を含む複数のウェル(210)を含んでおり、前記ウェルは電源又は検出装置へと電気的に接続可能であり、ウェルのそれぞれは、前記導電性部分のそれぞれに前記第一の電気的接続を提供する、項目11又は12のいずれかに記載の装置(300、410〜412)。
[14]
前記導電性部分が、前記第一の基材の前記第一の表面から第二の表面まで延在する経路であって、これによって、前記第一の電気的接続が、前記導電性部分と前記接続構造体との間の直接の電気的接続である、項目11〜13のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[15]
前記導電性部分が、前記第一の基材(200)と前記絶縁層(201)との間の界面(203)から分離するように、前記導電性部分(208)が、前記第一の表面(202)から所望の深さまで、前記第一の基材(200)内へと延在しており、これによって、前記導電性部分のそれぞれへの前記第一の電気的接続が、容量性及び/又は誘導性の電気的接続に相当する、項目11〜13のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[16]
前記装置が、前記ナノ構造の集合(207)と前記導電性部分(208)との間に、導電性及び/又は半導性の中間層(402、403)を含んでおり、ナノ構造の集合のそれぞれに、第二の個々にアドレス指定可能な電気的接続を提供している、項目11〜15のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[17]
前記装置が、前記導電性部分(208)から直流的に絶縁しており、前記導電性部分に容量接続を提供している、導電性及び/又は半導性の、第二の中間層を含む、項目11〜16のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[18]
前記ナノ構造が、第一の基材(200)に対して実質的に垂直に整列した、項目11〜17のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[19]
前記絶縁性材料が、SiO 2 、又はSi 3 N 4 の少なくとも一つを含む、項目11〜18のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[20]
前記導電性材料が、Al又はAuを含む、項目11〜19のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[21]
前記導電性材料がAlを含み、前記絶縁性材料がSiO 2 を含む、項目11〜20のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
[22]
前記導電性部分が、少なくとも一つの整流接合を含む、項目11〜20のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
Claims (22)
- 第一の基材(201)上に配置された複数のナノ構造の集合(207)を含む前記第一の基材を含む装置(300、410〜412)の製造方法であって、前記ナノ構造の集合のそれぞれは、個々に電気的にアドレス指定可能であり、前記方法は:
第一の表面(202)を有する基材(200)を提供する工程(101)であって、前記基材は、前記基材の前記第一の表面(202)の上に配置され、前記絶縁層と前記基材との間の界面(203)を形成している絶縁性材料を含む絶縁層(210)を有する、工程と;
前記第一の基材上に複数の積層体(204)を提供する工程(102)であって、前記積層体は互いに間隔を開けて離れており、前記積層体のそれぞれは、第一の導電性材料を含む第一の導電層(205)と、前記第一の材料とは異なる第二の導電性材料を含む第二の導電層(206)とを含んでおり、前記第二の導電層は、ナノ構造の成長を触媒するために前記第一の導電層上に配置されている、工程と;
前記第一の基材上に配置された前記複数の積層体(204)を有する前記第一の基材を、前記第二の導電性材料上にナノ構造を形成可能な還元性雰囲気中で加熱する工程(103)と;
前記第一の基材上に配置された前記複数の積層体を有する前記第一の基材を、前記第二の層(206)の上にナノ構造(207)が形成されるような雰囲気中で、加熱する工程(103)と;
を含んでおり、
前記加熱する工程の間に、前記第一の導電性材料が前記絶縁性材料と相互作用して、前記積層体(204)のそれぞれの下の前記絶縁層(201)内に導電性部分(208)を形成するように、前記絶縁性材料及び前記第一の導電性材料が選択され、
前記導電性部分は、前記第一の導電性材料、及び前記絶縁性材料、並びに/又はこれらの反応付加体の混合物を含む、
方法。 - 前記第一の基材上に配置された前記積層体(204)を有する前記第一の基材を100℃〜1000℃の温度範囲内に加熱することによって、前記第一の基材(201)内への前記第一の材料の拡散、及び/又は前記第一の材料と前記絶縁性材料との間の化学反応を得ることができるように、前記第一の材料及び/又は前記絶縁性材料が選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記温度範囲が、好ましくは500℃〜1000℃、より好ましくは700℃〜900℃、及び最も好ましくは750℃〜800℃である、請求項2に記載の方法。
- 前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれが、電気的接続接合のそれぞれによって電気的に接続可能であるように、前記導電性部分(208)が、前記絶縁層(201)を通って形成された経路である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法が、前記導電性部分(208)の一つひとつによって、前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成された、接続構造体(210)を提供する工程を更に含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法が、前記導電性部分(208)の一つひとつによって、前記ナノ構造の集合(207)のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成された、接続構造体(210)を含む第二の基材(209)を提供する工程(104)を更に含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記積層体が、前記第二の層と前記第一の層との間に配置された中間層を含んでおり、前記中間層は導電性材料及び/又は半導性材料を含んでおり、前記中間層のそれぞれは電源又は検出装置へと電気的に接続可能であり、それによって、ナノ構造の集合のそれぞれに、第二の個々にアドレス指定可能な電気的接続を提供する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一の導電性材料が金属を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一の導電性材料が、Al又はAuを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記絶縁性材料が、SiO2、Si3N4、及び石英の少なくとも一つを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 個々にアドレス指定可能なナノ構造の集合(207)を有する装置(300、410〜412)であって、
第一の表面(202)と、絶縁性材料を含み、基材の前記第一の表面(202)上に配置された絶縁層(201)とを有する基材(200)と;
絶縁層内の、絶縁性材料と導電性材料との間の反応によって形成された複数の導電性部分(208)であって、互いに間隔を開けて離れている複数の導電性部分と;
導電性部分(208)のそれぞれが、ナノ構造の集合の一つひとつと電気的に接続するように、導電性部分のそれぞれの上に配置された、ナノ構造の集合と;
絶縁層の下にある接続構造体(210)であって、電源又は検出装置へと接続可能であり、前記導電性部分のそれぞれに第一の電気的接続を提供するよう構成されており、これによって、ナノ構造の集合のそれぞれを個々にアドレス指定可能にしている、接続構造体と、
