JP2014235535A - タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを備える入出力装置およびタッチパネルセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気的な絶縁性に関する信頼性が改善されたタッチパネルセンサを提供する。【解決手段】タッチパネルセンサは、基材の前記アクティブエリアに配置された透明導電パターンと、基材の非アクティブエリアに配置され、透明導電パターンに接続された取出パターンと、を備えている。取出パターンは、遮光性および導電性を有する金属層と、金属層の表面のうち基材側の表面に接するよう設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、を含んでいる。ここで、金属層と透明導電層との間の界面において、透明導電層の幅が、金属層の幅よりも小さくなっている。【選択図】図６

Description

本発明は、電気的な絶縁性に関する信頼性が改善されたタッチパネルセンサに関する。また本発明は、タッチパネルセンサを備える入出力装置、およびタッチパネルセンサの製造方法に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別される。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における対象物の位置が検出される。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている。

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体のうち上述のアクティブエリア内に形成された透明導電パターンと、誘電体のうちアクティブエリアの外側の非アクティブエリア（いわゆる額縁領域）に形成された取出パターンと、を有している。取出パターンは、透明導電パターンからの信号をタッチパネルセンサの外部に設けられた制御回路に伝達するものであり、一般に、金属などの高い導電率を有する材料から形成される。一方、透明導電パターンは、透光性および導電層を有する材料、例えば金属酸化物から形成される。

タッチパネルセンサを製造する方法として、はじめに、透明導電パターンを構成するための金属酸化物からなる透明導電層や、取出パターンを構成するための金属からなる金属層などを含む積層体を準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている（例えば特許文献１）。また特許文献１においては、取出パターンの電気抵抗値を低減するため、透明導電層および金属層の両方を用いて取出パターンを形成することが提案されている。この場合、基材上に設けられた透明導電層のうち、アクティブエリアに配置されている部分が透明導電パターンを構成し、非アクティブエリアに配置されている部分が取出導電パターンの一部を構成する。また、非アクティブエリアに配置されている透明導電層の上には、金属層が設けられている。

特開２０１０−２５７４４２号公報

昨今においては、意匠性を向上させる目的、並びに、表示装置の表示領域を拡大させる目的から、額縁領域（非アクティブエリア）の面積を小さくすることが求められている。額縁領域の面積を小さくする方法の１つとして、額縁領域に設けられる複数の取出パターンの間の間隔を小さくすることが考えられる。しかしながら、取出パターンの間の間隔を小さくすることは、基材上に設けられている透明導電層のパターニング工程の難易度が高くなることを意味している。例えば、隣接する２つの取出パターンの間で基材上の透明導電層を完全に除去することが困難になり、この結果、隣接する２つの取出パターンの間に透明導電層の残渣が発生しやすくなってしまうことが考えられる。この場合、透明導電層上の金属層の金属イオンが、エレクトロマイグレーション現象等によって徐々に移動し、この結果、隣接する２つの取出パターンがショートしてしまうという不具合が生じることが考えられる。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサを提供することを目的とする。また本発明は、タッチパネルセンサを備える入出力装置、およびタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、タッチパネルセンサであって、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアと、を含む基材と、前記基材の前記アクティブエリアに配置された透明導電パターンと、前記基材の前記非アクティブエリアに配置され、前記透明導電パターンに接続された取出パターンと、を備え、前記取出パターンは、遮光性および導電性を有する金属層と、前記金属層の表面のうち前記基材側の表面に接するよう設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、を含み、前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも小さくなっている、タッチパネルセンサである。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記金属層と前記透明導電層との間の界面における前記透明導電層の幅を第１の幅と称する場合、前記透明導電層が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面以外の位置において、少なくとも部分的に、前記第１の幅よりも小さい幅を有していてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層の表面のうち前記基材側の表面における前記透明導電層の幅を第２の幅と称する場合、前記第２の幅が前記第１の幅よりも小さくなっていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層の幅が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面から前記基材に向かうにつれて単調に減少していてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層の表面のうち前記基材側の表面における前記透明導電層の幅を第２の幅と称する場合、前記透明導電層が、前記透明導電層の表面以外の位置において、少なくとも部分的に、前記第１の幅および前記第２の幅よりも小さい幅を有していてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層の幅が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面から前記基材に向かうにつれて単調に増加していてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、好ましくは、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも少なくとも０．５μｍ小さくなっている。

本発明は、表示装置と、前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、前記タッチパネルセンサが、上記記載のタッチパネルセンサからなる、入出力装置である。

本発明は、アクティブエリアに配置された透明導電パターンと、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに配置され、前記透明導電パターンに接続された取出パターンと、を備えるタッチパネルセンサの製造方法であって、基材と、遮光性および導電性を有する金属層と、前記金属層の表面のうち前記基材側の表面に接するよう設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、を含む積層体を準備する工程と、前記金属層をエッチングして、前記金属層をパターニングする工程と、前記パターニングされた金属層をマスクとして前記透明導電層をエッチングして、前記透明導電層をパターニングし、これによって、前記透明導電層および前記金属層を含む前記取出パターンを前記非アクティブエリアに形成する工程と、前記アクティブエリア内に存在する前記金属層を除去し、これによって、前記透明導電層からなる前記透明導電パターンを前記アクティブエリアに形成する工程と、を備え、前記取出パターンの前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも小さくなっている、タッチパネルセンサの製造方法である。

本発明によれば、取出パターンの金属層と透明導電層との間の界面において、透明導電層の幅が、金属層の幅よりも小さくなっている。このため、隣接する２つの取出パターンの間で金属層の金属イオンが移動することを抑制することができる。このことにより、隣接する２つの取出パターンがショートしてしまうことを抑制することができる。

