JP2014513485A - 事前充電式容量性デジタル‐アナログ変換器 - Google Patents

事前充電式容量性デジタル‐アナログ変換器 Download PDF

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Abstract

本開示の実施形態は、従来の外部基準電圧を使用してコンデンサを充電する代わりに、複数のコンデンサの対の間で電荷を共有することによって、DAC出力を提供する2組のコンデンサを含む電荷再分配型DACを提供し得る。電荷再分配型DACは、各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、第1のスイッチの群と、第2のスイッチの群とを備え得る。各第1または第2のスイッチは、DAC入力ワードに従って、それぞれの第1または第2のコンデンサの第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する。電荷再分配型DACは、対になった第1および第2のコンデンサの第2の側面の間に各々が接続されるブリッジスイッチの群をさらに備え得る。

Description

本発明は、シグナルプロセッサに関するものであり、より詳細には、完全にICチップ上で電荷の再分配を行うことができる電荷再分配型デジタル‐アナログ変換器(DAC)に関するものである。
電荷再分配型DACは、現代の集積回路において、特に、スイッチドコンデンサCMOS設計において一般的である。それらは、例えばパイプラインおよび逐次近似(SAR)ADCなどのアナログ‐デジタル(ADC)アーキテクチャを含む多くの使用用途がある。用途に応じて、主要性能メトリクスは、DACの直線性およびそれの整定速度であり得る。
例示的な3ビット電荷再分配型DAC100が図1Aおよび1Bに示される。DAC100は、それぞれ1C、1C、2Cおよび4Cのキャパシタンスを有する終端コンデンサ102と一連のバイナリ重み付けコンデンサ104.1、104.2および104.3とから構成される。DAC100は、2段階で動作し得る。第1段階中、図1Aに示すように、スイッチ108は、DAC出力を共通モード電圧VCMに接続するために閉鎖され、コンデンサ104.1〜104.3の全ては、スイッチ106.1〜106.3によってそれぞれアースGNDに接続される。したがって、DAC出力は、第1段階中、VCMに維持される。
第2段階中、スイッチ108は、開放され、DAC出力は、DACコンデンサ104.1〜104.3および終端コンデンサ102によって生成される。第2段階では、DAC入力ワード(3ビットバイナリデジタルワード)の各ビットは、スイッチ106.1、106.2、および106.3のそれぞれのスイッチを制御して、コンデンサ104.1〜104.3のそれぞれのコンデンサを、基準電圧VREFまたはアースGNDのいずれかに接続する。典型的に、デジタルの「1」は、基準電圧VREFに接続するために対応するスイッチを制御し、デジタルの「0」は、GNDに接続するために対応するスイッチを制御する。DAC出力は、Vout=VCM+VREF*Cselected/Ctotalの方程式によって決定され、式中、Cselectedは、基準電圧VREFに接続するためにDACワードによって選択されたキャパシタンスの量であり、Ctotalは、DAC100における全キャパシタンスの合計である。例えば、図1Bに示すように、DAC入力ワードが110である場合、コンデンサ104.2および104.3は、スイッチ106.2および106.3を基準電圧VREFに接続することによって選択され、スイッチ106.1はコンデンサ104.1をアースGNDに接続する。出力は、Vout=VCM+VREF*(4C+2C)/(4C+2C+1C+1C)=VCM+6/8*VREFとなる。
基準電圧VREFおよびアースGNDは、それらに関連付けられる寄生インダクタンス(寄生性)(例えば、LPAR1およびLPAR2)を有する。DACコンデンサのいずれか1つがVREFからGNDに(またはその逆に)スイッチングすると、DAC出力における電圧は、DAC100の寄生性およびキャパシタンスの特徴に応じて、いくらかの期間にわたってリンギング(ring)することになる。典型的な集積回路において、リンギング現象はDACが駆動され得る周波数を制限する。
それゆえに、高速では、DACの性能は寄生インダクタンスによって制限されることが多い。したがって、特にSAR ADC用途について、電荷再分配型DACが整定する速度を向上する必要性がある。
特許請求の範囲に記載の手段によって課題を解決する。
従来の電荷再分配型DACを示す図である。 従来の電荷再分配型DACを示す図である。 本発明の一実施形態に従う電荷再分配型DACを示す図である。 本発明の一実施形態に従う動作中の図2Aの電荷再分配型DACを示す図である。 本発明の一実施形態に従う動作中の図2Aの電荷再分配型DACを示す図である。 本発明の別の実施形態に従う電荷再分配型DACを示す図である。 本発明の別の実施形態に従う電荷再分配型DACを示す図である。 本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACを含むSAR ADCを示す図である。 本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACのプロセスを示す図である。 本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACの別の実施形態における対のDACコンデンサを示す図である。 本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACの別の実施形態における対のDACコンデンサを示す図である。
