JP2014230350A - 半導体集積回路およびその動作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本願において開示される代表的な実施の形態についてその概要を説明する。代表的な実施の形態の概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
《電子装置の構成》
図1は、実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10の構成を示す図である。
負荷回路300は、電源供給回路100の出力端子230に生成される出力電源電圧VOUTにより動作する半導体集積回路である。
電源供給回路100は、半導体集積回路の半導体チップの形態に構成され、この半導体チップには、計測回路110とスイッチ(SW)制御回路120とスイッチ(SW)回路130とが集積化されている。
スイッチ(SW)回路130においては、Pチャネル・第1MOSトランジスタM3mとPチャネル・第2MOSトランジスタM3bとは逆流防止の構成が採用されている。
図1乃至図4を使用して説明した実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10では、電源供給回路100の第1入力端子に供給される主電源(VM)210の主電源電圧VMの電圧レベルと第2入力端子に供給される補助電源(VB)220の補助電源電圧VBの電圧レベルとの大小関係によって電子装置10の動作モードが決定される。
すなわち、図1に示す実施の形態1による電源供給回路100の計測回路110は主電源電圧VMの電圧レベルと補助電源電圧VBの電圧レベルがVM≧VBの関係を満足していると判定した場合には、電子装置10は通常動作モードに制御される。この場合には、計測回路110は、判定信号SDをハイレベル“1”の通常動作モードレベルに設定する。その結果、スイッチ(SW)制御回路120は、ハイレベル“1”の通常動作モードレベルの判定信号SDに応答して、スイッチ(SW)回路130に供給されるスイッチ制御信号SCを通常動作モードレベルに設定する。従って、スイッチ(SW)回路130は、通常動作モードレベルに設定されたスイッチ制御信号SCに応答して高い電圧である主電源(VM)210の主電源電圧VMを選択して出力電源電圧VOUTとして出力端子230を介して負荷回路300に供給する機能を有するものである。
それに対して、図1に示す実施の形態1による電源供給回路100の計測回路110は主電源電圧VMの電圧レベルと補助電源電圧VBの電圧レベルがVM<VBの関係を満足していると判定した場合には、電子装置10は電源バックアップ動作モードに制御される。この場合には、計測回路110は、判定信号SDをローレベル“0”の電源バックアップ動作モードレベルに設定するものである。その結果、スイッチ(SW)制御回路120は、ローレベル“0”の電源バックアップ動作モードレベルの判定信号SDに応答してスイッチ(SW)回路130に供給されるスイッチ制御信号SCを電源バックアップ動作モードレベルに設定する。従って、スイッチ(SW)回路130は、電源バックアップ動作モードレベルに設定されたスイッチ制御信号SCに応答して高い電圧である補助電源(VB)220の補助電源電圧VBを選択して出力電源電圧VOUTとして出力端子230を介して負荷回路300に供給する機能を有するものである。
図1乃至図4で説明した実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10では、電源供給回路100の計測回路110のコンパレータ1101への供給電力は、通常動作モードと電源バックアップ動作モードとのいずれにおいても電源供給回路100の第1入力端子に供給される主電源(VM)210の主電源電圧VMに基づくものである。
更に図1乃至図4で説明した実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10によれば、電源バックアップ動作モードでは、計測回路110のコンパレータ1101の出力端子からローレベル“0”の判定信号SDの生成が維持されている。その結果、スイッチ(SW)制御回路120でCMOSインバータ回路によって構成された2個のインバータB21、B22の消費電力も、無視できるほど小さなものとなる。
図5は、実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10の他の構成を示す図である。
図6は、図1と図5に示した実施の形態1による電源供給回路100に含まれた計測回路110のコンパレータ1101の構成を示す図である。
図7は、図1乃至図6で説明した実施の形態1による電源供給回路100を具備した電子装置10の動作を説明するための波形図である。
図8は、実施の形態2による電源供給回路100の構成を示す図である。
図9は、実施の形態3による電源供給回路100の構成を示す図である。
図10は、実施の形態4による電源供給回路100の構成を示す図である。
図11は、図10に示した実施の形態4のレベルシフト回路1104の第1入力端子および第2入力端子と第1出力端子および第2出力端子との間の信号伝達回路の構成を示す図である。
図12は、実施の形態5による電源供給回路100の構成を示す図である。
図13は、実施の形態6による電源供給回路100の構成を示す図である。
図14は、実施の形態7による電源供給回路100の構成を示す図である。
100…電源供給回路
210…主電源(VM)
220…補助電源(VB)
200…基準電源(GND)
300…負荷回路
110…計測回路
120…スイッチ(SW)制御回路
130…スイッチ(SW)回路
1101…コンパレータ
B21、B22…インバータ
M3m…Pチャネル・第1MOSトランジスタ
M3b…Pチャネル・第2MOSトランジスタM3b
230…出力端子
310…メモリ
320…タイマー回路
330…マイコン
Claims (20)
- 第1入力端子と第2入力端子と出力端子とを有する電源供給回路を含む半導体集積回路であって、
前記第1入力端子には主電源からの主電源電圧が供給可能とされて、前記第2入力端子には補助電源からの補助電源電圧が供給可能とされて、前記出力端子から生成される出力電源電圧が負荷に供給可能とされ、
前記電源供給回路は、計測回路と、スイッチ制御回路と、スイッチ回路とを具備して、
前記スイッチ回路は、前記第1入力端子と前記出力端子との間に接続された第1スイッチ素子と、前記第2入力端子と前記出力端子との間に接続された第2スイッチ素子とを含み、
前記計測回路は前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧によって動作して、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧とを比較して、
前記スイッチ制御回路は、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とを制御して、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも高い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれオン状態とオフ状態とに制御され、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも低い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれオフ状態とオン状態とに制御される