図１は、本発明の実施の形態によるタッチパネルセンサを示す平面図。 図２は、図１のタッチパネルセンサの、II線に沿った断面図。 図３は、図１のタッチパネルセンサの、III線に沿った断面図。 図４は、図１のタッチパネルセンサの、IV線に沿った断面図。 図５は、図２に示す第１取出パターンを拡大して示す断面図。 図６は、本発明の実施の形態によるタッチパネルセンサによって得られる効果を説明するための図。 図７Ａは、タッチパネルセンサを製造するために用いられる積層体を示す断面図。 図７Ｂは、感光層が設けられた積層体を示す図。 図７Ｃは、感光層をパターニングする工程を説明するための図。 図７Ｄは、金属層をパターニングする工程を説明するための図。 図７Ｅは、透明導電層をパターニングする工程を説明するための図。 図７Ｆは、アクティブエリアの感光層を除去する工程を説明するための図。 図７Ｇは、アクティブエリアの金属層を除去する工程を説明するための図。 図７Ｈは、非アクティブエリアの感光層を除去する工程を説明するための図。 図８（ａ）〜（ｄ）は、第１透明導電層がエッチングされる様子を示す図。 図９は、本発明の実施の形態の第１の変形例によるタッチパネルセンサによって得られる効果を説明するための図。 図１０（ａ）〜（ｄ）は、図９に示す第１の変形例によるタッチパネルセンサの製造方法の一例を示す図。 図１１は、本発明の実施の形態の第２の変形例によるタッチパネルセンサによって得られる効果を説明するための図。 図１２（ａ）〜（ｄ）は、図１１に示す第２の変形例によるタッチパネルセンサの製造方法の一例を示す図。 図１３（ａ）〜（ｃ）は、図９に示す第１の変形例によるタッチパネルセンサの製造方法のその他の例を示す図。 図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す第２の変形例によるタッチパネルセンサの製造方法のその他の例を示す図。

以下、図１乃至図８を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

タッチパネルセンサ
はじめに図１を参照して、本実施の形態におけるタッチパネルセンサ３０全体について説明する。ここでは、タッチパネルセンサ３０が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネルセンサとして構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルセンサは、透光性を有する導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルセンサに接近することにより、外部の導体とタッチパネルセンサの導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネルセンサ上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。タッチパネルセンサは、通常、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置と組み合わされて用いられる。

図１に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材３２と、基材３２の一方の側（観察者側）の表面３２ａ上に所定のパターンで設けられた第１透明導電パターン４１と、基材３２の他方の側（表示装置側）の表面３２ｂ上に所定のパターンで設けられた第２透明導電パターン４６と、を有している。本実施の形態において、透明導電パターン４１，４６とは、透光性および導電性を有する材料から構成されるパターンのことである。なお図１においては、第２透明導電パターン４６などの、基材３２の他方の側に設けられている構成要素が、便宜上、点線にて示されている。

基材３２は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。基材３２は例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）など、十分な透光性を有する材料から構成された樹脂層を含んでいる。なお透明導電パターン４１，４６および取出パターン４３，４８を適切に保持することができる限りにおいて、基材３２の具体的な構成が特に限られることはない。例えば基材３２は、タッチパネルセンサ３０における光の反射率や透過率を調整するためのインデックスマッチング層をさらに含んでいてもよい。他にも、樹脂層の表面に設けられたハードコート層がさらに基材３２に含まれていてもよい。すなわち本実施の形態において、基材３２とは、何らかの具体的な構造や材料を意味するものではなく、タッチパネルセンサ３０を構成する透明導電パターン４１，４６や取出パターン４３，４８などのパターンの下地となるものを意味するに過ぎない。

図１に示すように、基材３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡ１と、アクティブエリアＡ１を囲む矩形枠状の非アクティブエリアＡ２と、を含んでいる。上述の第１透明導電パターン４１および第２透明導電パターン４６は、アクティブエリアＡ１内に配置されている。また非アクティブエリアＡ２には、透明導電パターン４１，４６からの信号を外部へ伝達するための取出パターン４３，４８および端子部４４，４９が配置されている。

以下、タッチパネルセンサ３０を構成する各要素についてさらに詳述する。

（透明導電パターン）
図１に示すように、第１透明導電パターン４１は、ｘ方向に沿って直線状に延びるライン部４１ａと、ライン部４１ａから膨出した膨出部４１ｂと、を有していてもよい。膨出部４１ｂとは、基材３２の表面に沿ってライン部４１ａから膨らみ出ている部分のことである。同様に、第２透明導電パターン４６は、ｘ方向に直交するｙ方向に沿って直線状に延びるライン部４６ａと、ライン部４６ａから膨出した膨出部４６ｂと、を有していてもよい。図１に示すように、第１透明導電パターン４１と第２透明導電パターン４６とは、互いに異なるパターンで配置されていてもよい。

（取出パターン、端子部）
次に、取出パターン４３，４８および端子部４４，４９について説明する。図１に示すように、第１取出パターン４３は、その一端において第１透明導電パターン４１に接続されており、その他端において第１端子部４４に接続されている。同様に、第２取出パターン４８は、その一端において第２透明導電パターン４６に接続されており、その他端において第２端子部４９に接続されている。透明導電パターン４１，４６によって検出された信号は、取出パターン４３，４８を介して端子部４４，４９に伝達され、端子部４４，４９から外部へ取り出される。

（層構成）
次に図２〜４を参照して、透明導電パターン４１，４６、取出パターン４３，４８および端子部４４，４９の層構成について説明する。図２〜４はそれぞれ図１に示すタッチパネルセンサ３０のII線〜IV線に沿った断面図である。

