JP2014515866A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 導電性カソードおよび導電性アノードを有し、これらのカソードおよびアノードは、これらの間にギャップを形成すべく互いに間隔を隔てて配置され、少なくとも一部が前記ギャップ内に配置されかつ使用時にガスが前記ギャップを通って流れることを可能にするチャネルを備えた金属渦巻きブシュと、カソードと渦巻きブシュとの間およびアノードと渦巻きブシュとの間のいずれか一方または両方に介在されたセラミック要素とを更に有することを特徴とするＤＣプラズマトーチ。
2. 前記セラミック要素は、渦巻きブシュのセラミックコーティングからなることを特徴とする請求項１記載のＤＣプラズマトーチ。
3. 前記セラミックコーティングは、絶縁性酸化物からなることを特徴とする請求項２記載のＤＣプラズマトーチ。
4. 前記酸化物は、金属渦巻きブシュの下地金属の表面を酸化させることにより形成されることを特徴とする請求項３記載のＤＣプラズマトーチ。
5. 前記セラミックコーティングは、金属の基準表面より内方に延びている内方成長部分と、金属の基準表面より外方に延びている外方成長部分とからなることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項記載のＤＣプラズマトーチ。
6. 前記セラミックコーティングは、金属渦巻きブシュの金属を、プラズマ電解酸化することにより形成されることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項記載のＤＣプラズマトーチ。
7. 前記セラミックコーティングは、ケロナイト法により形成されることを特徴とする請求項６記載のＤＣプラズマトーチ。
8. 前記セラミック要素は別体のセラミック要素からなることを特徴とする請求項１記載のＤＣプラズマトーチ。
9. 前記別体のセラミック要素は、ホウケイ酸ガラスマトリックスの蛍光金雲母からなることを特徴とする請求項８記載のＤＣプラズマトーチ。
10. 前記カソードおよびアノードの一方はほぼ円筒状の本体部分を有し、カソードおよびアノードの他方はほぼ管状の部分を有し、カソードおよびアノードの前記一方は、その少なくとも一部が、カソードおよびアノードの前記他方内に該他方から間隔を隔てて重なり合わせられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載のＤＣプラズマトーチ。
11. 前記ほぼ管状の部分の内部の幾何学的形状は、内方にテーパした截頭円錐状の第１部分を有し、該第１部分は、実質的に平行な側面を備えた第２のど部に導かれていることを特徴とする請求項１０記載のＤＣプラズマトーチ。
12. 前記内方にテーパした截頭円錐状の第１部分は、別体のセラミックインサートを受入れるためのほぼ平行な側面を備えた凹部からなることを特徴とする、請求項８に従属した場合に請求項１１に従属するＤＣプラズマトーチ。
13. 前記別体のセラミックインサートは、平行側面を備えた凹部の形状および寸法と実質的に同じ形状および寸法を有する外面と、渦巻きブシュの外面と実質的に同じテーパ状内面とを有することを特徴とする請求項１２記載のＤＣプラズマトーチ。
14. 前記実質的に平行な側面を備えたのど部は、外方にテーパした截頭円錐状の第３部分に導かれていることを特徴とする請求項１１記載のＤＣプラズマトーチ。
15. 前記ほぼ円筒状の本体部分は、ボタン電極を更に有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項記載のＤＣプラズマトーチ。
16. 前記ほぼ円筒状の本体部分は、ボタン電極の熱伝導率および作動機能よりも高い熱伝導率および作動機能を有する金属で形成されていることを特徴とする請求項１５記載のＤＣプラズマトーチ。
17. 前記ボタン電極は、熱電子材料で形成されていることを特徴とする請求項１５または１６記載のＤＣプラズマトーチ。
18. 前記ほぼ円筒状の本体部分は銅からなり、ボタン電極はハフニウムからなることを特徴とする請求項１５記載のＤＣプラズマトーチ。
19. 前記渦巻きブシュの少なくとも１つのチャネルは、トーチを通って流れるガスの運動量に回転成分を伝達することができることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項記載のＤＣプラズマトーチ。
20. 請求項２〜７のいずれか１項記載のセラミック層を有することを特徴とする渦巻きブシュ。