を含む装置。 - 前記装置が、前記第一の基材(200)の下に第二の基材(209)を含んでおり、前記第二の基材は、前記接続構造体(210)を含む、請求項11に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記接続構造体が、導電性材料及び/又は半導性材料を含む複数のウェル(210)を含んでおり、前記ウェルは電源又は検出装置へと電気的に接続可能であり、ウェルのそれぞれは、前記導電性部分のそれぞれに前記第一の電気的接続を提供する、請求項11又は12のいずれかに記載の装置(300、410〜412)。
- 前記導電性部分が、前記第一の基材の前記第一の表面から第二の表面まで延在する経路であって、これによって、前記第一の電気的接続が、前記導電性部分と前記接続構造体との間の直接の電気的接続である、請求項11〜13のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記導電性部分が、前記第一の基材(200)と前記絶縁層(201)との間の界面(203)から分離するように、前記導電性部分(208)が、前記第一の表面(202)から所望の深さまで、前記第一の基材(200)内へと延在しており、これによって、前記導電性部分のそれぞれへの前記第一の電気的接続が、容量性及び/又は誘導性の電気的接続に相当する、請求項11〜13のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記装置が、前記ナノ構造の集合(207)と前記導電性部分(208)との間に、導電性及び/又は半導性の中間層(402、403)を含んでおり、ナノ構造の集合のそれぞれに、第二の個々にアドレス指定可能な電気的接続を提供している、請求項11〜15のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記装置が、前記導電性部分(208)から直流的に絶縁しており、前記導電性部分に容量接続を提供している、導電性及び/又は半導性の、第二の中間層を含む、請求項11〜16のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記ナノ構造が、第一の基材(200)に対して実質的に垂直に整列した、請求項11〜17のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記絶縁性材料が、SiO2、又はSi3N4の少なくとも一つを含む、請求項11〜18のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記導電性材料が、Al又はAuを含む、請求項11〜19のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記導電性材料がAlを含み、前記絶縁性材料がSiO2を含む、請求項11〜20のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
- 前記導電性部分が、少なくとも一つの整流接合を含む、請求項11〜20のいずれか一項に記載の装置(300、410〜412)。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161502341P | 2011-06-29 | 2011-06-29 | |
EP11171883A EP2541581A1 (en) | 2011-06-29 | 2011-06-29 | Device comprising nanostructures and method of manufacturing thereof |
EP11171883.9 | 2011-06-29 | ||
US61/502,341 | 2011-06-29 | ||
PCT/EP2012/062744 WO2013001076A1 (en) | 2011-06-29 | 2012-06-29 | Device comprising nanostructures and method of manufacturing thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014523616A true JP2014523616A (ja) | 2014-09-11 |
JP6158798B2 JP6158798B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=44741788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014517742A Active JP6158798B2 (ja) | 2011-06-29 | 2012-06-29 | ナノ構造を含む装置及びその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10141261B2 (ja) |
EP (2) | EP2541581A1 (ja) |
JP (1) | JP6158798B2 (ja) |
KR (1) | KR101964391B1 (ja) |
CN (1) | CN103650093B (ja) |
AU (1) | AU2012277795B2 (ja) |
CA (1) | CA2840121C (ja) |
WO (1) | WO2013001076A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190034139A (ko) * | 2016-03-30 | 2019-04-01 | 와카스 칼리드 | 전기화학 감지, 정전용량 감지 및 전계 방출 감지를 위한 나노구조 어레이 기반의 센서들 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112242277B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-18 | 清华大学 | 场发射中和器 |
CN112242279B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-18 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制备方法 |
CN112242276B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-22 | 清华大学 | 场发射中和器 |
US11298564B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-04-12 | Dennis M. Anderson | Medical, surgical and patient lighting apparatus, system, method and controls with pathogen killing electromagnetic radiation |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63216233A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Canon Inc | 電子放出方法及び電子放出装置 |
JPH0567426A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Sharp Corp | 電界放出型電子源 |
JP2001162600A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-06-19 | Canon Inc | 細孔を有する構造体、細孔を有する構造体の製造方法並びに前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
JP2005324325A (ja) * | 1998-03-27 | 2005-11-24 | Canon Inc | ナノ構造体、電子放出素子及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法 |
JP2006255817A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sonac Kk | 金属構造およびその製造方法 |
JP2008538854A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-06 | スモルテック エービー | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2008546146A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-18 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ナノ構造物の製造方法 |