図２，３に示すように、透明導電パターン４１，４６は、透光性および導電性を有する透明導電層５２ａ，５２ｂから構成されている。透明導電層５２ａ，５２ｂを構成する材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を挙げることができる。また、これらの金属酸化物が２種以上複合されたものが用いられてもよい。透明導電層５２ａ，５２ｂの厚みは、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内になっており、例えば１５ｎｍになっている。なお透明導電層５２ａ，５２ｂは、図２〜４に示すように、アクティブエリアＡ１だけでなく非アクティブエリアＡ２にも設けられている。非アクティブエリアＡ２に配置されている透明導電層５２ａ，５２ｂは、後述するように取出パターン４３，４８の一部を構成する。

図２，３に示すように、透明導電パターン４１，４６は、遮光層および導電層を有する金属層５４ａ，５４ｂと、金属層５４ａ，５４ｂの表面のうち基材３２側の表面に接するよう設けられた上述の透明導電層５２ａ，５２ｂと、を含んでいる。金属層５４ａ，５４ｂを構成する材料は、導電性やイオン化傾向などの特性を考慮して選択される。例えば後述するように、タッチパネルセンサ３０の製造工程において、ハロゲン化水素系の溶液をエッチング液として用いて透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程が実施される場合、金属層５４ａ，５４ｂを構成する材料としては、水素イオンよりもイオン化傾向が小さい金属材料、例えば銀、銅、パラジウム、金、白金、アンチモン、ビスマスまたはこれらの合金等が挙げられる。また、金属層５４ａ，５４ｂが透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液に曝されることが無い場合、金属層５４ａ，５４ｂを構成する材料として、水素イオンよりもイオン化傾向が大きい金属材料、例えばアルミニウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、マンガンまたはこれらの合金等を用いることもできる。金属層５４ａ，５４ｂの厚みは、好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内になっており、例えば２００ｎｍになっている。図４に示すように、端子部４４，４９も取出パターン４３，４８と同様に、金属層５４ａ，５４ｂおよび透明導電層５２ａ，５２ｂを含んでいてもよい。

〔取出パターンの層構成〕
次に図５および図６を参照して、取出パターン４３，４８の層構成についてさらに詳細に説明する。なお第１取出パターン４３の層構成と第２取出パターン４８の層構成は同一であるので、ここでは第１取出パターン４３についてのみ説明する。図５は、図２に示す第１取出パターン４３を拡大して示す断面図であり、図６は、図６の第１取出パターン４３をさらに拡大して示す断面図である。図６において、符号５２ｃは、第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａの表面のうち基材３２から遠い位置にある表面を表し、符号５２ｄは、基材３２側の表面を表している。また符号５４ｃは、第１取出パターン４３の第１金属層５４ａの表面のうち基材３２から遠い位置にある表面を表し、符号５４ｄは、基材３２側の表面を表している。また図５において、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面における第１金属層５４ａの幅および第１透明導電層５２ａの幅が、それぞれ符号ｗｂおよびｗａ１で表されている。なお、「第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面における第１透明導電層５２ａの幅」は、「表面５４ｃにおける第１透明導電層５２ａの幅」と同一の意味である。以下の説明において、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面における第１透明導電層５２ａの幅ｗａ１を、第１の幅ｗａ１と称することもある。

本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、第１取出パターン４３の第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面において、第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１が第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも小さくなっている場合に、第１取出パターン４３の電気的な信頼性を改善することができることを見出した。具体的には、第１取出パターン４３のピッチや、隣接する２つの第１取出パターン４３の間の間隔が小さい場合であっても、隣接する２つの第１取出パターン４３，４３間でのショートが生じることを抑制できることを見出した。なお第１取出パターン４３のピッチとは、隣接する２つの第１取出パターン４３，４３各々の中心線の間の間隔のことである。また隣接する２つの第１取出パターン４３，４３間の間隔とは、隣接する２つの第１取出パターン４３，４３の第２金属層５４ｂ，５４ｂの間の間隔のことである。第１取出パターン４３のピッチは、例えば３０μｍ〜１００μｍの範囲内になっている。

従来技術においては、例えば上述の特許文献１に記載されているように、第１取出パターン４３の第１金属層５４ａの幅を第１透明導電層５２ａの幅よりも小さくすることが、第１金属層５４ａの金属イオンのエレクトロマイグレーションが生じる可能性を低減し、これによって第１取出パターン４３の絶縁信頼性を高めることができると考えられていた。しかしながら、昨今においては、隣接する２つの第１取出パターン４３の間の間隔をさらに小さく、例えば１５μｍ〜５０μｍの範囲内にすることが求められている。この場合、従来技術のように第１金属層５４ａの幅を第１透明導電層５２ａの幅よりも小さくしてしまうと、隣接する２つの第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａの間の間隔が非常に小さくなってしまい、この結果、第１透明導電層５２ａの残渣が発生しやすくなってしまう、ということを本件発明者は見出した。このような課題を解決すべく試行錯誤を重ねた結果として見いだされたのが、上述の「第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１を第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも小さくする」という知見である。このように、本実施の形態による第１取出パターン４３は、従来技術において提案されてきた第１取出パターンの形態とは大きく異なるものであり、従って、当業者が容易に想到することができるものではないと言える。

なお本実施の形態においては、図６に示すように、第１透明導電層５２ａの幅は、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面から基材３２に向かうにつれて単調に増加している。第１透明導電層５２ａの基材３２側の表面５２ｄにおける第１透明導電層５２ａの幅（以下、第２の幅とも称する）は、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１と同様に、第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも小さくなっている。