半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記計測回路は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧によって動作して前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧とを比較するコンパレータを含み、
前記計測回路の前記判定信号が、前記コンパレータの出力端子から、生成される
半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記スイッチ回路の前記第1入力端子と前記出力端子との間に接続された前記第1スイッチ素子に、前記出力端子から前記第1入力端子への逆流を防止する構成が採用されて、
前記スイッチ回路の前記第2入力端子と前記出力端子との間に接続された前記第2スイッチ素子に、前記出力端子から前記第2入力端子への逆流を防止する構成が採用された
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれ、第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタとを含み、
前記出力端子から前記第1入力端子への逆流を防止する前記構成と前記出力端子から前記第2入力端子への逆流を防止する前記構成とは、前記第1MOSトランジスタのドレインと基板との間の寄生ダイオードと前記第2MOSトランジスタのドレインと基板との間の寄生ダイオードとをそれぞれ含む
半導体集積回路。 - 請求項4において、
前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧が供給される前記負荷は、内部コア回路を含み、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも低い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して前記電源供給回路から前記負荷に供給される負荷制御信号によって前記内部コア回路は低消費電力モードに制御される
半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記スイッチ制御回路は、前記計測回路の前記判定信号が入力端子に供給される第1インバータと、前記第1インバータの出力信号が入力端子に供給される第2インバータとを含み、
前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子の前記第1MOSトランジスタと前記第2スイッチ素子の前記第2MOSトランジスタとは、PチャネルMOSトランジスタであり、
前記スイッチ回路の前記第1MOSトランジスタのゲートと前記第2MOSトランジスタのゲートとは、前記スイッチ制御回路の前記第1インバータの前記出力信号と前記第2インバータの出力信号とによってそれぞれ駆動される
半導体集積回路。 - 請求項6において、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記コンパレータの動作下限電圧より低い電圧に低下することに応答して、前記スイッチ制御回路は前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とをそれぞれオフ状態とオン状態とに制御する
半導体集積回路。 - 請求項7において、
前記スイッチ制御回路は、そのドレイン・ソース電流経路が前記第1インバータと基準電位との間に接続されたNチャネル制御MOSトランジスタを更に含み、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記コンパレータの前記動作下限電圧より低い電圧に低下することに応答して、前記Nチャネル制御MOSトランジスタがオフ状態に制御され、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とがそれぞれオフ状態とオン状態に制御される
半導体集積回路。 - 請求項7において、
前記計測回路は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧によって動作して、前記コンパレータの動作下限電圧よりも低い電圧に前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が低下すること検出する他のコンパレータを更に含み、
前記スイッチ制御回路は、第1入力端子と第2入力端子と出力端子を有する2入力ANDゲートを更に含み、
前記計測回路の前記コンパレータの出力信号と他のコンパレータの出力信号とが、前記スイッチ制御回路の前記2入力ANDゲートの前記第1入力端子と前記第2入力端子とに、それぞれ供給される。
前記スイッチ制御回路の前記2入力ANDゲートの前記出力端子が、前記第1インバータの前記入力端子に接続された
半導体集積回路。 - 請求項9において、
前記電源供給回路は、前記計測回路と前記スイッチ制御回路との間に接続されたレベルシフト回路を更に含み、
前記電源供給回路の前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧とが、前記レベルシフト回路に電源電圧として供給され、
前記計測回路の前記コンパレータの前記出力信号と前記他のコンパレータの前記出力信号とは、前記レベルシフト回路の第1入力端子と第2入力端子とにそれぞれ供給され、
前記レベルシフト回路の第1出力端子と第2出力端子とは、前記スイッチ制御回路の前記2入力ANDゲートの前記第1入力端子と前記第2入力端子とにそれぞれ接続され、
前記レベルシフト回路は、前記レベルシフト回路の前記第1入力端子と前記第2入力端子とにそれぞれ供給されるハイレベルの入力信号を、前記レベルシフト回路の前記第1出力端子と前記第2出力端子とにそれぞれ生成されるハイレベルのレベルシフト出力信号に変換する機能を有して、
前記レベルシフト回路の前記第1入力端子と前記第2入力端子とにそれぞれ供給されるハイレベルの前記入力信号は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧の電圧レベルを有して、
前記レベルシフト回路の前記第1出力端子と前記第2出力端子とにそれぞれ生成されるハイレベルの前記レベルシフト出力信号は、前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧の電圧レベルを有する
半導体集積回路。 - 請求項9において、
前記計測回路は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧の分圧電圧を生成する分圧回路と、所定の比較基準電圧を生成する基準電圧生成回路とを更に含み、