US20090169464A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | National Taiwan University | Method for producing carbon nanocoils |
JP2011517366A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-06-02 | スモルテック アーベー | ナノ構造処理のための導電性補助層の形成及び選択的除去 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5581091A (en) * | 1994-12-01 | 1996-12-03 | Moskovits; Martin | Nanoelectric devices |
JP3902883B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-04-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
US6232706B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same |
US7084507B2 (en) * | 2001-05-02 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Integrated circuit device and method of producing the same |
JP4683188B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2011-05-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20040152240A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Carlos Dangelo | Method and apparatus for the use of self-assembled nanowires for the removal of heat from integrated circuits |
KR100982419B1 (ko) * | 2003-05-01 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및이 방법에 의해 제조된 반도체 소자 |
US20050116336A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-06-02 | Koila, Inc. | Nano-composite materials for thermal management applications |
CN100444338C (zh) * | 2003-12-22 | 2008-12-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 |
US7345296B2 (en) * | 2004-09-16 | 2008-03-18 | Atomate Corporation | Nanotube transistor and rectifying devices |
WO2006120789A1 (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Public University Corporation, Osaka Prefecture University | 触媒によるカーボンナノチューブの製造方法、電界放出電子源の製造方法、電界放出電子源及び電界放出型ディスプレイ |
US20070148963A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Semiconductor devices incorporating carbon nanotubes and composites thereof |
EP2074660A1 (en) * | 2006-09-04 | 2009-07-01 | Nxp B.V. | Control of carbon nanostructure growth in an interconnect structure |
US9487877B2 (en) * | 2007-02-01 | 2016-11-08 | Purdue Research Foundation | Contact metallization of carbon nanotubes |
EP2329502B1 (en) * | 2008-09-29 | 2014-09-17 | Wentworth Laboratories, Inc. | Methods of fabricating nanotube probes |
FR2942738B1 (fr) * | 2009-03-03 | 2016-04-15 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression |
US8912522B2 (en) * | 2009-08-26 | 2014-12-16 | University Of Maryland | Nanodevice arrays for electrical energy storage, capture and management and method for their formation |
JP5439120B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102022266B1 (ko) * | 2013-01-29 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 제조방법 |
KR102326519B1 (ko) * | 2017-06-20 | 2021-11-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
-
2011
- 2011-06-29 EP EP11171883A patent/EP2541581A1/en not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-06-29 AU AU2012277795A patent/AU2012277795B2/en active Active
- 2012-06-29 US US14/129,373 patent/US10141261B2/en active Active
- 2012-06-29 CA CA2840121A patent/CA2840121C/en active Active
- 2012-06-29 JP JP2014517742A patent/JP6158798B2/ja active Active
- 2012-06-29 KR KR1020147001970A patent/KR101964391B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-29 WO PCT/EP2012/062744 patent/WO2013001076A1/en active Application Filing
- 2012-06-29 CN CN201280031224.8A patent/CN103650093B/zh active Active
- 2012-06-29 EP EP12730566.2A patent/EP2727127B1/en active Active
-
2018
- 2018-10-18 US US16/164,476 patent/US10483206B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63216233A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Canon Inc | 電子放出方法及び電子放出装置 |