以下、第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１を第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも小さくすることによって、第１取出パターン４３の絶縁信頼性が改善されることの理由について検討する。なお以下に記載する説明は例示的なものにすぎず、第１取出パターン４３の絶縁信頼性が改善される理由が以下の説明に限定されることはない。

図６は、第１取出パターン４３の第１金属層５４ａの金属イオンの振る舞いを説明するための図である。図６において、符号Ｉａは、第１金属層５４ａの基材３２側の表面５４ｄに現れる金属イオンを表しており、符号Ｉｂは、第１金属層５４ａの側面５４ｅに現れる金属イオンを表しており、符号Ｉｃは、第１金属層５４ａの、基材３２から遠位に位置する表面５４ｃに現れる金属イオンを表している。なお金属イオンは、第１金属層５４ａの表面に付着した水分などを起点として発生する。

一般に、金属イオンが移動する現象、いわゆるエレクトロマイグレーション現象は、パターン間や端子間の電位差を駆動力として発生する。図６においては、第１取出パターン４３の電位が、当該第１取出パターン４３よりも右側に位置する第１取出パターン４３（図示せず）の電位よりも高く、このため矢印Ｅで示すように、電位差に基づく右方向への電界が生じている。一方、図６に示す第１取出パターン４３の第１金属層５４ａの金属イオンＩａが、隣接する第１取出パターン４３まで移動するためには、図６に示す矢印（１）〜（３）の順に移動する必要がある。矢印（１）は、第１金属層５４ａの基材３２側の表面５４ｄに沿った移動を表しており、矢印（２）は、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅに沿った移動を表しており、矢印（３）は、基材３２の表面３２ａに沿った移動を表している。

図６から明らかなように、矢印（３）の移動は、電界Ｅの向きに沿った移動であり、このため容易に発生し得る。また本実施の形態においては、第１透明導電層５２ａの幅が、基材３２に向かうにつれて単調に増加しており、このため矢印（２）の移動も電界Ｅの向きに沿った移動である。従って、矢印（２）の移動も容易に発生し得る。但し、矢印（２）の移動距離は、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅが基材３２の法線方向に平行に延びる場合の移動距離に比べて長くなっている。このため、金属イオンが基材３２の表面まで到達してしまうことを抑制する効果をある程度期待することができる。

矢印（２）、（３）の移動の場合とは異なり、矢印（１）の移動は、電界Ｅの向きとは反対の向きのものである。すなわち、矢印（１）の移動が実現されるためには、金属イオンＩａが電界Ｅに逆らって動く必要があり、従ってそのような移動は生じ難いものである。このように本実施の形態によれば、第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１を第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも小さくすることによって、隣接する２つの第１取出パターン４３の間で第１金属層５４ａの金属イオンＩａが移動することを抑制することができる。このことにより、隣接する２つの取出パターン４３がショートしてしまうことを抑制することができる。

なお図６から明らかなように、金属イオンＩｂ，Ｉｃが隣接する第１取出パターン４３まで移動するためには、金属イオンＩａの場合と同様に、矢印（１）〜（３）の順に移動する必要がある。ここで上述のように、矢印（１）の移動は電界Ｅに逆らう移動である。従って本実施の形態によれば、金属イオンＩａの場合と同様に、金属イオンＩｂ，Ｉｃが隣接する第１取出パターン４３まで移動することを抑制することができる。

第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１、および第１金属層５４ａの幅ｗｂは、求められる絶縁信頼性や電気抵抗値に応じて適宜設定される。例えば第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１は、５μｍ〜５０μｍの範囲内となっており、より具体的には１０μｍとなっている。また第１金属層５４ａの幅ｗｂは、１５μｍ〜６０μｍの範囲内となっており、より具体的には２０μｍとなっている。好ましくは、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面において、第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１が、第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも少なくとも０．５μｍ小さくなるよう、第１透明導電層５２ａおよび第１金属層５４ａが構成される。これによって、金属イオンの移動が隣接する第１取出パターン４３まで移動することを効果的に抑制することができる。

タッチパネルセンサの製造方法
次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を製造する方法について、図７Ａ〜図７Ｈを参照して説明する。図７Ａ〜図７Ｈは、図１のタッチパネルセンサ３０のII線に沿った位置において、タッチパネルセンサ３０の製造方法の各工程における層構成を示す図である。

はじめに図７Ａに示すように、タッチパネルセンサ３０を作製するための元材としての積層体５０（ブランクとも呼ばれる）を準備する。積層体５０は、基材３２と、基材３２の一方の側の表面３２ａに順に設けられた第１透明導電層５２ａおよび第１金属層５４ａと、基材３２の他方の側の表面３２ｂに順に設けられた第２透明導電層５２ｂおよび第２金属層５４ｂと、を含んでいる。

次に、図７Ｂに示すように、積層体５０の一方の側の表面上に第１感光層５６ａを形成するとともに、積層体５０の他方の側の表面上に第２感光層５６ｂを形成する。第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層５６ａ，５６ｂは、例えば、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることにより形成される。感光層５６ａ，５６ｂのタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光層が用いられてもよい。ここでは、光溶解型の感光層が用いられる例について説明する。

次に、図７Ｃに示すように、感光層５６ａ，５６ｂが、形成されるべき透明導電パターン４１，４６および取出パターン４３，４８に対応したパターンを有するようになるよう、感光層５６ａ，５６ｂを所定のパターンで露光して現像する。その後、図７Ｄに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａをマスクとして第１金属層５４ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂをマスクとして第２金属層５４ｂをエッチングする。金属層５４ａ，５４ｂ用のエッチング液としては、例えば、希塩化鉄、塩化銅、無機系酸および有機酸を含む溶液が用いられる。

次に、図７Ｅに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａおよび第１金属層５４ａをマスクとして第１透明導電層５２ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂおよび第２金属層５４ｂをマスクとして第２透明導電層５２ｂをエッチングする。これによって、透明導電層５２ａ，５２ｂおよび金属層５４ａ，５４ｂを含む取出パターン４３，４８を非アクティブエリアＡ２に形成することができる。透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液としては、例えばハロゲン化水素系（ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ等）の溶液が用いられる。なおハロゲン化水素系の溶液は、水素イオンよりもイオン化傾向が小さい金属材料をエッチングしない（溶かさない）ものである。従って、透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液としてハロゲン化水素系の溶液が用いられる場合、金属層５４ａ，５４ｂを構成する材料として水素イオンよりもイオン化傾向が小さい金属材料を採用することにより、透明導電層５２ａ，５２ｂをエッチングする際に同時に金属層５４ａ，５４ｂがエッチングされてしまうことを防ぐことができる。

図８（ａ）〜（ｄ）は、第１透明導電層５２ａがエッチングされる様子をより詳細に示す図である。図８（ａ）は、エッチングが開始される前の第１透明導電層５２ａを示す図である。

透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液に積層体５０が触れると、第１透明導電層５２ａが等方的にエッチングされていく。すなわち、第１透明導電層５２ａの表面のうち第１金属層５４ａ側の表面５２ｃ近傍の部分がはじめにエッチングされていく。図８（ｂ）には、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅが、基材３２側よりも第１金属層５４ａ側においてより深くサイドエッチングされている様子が示されている。

図８（ｃ）は、第１透明導電層５２ａがさらにエッチングされ、この結果、第１透明導電層５２ａの全ての位置において、その幅が第１金属層５４ａの幅以下になった状態を示している。このときには、図８（ｃ）に示すように、第１透明導電層５２ａの第１金属層５４ａ側の表面５２ｃの近傍において第１透明導電層５２ａが深くサイドエッチングされている。なお以下の説明において、「第１透明導電層５２ａの全ての位置において、その幅が第１金属層５４ａの幅以下になった状態」のことを、「標準エッチング状態」とも称する。

さらにエッチングを継続すると、図８（ｄ）に示すように、第１透明導電層５２ａの基材３２側の表面５２ｄにおいて、第１透明導電層５２ａの幅が第１金属層５４ａの幅よりも十分に小さくなる。このことは、隣接する２つの第１取出パターン４３の間において、基材３２の表面３２ａ上の第１透明導電層５２ａが十分に除去されるであろうことを示唆している。すなわち、標準エッチング状態を超えてエッチングを継続すること、いわゆるオーバーエッチングを実施することにより、第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１を第１金属層５４ａの幅ｗｂよりも十分に小さくすることだけでなく、第１透明導電層５２ａの残渣を除去することも期待できる。

次に、感光層５６ａ，５６ｂのうちアクティブエリアＡ１内に存在する感光層５６ａ，５６ｂに対して露光光を照射する。その後、感光層５６ａ，５６ｂを現像する。これによって、図７Ｆに示すように、アクティブエリアＡ１内に存在する感光層５６ａ，５６ｂを除去することができる。

その後、図７Ｇに示すように、非アクティブエリアＡ２内に残っている感光層５６ａ，５６ｂをマスクとして、金属層５４ａ，５４ｂをエッチングする。これによって、金属層５４ａ，５４ｂのうちアクティブエリアＡ１内に存在する金属層５４ａ，５４ｂが除去される。このことにより、透明導電層５２ａ，５２ｂからなる透明導電パターン４１，４６をアクティブエリアＡ１に形成することができる。金属層５４ａ，５４ｂ用のエッチング液としては、１回目の金属層５４ａ，５４ｂのエッチングの場合と同様に、希塩化鉄、塩化銅、無機系酸および有機酸を含む溶液が用いられ得る。

次に、図７Ｈに示すように、金属層５４ａ，５４ｂ上に残っている感光層５６ａ，５６ｂを除去する。このようにして、図１〜４に示すタッチパネルセンサ３０を得ることができる。

入出力装置の製造方法
以上のようにして得られたタッチパネルセンサ３０を、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として機能する表示装置に、接着剤などを用いて接合する。これによって、文字や図等の情報を映像として表示することができるとともに、タッチによって情報を入力することができる入出力装置が得られる。

本実施の形態によれば、取出パターン４３，４８の金属層５４ａ，５４ｂと透明導電層５２ａ，５２ｂとの間の界面において、透明導電層５２ａ，５２ｂの幅が、金属層５４ａ，５４ｂの幅よりも小さくなっている。このため、１つの取出パターン４３，４８の金属層５４ａ，５４ｂの金属イオンが、金属層５４ａ，５４ｂの透明導電層５２ａ，５２ｂ側の表面に沿って移動することを抑制することができる。従って、金属層５４ａ，５４ｂの金属イオンが透明導電層５２ａ，５２ｂに到達することを抑制することができ、このことにより、隣接する２つの取出パターン４３，４３；４８，４８がショートしてしまうことを抑制することができる。

また本実施の形態によれば、透明導電層５２ａ，５２ｂの幅を小さくするため、標準エッチング状態のための時間を超えて、透明導電層５２ａ，５２ｂがオーバーエッチングされ得る。このことは、隣接する２つの取出パターン４３，４３；４８，４８の間に透明導電層５２ａ，５２ｂの残渣が存在する可能性を低減する。このため、透明導電層５２ａ，５２ｂの残渣を介して金属イオンの移動が容易化されることを防ぐことができる。このように本実施の形態によれば、取出パターン４３，４８の透明導電層５２ａ，５２ｂの側面に沿って金属イオンが移動することを抑制するだけでなく、基材３２の表面に沿って金属イオンが移動することをも抑制することができる。また、透明導電層５２ａ，５２ｂの残渣自体に起因して隣接する２つの取出パターン４３，４３；４８，４８がショートしてしまうことを抑制することもできる。

このように本実施の形態によれば、取出パターン４３，４８の絶縁信頼性を高めることができる。このため、取出パターン４３，４８のピッチを従来よりも小さくすることができ、このことにより、額縁領域の面積を小さくすることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、いくつかの変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。

透明導電層の形状の変形例
上述の本実施の形態においては、第１透明導電層５２ａの幅が、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面から基材３２に向かうにつれて単調に増加している例を示した。すなわち、第１透明導電層５２ａの幅が、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面において最大になる例を示した。しかしながら、第１透明導電層５２ａの幅が第１金属層５４ａの幅よりも小さくなっており、これによって第１金属層５４ａの金属イオンの移動を抑制することができる限りにおいて、第１透明導電層５２ａの形状が特に限られることはない。例えば、第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａが、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面以外の位置において、少なくとも部分的に、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面における第１透明導電層５２ａの第１の幅ｗａ１よりも小さい幅を有していてもよい。

（第１の変形例）
はじめに図９を参照して、第１透明導電層５２ａの基材３２側の表面５２ｄにおける第１透明導電層５２ａの幅（第２の幅）ｗａ２が、第１透明導電層５２ａの第１金属層５４ａ側の表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１よりも小さくなっている例について説明する。具体的には、図９に示すように、第１透明導電層５２ａの幅が、第１金属層５４ａと第１透明導電層５２ａとの間の界面から基材３２に向かうにつれて単調に減少する場合について説明する。図９において、符号Ｉｄは、第１金属層５４ａの基材３２側の表面５４ｄと第１透明導電層５２ａの側面５２ｅとが接する位置に現れる金属イオンを表している。

図９に示す例において、第１金属層５４ａの金属イオンＩｄが隣接する第１取出パターン４３まで移動するためには、図９に示す矢印（４）、（５）の順に移動する必要がある。矢印（４）は、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅに沿った移動を表しており、矢印（５）は、基材３２の表面３２ａに沿った移動を表している。

図９から明らかなように、矢印（５）の移動は、電界Ｅの向きに沿った移動であり、このため容易に発生し得る。一方、矢印（４）の移動は、電界Ｅの向きとは反対の向きに進む成分を含むものである。すなわち、矢印（４）の移動が実現されるためには、金属イオンＩｄが電界Ｅに逆らって動く必要があり、従ってそのような移動は生じ難いものである。このように本実施の形態によれば、第１透明導電層５２ａの第２の幅ｗａ２を第１の幅ｗａ１よりも小さくすることにより、第１金属層５４ａの表面５４ｄに沿って金属イオンが移動することを抑制するだけでなく、第１透明導電層５２ａの側面５４ｅに沿って金属イオンが移動することをも抑制することができる。このことにより、隣接する２つの第１取出パターン４３,４３がショートしてしまうことをより強固に抑制することができる。

図１０（ａ）〜（ｄ）は、図９に示す第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａを形成するための方法の一例を示す図である。ここでは、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の密着性が、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の密着性よりも高くなっている積層体５０を用いる例について説明する。図１０（ａ）は、エッチングが開始される前の第１透明導電層５２ａを示す図である。

エッチング液が基材３２の表面３２ａに到達するまでの間は、第１透明導電層５２ａが等方的にエッチングされていく。すなわち、第１透明導電層５２ａの表面のうち第１金属層５４ａ側の表面５２ｃ近傍の部分がはじめにエッチングされていく。図１０（ｂ）には、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅが、基材３２側よりも第１金属層５４ａ側においてより深くサイドエッチングされている様子が示されている。

ここで本変形例においては、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の密着性が、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の密着性よりも高くなっている。すなわち、第１透明導電層５２ａは、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の界面に比べて、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の界面において、剥離され易くなっている。この場合、エッチング液が基材３２の表面３２ａに到達すると、エッチング液が第１透明導電層５２ａと基材３２との間の界面に浸透し、この結果、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の界面における第１透明導電層５２ａのエッチングが急激に進行する。このため第１透明導電層５２ａの側面５２ｅが、第１金属層５４ａ側よりも基材３２側においてより速くエッチングされるようになる。この結果、ある時点を境に、図１０（ｃ）に示すように、第１透明導電層５２ａの基材３２側の表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２が、第１金属層５４ａ側の表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１よりも小さくなる。エッチングをさらに継続すると、図１０（ｄ）に示すように、第１の幅ｗａ１と第２の幅ｗａ２との間の差がさらに拡大する。このようにして、表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２が、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１よりも小さくなっている第１透明導電層５２ａを有する第１取出パターン４３を得ることができる。

なお、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の密着性を、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の密着性よりも高くするための方法が特に限られることはない。例えば、第１金属層５４ａのうち少なくとも第１透明導電層５２ａに接する部分を、第１透明導電層５２ａに対する高い密着性を有する材料で構成することができる。具体的には、第１透明導電層５２ａがＩＴＯから構成されている場合、第１金属層５４ａのうち第１透明導電層５２ａに接する部分を、ＭｏＮｂ合金やＣｕＮｉ合金などＩＴＯに対する高い密着性を有する材料で構成する。なお第１金属層５４ａは、ＭｏＮｂ合金の層の上に設けられ、ＭｏＮｂ合金よりも高い導電性を有する材料からなる層、例えば銀合金からなる層をさらに有していてもよい。

（第２の変形例）
次に図１１を参照して、第１透明導電層５２ａが、第１透明導電層５２ａの表面５２ｃ，５２ｄ以外の位置において、少なくとも部分的に、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さい幅を有している例について説明する。具体的には、図１１に示すように、第１透明導電層５２ａの幅が、厚み方向におけるほぼ中間位置において最小になっている場合について説明する。

図１１に示す例において、第１金属層５４ａの金属イオンＩｄが隣接する第１取出パターン４３まで移動するためには、図１１に示す矢印（６）〜（８）の順に移動する必要がある。矢印（６）は、第１透明導電層５２ａの第１金属層５４ａ側の表面５２ｃから上記中間位置までの、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅに沿った移動を表している。矢印（７）は、上記中間位置から第１透明導電層５２ａの基材３２側の表面５２ｄまでの、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅに沿った移動を表している。矢印（８）は、基材３２の表面３２ａに沿った移動を表している。

図１１から明らかなように、矢印（７），（８）の移動は、電界Ｅの向きに沿った移動であり、このため容易に発生し得る。一方、矢印（６）の移動は、電界Ｅの向きとは反対の向きに進む成分を含むものである。すなわち、矢印（６）の移動が実現されるためには、金属イオンＩｄが電界Ｅに逆らって動く必要があり、従ってそのような移動は生じ難いものである。このように本実施の形態によれば、第１透明導電層５２ａが、第１透明導電層５２ａの表面５２ｃ，５２ｄ以外の位置において、少なくとも部分的に、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さい幅を有していることにより、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅに、金属イオンが移動し難い部分を設けることができる。このことにより、隣接する２つの第１取出パターン４３,４３がショートしてしまうことをより強固に抑制することができる。

図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａを形成するための方法の一例を示す図である。図１２（ａ）〜（ｃ）に示す例においても、図１０（ａ）〜（ｄ）の場合と同様に、積層体５０として、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の密着性が、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の密着性よりも高くなっているものが用いられる。図１２（ａ）は、エッチングが開始される前の第１透明導電層５２ａを示す図である。

図１０（ａ）〜（ｄ）の場合と同様に、エッチング液が基材３２の表面３２ａに到達するまでの間は、第１透明導電層５２ａが等方的にエッチングされていく。図１２（ｂ）には、第１透明導電層５２ａの側面５２ｅが、基材３２側よりも第１金属層５４ａ側においてより深くエッチングされている様子が示されている。

エッチング液が基材３２の表面３２ａに到達すると、エッチング液が第１透明導電層５２ａと基材３２との間の界面に浸透し、この結果、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の界面およびその近傍における第１透明導電層５２ａのエッチングが急激に進行する。ここで、上述の図１０（ｃ）に示す段階までエッチングが進行するよりも前にエッチング処理を終了させると、図１２（ｃ）に示すように、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さい幅を有する部分を、厚み方向における第１透明導電層５２ａの中間位置の近傍に設けることができる。このようにして、第１透明導電層５２ａの表面５２ｃ，５２ｄ以外の位置において、少なくとも部分的に、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さい幅を有している部分が存在する第１透明導電層５２ａを有する第１取出パターン４３を得ることができる。

製造方法の変形例
上述の各変形例においては、第１透明導電層５２ａと第１金属層５４ａとの間の密着性が、第１透明導電層５２ａと基材３２との間の密着性よりも高くなっている積層体５０を用いることによって、各変形例に示す形状を有する第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａを得る例を示した。しかしながら、各変形例に示す形状を有する第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａを得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が適宜採用され得る。例えば第１透明導電層５２ａを、異なる結晶性を有する複数の層によって構成することにより、各変形例に示すような形状を有する第１取出パターン４３の第１透明導電層５２ａを得ることもできる。

以下、図９に示す第１の変形例による第１透明導電層５２ａを得るための方法のその他の例について、図１３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。ここでは、積層体５０として、基材３２側に配置された非晶質透明導電層５２ａａと、第１金属層５４ａ側に配置され、非晶質透明導電層５２ａａよりも高い結晶性を有する結晶質透明導電層５２ａｂと、を含む第１透明導電層５２ａを備えたものが用いられる。図１３（ａ）は、エッチングが開始される前の第１透明導電層５２ａを示す図である。

上述のように、結晶質透明導電層５２ａｂは、非晶質透明導電層５２ａａよりも高い結晶性を有している。このため図１３（ｂ）に示すように、非晶質透明導電層５２ａａがエッチングされる速度は、結晶質透明導電層５２ａｂがエッチングされる速度よりも大きくなっている。この結果、図１３（ｃ）に示すように、基材３２側の表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２が第１金属層５４ａ側の表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１よりも小さくなっている第１透明導電層５２ａを有する第１取出パターン４３を得ることができる。

次に、図１１に示す第２の変形例による第１透明導電層５２ａを得るための方法のその他の例について、図１４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。ここでは、積層体５０として、第１透明導電層５２ａの各表面５２ｃ，５２ｄを構成する一対の結晶質透明導電層５２ａｂと、一対の結晶質透明導電層５２ａｂの間に配置された非晶質透明導電層５２ａａと、を含む第１透明導電層５２ａを備えたものが用いられる。図１４（ａ）は、エッチングが開始される前の第１透明導電層５２ａを示す図である。

上述のように、結晶質透明導電層５２ａｂは、非晶質透明導電層５２ａａよりも高い結晶性を有している。このため図１４（ｂ）に示すように、非晶質透明導電層５２ａａがエッチングされる速度は、結晶質透明導電層５２ａｂがエッチングされる速度よりも大きくなっている。この結果、図１４（ｃ）に示すように、非晶質透明導電層５２ａａの幅は、その大部分において、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さくなる。このようにして、第１透明導電層５２ａの表面５２ｃ，５２ｄ以外の位置において、少なくとも部分的に、表面５２ｃにおける第１の幅ｗａ１および表面５２ｄにおける第２の幅ｗａ２よりも小さい幅を有している部分が存在する第１透明導電層５２ａを有する第１取出パターン４３を得ることができる。

なお、上述の非晶質透明導電層５２ａａおよび結晶質透明導電層５２ａｂを有する第１透明導電層５２ａを含む積層体５０を作製するための方法が特に限られることはない。例えば特開２００３−１６８５８号公報には、スパッタリングによってＩＴＯを成膜する際に添加される水素や水蒸気の量を調整することによって、得られるＩＴＯの結晶性を制御することができることが開示されている。一般には、添加される水素や水蒸気の量が多いほど、得られるＩＴＯ膜が非晶質になりやすいことが知られている。ＩＴＯ膜のこのような性質を利用して、添加される水素や水蒸気の量を変更しながら複数のＩＴＯ膜を積層させることにより、結晶性の異なる複数の層を含む第１透明導電層５２ａを得ることができる。

また上述の本実施の形態および各変形例においては、フォトリソグラフィーなどのサブトラクティブ法を用いて積層体５０をパターニングすることにより、タッチパネルセンサ３０を製造する方法を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっきなどのアディティブ法を用いてタッチパネルセンサ３０の取出パターン４３，４８を形成してもよい。

また上述の本実施の形態および各変形例において、図示はしないが、透明導電パターン４１，４６および取出パターン４３，４８を覆うオーバーコート層が設けられていてもよい。これによって、透明導電パターン４１，４６および取出パターン４３，４８を適切に保護することができる。オーバーコート層は、真空ラミネートや減圧ラミネートによって形成され得る。ここで上述の本実施の形態および各変形例によれば、取出パターン４３，４８の金属層５４ａ，５４ｂと透明導電層５２ａ，５２ｂとの間の界面において、透明導電層５２ａ，５２ｂの幅ｗａ１が金属層５４ａ，５４ｂの幅ｗｂよりも小さくなっている。すなわち、取出パターン４３，４８の金属層５４ａ，５４ｂと透明導電層５２ａ，５２ｂとの間の界面において、金属層５４ａ，５４ｂが側方に突出している。このため、オーバーコート層が金属層５４ａ，５４ｂの突出部分に引っかかり易くなっており、このことにより、金属層５４ａ，５４ｂに対するオーバーコート層の密着性が高くなっている。従って、従来のタッチパネルセンサに比べて、オーバーコート層をより強固に固定することができる。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

３０ タッチパネルセンサ
３２ 基材
４１ 第１透明導電パターン
４３ 第１取出導電パターン
４６ 第２透明導電パターン
４８ 第２取出導電パターン
５０ 積層体
５２ａ 第１透明導電層
５２ｂ 第２透明導電層
５４ａ 第１金属層
５４ｂ 第２金属層
５６ａ 第１感光層
５６ｂ 第２感光層
Ａ１ アクティブエリアＡ１
Ａ２ 非アクティブエリアＡ２

Claims (9)

1. タッチパネルセンサであって、
   タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアと、を含む基材と、
   前記基材の前記アクティブエリアに配置された透明導電パターンと、
   前記基材の前記非アクティブエリアに配置され、前記透明導電パターンに接続された取出パターンと、を備え、
   前記取出パターンは、遮光性および導電性を有する金属層と、前記金属層の表面のうち前記基材側の表面に接するよう設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、を含み、
   前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも小さくなっている、タッチパネルセンサ。
2. 前記金属層と前記透明導電層との間の界面における前記透明導電層の幅を第１の幅と称する場合、前記透明導電層が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面以外の位置において、少なくとも部分的に、前記第１の幅よりも小さい幅を有している、請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
3. 前記透明導電層の表面のうち前記基材側の表面における前記透明導電層の幅を第２の幅と称する場合、前記第２の幅が前記第１の幅よりも小さくなっている、請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
4. 前記透明導電層の幅が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面から前記基材に向かうにつれて単調に減少する、請求項３に記載のタッチパネルセンサ。
5. 前記透明導電層の表面のうち前記基材側の表面における前記透明導電層の幅を第２の幅と称する場合、前記透明導電層が、前記透明導電層の表面以外の位置において、少なくとも部分的に、前記第１の幅および前記第２の幅よりも小さい幅を有している、請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
6. 前記透明導電層の幅が、前記金属層と前記透明導電層との間の界面から前記基材に向かうにつれて単調に増加する、請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
7. 前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも少なくとも０．５μｍ小さくなっている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
8. 表示装置と、
   前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
   前記タッチパネルセンサが、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサからなる、入出力装置。
9. アクティブエリアに配置された透明導電パターンと、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに配置され、前記透明導電パターンに接続された取出パターンと、を備えるタッチパネルセンサの製造方法であって、
   基材と、遮光性および導電性を有する金属層と、前記金属層の表面のうち前記基材側の表面に接するよう設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、を含む積層体を準備する工程と、
   前記金属層をエッチングして、前記金属層をパターニングする工程と、
   前記パターニングされた金属層をマスクとして前記透明導電層をエッチングして、前記透明導電層をパターニングし、これによって、前記透明導電層および前記金属層を含む前記取出パターンを前記非アクティブエリアに形成する工程と、
   前記アクティブエリア内に存在する前記金属層を除去し、これによって、前記透明導電層からなる前記透明導電パターンを前記アクティブエリアに形成する工程と、を備え、
   前記取出パターンの前記金属層と前記透明導電層との間の界面において、前記透明導電層の幅が、前記金属層の幅よりも小さくなっている、タッチパネルセンサの製造方法。

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