前記他のコンパレータは前記分圧回路によって生成される前記分圧電圧と前記基準電圧生成回路によって生成される前記所定の比較基準電圧とを比較することによって、前記コンパレータの前記動作下限電圧よりも低い電圧に前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が低下することを検出する
半導体集積回路。 - 請求項6において、
前記電源供給回路は、前記計測回路と前記スイッチ制御回路との間に接続されたレベルシフト回路を更に含み、
前記電源供給回路の前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧とが、前記レベルシフト回路に供給され、
前記計測回路の前記コンパレータの前記出力信号は、前記レベルシフト回路の第1入力端子に供給される。
前記レベルシフト回路の第1出力端子は、前記スイッチ制御回路の前記第1インバータの前記入力端子に接続され、
前記レベルシフト回路は、前記レベルシフト回路の前記第1入力端子に供給されるハイレベルの入力信号を、前記レベルシフト回路の前記第1出力端子に生成されるハイレベルのレベルシフト出力信号に変換する機能を有して、
前記レベルシフト回路の前記第1入力端子に供給されるハイレベルの前記入力信号は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧の電圧レベルを有して、
前記レベルシフト回路の前記第1出力端子に生成されるハイレベルの前記レベルシフト出力信号は、前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧の電圧レベルを有する
半導体集積回路。 - 請求項1乃至請求項12のいずれかにおいて、
前記負荷は、内部コア回路を含んだ半導体集積回路であり、
前記電源供給回路を含んだ前記半導体集積回路と前記負荷の前記内部コア回路を含んだ半導体集積回路とは、同一の半導体チップである
半導体集積回路。 - 請求項1乃至請求項12のいずれかにおいて、
前記負荷は、内部コア回路を含んだ半導体集積回路であり、
前記電源供給回路を含んだ前記半導体集積回路と前記負荷の前記内部コア回路を含んだ半導体集積回路とは、それぞれ別個の半導体チップである
半導体集積回路。 - 第1入力端子と第2入力端子と出力端子とを有する電源供給回路を含む半導体集積回路の動作方法であって、
前記第1入力端子には主電源からの主電源電圧が供給可能とされて、前記第2入力端子には補助電源からの補助電源電圧が供給可能とされて、前記出力端子から生成される出力電源電圧が負荷に供給可能とされ、
前記電源供給回路は、計測回路と、スイッチ制御回路と、スイッチ回路とを具備して、
前記スイッチ回路は、前記第1入力端子と前記出力端子との間に接続された第1スイッチ素子と、前記第2入力端子と前記出力端子との間に接続された第2スイッチ素子とを含み、
前記計測回路は前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧によって動作して、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧とを比較して、
前記スイッチ制御回路は、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とを制御して、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも高い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれオン状態とオフ状態とに制御され、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも低い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して、前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれオフ状態とオン状態とに制御される
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項15において、
前記計測回路は、前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧によって動作して前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧と前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧とを比較するコンパレータを含み、
前記計測回路の前記判定信号が、前記コンパレータの出力端子から、生成される
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項16において、
前記スイッチ回路の前記第1入力端子と前記出力端子との間に接続された前記第1スイッチ素子に、前記出力端子から前記第1入力端子への逆流を防止する構成が採用されて、
前記スイッチ回路の前記第2入力端子と前記出力端子との間に接続された前記第2スイッチ素子に、前記出力端子から前記第2入力端子への逆流を防止する構成が採用された
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項17において、
前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子とはそれぞれ、第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタとを含み、
前記出力端子から前記第1入力端子への逆流を防止する前記構成と前記出力端子から前記第2入力端子への逆流を防止する前記構成とは、前記第1MOSトランジスタのドレインと基板との間の寄生ダイオードと前記第2MOSトランジスタのドレインと基板との間の寄生ダイオードとをそれぞれ含む
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項18において、
前記電源供給回路の前記出力端子から生成される前記出力電源電圧が供給される前記負荷は、内部コア回路を含み、
前記第1入力端子に供給される前記主電源電圧が前記第2入力端子に供給される前記補助電源電圧よりも低い電圧である場合には、前記計測回路の判定信号に応答して前記電源供給回路から前記負荷に供給される負荷制御信号によって前記内部コア回路は低消費電力モードに制御される
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項16において、
前記スイッチ制御回路は、前記計測回路の前記判定信号が入力端子に供給される第1インバータと、前記第1インバータの出力信号が入力端子に供給される第2インバータとを含み、
前記スイッチ回路の前記第1スイッチ素子の前記第1MOSトランジスタと前記第2スイッチ素子の前記第2MOSトランジスタとは、PチャネルMOSトランジスタであり、
前記スイッチ回路の前記第1MOSトランジスタのゲートと前記第2MOSトランジスタのゲートとは、前記スイッチ制御回路の前記第1インバータの前記出力信号と前記第2インバータの出力信号とによってそれぞれ駆動される
半導体集積回路の動作方法。
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