本開示の実施形態は、従来の外部基準電圧を使用してコンデンサを充電する代わりに、複数のコンデンサの対の間で電荷を共有することによって、DAC出力を提供する2組のコンデンサを含む電荷再分配型DACを提供し得る。電荷再分配型DACは、各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、第1のスイッチの群と、第2のスイッチの群とを備え得る。各第1または第2のスイッチは、DAC入力ワードに従って、それぞれの第1または第2のコンデンサの第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する。電荷再分配型DACは、対になった第1および第2のコンデンサの第2の側面の間に各々が接続されるブリッジスイッチの群をさらに備え得る。
本発明の別の実施形態は、デジタル‐アナログ変換器(DAC)のデジタル‐アナログ出力を生成するための方法を提供し得る。本方法は、複数の第1および第2のコンデンサの対の第1の側面を共通モード電圧に接続することと、第1のコンデンサまたは第2のコンデンサのうちの各々の第2の側面に対して第1または第2の外部基準電圧をサンプリングすることとを含み得る。本方法は、複数の第1および第2のコンデンサの対の第1の側面を共通モード電圧から切断することと、DAC入力ワードに従って、第1および第2のコンデンサの第1の側面を第1または第2の信号線に接続することとをさらに含み得る。また、本方法は、第1および第2のコンデンサの第2の側面を第1および第2の外部基準電圧から切断することと、対の前記第1および第2の組のコンデンサの第2の側面をそれぞれ短絡させることとを含み得る。
図2Aは、本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DAC200を示す。電荷再分配型DAC200は、NビットDAC(例えば、Nは、1より大きい整数である)であり得る。DAC200は、2組のバイナリ重み付けコンデンサ202.1〜202.N(例えば、第1のコンデンサ)および204.1〜204.N(例えば、第2のコンデンサ)を備え得る。したがって、DAC200は、DAC200が支持するビット位置毎に対のコンデンサ(例えば、202.1および204.1)を含む。DAC200は、複数のスイッチ222.1〜222.Nおよび224.1〜224.Nをさらに含み得、これらのスイッチは、コンデンサ202.1〜202.Nおよび204.1〜204.Nの第1のプレートを共通モード電圧VCMに選択的に連結する。DAC200は、出力スイッチ206.1〜206.Nおよび208.1〜208.Nをさらに含み得、これらのスイッチは、コンデンサ202.1〜202.Nおよび204.1〜204.Nの第1のプレートを、DAC200の正極出力端子210.1または負極出力端子210.2のいずれかに選択的に連結する。また、DAC200は、入力スイッチ212.1〜212.Nおよび214.1〜214.Nの組も含み得、これらのスイッチは、コンデンサの第2のプレートを、対の基準電圧源VREF1、VREF2のうちの1つに選択的に連結する。さらに、DAC200は、対のコンデンサ(例えば、202.1および204.1)の第2のプレートを一緒に選択的に短絡させるために、各ビット位置にブリッジスイッチ216.1〜216.Nを含み得る。一実施形態では、電荷再分配型DAC200のこれらの構成要素の全ては、共通のICチップ230上(例えば、同一のダイ上)で一体型であることができる。
DACは、終端コンデンサと呼ばれる追加の対のコンデンサ218.1、218.2をさらに含み得、これらのコンデンサは、最下位ビット位置で使用されるコンデンサに一致するキャパシタンスCを有する。また、DACは、対のスイッチ220.1および220.2を含み得、これらのスイッチは、共通モード電圧源VCMを出力端子210.1、210.2から選択的に係合または係脱する。
出力スイッチ206.1〜206.Nおよび208.1〜208.Nは、DAC入力ワードによって制御され得る。DAC入力ワードは、Nビットバイナリデジタルワードであり得、各ビットが、対のスイッチ(例えば、206.1および208.1、206.Nおよび208.N)をそれぞれ制御する。一実施形態では、各対のDACコンデンサは、DAC入力ワードのそれぞれのビットによって制御され得る。例えば、各組のバイナリ重み付けコンデンサ202.1〜202.Nおよび204.1〜204.Nは、2C、2C、・・・および2N−1Cのキャパシタンスをそれぞれ有し得る。対のコンデンサ202.1および204.1の各々は、単位キャパシタンス(例えば、1C)を有し、かつLSBに対応してもよく、ゆえに、スイッチ206.1および208.1は、DAC入力ワードの最下位ビット(LSB)によって制御され得る。対のコンデンサ202.Nおよび204.Nの各々は、2N−1単位キャパシタンスを有し、かつ最上位ビット(MSB)に対応してもよく、ゆえに、スイッチ206.Nおよび208.N8は、DAC入力ワードの最上位ビット(MSB)によって制御され得る。一実施形態では、単位キャパシタンスは、任意の適切なキャパシタンス値を有し得る。
図2Bおよび2Cは、本発明の一例示的実施形態に従う、2つの異なる段階において作動する電荷再分配型DAC200を示す。図2Bは、第1の段階(例えば、サンプル段階)で作動する電荷再分配型DAC200を示す。動作の第1の段階中、例えば、サンプル段階中、対のスイッチ208.1および208.2は、閉鎖され得、2つの出力端子210.1、210.2は、共通モード電圧VCMに連結され得る。全てのDACコンデンサ202.1〜202.Nおよび204.1〜204.Nの第1のプレートは、スイッチ222.1〜222.Nおよび224.1〜224.Nによって、共通モード電圧VCMに電気的に接続され得る。一方、第1の組のバイナリ重み付けコンデンサ202.1〜202.Nの第2の側面は、スイッチ212.1〜212.Nによって、第1の基準電圧VREF1に電気的に接続され得、第2の組のバイナリ重み付けコンデンサ204.1〜204.Nの第2の側面は、スイッチ214.1〜214.Nによって、第2の基準電圧VREF2に電気的に接続され得る。この段階中、第1の組のバイナリ重み付けコンデンサ202.1〜202.Nの第2の側面(例えば、バックプレート)は、VREF1に充電され、第2の組のバイナリ重み付けコンデンサ204.1〜204.Nの第2の側面(例えば、バックプレート)は、VREF2に充電される。
図2Cは、第2の段階(例えば、DAC段階)で作動する電荷再分配型DAC200を示す。動作の第2の段階中、スイッチ220.1および220.2は、DAC出力端子210.1、210.2を共通モード電圧VCMから切断するために開放された状態であり得る。各対のDACコンデンサ(例えば、202.1および204.1、・・・202.Nおよび204.N)の第2の側面は、ブリッジスイッチ216.1〜216.Nを閉鎖することによって、一緒に電気的に短絡し得る。DACコンデンサの第2の側面における電圧レベルは、(VREF1+VREF2)/2であり得る。スイッチ222.1〜222.Nおよび224.1〜224.Nは、DACコンデンサの第1の側面をVCMから切断するために開放され得る。代わりに、各対のDACコンデンサ(例えば、202.1および204.1、・・・、202.Nおよび204.N)の第1の側面は、対応するスイッチ206.1〜206.1および208.1〜208.Nを介して、DAC入力ワードにより決定される方式で、DAC出力端子210.1,210.2に電気的に接続され得る。DAC出力は、Vout=Vout+−Vout−=2*(VREF1+VREF2)*(Cselected/Ctotal−0.5)の方程式によって決定され得、式中、Cselectedは第1の電圧基準VREF1に事前充電され、次いで第1のDAC正極出力端子210.1に接続される全キャパシタンスである。Ctotalは、1組のバイナリ重み付けコンデンサ202.1〜202.N(または204.1〜204.N)の全キャパシタンスであり得る。
動作の第2の段階中、DAC入力ワードのビットが「1」である場合、対応する第1のコンデンサの第1の側面は、正極出力端子210.1に連結され得、対応する第2のコンデンサの第1の側面は、負極出力端子210.2に連結され得る。対照的に、DAC入力ワードのビットが「0」である場合、対応する第1のコンデンサの第1の側面は、負極出力端子210.2に連結され得、対応する第2のコンデンサの第1の側面は、正極出力端子210.1に連結され得る。図2Cに示す例では、入力ワードは、MSBが1であり、最後の2つのLSBが0である「1・・・00」であり得る。
図2Dは、本発明の別の実施形態に従う電荷再分配型DAC200Aを示す。電荷再分配型DAC200Aは、電荷再分配型DAC200の差動実装とは対照的に、シングルエンド実装であり得る。つまり、電荷再分配型DAC200Aは、電荷再分配型DAC200の正極出力端子210.1と同様であり得る単一の出力端子210を有してもよい(電荷再分配型DAC200の負極出力端子210.2は破棄され得る)。電荷再分配型DAC200Aは、全ての他の態様において、電荷再分配型DAC200と同一であり得る。
図3は、本発明の別の実施形態に従う、電荷再分配型DAC300を示す。電荷再分配型DAC300は、第1のコンデンサ302.1〜302.Mの組と、第2のコンデンサ304.1〜304.Mの組(数字のMは、2−1に等しくなり得る)とを含むNビットDACであり得る。したがって、DAC300は、M個の対の第1および第2のコンデンサ(例えば、302.1および304.1、・・・、302.Mおよび304.M)を含む。DACは、追加の対の終端コンデンサ318.1、318.2をさらに含み得、これらのコンデンサは、コンデンサ302.1〜302.Mおよび304.1〜304.Mの各々のキャパシタンスに一致するキャパシタンスCを有する。一実施形態では、コンデンサ318.1、318.2、302.1〜302.M、および304.1〜304.Mの各々は、単位キャパシタンスを有し得る。
DAC300は、複数のスイッチ322.1〜322.Mおよび324.1〜324.Mをさらに含み得、これらのスイッチは、コンデンサ302.1〜302.Mおよび304.1〜304.Mの第1のプレートを共通モード電圧VCMに選択的に連結する。DAC300は、出力スイッチ306.1〜306.Mおよび308.1〜308.Mをさらに含み得、これらのスイッチは、コンデンサ302.1〜302.Mおよび304.1〜304.Mの第1のプレートを、正極出力端子310.1または負極出力端子310.2のいずれかに選択的に連結する。出力スイッチ306.1〜306.Mおよび308.1〜208.Mは、NビットDAC入力ワードを復号するデコーダ332によって制御され得る。また、DAC300は、2組の入力スイッチ312.1〜312.Mおよび314.1〜314.Mを含み得、これらのスイッチは、コンデンサの第2のプレートを、対の基準電圧源VREF1、VREF2のうちの1つに選択的に連結する。さらに、DAC300は、各対の第1および第2のコンデンサの第2のプレートを一緒に選択的に短絡させるために、ブリッジスイッチ316.1〜316.Mを含み得る。また、DACは、対のスイッチ320.1および320.2を含み得、これらのスイッチは、共通モード電圧源VCMを出力端子310.1、310.2から選択的に係合または係脱する。一実施形態では、電荷再分配型DAC300のこれらの構成要素の全ては、共通のICチップ330上(例えば、同一のダイ上)で一体型であることができる。一実施形態では、電荷再分配型DAC300は、NビットDAC入力ワードを復号するデコーダ332によって、サーモメータコード化方式で制御される単位コンデンサを使用し得る。
また、DAC300も、DAC200と同様に、動作中に2段階で作動し得る。動作の第1の段階中、対のスイッチ320.1および320.2は、閉鎖され得、2つのDAC出力端子310.1、310.2は、共通モード電圧VCMに連結され得る。コンデンサ302.1〜302.Mおよび304.1〜304.Mの第1の側面は、スイッチ322.1〜322.Mおよび324.1〜324.Mによって、共通モード電圧VCMに電気的に接続され得る。第1のコンデンサ302.1〜302.Mの第2の側面は、第1の基準電圧VREF1に電気的に接続され得、第2のコンデンサ304.1〜304.Mの第2の側面は、第2の基準電圧VREF2に電気的に接続され得る。
動作の第2の段階中、スイッチ320.1および320.2は、DAC出力端子310.1、310.2を共通モード電圧VCMから切断するために開放された状態であり得る。各対のDACコンデンサ(例えば、302.1および304.1、・・・302.Mおよび304.M)の第2の側面は、一緒にそれぞれ電気的に短絡し得る。第1および第2のコンデンサ302.1〜302.Mおよび304.1〜304.Mの第1の側面は、出力スイッチ306.1〜306.Mおよび308.1〜208.Mによって制御されるDAC出力端子310.1または310.2に電気的に接続され得、次に、出力スイッチ306.1〜306.Mおよび308.1〜208.Mは、DAC入力ワードに従ってデコーダ332によって制御される。
DAC出力は、Vout=Vout+−Vout−=2*(VREF1+VREF2)(Cselected/Ctotal−0.5)の方程式によって決定され得、式中、Cselectedが第1の電圧基準VREF1に事前充電されている全キャパシタンスであり、次に、第1のDAC正極出力端子310.1に接続される。Ctotalは、1組のコンデンサ302.1〜302.M2(または304.12〜304.M2)の全キャパシタンスであり得る。デコーダ332は、DAC入力ワードに基づいて出力スイッチ306.1〜306.Mおよび308.1〜308.Mの制御信号を生成して、正極出力端子310.1に接続される第1のコンデンサのいくつかの第1の側面と、負極出力端子310.2に接続される残りの第1のコンデンサの第1の側面とを選択し得る。正極出力端子310.1に接続されるように選択された各第1のコンデンサについて、対の第2のコンデンサが、負極出力端子310.2.に接続され得る。一方、正極出力端子310.1に接続されるように選択されなかった各第1のコンデンサについて、対の第2のコンデンサが、正極出力端子310.1に接続され得る。
DAC入力ワードは、0〜2−1の値の範囲(例えば、N=3で、値の範囲は0〜7であり得る)を有するNビットバイナリワードであり得る。DAC入力ワードが特定値Fを有するとき、デコーダ332は、正極出力端子310.1に接続されるM個の第1のコンデンサ302.1〜302.MからF個の第1のコンデンサを選択し得、残りの(MマイナスF)第1のコンデンサを負極出力端子310.2に接続させ得る。
例えば、N=3およびF=5(例えば、バイナリDAC入力ワード「101」に相当する)と仮定する。動作の第1の段階中、全ての7つの第1のコンデンサ(M=2−1=7)は、第1の電圧基準VREF1に充電され得る。動作の第2の段階中、5つの第1のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を正極出力端子310.1に接続するように選択され得、その対応する対の第2のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を負極出力端子310.2に接続する。同時に、残りの2つの第1のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を負極出力端子310.2に接続し得、その対応する第2のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を正極出力端子310.1に接続する。別の例では、Fがゼロである場合、動作の第2の段階中、全ての第1のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を負極出力端子310.2に接続するように選択され得、全ての第2のコンデンサは、そのそれぞれの上部側面を正極出力端子310.1に接続し得る。
一実施形態では、全ての第1のコンデンサ302.1〜302.Mが単位キャパシタンスを有し得るため、これらのコンデンサは、正極出力端子310.1に接続するように、動作中に無差別に選択されてもよい。さらに、一実施形態では、電荷再分配型DAC300は、DACに出力端子が1つだけしかないシングルエンド実装で適用されてもよい。例えば、シングルエンドOUTは、図3に示す正極出力端子310.1と同じ端子であり得る。シングルエンド実装では、負極出力端子310.2は、アースGNDまたは共通モード電圧VCMに接続され得る。つまり、2つの出力のうちの一方だけを使用し得、他方を破棄し得る。電荷再分配型DAC300のシングルエンド実装の回路は、図3に示す電荷再分配型DAC300の差動実装とは変わらない。
一実施形態(例えば、電荷再分配型DAC200または電荷再分配型DAC300)では、第1の基準電圧VREF1は、第2の基準電圧VREF2よりも高い電圧値を有してもよい。例えば、第1の基準電圧は、正の基準値VREF+(例えば、正の電源VDD)であってもよく、第2の基準電圧VREF2は、VREF+よりも低い正の基準値、またはアースGND、または負の参照値VREF−(例えば、負の電源VSS)であってもよい。
加えて、一実施形態では、電荷再分配型DAC200または電荷再分配型DAC300の第2の側面は、全て、動作の第2の段階中に一緒に電気的に接続されてもよい。さらに、一実施形態では、電荷再分配型DAC200または電荷再分配型DAC300の第2の側面は、全て、動作の第2の段階中に、共通モード電圧VCM2に駆動されてもよい。共通モード電圧VCM2は、動作の第1の段階中にDAC出力線に接続される共通モード電圧VCMと同じであってもよく、または異なる電圧値であってもよい。別の実施形態では、VCM2は、VCMと異なってもよい。
図4は、本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACを含むSAR ADC400を示す。SAR ADC400は、サンプルおよびホールド回路(S/H)402、電圧比較器404、内部NビットDAC408、ならびにデジタル制御論理ブロック406を備え得る。動作中、S/H回路402は、入力電圧Vinを入手し、アナログ電圧比較器404は、入力電圧Vinを、内部NビットDAC408の出力と比較し得る。比較の結果は、デジタル制御論理ブロック406に出力され得、デジタル制御論理ブロック406は、Vinの近似デジタルコードをNビットDAC408に供給し得る。Vinの近似デジタルコードは、Nビット制御ワード(例えば、本発明のある実施形態に従うDAC入力ワード)であり得る。一実施形態では、S/H回路402は、DACモジュール408に組み込まれてもよい。
デジタル制御論理ブロック406は、逐次近似レジスタを含み得る。SAR ADC400は、以下のように動作し得る。逐次近似レジスタは、最上位ビット(MSB)がデジタルの1に等しいものであり得るように初期化され得る。このコードは、DAC408に送られ、次いで、DAC408は、このデジタルコードのアナログの同等値(例えば、
)を、サンプリングされた入力電圧Vinとの比較のために比較器回路に供給し得る。このアナログ電圧がVinを上回る場合、比較器404は、SARにこのビットを1のままにさせ得るか、あるいはビットはリセットされ得る。それから、次のビットは1に設定することができ、同じ検査が実行され得る。このバイナリ検索は、SAR内の全てのビットが検査されるまで続けられ得る。その結果として生じるコードはサンプリングされた入力電圧Vinのデジタル近似値とすることができ、変換の最後(EOC)においてSAR ADC400によって最終的に出力され得る。
SAR ADC400の内部NビットDAC408は、本発明のある実施形態に従うNビット電荷再分配型DAC(例えば、DAC200、200A、300)であり得る。一実施形態では、DAC408は、DAC入力ワードの各ビットを順次検査するように制御され得る。SARは、そのビット決定を時間内に順次行うので、DAC整定時間の改善は、最大SARスループットに大きな影響を与えることができる。
図5は、本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DACのプロセスフロー500を示す。本プロセス500は、ブロック502で開始し得る。ブロック502において、第1および第2のコンデンサの組の第1の側面は、共通モード電圧VCMに接続され得、一方、第1のコンデンサの第2の側面は、第1の電圧基準に接続され得、第2のコンデンサの第2の側面は、第2の電圧基準に接続され得る。例えば、上記図2および3に関連して説明したように、動作のサンプリング段階中、電荷再分配型DAC200および電荷再分配型DAC300の両方は、第1および第2のコンデンサの第1の(または上部)側面を共通モード電圧VCMに接続し得、一方、第1のコンデンサは、その第2の側面を第1の電圧基準VREF1に接続し、第2のコンデンサは、その第2の側面を第2の電圧基準VREF2に接続する。
一実施形態では、電荷再分配型DACはADCの内部DACであってもよい。本実施形態では、ブロック502は、ADCのサンプルおよびホールド回路(S/H)が入力電圧Vinをサンプリングし得る間に実行され得る。したがって、本発明に従うADC例は、ADCのS/Hが入力電圧Vinをサンプリングする間に、そのDACに第1および第2のコンデンサに対する外部基準電圧をサンプリングさせ得る。
ブロック502の完了時に、プロセス500はブロック504に進むことができる。ブロック504では、2組のDACコンデンサの第1の側面は、DAC入力ワードに従って、正極または負極出力端子に接続され得、一方、各対の第1および第2のコンデンサの第2の側面は、一緒にそれぞれ短絡し得る。例えば、図2および3に関連して上述したように、動作の第2の段階中、2つのDAC出力端子は、外部共通モード電圧VCMから切断され得、2組のDACコンデンサの第1の側面(例えば、フロントプレート)は、DAC入力ワードに従って2つのDAC出力端子に接続され得、2組のDACコンデンサの第2の側面(例えば、バックプレート)は、対になって短絡し得、外部基準電圧VREF1およびVREF2から切断され得る。
一実施形態では、電荷再分配型DACはADCの内部DACであってもよい。本実施形態では、ブロック504は、ADCが入力電圧Vinのそのサンプリングを完了した後に実行され得る。さらに、動作のこの段階において、本発明に従うADC例は、必要に応じて何度もDACコードを変更してもよい。したがって、ADCは、複数の値の間でDAC入力ワードを変更することによってコード化された複数のDACに対してサンプリングされた入力電圧の一連の比較を実行し得る。電荷はDACコンデンサの間で再分配されるので、本発明に従うADCはそれの性能を向上することができる。
図6Aおよび6Bは、本発明のある実施形態に従う電荷再分配型DAC600の別の実施形態における、1つの対のDACコンデンサ602.1および602.2を示す。DAC第1および第2のコンデンサ602.1および602.2の対は、電荷再分配型DAC600の複数の対のDACコンデンサの一例の対であり得る。図6Aに示すように、対のDACコンデンサ602.1および602.2の上部側面(例えば、第1の側面)は、動作の第1の段階(例えば、段階I)中に、対のスイッチ606.1および606.2によって、共通電圧VCMに電気的に接続され得る。コンデンサ602.1および602.2の底部側面(例えば、第2の側面)は、対のスイッチ604.1および604.2によってそれぞれ、第1および第2の外部電源VREF1およびVREF2に電気的に接続され得る。DAC600は、蓄電コンデンサCRES610をさらに備え得る。蓄電コンデンサCRES610の第1および第2の側面は、対のスイッチ608.1および608.2によってそれぞれ、第3および第4の外部電源VREF3およびVREF4に電気的に接続され得る。
段階IIにおいて、スイッチ606.1および606.2、606.1および606.2、ならびに606.1および606.2は、開放されたままであり得る(図示せず)。つまり、DACコンデンサ602.1および602.2の第1の側面は、VCMから切断され得、DACコンデンサ602.1および602.2の第2の側面は、外部電圧VREF1およびVREF2から切断され得、蓄電コンデンサCRES610は、外部電圧VREF3およびVREF4から切断され得る。図6Bに示すように、段階IIにおいて、DACコンデンサ602.1および602.2の第1の側面は、DAC入力ワードに従って、DAC正極または負極出力端子OutpまたはOutnにそれぞれ電気的に接続され得る。DAC200およびDAC300におけるDAC入力制御と同様に、選択された場合、第1のコンデンサの第1の側面は、正極出力Outpに接続され得、第2のコンデンサの第1の側面は、負極出力Outnに接続され得、選択されない場合、第1のコンデンサの第1の側面は、負極出力Outnに接続され得、第2のコンデンサの第1の側面は、正極出力Outpに接続され得る。DACコンデンサ602.1および602.2の第2の側面は、蓄電コンデンサCRES610の2つの側面に電気的に接続され得る。例えば、コンデンサ602.1の第2の側面は、外部電圧VREF3に電気的に接続されている蓄電コンデンサCRES610の第1の側面に電気的に接続され得、コンデンサ602.2の第2の側面は、外部電圧VREF4に電気的に接続されている蓄電コンデンサCRES610の第2の側面に電気的に接続され得る。一実施形態では、外部電圧は、VREF1=VREF4およびVREF2およびVREF3の関係であってもよい。
一実施形態では、電荷再分配型DAC600は、複数のバイナリ重み付けコンデンサを有してもよく(電荷再分配型DAC200と同様)、またはサーモメータコード化単位キャパシタンスコンデンサであってもよい(電荷再分配型DAC300と同様)。つまり、DACコンデンサ602.1および602.2は、多数の対のDACコンデンサのうちの例の対であり得る。
一実施形態では、電荷再分配型DAC600は、複数のバイナリ重み付けコンデンサまたはサーモメータコード化コンデンサの各対のDACコンデンサについて、蓄電コンデンサCRES610を有してもよい。別の実施形態では、電荷再分配型DAC600は、全てのDACコンデンサが共有する単一の蓄電コンデンサCRES610を有する。蓄電コンデンサCRES610を含むと、DACコンデンサの第2の側面は、(VREF1+VREF1)/2に対して短絡しないが、代わりに、蓄電圧に進む。これにより、DAC600の電荷移動が、DAC200およびDAC300とは異なり得る。例えば、4Cのバイナリ重み付けコンデンサについて、VREF1=Vref、VREF2=GNDである場合、4Cコンデンサから移動した電荷は、(VREF1−VREF2/2)*4C=(Vref/2)*4Cであり得る。図6Aおよび6Bに示す蓄電コンデンサCRES610を含むと、電荷移動は、(VREF1−VREF3)*4Cであり得る。VREF1=VREF4=VrefおよびVREF2=VREF4=GNDである場合、電荷移動は、Vref*4Cであり得る。これは、バックプレートを短絡させることに比べて2倍の電荷である。つまり、蓄電コンデンサCRES610を使用することによって、より多くの電荷移動を得ることができる。一実施形態では、蓄電コンデンサCRES610は、DAC600の他の構成要素のように、集積回路(IC)チップ630上に組み込まれてもよく、蓄電コンデンサCRES610は、オンチップ蓄電コンデンサと呼ばれ得る。
前例のDAC200、DAC300、またはDAC600では、NビットDACは、整数である数Nを有し得る。例えば、N=3では、バイナリ重み付けコンデンサ実装において、4C、2C、1Cのキャパシタンスを有し、かつ3組のスイッチおよび3つの信号によって制御される3つの対のコンデンサが存在し得、サーモメータコード化実装では、同等のキャパシタンスの7つの対のコンデンサが存在し得る。別の実施形態では、本発明に従う電荷再分配NビットDACは、Nが分数である数を有し得る。例えば、本発明に従う電荷再分配型DACは、それぞれ4C、2C、1C、1C、1Cのキャパシタンス(例えば、9Cのそれぞれの第1および第2のコンデンサのキャパシタンス)を有する対のコンデンサを有し得る。5つの対のコンデンサは、5組のスイッチおよび5つの信号によって制御され得る。この場合、全出力範囲は、0〜9であり得る(従来の8レベルの代わりに10レベル)。DACは、log(10)=3.3によりもたらされる3.3ビットDAC(N=3.3)と考えられ得る。一実施形態では、DAC制御ワードは、分数より大きい次の整数に四捨五入され得る。例えば、3.3ビットDACでは、DAC制御ワードは、4ビットワードであることができ、DACコードの一部は未使用である。別の実施形態では、DACは、サーモメータコード化制御ワードを有してもよく、9つの信号を有する(例えば、9つの対の単位コンデンサについて)。
本発明のいくつかの実施形態が、本明細書に具体的に例示および説明される。しかしながら、本発明の修正および変形が、本発明の精神および意図する範囲から逸脱することなく、上記教示の対象となり、添付の請求項の範囲内にあることを理解されたい。
200……電荷再分配型DAC
230……ICチップ




Claims (33)

  1. 電荷再分配型デジタル‐アナログ変換器(DAC)であって、
    各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、
    各第1のスイッチがそれぞれの第1のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第1のスイッチの群であって、DAC入力ワードによって制御される、第1のスイッチの群と、
    各第2のスイッチがそれぞれの第2のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第2のスイッチの群であって、前記DAC入力ワードによって制御される、第2のスイッチの群と、
    対になった第1および第2のコンデンサの第2の側面の間に各々が接続されるブリッジスイッチの群と、
    を備える、電荷再分配型DAC。
  2. 第1および第2のサンプリングスイッチの組をさらに備え、各第1のサンプリングスイッチは、それぞれの第1のコンデンサの前記第2の側面を第1の基準電圧源に連結し、各第2のサンプリングスイッチは、それぞれの第2のコンデンサの前記第2の側面を第2の基準電圧源に連結する、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  3. 複数の第1および第2のコンデンサの対の前記第1の側面を共通モード電圧VCMに接続する複数のスイッチをさらに備える、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  4. 前記複数の第1および第2のコンデンサの対は、共通キャパシタンスを有する、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  5. 前記複数の第1および第2のコンデンサの対は、前記対のビット位置に従って、バイナリ重み付けされる、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  6. 電荷再分配は、前記DAC入力ワードが適用されるときに、各対の前記2つのコンデンサの間で行われる、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  7. 動作の第1の段階中に前記出力信号線対を共通モード電圧VCMに接続するスイッチ対をさらに備える、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  8. 動作の前記第1の段階中、前記第1および第2のコンデンサの前記第1の側面は、前記共通モード電圧VCMに接続され、前記第1のコンデンサの前記第2の側面は、第1の基準電圧源に接続され、前記第2のコンデンサの前記第2の側面は、第2の基準電圧源に接続される、請求項7に記載の電荷再分配型DAC。
  9. 動作の第2の段階中、前記第1のスイッチの群は、前記DAC入力ワードに従って、前記第1および第2のコンデンサの前記第1の側面を前記第1または第2の信号線に接続し、各対のコンデンサの前記第2の側面は、それぞれ一緒に短絡する、請求項8に記載の電荷再分配型DAC。
  10. 前記第1および第2のコンデンサは、2組のバイナリ重み付けコンデンサであり、各組におけるコンデンサの数は、前記DAC入力ワードのビットの数に等しく、
    動作の前記第2の段階中、前記DAC入力ワードの各ビットは、1つのコンデンサ対の前記第1の側面の接続を決定する、
    請求項9に記載の電荷再分配型DAC。
  11. 前記DAC入力ワードを復号し、かつ前記第1のスイッチの群の制御信号を生成するデコーダをさらに備え、
    前記第1および第2のコンデンサの組のうちの各コンデンサは、同等のキャパシタンスを有し、各組の前記コンデンサの総数は、2−1に等しく、Nは、前記DAC入力ワードのビットの総数を表す1より大きい整数であり、
    動作の前記第2の段階中、前記第1の組の選択された数の前記コンデンサは、前記第1の信号線に接続されるように前記デコーダによって制御され、前記第1の組の残りのコンデンサは、前記第2の信号線に接続されるように前記デコーダによって制御され、前記選択された数は、前記DAC入力ワードの値に等しい、
    請求項9に記載の電荷再分配型DAC。
  12. 前記第1および第2の基準電圧源は、前記DACが位置する集積回路(IC)チップの外部にある電源である、請求項8に記載の電荷再分配型DAC。
  13. 前記電荷再分配型DACは、アナログ−デジタル変換器(ADC)である、請求項8に記載の電荷再分配型DAC。
  14. 前記ADCは、逐次近似ADCであり、前記第1および第2のコンデンサは、前記ADCが入力電圧をサンプリングするのと同時に、前記第1および第2の基準電圧源をサンプリングする、請求項13に記載の電荷再分配型DAC。
  15. 前記第1および第2の信号線は、差動出力を形成する、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  16. 前記第1の信号線は、単一DAC出力を提供する、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  17. 各コンデンサ対の前記短絡した第2の側面は、動作中、共通モード電圧に連結される、請求項1に記載の電荷再分配型DAC。
  18. デジタル‐アナログ変換器(DAC)のデジタル−アナログ出力を生成する方法であって、
    複数の第1および第2のコンデンサの対の第1の側面を共通モード電圧に接続することと、
    第1のコンデンサのうちの各々の第2の側面に対して第1の外部基準電圧をサンプリングし、第2のコンデンサのうちの各々の第2の側面に対して第2の外部基準電圧をサンプリングすることと、
    前記複数第1および第2のコンデンサの対の前記第1の側面を前記共通モード電圧から切断し、DAC入力ワードに従って、前記第1および第2のコンデンサの前記第1の側面を第1または第2の信号線に接続することと、
    前記第1および第2のコンデンサの前記第2の側面を前記第1および第2の外部基準電圧から切断し、対の前記第1および第2の組のコンデンサの前記第2の側面をそれぞれ短絡させることと、
    を含む、方法。
  19. 電荷再分配は、前記DAC入力ワードが適用されるときに、各対の前記2つのコンデンサの間で行われる、請求項18に記載の方法。
  20. 前記DACは、逐次近似アナログ−デジタル変換器(ADC)内にあり、前記第1および第2のコンデンサは、前記ADCが入力電圧をサンプリングするのと同時に、前記外部基準電圧をサンプリングする、請求項18に記載の方法。
  21. 前記第1および第2のコンデンサが前記外部基準電圧および前記共通モード電圧から切断されるとき、前記DAC入力ワードは、複数のDAC出力を生成するように前記第1および第2のコンデンサの間の再分配を変更させるために、複数の値の間で連続的に変化する、請求項20に記載の方法。
  22. 前記第1および第2のコンデンサは、2組のバイナリ重み付けコンデンサであり、各組におけるコンデンサの数は、前記DAC入力ワードのビットの数に等しく、前記DAC入力ワードの各ビットは、1つのコンデンサ対の前記第1の側面の接続を決定する、請求項18に記載の方法。
  23. 前記DAC入力ワードを復号し、前記複数の第1および第2のコンデンサの対の前記第1の側面の接続のための制御信号を生成することをさらに含み、
    各コンデンサは、同等のキャパシタンスを有し、前記第1または第2のコンデンサの総数は、2−1に等しく、Nは、前記DAC入力ワードのビットの総数を表す1より大きい整数であり、
    動作中、選択された数の前記第1のコンデンサは、前記第1の信号線に接続されるように前記制御信号によって制御され、残りの第1のコンデンサは、前記第2の信号線に接続されるように前記デコーダによって制御され、前記選択された数は、前記DAC入力ワードの値に等しい、
    請求項18に記載の方法。
  24. 電荷再分配型デジタル‐アナログ変換器(DAC)であって、
    各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、
    各第1のスイッチがそれぞれの第1のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第1のスイッチの群であって、DAC入力ワードによって制御される、第1のスイッチの群と、
    各第2のスイッチがそれぞれの第2のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第2のスイッチの群であって、前記DAC入力ワードによって制御される、第2のスイッチの群と、
    対になった第1および第2のコンデンサの第2の側面の間に各々が接続されるブリッジスイッチの群と、
    を備える、電荷再分配型DAC
    を備える、アナログ−デジタル変換器(ADC)。
  25. 電荷再分配は、前記DAC入力ワードが適用されるときに、各対の前記2つのコンデンサの間で行われる、請求項20に記載のADC。
  26. 前記ADCは、逐次近似ADCであり、前記第1および第2のコンデンサは、前記ADCが入力電圧をサンプリングするのと同時に、前記第1および第2の基準電圧をサンプリングする、請求項20に記載のADC。
  27. 電荷再分配型デジタル‐アナログ変換器(DAC)であって、
    各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、
    各第1のスイッチがそれぞれの第1のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第1のスイッチの群であって、DAC入力ワードによって制御される、第1のスイッチの群と、
    各第2のスイッチがそれぞれの第2のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第2のスイッチの群であって、前記DAC入力ワードによって制御される、第2のスイッチの群と、
    対になった第1および第2のコンデンサの第2の側面の間に各々が接続されるブリッジスイッチの群と、
    を備える、電荷再分配型DAC
    を備える、集積回路(IC)チップ。
  28. 電荷再分配は、前記DAC入力ワードが適用されるときに、各対の前記2つのコンデンサの間で行われる、請求項23に記載のICチップ。
  29. 前記電荷再分配型DACは、アナログ−デジタル変換器(ADC)内にあり、前記ADCは、逐次近似ADCであり、前記第1および第2のコンデンサは、前記ADCが入力電圧をサンプリングするのと同時に、前記第1および第2の基準電圧をサンプリングする、請求項23に記載のICチップ。
  30. デジタル入力コードからアナログ電圧を生成する方法であって、
    動作のサンプリング段階中に、
    第1の複数のサンプリングコンデンサ上で第1の基準電圧をサンプリングすることと、
    第2の複数のサンプリングコンデンサ上で第2の基準電圧をサンプリングすることと、
    動作の出力段階中に、
    前記第1および第2のサンプリングコンデンサの第1のプレートを対ベースで一緒に短絡させることと、
    前記対になった第1または第2のサンプリングコンデンサのうちの1つの第2のプレートを出力端子に接続することであって、前記第1または第2のサンプリングコンデンサは、前記デジタル入力コードに応答して選択されることと、
    を含む、方法。
  31. 電荷再分配型デジタル‐アナログ変換器(DAC)であって、
    各々が第1の側面および第2の側面を有する複数の第1および第2のコンデンサの対と、
    各第1のスイッチがそれぞれの第1のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第1のスイッチの群であって、DAC入力ワードによって制御される、第1のスイッチの群と、
    各第2のスイッチがそれぞれの第2のコンデンサの前記第1の側面の、出力信号線対のうちの1つへの接続を選択的に制御する、第2のスイッチの群であって、前記DAC入力ワードによって制御される、第2のスイッチの群と、
    各第3のスイッチがそれぞれの第1および第2のコンデンサの第2の側面をオンチップ蓄電コンデンサに接続する第3のスイッチの群と、
    を備える、電荷再分配型DAC。
  32. 前記オンチップ蓄電コンデンサは、全ての第1および第2のコンデンサによって共有される、請求項31に記載の電荷再分配型DAC。
  33. 各対の第1および第2のコンデンサは、それぞれのオンチップ蓄電コンデンサを有する、請求項31に記載の電荷再分配型DAC。


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