JPH0567426A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Sharp Corp | 電界放出型電子源 |
JP2005324325A (ja) * | 1998-03-27 | 2005-11-24 | Canon Inc | ナノ構造体、電子放出素子及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法 |
JP2001162600A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-06-19 | Canon Inc | 細孔を有する構造体、細孔を有する構造体の製造方法並びに前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
JP2006255817A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sonac Kk | 金属構造およびその製造方法 |
JP2008538854A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-06 | スモルテック エービー | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2008546146A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-18 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ナノ構造物の製造方法 |
US20090169464A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | National Taiwan University | Method for producing carbon nanocoils |
JP2011517366A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-06-02 | スモルテック アーベー | ナノ構造処理のための導電性補助層の形成及び選択的除去 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190034139A (ko) * | 2016-03-30 | 2019-04-01 | 와카스 칼리드 | 전기화학 감지, 정전용량 감지 및 전계 방출 감지를 위한 나노구조 어레이 기반의 센서들 |
JP2019514022A (ja) * | 2016-03-30 | 2019-05-30 | カリード,ワカス | 電気化学検出、容量検出、および電界放出検出のためのナノ構造アレイベースのセンサ |
JP7055126B2 (ja) | 2016-03-30 | 2022-04-15 | カリード,ワカス | 電気化学検出、容量検出、および電界放出検出のためのナノ構造アレイベースのセンサ |
JP2022062087A (ja) * | 2016-03-30 | 2022-04-19 | カリード,ワカス | 電気化学検出、容量検出、および電界放出検出のためのナノ構造アレイベースのセンサ |
KR102533531B1 (ko) | 2016-03-30 | 2023-05-18 | 와카스 칼리드 | 전기화학 감지, 정전용량 감지 및 전계 방출 감지를 위한 나노구조 어레이 기반의 센서들 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2012277795A1 (en) | 2014-01-16 |
CN103650093B (zh) | 2016-08-17 |
AU2012277795B2 (en) | 2016-10-13 |
CN103650093A (zh) | 2014-03-19 |
CA2840121A1 (en) | 2013-01-03 |
KR20140061358A (ko) | 2014-05-21 |
US20190259706A1 (en) | 2019-08-22 |
EP2727127B1 (en) | 2017-04-19 |
US10483206B2 (en) | 2019-11-19 |
EP2541581A1 (en) | 2013-01-02 |
EP2727127A1 (en) | 2014-05-07 |
KR101964391B1 (ko) | 2019-04-01 |
CA2840121C (en) | 2018-06-19 |
WO2013001076A1 (en) | 2013-01-03 |
AU2012277795A2 (en) | 2014-01-23 |
US20140217473A1 (en) | 2014-08-07 |
US10141261B2 (en) | 2018-11-27 |
JP6158798B2 (ja) | 2017-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10483206B2 (en) | Device comprising nanostructures and method of manufacturing thereof | |
US7976815B2 (en) | Shape controlled growth of nanostructured films and objects | |
JP4970038B2 (ja) | ナノスケール繊維構造の合成方法およびその繊維構造を含む電子機器コンポーネント | |
US6764874B1 (en) | Method for chemical vapor deposition of single walled carbon nanotubes | |
US6689674B2 (en) | Method for selective chemical vapor deposition of nanotubes | |
JP5329800B2 (ja) | 触媒ナノ粒子の制御および選択的な形成 | |
JPH11194134A (ja) | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 | |
JP5872672B2 (ja) | SiNWアレイ上垂直配向型CNTの無触媒合成 | |
JP2006052122A (ja) | 炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法 | |
JP2007534508A (ja) | ナノ構造及びそのようなナノ構造の製造方法 | |
Chang et al. | Iron and cobalt silicide catalysts-assisted carbon nanostructures on the patterned Si substrates | |
US7932510B2 (en) | Carbon nanotube grown on catalyst and manufacture method | |
JP2006339110A (ja) | ナノ構造体群を用いた電子素子およびその製造方法 | |
WO2009016546A2 (en) | Nanostructures and method for making them | |
JP4664098B2 (ja) | 配列カーボンナノチューブの製造方法 | |
JP4850900B2 (ja) | カーボンナノチューブの生成方法 | |
JP5347340B2 (ja) | 共鳴トンネルダイオードの製法 | |
KR101296957B1 (ko) | 질소 원자가 도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 다이오드 | |
Lee et al. | Selective lateral nano-bridging of carbon nanowire between catalytic contact electrodes | |
JP2013170101A (ja) | ナノワイヤ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160610 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6158798 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |