JP2014222300A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶の寿命を向上させることができる液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶装置１００は、第一基板１０と第二基板２０と液晶層１５とを有する。第一基板１０は、第一透光性膜３３と、第一透光性膜３３より屈折率が高い導電性の第二透光性膜３１と、第二透光性膜３１より屈折率が低い第三透光性膜３２と、を含む。第二基板２０は、第四透光性膜１１ｂと、第四透光性膜１１ｂより屈折率が高い導電性の第五透光性膜２７ａと、第五透光性膜２７ａより屈折率が低い第六透光性膜２７ｂと、第六透光性膜２７ｂより屈折率が高い導電性の第七透光性膜２７ｃと、第七透光性膜２７ｃより屈折率が低い第八透光性膜２８と、を含む。光の入射側である第一基板１０に設けられた第二透光性膜３１が液晶材料を劣化させる光の透過率を低くする。又、光の出射側である第二基板２０に設けられた透明積層膜が液晶材料を劣化させる光の反射を抑制する。【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。

上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。

液晶装置は、屈折率の異なる透明膜を積層した透明積層膜を備えることにより、透過率を向上させることが知られている。例えば、特許文献１に記載のように、反射型の液晶装置では、光の入射側である対向基板の液晶層側に、第１の屈折率を有する第１の透明膜（ＩＴＯ膜）と、第１の屈折率より小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜（ＳｉＯ₂膜）と、第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する第３の透明膜（ＩＴＯ膜）とを所定の膜厚で積層した透明積層膜を設けることにより、透過率を向上させることが開示されている。

特開２００７−１７８７７４号公報

このような透明積層膜を透過型の液晶装置に適用した場合、例えば、光の入射側である対向基板側と、光の出射側である素子基板側の両方に透明積層膜を設けることにより、透過率の向上が期待できる。

しかしながら、可視光の波長帯域の透過率が大きくなるように光学膜厚が設定された透明積層膜を、透過型の液晶装置の光の入射側に配置すると、青色光の短波長の帯域（４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）でも透過率が大きくなる。よって、透過型の液晶装置では、光の入射側と出射側との両方に透明積層膜を配置させることにより、液晶装置の透過率を向上させることができるものの、短波長の光もより多く液晶に到達することにより、液晶の寿命が低下するという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

（適用例１） 本適用例に係る液晶装置は、第一基板と、第一基板に対向配置されると共に、第一基板より光出射側に配置される第二基板と、第一基板と第二基板とにより挟持された液晶層と、を有する液晶装置であって、第一基板は、第一透光性膜と、第一透光性膜と液晶層との間に配置され、第一透光性膜より屈折率が高い導電性の第二透光性膜と、第二透光性膜と液晶層との間に配置され、第二透光性膜より屈折率が低い第三透光性膜と、を含み、第二基板は、第四透光性膜と、第四透光性膜と液晶層との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い導電性の第五透光性膜と、第五透光性膜と液晶層との間に配置され、第五透光性膜より屈折率が低い第六透光性膜と、第六透光性膜と液晶層との間に配置され、第六透光性膜より屈折率が高い導電性の第七透光性膜と、第七透光性膜と液晶層との間に配置され、第七透光性膜より屈折率が低い第八透光性膜と、を含み、第五透光性膜の屈折率をｎ₅、第五透光性膜の物理膜厚をｄ₅、とし、第六透光性膜の屈折率をｎ₆、第六透光性膜の物理膜厚をｄ₆、とし、第七透光性膜の屈折率をｎ₇、第七透光性膜の物理膜厚をｄ₇、とした際に、第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₁と０以上の整数ｍ₂とを用いて、数式１の関係式を満たす事を特徴とする。

本適用例によれば、光の入射側である第一基板に導電性の第二透光性膜（単層）が設けられているので、第一波長λ₁の光の透過率（例えば、入射光に含まれる液晶材料で吸収の大きい波長帯域（短波長：４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）の光の透過率）を、第二基板に設けられた透明積層膜と比較して低くすることができる。つまり、導電性の第二透光性膜によって、第一波長以下である短波長光の透過を抑えることが可能となり、液晶に短波長成分が入ることを抑えることができる。よって、液晶層の寿命を向上させることが可能となり、耐光性を向上させることができる。又、光の出射側である第二基板に、導電性の第五透光性膜、第一絶縁膜（第六透光性膜）、導電性の第七透光性膜からなる透明積層膜が設けられており、透明積層膜では、第一波長の光に対する反射を抑制している。この結果、第一波長の光と言った短波長の光の透過率が、導電性の第二透光性膜と比較して向上されている。言い換えれば、第二基板側で短波長成分が反射して液晶層に再入射することを抑えることができる。これらにより、液晶層に入射する短波長を弱くすることが可能となり、液晶層の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。加えて、光の入射側にフィルターを設ける場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。つまり、製造工程を簡略化することができる。又、第一波長の光は青色光に相当するが、この構成によると、青色光の波長帯域では、透過率が、第一基板に設けられた第二透光性膜より第二基板に設けられた透明積層膜の方が大きくなる。即ち、光の出射側に配置された透明積層膜では青色光の透過率が大きく、それ故に、液晶装置から出てくる出射光の輝度を向上させることができる。

（適用例２） 本適用例に係る液晶装置は、第一基板と、第一基板に対向配置されると共に、第一基板より光出射側に配置される第二基板と、第一基板と第二基板とにより挟持された液晶層と、を有する液晶装置であって、第一基板は、第一透光性膜と、第一透光性膜と液晶層との間に配置され、第一透光性膜より屈折率が高い導電性の第二透光性膜と、第二透光性膜と液晶層との間に配置され、第二透光性膜より屈折率が低い第三透光性膜と、を含み、第二基板は、第四透光性膜と、第四透光性膜と液晶層との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い第九透光性膜と、第九透光性膜と液晶層との間に配置され、第九透光性膜より屈折率が高い導電性の第十透光性膜と、第十透光性膜と液晶層との間に配置され、第十透光性膜より屈折率が低い第十一透光性膜と、第十一透光性膜と液晶層との間に配置され、第十一透光性膜より屈折率が低い第八透光性膜と、を含み、第九透光性膜の屈折率をｎ₉、第九透光性膜の物理膜厚をｄ₉、とし、第十透光性膜の屈折率をｎ₁₀、第十透光性膜の物理膜厚をｄ₁₀、とし、第十一透光性膜の屈折率をｎ₁₁、第十一透光性膜の物理膜厚をｄ₁₁、とした際に、第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₃と０以上の整数ｍ₄とを用いて、数式２の関係式を満たす事を特徴とする。

本適用例によれば、光の入射側である第一基板に導電性の第二透光性膜（単層）が設けられているので、第一波長λ₁の光の透過率（例えば、入射光に含まれる液晶材料で吸収の大きい波長帯域（短波長：４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）の光の透過率）を、第二基板に設けられた透明積層膜と比較して低くすることができる。つまり、導電性の第二透光性膜によって、第一波長以下である短波長光の透過を抑えることが可能となり、液晶に短波長成分が入ることを抑えることができる。よって、液晶層の寿命を向上させることが可能となり、耐光性を向上させることができる。又、光の出射側である第二基板に、第九透光性膜、導電性の第十透光性膜、第十一透光性膜からなる透明積層膜が設けられており、透明積層膜では、第一波長の光に対する反射を抑制している。この結果、第一波長の光と言った短波長の光の透過率が、導電性の第二透光性膜と比較して向上されている。言い換えれば、第二基板側で短波長成分が反射して液晶層に再入射することを抑えることができる。これらにより、液晶層に入射する短波長を弱くすることが可能となり、液晶層の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。加えて、光の入射側にフィルターを設ける場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。つまり、製造工程を簡略化することができる。又、第一波長の光は青色光に相当するが、この構成によると、青色光の波長帯域では、透過率が、第一基板に設けられた第二透光性膜より第二基板に設けられた透明積層膜の方が大きくなる。即ち、光の出射側に配置された透明積層膜では青色光の透過率が大きく、それ故に、液晶装置から出てくる出射光の輝度を向上させることができる。

（適用例３） 上記適用例２に記載の液晶装置において、０以上の整数ｍ₅を用いて、数式３の関係式を満たす事が好ましい。

本適用例によれば、光の入射側である第一基板に導電性の第二透光性膜（単層）が設けられているので、第一波長λ₁の光の透過率（例えば、入射光に含まれる液晶材料で吸収の大きい波長帯域（短波長：４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）の光の透過率）を、第二基板に設けられた透明積層膜と比較して低くすることができる。つまり、導電性の第二透光性膜によって、第一波長以下である短波長光の透過を抑えることが可能となり、液晶に短波長成分が入ることを抑えることができる。よって、液晶層の寿命を向上させることが可能となり、耐光性を向上させることができる。又、光の出射側である第二基板に、第九透光性膜、導電性の第十透光性膜、第十一透光性膜からなる透明積層膜が設けられており、透明積層膜では、第一波長の光に対する反射を抑制している。この結果、第一波長の光と言った短波長の光の透過率が、導電性の第二透光性膜と比較して向上されている。言い換えれば、第二基板側で短波長成分が反射して液晶層に再入射することを抑えることができる。これらにより、液晶層に入射する短波長を弱くすることが可能となり、液晶層の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。加えて、光の入射側にフィルターを設ける場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。つまり、製造工程を簡略化することができる。又、第一波長の光は青色光に相当するが、この構成によると、青色光の波長帯域では、透過率が、第一基板に設けられた第二透光性膜より第二基板に設けられた透明積層膜の方が大きくなる。即ち、光の出射側に配置された透明積層膜では青色光の透過率が大きく、それ故に、液晶装置から出てくる出射光の輝度を向上させることができる。

（適用例４） 上記適用例２又は３に記載の液晶装置において、第四透光性膜の屈折率をｎ₄とし、第八透光性膜の屈折率をｎ₈とした際に、数式４の関係式を満たす事が好ましい。

この構成によれば、第四透光性膜と第九透光性膜との界面での理論上の反射率と、第九透光性膜と第十透光性膜との界面での理論上の反射率と、がほぼ等しくなるので、両界面からの理論上の反射光は効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面から第一波長の光の反射が小さくなり、第一波長の光は効率的に両界面を通過する事ができる。同様に、この構成によれば、第八透光性膜と第十一透光性膜との界面での理論上の反射率と、第十一透光性膜と第十透光性膜との界面での理論上の反射率と、がほぼ等しくなるので、両界面からの理論上の反射光は効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面から第一波長の光の反射が小さくなり、第一波長の光は効率的に両界面を通過する事ができる。

（適用例５） 上記適用例１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置において、第一波長λ₁が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である事が好ましい。
本適用例によれば、光の入射側である第一基板での入射光に含まれる液晶材料で吸収の大きい波長帯域（短波長：４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）の光の透過率を、第二基板に設けられた透明積層膜と比較して低くすることができる。

（適用例６）上記適用例１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置において、第二透光性膜の屈折率をｎ₂、第二透光性膜の物理膜厚をｄ₂、とした際に、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の第二波長λ₂に対して、１以上の整数ｍ₆を用いて、数式５の関係式を満たす事が好ましい。

この構成によれば、第一透光性膜と第二透光性膜との界面での理論上の反射光と、第二透光性膜と第三透光性膜との界面での理論上の反射光と、は効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面からの第二波長の光の反射が小さくなり、第二波長の光は効率的に両界面を通過する事ができる。即ち、第二波長の光は液晶装置に効率的に入射され、その結果、液晶装置から出射される第二波長の光の輝度を向上させることができる。第二波長の光は人間の視感度が一番高い光であるので、明るい表示がなされる液晶装置を実現する事ができる。

（適用例７） 上記適用例１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置において、液晶層は、無配向状態で、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率より、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率の方が高い事が好ましい。
液晶の無配向状態での光の吸収率は液晶材料その物による光の吸収率を表す。吸収率の大きい波長の光はそれだけ、液晶の劣化を促進しやすい。この構成によれば、液晶層の劣化を促進する４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光は、第二透光性膜により、液晶層への入射が抑制されている。その結果、液晶層の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。

（適用例８） 上記適用例１に記載の液晶装置において、第五透光性膜の物理膜厚と第七透光性膜の物理膜厚との和は、第二透光性膜の物理膜厚よりも小さい事が好ましい。
この構成によれば、第五透光性膜と第七透光性膜とでの吸収率が小さくなるので、積層多層膜による干渉の効果が働かない第一波長以外の光でも積層多層膜の透過率を大きくする事ができる。即ち、明るい表示が可能な液晶装置を実現する事ができる。

（適用例９） 上記適用例２乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置において、第十透光性膜の物理膜厚は、第二透光性膜の物理膜厚よりも小さい事が好ましい。
この構成によれば、第十透光性膜での吸収率が小さくなるので、積層多層膜による干渉の効果が働かない第一波長以外の光でも積層多層膜の透過率を大きくする事ができる。即ち、明るい表示が可能な液晶装置を実現する事ができる。

（適用例１０） 本適用例に係る電子機器は、上記適用例１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、液晶の寿命を向上させると共に明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の画素の構造を示す模式断面図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図。 第３実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図。 第４実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図。 第５実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図。 第１実施形態の効果を説明する図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、第一基板（本実施形態では対向基板１０）と第二基板（本実施形態では素子基板２０）と液晶層１５とを有している。第二基板は第一基板に対向配置され、対向配置された第一基板と第二基板とによって、液晶層１５が挟持されている。対向基板１０を構成する第一絶縁性基板１０ａと素子基板２０を構成する第二絶縁性基板２０ａとは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。液晶装置１００は透過型であり、入射光は第一基板から液晶層に導かれ、第一基板より光出射側に配置された第二基板から出射される。

素子基板２０は対向基板１０よりも大きく、両基板は、対向基板１０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板２０と対向基板１０との間には、正又は負の誘電異方性を有する液晶材料が封入されて液晶層１５を構成している。液晶材料は、例えば、フェニル、ビフェニル、ターフェニル等を骨格としており、紫外光領域から可視光領域の波長帯域の光を吸収し、短波長ほど吸収が大きい。言い換えれば、可視光領域における液晶層１５の光吸収率は、所定波長（４５０ｎｍ程度）から短波長側になるにつれて増加する。具体的には、液晶層１５をなす液晶材料は、無配向状態で、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率より、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率の方が高くなっている。尚、液晶が無配向状態にあるとは、液晶が空間形状によって配向される事も電界による配向される事も生じていない状態をさす。具体的には、液晶が配向膜で挟まれて配向される事もなく、液晶に電界が印加されて配向される事もない状態である。従って、無配向状態での吸収率とは、液晶材料が材料その物として有する吸収率を意味し、配向膜も電界もない状態で測定される光の吸収率である。液晶材料には、可視光の青色光、緑色光、赤色光のうち最も短波長である青色光の波長から短波長側に向かって徐々に光吸収率が増加する材料が使われている。

シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。又、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板１０に設けられている。

素子基板２０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。又、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板１０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第二絶縁性基板２０ａの液晶層１５側には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第二配向膜２８とが形成されている。第二配向膜２８は、後述する様に、本実施形態では、無機膜で第八透光性膜として機能している。

又、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板２０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、第二配向膜２８を含むものである。

第一基板は、第一透光性膜と第二透光性膜と第三透光性膜とを含んでいる。第二透光性膜は、第一透光性膜と液晶層１５との間に配置され、第一透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第三透光性膜は、第二透光性膜と液晶層１５との間に配置され、第二透光性膜より屈折率が低い膜である。本実施形態では、第一基板である対向基板１０の液晶層１５側の表面に、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化膜３３と、対向電極３１と、第一配向膜３２とが設けられている。平坦化膜３３は、酸化珪素膜などの透明絶縁膜からなり、その屈折率は凡そ１．４６程度である。本実施形態で、平坦化膜３３は第一透光性膜として機能している。対向電極３１はインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）等からなり、その屈折率は凡そ１．９程度である。対向電極３１は平坦化膜３３（第一透光性膜）を覆うように設けられており、導電性を有する透光性膜である。従って、対向電極３１は、本実施形態では、導電性の第二透光性膜である。第一配向膜３２は、対向電極３１（第二透光性膜）を覆い、無機材料からなる。具体的には、第一配向膜３２は、酸化珪素膜などの透明絶縁膜からなり、その屈折率は凡そ１．４６程度である。本実施形態で、第一配向膜３２は第三透光性膜として機能している。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板１０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。又、不必要である迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化膜３３（第一透光性膜）は、例えば酸化珪素膜などの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化膜３３（第一透光性膜）の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１（第二透光性膜）は、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などの透明導電膜からなり、平坦化膜３３（第一透光性膜）を覆うと共に、図１に示すように対向基板１０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板２０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う第二配向膜２８と、対向電極３１を覆う第一配向膜３２とは、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜して、第一配向膜３２や第二配向膜２８としても良い。これらの無機配向膜は、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直に配向させる事ができる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａの交差する領域に対応するように画素Ｐが設けられ、画素Ｐの画素回路は、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６によって構成されている。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、Ｄ１〜Ｄｎを対応するデータ線に１つずつ順に供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａを１つのブロックとした複数のブロックに分割し、各々のブロックに対して画像信号Ｄ１〜Ｄｎの一部を同時に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

画素に供給された画像信号Ｄ１〜Ｄｎの保持特性を向上させるため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。

図４は、液晶装置の画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、第二基板である素子基板２０は、第四透光性膜（本実施形態では第２層間絶縁層１１ｂ）と導電性の第五透光性膜（本実施形態では第一画素電極２７ａ）と第六透光性膜（本実施形態では第一絶縁膜２７ｂ）と導電性の第七透光性膜（本実施形態では第二画素電極２７ｃ）と第八透光性膜（本実施形態では第二配向膜２８）とを含んでいる。第五透光性膜（第一画素電極２７ａ）は、第四透光性膜（第２層間絶縁層１１ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第六透光性膜（第一絶縁膜２７ｂ）は、第五透光性膜（第一画素電極２７ａ）と液晶層１５との間に配置され、第五透光性膜より屈折率が低い膜である。第七透光性膜（第二画素電極２７ｃ）は、第六透光性膜（第一絶縁膜２７ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第六透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第八透光性膜（第二配向膜２８）は、第七透光性膜（第二画素電極２７ｃ）と液晶層１５との間に配置され、第七透光性膜より屈折率が低い膜である。画素電極２７は導電性の第五透光性膜と導電性の第七透光性膜とを含んでおり、第五透光性膜と第七透光性膜とは電気的に接続されている。

第二絶縁性基板２０ａ上には、走査線３ａと、走査線３ａを覆う第１層間絶縁層１１ａと、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う第２層間絶縁層１１ｂと、画素電極２７と、画素電極２７を覆う第二配向膜２８とが順に形成されている。第２層間絶縁層１１ｂは、材料がＳｉＯ₂であり、膜厚が５００ｎｍである。

走査線３ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができる。

ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、例えばポリシリコンにリンなどの不純物が導入されて形成されたＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、第１層間絶縁層１１ａ上に形成されている。半導体層３０ａを覆うゲート絶縁膜を挟んだチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成されている。ゲート電極３０ｇと走査線３ａとは第１層間絶縁層１１ａを貫通するコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続されている。

第１層間絶縁層１１ａとＴＦＴ３０を覆う様に第２層間絶縁層１１ｂが形成されており、第２層間絶縁層１１ｂが、画素電極２７と平面視で重なる領域にて、第四透光性膜となっている。第１層間絶縁層１１ａは、例えば酸化珪素膜などの無機材料からなる。第２層間絶縁層１１ｂは、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜される。

半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域とデータ線６ａとが第２層間絶縁層１１ｂに形成されたコンタクトホールＣＮＴ１１を介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ１１内に形成された導電層がソース電極２１として機能している。

半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域と画素電極２７とが第２層間絶縁層１１ｂに形成されたコンタクトホールＣＮＴ１２を介して電気的に接続されている。

画素電極２７は、導電性の第一画素電極２７ａ（第五透光性膜）と、第一画素電極２７ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第一絶縁膜２７ｂ（第六透光性膜）と、第一絶縁膜２７ｂよりも屈折率が大きい導電性の第二画素電極２７ｃ（第七透光性膜）とが順に積層されたものである。つまり、第一絶縁膜２７ｂは、画素電極２７の間の領域にも延設され、第一画素電極２７ａ上と隣り合う画素の第一画素電極２７ａ上とに連続的に形成されている。

第一画素電極２７ａ及び第二画素電極２７ｃは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を用いて形成することができ、屈折率は１．９程度である。第一絶縁膜２７ｂは、例えば、透光性を有する酸化珪素膜などの無機絶縁材料を用いて形成することができ、隣り合う導電性の第一画素電極２７ａを覆って形成されている。酸化珪素膜の屈折率は１．４６程度である。このように屈折率が異なる透光性膜を積層することにより光反射防止構造が構成されている。尚、画素電極２７の各層の最適な膜厚については後述する。

第二配向膜２８（第八透光性膜）は、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。第二配向膜２８（第八透光性膜）の膜厚は、本実施形態ではおよそ７０ｎｍであるが、これに関しても後に詳述する。

素子基板２０に対向配置された対向基板１０の液晶層１５側には、平坦化膜３３（第一透光性膜）と、対向電極３１（第二透光性膜）と、無機材料からなる第一配向膜３２（第三透光性膜）とが順に形成されている。平坦化膜３３（第一透光性膜）は、ＳｉＯ₂であり、膜厚が５００ｎｍである。対向電極３１（第二透光性膜）は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成することができる。

対向電極３１（第二透光性膜）の膜厚は、変調すべき光の波長帯域において透過率が最大になるように設定されている。具体的には、液晶装置１００で主に変調される光の波長（以降、これを第二波長λ₂と称する）対して、対向電極３１（第二透光性膜）の光学膜厚は、λ₂／２の自然数倍になるように設定されている。ある膜の光学膜厚とは、その膜の物理膜厚（実際の空間的距離を表す膜厚）とその膜の屈折率（複素屈折率の実数部）との積である。尚、本明細書にて単に「膜厚」と記した場合、それは物理膜厚を意味している。従って、第二透光性膜の屈折率をｎ₂、第二透光性膜の物理膜厚をｄ₂、とした際に、第二波長λ₂に対して、１以上の整数ｍ₆を用いて、数式６の関係式を満たす事が好ましい。

こうする事で、第一透光性膜と第二透光性膜との界面での理論上の反射光と、第二透光性膜と第三透光性膜との界面での理論上の反射光と、は効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面からの第二波長の光の反射が小さくなり、第二波長の光は効率的に両界面を通過する事ができる。その結果、液晶装置１００から出射される第二波長の光の輝度を向上させることができる。

例えば、緑色光の変調を行う液晶装置１００であれば、緑色光の波長帯域において透過率が最大になるように第二波長の光は設定される。緑色光の波長帯域は４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ程度であるので、第二波長λ₂を５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。好適には第二波長λ₂を５６０ｎｍとする。この場合、緑色光で第一基板の透過率を最大にするには（緑色の入射光を液晶層１５に最も効率的に入射させるには）、第二透光性膜の光学膜厚を２８０ｎｍの１以上の整数倍に設定する。一例として、対向電極３１（第二透光性膜）に屈折率が２．０のＩＴＯを用いた場合、対向電極３１（第二透光性膜）の物理膜厚ｄ₂は、１４０ｎｍにすることで（数式６でｎ₂＝２．０、λ₂＝５６０ｎｍ、ｍ₆＝１）、液晶装置１００からの緑色の出射光の輝度を向上させることができる。

同様に、赤色光の変調を行う液晶装置１００の場合はλ₂＝６３０ｎｍとして対向電極３１（第二透光性膜）の膜厚を設定する。白色光の変調を行う液晶装置１００の場合は、緑色で人間の視感度が一番高いので、第二波長λ₂を５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。こうすると、第二波長の光が、人間の視感度が一番高い光となるので、明るい表示がなされる液晶装置を実現する事ができる。

無機材料からなる第一配向膜３２（第三透光性膜）は、素子基板２０側の第二配向膜２８（第八透光性膜）と同様に気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。無機材料からなる第一配向膜３２（第三透光性膜）の膜厚はおよそ７０ｎｍである。

このような透過型の液晶装置１００において、例えば、対向基板１０側から入射した光は、対向電極３１（第二透光性膜）、液晶層１５、画素電極２７を透過して素子基板２０側から出射される。

次いで、図４（ｂ）を参照して、画素電極２７を構成する各層の最適な膜厚について説明する。第五透光性膜（第一画素電極２７ａ）の屈折率をｎ₅、第五透光性膜の物理膜厚をｄ₅、とし、第六透光性膜（第一絶縁膜２７ｂ）の屈折率をｎ₆、第六透光性膜の物理膜厚をｄ₆、とし、第七透光性膜（第二画素電極２７ｃ）の屈折率をｎ₇、第七透光性膜の物理膜厚をｄ₇、とした際に、第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₁と０以上の整数ｍ₂とを用いて、これらの膜は、数式７の関係式を満たす様に屈折率と膜厚とを設定する。なお、プロセス誤差程度の膜厚のずれは、式を満たすものとする。

ここで、第一波長λ₁は液晶装置１００を代表する光の波長である。液晶装置１００を代表する光とは、液晶材料の劣化を促進しやすい光としても良いし、或いは、画素電極２７の透過率が低い波長の光としても良い。具体的には、第一波長λ₁は４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域の光とする事ができる。４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域の光は液晶材料を劣化させやすい。加えて、単層のＩＴＯや単層のＩＺＯ等の単層透明導電膜では、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域で、反射率が上昇し、透過率が低下する。この反射率の上昇と透過率の低下を補償する目的で、第一波長λ₁を４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長としても良い。本実施形態では、この目的に沿い、第一波長λ₁を４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長としている。

この他に、第一波長λ₁を液晶装置１００に応じて変えても良い。例えば、赤色専用の液晶装置１００ならば、第一波長λ₁を赤色とし、一例としてλ₁＝６３０ｎｍとしても良い。又、液晶装置１００を代表する光は、緑色専用の液晶装置１００ならば、緑色とし、一例として、λ₁＝５５０ｎｍとしても良い。又、液晶装置１００を代表する光は、青色専用の液晶装置１００ならば、青色とし、例えばλ₁＝４６０ｎｍとしても良い。更に、赤色専用の液晶装置１００と緑色専用の液晶装置１００とで、液晶装置１００を代表する光を兼用させて緑色とし、例えばλ₁＝５５０ｎｍとしても良い。更に、白黒の液晶装置１００や、赤色カラーフィルターや緑色カラーフィルターや青色カラーフィルターなどを備えたカラーの液晶装置１００では、液晶装置１００を代表する光として、人間の視感度が一番高い緑色とし、例えばλ₁＝５５０ｎｍとしても良い。

数式７の関係を満たすと、液晶層１５で変調された。第一波長λ₁の光Ｌでは、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とが小さいので、効率的に画素電極２７を透過する様になる。以下、この原理を説明する。

まず、反射光Ｌ２に関して説明する。第一波長λ₁の光Ｌで、第一画素電極２７ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面にて反射する反射光と、第二画素電極２７ｃと第一絶縁膜２７ｂとの界面にて反射する反射光と、が干渉により小さくなる。即ち、反射光Ｌ２が小さくなる。第一画素電極２７ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面も、第二画素電極２７ｃと第一絶縁膜２７ｂとの界面も、屈折率が大きい媒質から屈折率の小さい媒質への界面となるので、両界面にて反射は自由端反射となり反射により位相は変わらない。一方、第一画素電極２７ａの光学膜厚と第一絶縁膜２７ｂの光学膜厚との和が、（１／４＋ｍ₁／２）λ₁であるので、第一画素電極２７ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面での理論上の反射光と、第一絶縁膜２７ｂと第二画素電極２７ｃとの界面での理論上の反射光とで、位相差はπとなり、互いに干渉して打ち消し合う。実際は、この境界条件から、第一画素電極２７ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面及び第一絶縁膜２７ｂと第二画素電極２７ｃとの界面での反射が禁じられるので、反射光Ｌ２は小さくなり、その結果、第一波長λ₁の光Ｌの透過率が高くなる。

次に、反射光Ｌ１に関して説明する。第一波長λ₁の光Ｌで、第一画素電極２７ａと第一絶縁膜２７ｂとの界面にて反射する反射光と、第二画素電極２７ｃと第二配向膜２８との界面にて反射する反射光と、が干渉により小さくなる。即ち、反射光Ｌ１が小さくなる。第一画素電極２７ａと第一絶縁膜２７ｂとの界面も、第二画素電極２７ｃと第二配向膜２８との界面も、屈折率が小さい媒質から屈折率の大きい媒質への界面となるので、両界面にて反射は固定端反射となり、反射により位相はπ（１８０°）ずれる。一方、第二画素電極２７ｃの光学膜厚と第一絶縁膜２７ｂの光学膜厚との和が、（１／４＋ｍ₂／２）λ₁であるので、第一画素電極２７ａと第一絶縁膜２７ｂとの界面での理論上の反射光と、第二画素電極２７ｃと第二配向膜２８との界面での理論上の反射光とで、位相差はπとなり、互いに干渉して打ち消し合う。実際は、この境界条件から、第一画素電極２７ａと第一絶縁膜２７ｂとの界面及び第二画素電極２７ｃと第二配向膜２８との界面での反射が禁じられるので、反射光Ｌ１は小さくなり、その結果、第一波長λ₁の光Ｌの透過率が高くなる。

第五透光性膜の屈折率ｎ₅と第五透光性膜の物理膜厚ｄ₅と第六透光性膜の屈折率ｎ₆と第六透光性膜の物理膜厚ｄ₆と第七透光性膜の屈折率ｎ₇と第七透光性膜の物理膜厚ｄ₇とは、第一波長λ₁に応じて数式７を満たす様に設定する。

一例として、第一波長λ₁を４５０ｎｍとし、この波長で透過率が向上するようにした場合を考える。第一波長λ₁が４５０ｎｍとは、青色光のピーク波長より低い波長である。ＩＴＯを用いて第一画素電極２７ａと第二画素電極２７ｃとを形成すると、屈折率ｎ₅及び屈折率ｎ₇はおよそ２．０となる。酸化珪素膜を用いて第一絶縁膜２７ｂを形成すれば、屈折率ｎ₆はおよそ１．４６となる。ここで、導電性の第一画素電極２７ａと導電性の第二画素電極２７ｃの物理膜厚をそれぞれ２０ｎｍとすると、上記数式（６）を満たすには、ｍ＝０の場合、第一絶縁膜２７ｂの物理膜厚はおよそ５０ｎｍとなる。なお、ｍ＝１の場合は、第一絶縁膜２７ｂの物理膜厚はおよそ２０４ｎｍとなる。

上記のような透明積層膜構成（第一画素電極２７ａ、第一絶縁膜２７ｂ、第二画素電極２７ｃ）とされる画素電極２７は、発明者による実験結果によれば、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９６％以上の光の透過率を確保できることが確認されている。次にこの事を、図１０を参照して、説明する。

図１０は本実施形態の効果を説明する図である。図１０には、上述の第一基板側の構成（平坦化膜３３と、１４０ｎｍ厚のＩＴＯからなる対向電極３１と、第一配向膜３２と、が積層された構成）と、第二基板側の構成（２０ｎｍ厚のＩＴＯからなる第一画素電極２７ａと、５０ｎｍ厚の第一絶縁膜２７ｂと、２０ｎｍ厚のＩＴＯからなる第二画素電極２７ｃと、が積層された構成）と、の透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係が描かれている。

本実施形態では、第一基板側の構成で第二波長λ₂を５６０ｎｍとしているので、入射光の内で５６０ｎｍ付近の光の第一基板での透過率が向上している。その一方、第一基板側の構成では、ＩＴＯからなる対向電極３１が単層である為に、青色光のピーク波長より低い波長（４５０ｎｍ程度）では透過率が低くなっている。具体的には、４８０ｎｍ以下の入射光に対しては透過率が９０％未満となり、４３０ｎｍ以下の入射光に対しては透過率が８０％未満となる。そのため、変調すべき光の波長帯域の光の透過率を確保しながら、液晶材料がダメージを受けやすい短波長の光が、液晶層１５に到達するのを抑制することができ、液晶装置の寿命を向上させることができる。

第二基板側の構成に関しては、本実施形態では、第一波長λ₁を４５０ｎｍとしているので、４００ｎｍから５００ｎｍの帯域の光の透明積層膜での反射が減り、その結果、この帯域での透過率が向上し、液晶材料がダメージを受けやすい短波長の光が液晶層１５に再入射するのを防ぐことができる。この様に、第一波長λ₁を４５０ｎｍとした透明積層膜構成を為す事で、青色光のピーク波長より低い波長から可視光波長領域にかけての広い波長領域において、画素電極２７での反射率を４％未満とすることができる。このため、第一波長λ₁を４５０ｎｍとして短波長の光の透過率を高めて耐光性を向上させつつも、液晶装置１００を代表する光の波長の輝度が低下するのを抑制できる。

次いで、本実施形態における第一画素電極２７ａと第二画素電極２７ｃの電気的な接続について説明する。本実施形態において、第一画素電極２７ａと第二画素電極２７ｃとは、コンタクトホールＣＮＴ１７を介して電気的に接続されている。

第二画素電極２７ｃのみがＴＦＴの画素電極側ソースドレイン電極と電気的に接続されている構成では、第一画素電極２７ａがフローティング状態となり、液晶層１５に適正な駆動電位が与えにくくなる。本実施形態のように、第一画素電極２７ａと第二画素電極２７ｃとを電気的に接続することにより、最上層の導電膜である第二画素電極２７ｃに画素電極側ソースドレイン電極の電位が印加され、液晶装置１００を適切に駆動することができる。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図５を参照して説明する。図５は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図５に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて出射される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と出射側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、明るい表示が可能な液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。

本実施形態では、赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０、緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０、青色光を変調する液晶ライトバルブ１２３０に上述の液晶装置１００（第一波長λ₁＝４５０ｎｍ、第二波長λ₂＝５６０ｎｍ）が用いられているが、これに限られず、以下のような組み合わせなども、可能である。

（組み合わせ１）
赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０では、第二波長λ₂を６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝６３０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、赤色光が明るく表示される。緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、緑色光が明るく表示される。青色光を変調する液晶ライトバルブ１２３０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を４００ｎｍから５００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝４５０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、青色光が明るく表示される。組み合わせ１では、第二基板が赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０と緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０とで共通とされるので、製造と製造管理が容易となる。

（組み合わせ２）
赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制される。緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、緑色光が明るく表示される。青色光を変調する液晶ライトバルブ１２３０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を４００ｎｍから５００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝４５０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、青色光が明るく表示される。組み合わせ２では、赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０と緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０とが共通とされるので、製造と製造管理が容易となる。

（組み合わせ３）
赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０では、第二波長λ₂を６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝６３０ｎｍ）、第一波長λ₁を６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝６３０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、赤色光が明るく表示される。緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、緑色光が明るく表示される。青色光を変調する液晶ライトバルブ１２３０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を４００ｎｍから５００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝４５０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、青色光が明るく表示される。

（組み合わせ４）
赤色光を変調する液晶ライトバルブ１２１０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝６３０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、赤色光が明るく表示される。緑色光を変調する液晶ライトバルブ１２２０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝５６０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、緑色光が明るく表示される。青色光を変調する液晶ライトバルブ１２３０では、第二波長λ₂を５００ｎｍから６００ｎｍの範囲とし（最適にはλ₂＝５６０ｎｍ）、第一波長λ₁を４００ｎｍから５００ｎｍの範囲とする（最適にはλ₁＝４５０ｎｍ）。これにより、液晶材料の劣化が抑制され、青色光が明るく表示される。組み合わせ４では、第一基板が三種類のライトバルブで共通とされるので、製造と製造管理が容易となる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｖｉｅｗ Ｆｉｎｄｅｒ）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、液晶層１５の光の入射側に配置された対向基板１０に、光学膜厚がλ／２の対向電極３１（第二透光性膜）が設けられているので、入射光Ｌに含まれる液晶材料の吸収の大きい波長帯域（短波長：４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度）の反射率を、画素電極２７（透明積層膜）と比較して高くすることができる。つまり、対向電極３１（第二透光性膜）によって、短波長の透過を抑えることが可能となり、液晶に短波長成分が入ることを抑えることができる。よって、液晶装置１００の寿命を向上させることが可能となり、耐光性を向上させることができる。又、液晶層１５の光の出射側に配置された素子基板２０に、導電性の第二画素電極２７ｃと、導電性の第二画素電極２７ｃよりも屈折率が小さい絶縁性の第一絶縁膜２７ｂと、第一絶縁膜２７ｂよりも屈折率が大きい導電性の第一画素電極２７ａとからなる画素電極２７が設けられているので、短波長の光の透過率を、対向電極３１（第二透光性膜）と比較して高くすることができる。言い換えれば、素子基板２０側で短波長成分が反射して液晶層１５に再入射することを抑えることができる。これらにより、液晶層１５に入射する短波長を弱くすることが可能となり、液晶層１５の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。加えて、光の入射側にフィルターを設ける場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。つまり、製造工程を簡略化することができる。

（２）第１実施形態の液晶装置１００によれば、対向電極３１（第二透光性膜）の膜厚を、緑色光の透過率が最大になるような膜厚（例えば、１４０ｎｍ）に設定することにより、（緑色光のピーク波長を５５０ｎｍ〜５６０ｎｍにすることが可能となり）液晶装置１００から出てくる出射光の輝度を向上させることができる。

（３）第１実施形態の液晶装置１００によれば、青色光の波長帯域（例えば、５００ｎｍ以下）において、対向電極３１（第二透光性膜）より画素電極２７（透明積層膜）の方が透過率が大きいので、光の入射側に配置された対向電極３１（第二透光性膜）により青色光の透過率を小さくすることが可能となり、液晶層１５に入る光を少なくできるので、液晶層１５にダメージを与えることを抑えることができる。又、光の出射側に配置された画素電極２７によって青色光の透過率を大きくすることが可能となり、液晶装置１００から出てくる出射光の輝度を向上させることができる。

（４）第１実施形態の電子機器によれば、上記した液晶装置１００を備えているので、液晶の寿命を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図６は、第２実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、図６は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、透明積層膜の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図６に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第二絶縁性基板２０ａから第２層間絶縁層１１ｂまでは、第１実施形態の液晶装置１００と同様の構成である。又、素子基板２０に対向配置された対向基板１０の液晶層１５側には、第１実施形態と同様に、平坦化膜３３（第一透光性膜）と、対向電極３１（第二透光性膜）と、無機材料からなる第一配向膜３２（第三透光性膜）とが順に形成されている。対向電極３１の光学膜厚は、λ／２の自然数倍になるように設定されている。

ついで、第１実施形態の液晶装置１００と異なる部分について説明する。図６に示すように、第二基板（本実施形態では素子基板２０）は、第四透光性膜（本実施形態では第２層間絶縁層１１ｂ）と、第九透光性膜（本実施形態では第一中間屈折率膜１２ａ）と、導電性の第十透光性膜（本実施形態では画素電極２７）と、第十一透光性膜（本実施形態では第二中間屈折率膜１２ｂ）と、第八透光性膜（本実施形態では第二配向膜２８）と、を含んでいる。第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）は、第四透光性膜（第２層間絶縁層１１ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い膜である。第十透光性膜（画素電極２７）は、第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）と液晶層１５との間に配置され、第九透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）は、第十透光性膜（画素電極２７）と液晶層１５との間に配置され、第十透光性膜より屈折率が低い膜である。第八透光性膜（第二配向膜２８）は、第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第十一透光性膜より屈折率が低い膜である。

第四透光性膜である第２層間絶縁層１１ｂは第１実施形態と同様で、酸化珪素膜からなり、屈折率は凡そ１．４６である。この第２層間絶縁層１１ｂ上には、第２層間絶縁層１１ｂより屈折率が高い第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）が形成されている。第一中間屈折率膜１２ａの材料は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）であり、屈折率は凡そ１．７６である。本実施形態において、第一中間屈折率膜１２ａが絶縁層で形成されているため、コンタクト等を除く表示領域の全面や素子基板２０の全面に形成されている。別の形態として、第一中間屈折率膜１２ａは、後述する第十透光性膜と同様にパターニングされ、画素ごとで分離されていてもよい。

第一中間屈折率膜１２ａの上には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域とコンタクトホールＣＮＴ１２を介して電気的に接続された、第一中間屈折率膜１２ａより屈折率が高い画素電極２７がパターニングされて設けられている。画素電極２７は第十透光性膜であり、画素電極２７の材料はＩＴＯである。ＩＴＯの屈折率は、製造方法に応じて、１．９程度から２．０程度の間にある。

画素電極２７及び第一中間屈折率膜１２ａの上には、第二配向膜２８より屈折率が高く、画素電極２７よりも屈折率が低い第二中間屈折率膜１２ｂ（第十一透光性膜）が形成されている。第二中間屈折率膜１２ｂは、画素電極２７のない領域では、第一中間屈折率膜１２ａに積層されている。第二中間屈折率膜１２ｂの材料は、Ａｌ₂Ｏ₃である。本実施形態において、第二中間屈折率膜１２ｂが絶縁層で形成されているため、コンタクト等を除く表示領域の全面や素子基板２０の全面に形成されている。別の形態として、第二中間屈折率膜１２ｂは、後述する第十透光性膜と同様にパターニングされ、画素ごとで分離されていてもよい。

第２実施形態の液晶装置２００は、第九透光性膜の屈折率をｎ₉、第九透光性膜の物理膜厚をｄ₉、とし、第十透光性膜の屈折率をｎ₁₀、第十透光性膜の物理膜厚をｄ₁₀、とし、第十一透光性膜の屈折率をｎ₁₁、第十一透光性膜の物理膜厚をｄ₁₁、とした際に、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₃と０以上の整数ｍ₄と０以上の整数ｍ₅とを用いて、以下の数式８と数式９を満たすように各透光性膜の屈折率と膜厚とを設定することで、反射光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の強度を最も小さくできる。

第一波長λ₁は第１実施形態と同様である。

数式８の関係を満たすと、第一波長λ₁の入射光Ｌで、第二中間屈折率膜１２ｂと第二配向膜２８との界面にて反射する理論上の反射光と、第二中間屈折率膜１２ｂと画素電極２７との界面にて反射する理論上の反射光と、が干渉により小さくなる。これは両界面で固定端反射が生じ、第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）での往復の光路長（光学膜厚の２倍）が第一波長λ₁の半分の整数倍の為である。同様に、数式８の関係を満たすと、第一波長λ₁の入射光Ｌで、画素電極２７と第一中間屈折率膜１２ａとの界面にて反射する理論上の反射光と、第一中間屈折率膜１２ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面にて反射する理論上の反射光と、が干渉により小さくなる。これは両界面で自由端反射が生じ、第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）での往復の光路長（光学膜厚の２倍）が第一波長λ₁の半分の整数倍の為である。更に、数式９の関係を満たすと、第一波長λ₁の入射光Ｌで、画素電極２７と第二中間屈折率膜１２ｂとの界面にて反射する理論上の反射光と、画素電極２７と第一中間屈折率膜１２ａとの界面にて反射する理論上の反射光と、が干渉により小さくなる。これは画素電極２７と第二中間屈折率膜１２ｂとの界面にて固定端反射が生じ、画素電極２７と第一中間屈折率膜１２ａとの界面にて自由端反射が生じて、反射による位相差がπ生ずると共に、第十透光性膜（画素電極２７）での往復の光路長（光学膜厚の２倍）が第一波長λ₁の整数倍の為である。こうして、第１実施形態と同様に、第一波長λ₁の入射光の透明積層膜での透過率が向上する事となる。

上述の様に干渉によって反射光を小さくするには、干渉する二つの反射光の位相がπずれている事と二つの反射光の振幅が同程度で有る事とが肝要である。そこで、更に、第四透光性膜の屈折率をｎ₄とし、第八透光性膜の屈折率をｎ₈とした際に、数式１０の関係式を満たす事が好ましくなる。

こうすると、第四透光性膜と第九透光性膜との界面での理論上の反射率と、第九透光性膜と第十透光性膜との界面での理論上の反射率と、がほぼ等しくなるので、両界面からの理論上の反射光は同程度の振幅となって、効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面から第一波長λ₁の光の反射Ｌ２が小さくなり、第一波長λ₁の光は効率的に両界面を通過する事ができる。同様に、第八透光性膜と第十一透光性膜との界面での理論上の反射率と、第十一透光性膜と第十透光性膜との界面での理論上の反射率と、がほぼ等しくなるので、両界面からの理論上の反射光は同程度の振幅となって、効率的に打ち消し合う。この結果、現実には両界面から第一波長λ₁の光の反射が小さくなり、第一波長λ₁の光は効率的に両界面を通過する事ができる。

透明積層膜は、一例として、第二配向膜２８（第八透光性膜）を屈折率ｎ₈＝１．４６の酸化珪素膜とし、画素電極２７（第十透光性膜）を屈折率ｎ₁₀＝２．０のＩＴＯで構成する。この場合、数式１０より、第二中間屈折率膜１２ｂ（第十一透光性膜）には、屈折率ｎ₁₁＝１．７程度の材料を用いるのが好ましい。この屈折率を満たす材料の一例として、前述したように、屈折率ｎ₁＝１．７６のＡｌ₂Ｏ₃を用いる事ができる。同様に、第２層間絶縁層１１ｂ（第四透光性膜）を屈折率ｎ₄＝１．４６の酸化珪素膜とし、画素電極２７（第十透光性膜）を屈折率ｎ₁₀＝２．０のＩＴＯで構成する。この場合、数式１０より、第一中間屈折率膜１２ａ（第九透光性膜）には、屈折率ｎ₉＝１．７程度の材料を用いるのが好ましい。この屈折率を満たす材料の一例として、前述したように、屈折率ｎ₁＝１．７６のＡｌ₂Ｏ₃を用いる事ができる。

次に、第九透光性膜の物理膜厚ｄ₉と第十透光性膜の物理膜厚ｄ₁₀と第十一透光性膜の物理膜厚ｄ₁₁とが数式８と数式９との関係を満たす様にする。

第十透光性膜をＩＴＯとし、第一波長λ₁＝４５０ｎｍ、ｍ₅＝０で計算すると、導電性の第十透光性膜の物理膜厚ｄ₁₀は、約１１２．５ｎｍとなる。尚、第九透光性膜の光学膜厚と第十一透光性膜の光学膜厚とが数式８の関係を満たしていれば、第十透光性膜は数式９に記載の光学膜厚の関係を満たしていなくても良い。これは、第一中間屈折率膜１２ａと画素電極２７との界面からの反射光が、第二中間屈折率膜１２ｂと画素電極２７との界面からの反射光と相殺しなくても（理論上の反射光Ｌ３が小さくならなくとも）、第一中間屈折率膜１２ａと画素電極２７との界面からの反射光は、第一中間屈折率膜１２ａの光学膜厚が数式８の関係を満たしていれば、第一中間屈折率膜１２ａと第２層間絶縁層１１ｂとの界面からの反射光と相殺し、同様に、第二中間屈折率膜１２ｂと画素電極２７との界面からの反射光は、第二中間屈折率膜１２ｂの光学膜厚が数式８の関係を満たしていれば、第二中間屈折率膜１２ｂと第二配向膜２８との界面からの反射光と相殺するからである。従って、第十透光性膜の物理膜厚を、数式９を満たさずに、十分に小さくしてもよい。第十透光性膜にＩＴＯを用いた場合、厳密には、第十透光性膜でわずかに光の吸収が生ずる。この為、界面での反射が抑制されても、第十透光性膜での光の吸収は避けられず、それが透明積層膜の透過率を減ずる原因になりかねない。本実施形態に記載するように、第九透光性膜の光学膜厚と第十一透光性膜の光学膜厚とが数式８の関係を満たし、第十透光性膜の物理膜厚を小さくすると、界面での反射の抑制と共に、第十透光性膜での光吸収も小さくなるので、透明積層膜の透過率を十分に高くする事ができる。

なお、第一中間屈折率膜１２ａや第二中間屈折率膜１２ｂを導電膜としてもよい。例えば、第一中間屈折率膜１２ａ及び第二中間屈折率膜１２ｂをＩＴＯとし、導電性の第十透光性膜を第一中間屈折率膜１２ａ及び第二中間屈折率膜１２ｂと異なる組成、成膜方法、結晶構造として第一中間屈折率膜１２ａ及び第二中間屈折率膜１２ｂより高屈折率としたＩＴＯやＩＺＯを用いることができる。この場合、第一中間屈折率膜１２ａ及び第二中間屈折率膜１２ｂは、導電性の第十透光性膜と同様に画素ごとでパターニングされ、画素ごとで電気的に分離される。この場合、導電性の第九透光性膜と導電性の第十透光性膜と導電性の第十一透光性膜とが積層されることになるので、この積層膜の電気抵抗を低くする事ができる。

一般に、ｍ₄が０から１、２と大きくなるに従い、第十透光性膜の膜厚は大きくなる。従って、導電膜に対して低い電気抵抗が求められる場合には、上述の積層膜構造の代わりに、ｍ₄の値を大きくしても良い。例えば、ｍ₄＝１とすれば、第一波長λ₁＝４５０ｎｍで、第十透光性膜の物理膜厚ｄ₁₀は約２２５ｎｍとなり、第十透光性膜のシート抵抗値はｍ₄＝０の場合に比べて半減する。

第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）を酸化アルミニウムとし、第一波長λ₁＝４５０ｎｍ、ｍ₃＝０で計算すると、第九透光性膜の物理膜厚ｄ₉は、約６４ｎｍとなる。同様に、第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）を酸化アルミニウムとし、第一波長λ₁＝４５０ｎｍ、ｍ₅＝０で計算すると、第十一透光性膜の物理膜厚ｄ₁₁は、約６４ｎｍとなる。尚、０以上の整数ｍ₃と０以上の整数ｍ₄と０以上の整数ｍ₅とは互いに独立であるので、これらの値は同じであっても構わないし、異なっていても構わない。

第二中間屈折率膜１２ｂの上には、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成された第二配向膜２８（第八透光性膜）が設けられている。第二配向膜２８の膜厚は、凡そ７０ｎｍである。

上述の透明積層膜（第一中間屈折率膜１２ａ、画素電極２７、第二中間屈折率膜１２ｂ）を備えた液晶装置２００は、第一波長λ₁＝４５０ｎｍとしてあるので、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９６％以上の光の透過率が確保される。この様に、第１実施形態の液晶装置１００と同様に、青の透過率が高く、光の利用効率がよくなっている。又、液晶層１５の耐光性寿命も長い。

以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、上記した（２）、（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（５）第２実施形態の液晶装置２００によれば、光の出射側である素子基板２０に、第一中間屈折率膜１２ａ（中間屈折率膜）と、画素電極２７と、第二中間屈折率膜１２ｂ（中間屈折率膜）とを含む透明積層膜を備えているので、短波長の光の透過率を、対向電極３１と比較して高くすることができる。言い換えれば、素子基板２０側で短波長成分が反射して液晶層１５に再入射することを抑えることができる。これらにより、液晶層１５に入射する短波長を弱くすることが可能となり、液晶層１５の寿命を向上（耐光性を向上）させることができる。

（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図７は、第３実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図７を参照しながら説明する。なお、図７は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態と比べて、第四透光性膜から第七透光性膜の構成が異なっており、その他の構成については概ね同様である。具体的には、本実施形態では、画素保持容量を利用して透明積層膜を構成している部分が、第１実施形態と異なっている。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図７に示すように、第二基板である素子基板２０は、第四透光性膜（本実施形態では第３層間絶縁層１１ｇ）と導電性の第五透光性膜（本実施形態では容量電極１６ａ）と第六透光性膜（本実施形態では容量絶縁膜１１ｈ）と導電性の第七透光性膜（本実施形態では画素電極２７）と第八透光性膜（本実施形態では第二配向膜２８）とを含んでいる。第五透光性膜（容量電極１６ａ）は、第四透光性膜（第３層間絶縁層１１ｇ）と液晶層１５との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第六透光性膜（容量絶縁膜１１ｈ）は、第五透光性膜（容量電極１６ａ）と液晶層１５との間に配置され、第五透光性膜より屈折率が低い膜である。第七透光性膜（画素電極２７）は、第六透光性膜（容量絶縁膜１１ｈ）と液晶層１５との間に配置され、第六透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第八透光性膜（第二配向膜２８）は、第七透光性膜（画素電極２７）と液晶層１５との間に配置され、第七透光性膜より屈折率が低い膜である。

第二絶縁性基板２０ａ上には、走査線３ａが配置されている。走査線３ａは、下地絶縁層１１ｃによって覆われている。下地絶縁層１１ｃ上には、ＴＦＴ３０が設けられている。

データ線６ａは、ゲート絶縁膜１１ｄ及び第１層間絶縁層１１ｅに開口されたコンタクトホールＣＮＴ１３を介してデータ線側ソースドレイン領域３０ｂと電気的に接続されている。一方、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄは、上層に形成された画素電極２７に、コンタクトホールＣＮＴ１４、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ１５を介して電気的に接続されている。

データ線６ａ上には、第２層間絶縁層１１ｆが積層されている。第２層間絶縁層１１ｆ上には、周辺領域から延在して設けられた電位線４０が形成されている。電位線４０には、周辺領域に配置された電源回路から固定電位が供給されている。電位線４０と上層の容量電極１６ａとを電気的に接続することにより、容量電極１６ａを固定電位に保持している。

電位線４０上には、第３層間絶縁層１１ｇが積層されている。第３層間絶縁層１１ｇは、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第四透光性膜として機能している。第３層間絶縁層１１ｇの材料は、第１実施形態と同様に酸化珪素膜であり、第３層間絶縁層１１ｇの膜厚は５００ｎｍである。

第３層間絶縁層１１ｇ上には、第３層間絶縁層１１ｇに形成されたコンタクトホールＣＮＴ１６を介して電位線４０と電気的に接続された容量電極１６ａがパターニングされて設けられている。容量電極１６ａは、第３層間絶縁層１１ｇより屈折率が高い導電性の膜で、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第五透光性膜として機能している。容量電極１６ａは、第１実施形態の第五透光性膜と同様に、ＩＴＯやＩＺＯなどで形成され、その光学膜厚ｎ₅ｄ₅は第六透光性膜の光学膜厚ｎ₆ｄ₆と共に数式７を満たす関係にある。具体的に、容量電極１６ａの材質と膜厚とは、第１実施形態の第一画素電極２７ａの材質と膜厚と同じである。

容量電極１６ａ及び第３層間絶縁層１１ｇ上には、容量電極１６ａより屈折率が小さい絶縁性の容量絶縁膜１１ｈが設けられている。容量絶縁膜１１ｈは、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第六透光性膜として機能している。容量絶縁膜１１ｈは、第１実施形態の第六透光性膜と同様に、透光性の酸化珪素膜などの無機絶縁材料などで形成され、その光学膜厚ｎ₆ｄ₆は第五透光性膜の光学膜厚ｎ₅ｄ₅と共に数式７を満たす関係にある。具体的に、容量絶縁膜１１ｈの材質と膜厚とは、第１実施形態の第一絶縁膜２７ｂの材質と膜厚と同じである。

容量絶縁膜１１ｈ上には、容量絶縁膜１１ｈより屈折率が大きい、導電性の画素電極２７がパターニングされて設けられており、画素電極２７は第七透光性膜として機能している。画素電極２７は、第１実施形態の第七透光性膜と同様に、ＩＴＯやＩＺＯなどで形成され、その光学膜厚ｎ₇ｄ₇は第六透光性膜の光学膜厚ｎ₆ｄ₆と共に数式７を満たす関係にある。具体的に、画素電極２７の材質と膜厚とは、第１実施形態の第二画素電極２７ｃの材質と膜厚と同じである。

なお、画素電極２７及び容量電極１６ａは、画素保持容量（容量素子１６）を構成する一対の容量電極として機能するように形成されている。即ち、画素電極２７は、画素保持容量を構成する容量素子１６のうち一方の容量電極を兼ねるように形成されている。

画素電極２７及び容量絶縁膜１１ｈ上には、画素電極２７よりも屈折率が小さい、絶縁性の第二配向膜２８が設けられている。第二配向膜２８は、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第八透光性膜として機能している。第二配向膜２８は、第１実施形態の第八透光性膜と同様に、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成されている。具体的に、第二配向膜２８の材質と膜厚とは、第１実施形態の第二配向膜２８の材質と膜厚と同じである。

素子基板２０に対向配置された対向基板１０の構成は、第１実施形態と同様である。

以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、以下に示す効果が得られる。

（６）第３実施形態の液晶装置３００によれば、容量電極１６ａと、容量絶縁膜１１ｈと、画素電極２７とによって透明積層膜を構成するので、新しい製造工程を増やすことなく、透過率を向上させることができる。

（第４実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図８は、第４実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図８を参照しながら説明する。なお、図８は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４を用いて説明した第１実施形態では、第一基板が対向基板１０であり、第一基板より光出射側に配置される第二基板が素子基板２０であった。これに対して、第４実施形態の液晶装置４００では、第一基板が素子基板２０となり、第一基板より光出射側に配置される第二基板が対向基板１０となる点が異なっている。即ち、第４実施形態では、対向基板１０に透明積層膜（対向電極層３１Ｌ）を設け、素子基板２０側から光が入射する。その他の構成については概ね同様である。このため第４実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

第４実施形態の液晶装置４００では、第一基板が素子基板２０となり、第二基板が対向基板１０となる。液晶装置４００は透過型であり、入射光は第一基板（本実施形態では素子基板２０）から液晶層に導かれ、第一基板より光出射側に配置された第二基板（本実施形態では対向基板１０）から出射される。

まず、第一基板の構成を説明する。図８に示すように、第一基板（本実施形態では素子基板２０）は、第一透光性膜（本実施形態では第２層間絶縁層１１ｂ）と第二透光性膜（本実施形態では画素電極２７）と第三透光性膜（本実施形態では第二配向膜２８）とを含んでいる。第二透光性膜（画素電極２７）は、第一透光性膜（第２層間絶縁層１１ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第一透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第三透光性膜（第二配向膜２８）は、第二透光性膜（画素電極２７）と液晶層１５との間に配置され、第二透光性膜より屈折率が低い膜である。

第二絶縁性基板２０ａから第２層間絶縁層１１ｂまでは、第１実施形態の液晶装置１００と同様の構成である。第２層間絶縁層１１ｂは、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第一透光性膜として機能している。第２層間絶縁層１１ｂは、第１実施形態の第一透光性膜と同様に、透光性の酸化珪素膜などの無機絶縁材料などで形成されている。具体的に、第２層間絶縁層１１ｂは、膜厚が５００ｎｍの酸化珪素膜からなる。

第２層間絶縁層１１ｂ上には、画素電極２７がパターニングされて設けられている。画素電極２７は第二透光性膜として機能している。画素電極２７は、第１実施形態の第二透光性膜と同様に、ＩＴＯやＩＺＯなどで形成され、その光学膜厚ｎ₂ｄ₂は数式６を満たす関係にある事が好ましい。具体的に、画素電極２７の材質と膜厚とは、第１実施形態の対向電極３１の材質と膜厚と同じである。

画素電極２７及び第２層間絶縁層１１ｂ上には、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成された第二配向膜２８が設けられている。第二配向膜２８は、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第三透光性膜として機能している。第二配向膜２８は、第１実施形態の第三透光性膜と同様であり、具体的に、第二配向膜２８の材質と膜厚とは、第１実施形態の第一配向膜３２の材質と膜厚と同じである。

次に、第二基板の構成を説明する。第二基板である対向基板１０は、第四透光性膜（本実施形態では平坦化膜３３）と導電性の第五透光性膜（本実施形態では第一対向電極３１ａ）と第六透光性膜（本実施形態では第二絶縁膜３１ｂ）と導電性の第七透光性膜（本実施形態では第二対向電極３１ｃ）と第八透光性膜（本実施形態では第一配向膜３２）とを含んでいる。第五透光性膜（第一対向電極３１ａ）は、第四透光性膜（平坦化膜３３）と液晶層１５との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第六透光性膜（第二絶縁膜３１ｂ）は、第五透光性膜（第一対向電極３１ａ）と液晶層１５との間に配置され、第五透光性膜より屈折率が低い膜である。第七透光性膜（第二対向電極３１ｃ）は、第六透光性膜（第二絶縁膜３１ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第六透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第八透光性膜（第一配向膜３２）は、第七透光性膜（第二対向電極３１ｃ）と液晶層１５との間に配置され、第七透光性膜より屈折率が低い膜である。対向電極層３１Ｌは導電性の第五透光性膜と導電性の第七透光性膜とを含んでおり、第五透光性膜と第七透光性膜とは電気的に接続されている。より詳しくは、対向電極層３１Ｌは、第一対向電極３１ａと第二絶縁膜３１ｂと第二対向電極３１ｃとが透明積層膜として積層形成されており、この透明積層膜が第一波長λ₁の光に対する反射防止構造となっている。

平坦化膜３３は、例えば酸化珪素膜などの無機材料からなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜される。

第一対向電極３１ａ及び第二対向電極３１ｃは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成することができる。第二絶縁膜３１ｂは、例えば酸化珪素膜などの無機絶縁材料を用いて形成することができる。第一対向電極３１ａの材質と膜厚とは第１実施形態の第一画素電極２７ａの材質と膜厚と同じであり、第二対向電極３１ｃの材質と膜厚とは第１実施形態の第二画素電極２７ｃの材質と膜厚と同じであり、第二絶縁膜３１ｂの材質と膜厚とは第１実施形態の第一絶縁膜２７ｂの材質と膜厚と同じである。

最も液晶層１５に近い第二対向電極３１ｃが所謂対向電極として機能し、前述した上下導通部２６に電気的に接続されている。又、表示領域Ｅよりも外側において、絶縁性の第二絶縁膜３１ｂに、例えば、コンタクトホールを設けて導電性の第一対向電極３１ａと第二対向電極３１ｃとを電気的に接続させている。

無機材料からなる第一配向膜３２は、素子基板２０側の第二配向膜２８と同様に気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。第一配向膜３２の材質と膜厚とは第１実施形態の第二配向膜２８の材質と膜厚と同じである。

図８（ｂ）に示す様に、第４実施形態での透明積層膜の構成は第１実施形態での透明積層膜の構成と同じになる。したがって、第五透光性膜の光学膜厚ｎ₅ｄ₅と第六透光性膜の光学膜厚ｎ₆ｄ₆と第七透光性膜の光学膜厚ｎ₇ｄ₇とは、第１実施形態と同様に、数式７の関係を満たし、第１実施形態と同じ原理で、第一波長λ₁の光に対する反射光Ｌ１とＬ２とを抑制して、第一波長λ₁の光の透過率を高める。

第一波長λ₁を第１実施形態と同様に、４５０ｎｍとした対向電極層３１Ｌを備えた液晶装置４００は、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９６％以上の光の透過率が確保される。

以上詳述したように、第４実施形態の液晶装置４００でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。

（第５実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図９は、第５実施形態の液晶装置の画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図９を参照しながら説明する。なお、図９は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図６を用いて説明した第２実施形態では、第一基板が対向基板１０であり、第一基板より光出射側に配置される第二基板が素子基板２０であった。これに対して、第５実施形態の液晶装置５００では、第一基板が素子基板２０となり、第一基板より光出射側に配置される第二基板が対向基板１０となる点が異なっている。即ち、第５実施形態では、対向基板１０に透明積層膜を設け、素子基板２０側から光が入射する。その他の構成については概ね同様である。このため第５実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

第５実施形態の液晶装置５００では、第一基板が素子基板２０となり、第二基板が対向基板１０となる。液晶装置５００は透過型であり、入射光は第一基板（本実施形態では素子基板２０）から液晶層に導かれ、第一基板より光出射側に配置された第二基板（本実施形態では対向基板１０）から出射される。

まず、第一基板の構成を説明する。図９に示すように、第一基板（本実施形態では素子基板２０）は、第一透光性膜（本実施形態では第２層間絶縁層１１ｂ）と第二透光性膜（本実施形態では画素電極２７）と第三透光性膜（本実施形態では第二配向膜２８）とを含んでいる。第二透光性膜（画素電極２７）は、第一透光性膜（第２層間絶縁層１１ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第一透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第三透光性膜（第二配向膜２８）は、第二透光性膜（画素電極２７）と液晶層１５との間に配置され、第二透光性膜より屈折率が低い膜である。

第二絶縁性基板２０ａから第２層間絶縁層１１ｂまでは、第２実施形態の液晶装置１００と同様の構成である。第２層間絶縁層１１ｂは、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第一透光性膜として機能している。第２層間絶縁層１１ｂは、第２実施形態の第一透光性膜と同様に、透光性の酸化珪素膜などの無機絶縁材料などで形成されている。具体的に、第２層間絶縁層１１ｂは、膜厚が５００ｎｍの酸化珪素膜からなる。

第２層間絶縁層１１ｂ上には、画素電極２７がパターニングされて設けられている。画素電極２７は第二透光性膜として機能している。画素電極２７は、第２実施形態の第二透光性膜と同様に、ＩＴＯやＩＺＯなどで形成され、その光学膜厚ｎ₂ｄ₂は数式６を満たす関係にある事が好ましい。具体的に、画素電極２７の材質と膜厚とは、第２実施形態の対向電極３１の材質と膜厚と同じである。

画素電極２７及び第２層間絶縁層１１ｂ上には、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成された第二配向膜２８が設けられている。第二配向膜２８は、画素電極２７と平面視で重なる領域で、第三透光性膜として機能している。第二配向膜２８は、第２実施形態の第三透光性膜と同様であり、具体的に、第二配向膜２８の材質と膜厚とは、第２実施形態の第一配向膜３２の材質と膜厚と同じである。

次に、第二基板の構成を説明する。第二基板である対向基板１０は、第四透光性膜（本実施形態では平坦化膜３３）と、第九透光性膜（本実施形態では第一中間屈折率膜１２ａ）と、導電性の第十透光性膜（本実施形態では対向電極３１）と、第十一透光性膜（本実施形態では第二中間屈折率膜１２ｂ）と、第八透光性膜（本実施形態では第一配向膜３２）と、を含んでいる。第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）は、第四透光性膜（平坦化膜３３）と液晶層１５との間に配置され、第四透光性膜より屈折率が高い膜である。第十透光性膜（対向電極３１）は、第九透光性膜（第一中間屈折率膜１２ａ）と液晶層１５との間に配置され、第九透光性膜より屈折率が高い導電性の膜である。第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）は、第十透光性膜（対向電極３１）と液晶層１５との間に配置され、第十透光性膜より屈折率が低い膜である。第八透光性膜（第一配向膜３２）は、第十一透光性膜（第二中間屈折率膜１２ｂ）と液晶層１５との間に配置され、第十一透光性膜より屈折率が低い膜である。より詳しくは、第一中間屈折率膜１２ａと対向電極３１と第二中間屈折率膜１２ｂとが透明積層膜として積層形成されており、この透明積層膜が第一波長λ₁の光に対する反射防止構造となっている。

平坦化膜３３は、例えば酸化珪素膜などの無機材料からなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜される。

第一中間屈折率膜１２ａ及び第二中間屈折率膜１２ｂは、例えばアルミナなどの透明絶縁膜を用いて形成することができる。対向電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料を用いて形成することができる。第一中間屈折率膜１２ａの材質と膜厚とは第２実施形態の第一中間屈折率膜１２ａの材質と膜厚と同じであり、第二中間屈折率膜１２ｂの材質と膜厚とは第２実施形態の第二中間屈折率膜１２ｂの材質と膜厚と同じであり、対向電極３１の材質と膜厚とは第２実施形態の画素電極２７の材質と膜厚と同じである。対向電極３１は、前述した上下導通部２６に電気的に接続されている。

無機材料からなる第一配向膜３２は、素子基板２０側の第二配向膜２８と同様に気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素膜）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。第一配向膜３２の材質と膜厚とは第２実施形態の第二配向膜２８の材質と膜厚と同じである。

図９（ｂ）に示す様に、第５実施形態での透明積層膜の構成は第２実施形態での透明積層膜の構成と同じになる。したがって、第九透光性膜の光学膜厚ｎ₉ｄ₉と第十透光性膜の光学膜厚ｎ₁₀ｄ₁₀と第十一透光性膜の光学膜厚ｎ₁₁ｄ₁₁とは、第２実施形態と同様に、数式８と数式９及び数式１０の関係を満たす事が好ましい。この結果、第２実施形態と同じ原理で、第一波長λ₁の光に対する反射光Ｌ１とＬ２とＬ３とを抑制して、第一波長λ₁の光の透過率を高める。

第一波長λ₁を第２実施形態と同様に、４５０ｎｍとした透明積層膜を備えた液晶装置５００は、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９６％以上の光の透過率が確保される。

以上詳述したように、第５実施形態の液晶装置５００でも、第２実施形態と同じ効果が得られる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…対向基板、１０ａ…第一絶縁性基板、１１ａ…第１層間絶縁層、１１ｂ…第２層間絶縁層、１１ｃ…下地絶縁層、１１ｄ…ゲート絶縁膜、１１ｅ…第１層間絶縁層、１１ｆ…第２層間絶縁層、１１ｇ…第３層間絶縁層、１１ｈ…容量絶縁膜、１２ａ…第一中間屈折率膜、１２ｂ…第二中間屈折率膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…容量電極、１８…遮光膜、２０…素子基板、２０ａ…第二絶縁性基板、２１…ソース電極、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２７ａ…第一画素電極、２７ｂ…第一絶縁膜、２７ｃ…第二画素電極、２８…第二配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｂ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｇ…ゲート電極、３１…対向電極、３１Ｌ…対向電極層、３１ａ…第一対向電極、３１ｂ…第二絶縁膜、３１ｃ…第二対向電極、３２…第一配向膜、３３…平坦化膜、４０…電位線、５５…中継層、６１…外部接続用端子、１００…液晶装置、２００…液晶装置、４００…液晶装置、５００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１０４…ダイクロイックミラー、１１０５…ダイクロイックミラー、１２１０…液晶ライトバルブ、１２２０…液晶ライトバルブ、１２３０…液晶ライトバルブ。

Claims (10)

1. 第一基板と、
   前記第一基板に対向配置されると共に、前記第一基板より光出射側に配置される第二基板と、
   前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された液晶層と、
   を有する液晶装置であって、
   前記第一基板は、
   第一透光性膜と、
   前記第一透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第一透光性膜より屈折率が高い導電性の第二透光性膜と、
   前記第二透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第二透光性膜より屈折率が低い第三透光性膜と、
   を含み、
   前記第二基板は、
   第四透光性膜と、
   前記第四透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第四透光性膜より屈折率が高い導電性の第五透光性膜と、
   前記第五透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第五透光性膜より屈折率が低い第六透光性膜と、
   前記第六透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第六透光性膜より屈折率が高い導電性の第七透光性膜と、
   前記第七透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第七透光性膜より屈折率が低い第八透光性膜と、
   を含み、
   前記第五透光性膜の屈折率をｎ₅、前記第五透光性膜の物理膜厚をｄ₅、とし、
   前記第六透光性膜の屈折率をｎ₆、前記第六透光性膜の物理膜厚をｄ₆、とし、
   前記第七透光性膜の屈折率をｎ₇、前記第七透光性膜の物理膜厚をｄ₇、とした際に、
   第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₁と０以上の整数ｍ₂とを用いて、数式１の関係式を満たす事を特徴とする液晶装置。
   

   
2. 第一基板と、
   前記第一基板に対向配置されると共に、前記第一基板より光出射側に配置される第二基板と、
   前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された液晶層と、
   を有する液晶装置であって、
   前記第一基板は、
   第一透光性膜と、
   前記第一透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第一透光性膜より屈折率が高い導電性の第二透光性膜と、
   前記第二透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第二透光性膜より屈折率が低い第三透光性膜と、
   を含み、
   前記第二基板は、
   第四透光性膜と、
   前記第四透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第四透光性膜より屈折率が高い第九透光性膜と、
   前記第九透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第九透光性膜より屈折率が高い導電性の第十透光性膜と、
   前記第十透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第十透光性膜より屈折率が低い第十一透光性膜と、
   前記第十一透光性膜と前記液晶層との間に配置され、前記第十一透光性膜より屈折率が低い第八透光性膜と、
   を含み、
   前記第九透光性膜の屈折率をｎ₉、前記第九透光性膜の物理膜厚をｄ₉、とし、
   前記第十透光性膜の屈折率をｎ₁₀、前記第十透光性膜の物理膜厚をｄ₁₀、とし、
   前記第十一透光性膜の屈折率をｎ₁₁、前記第十一透光性膜の物理膜厚をｄ₁₁、とした際に、
   第一波長λ₁に対して、０以上の整数ｍ₃と０以上の整数ｍ₄とを用いて、数式２の関係式を満たす事を特徴とする液晶装置。
   

   
3. ０以上の整数ｍ₅を用いて、数式３の関係式を満たす事を特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
   

   
4. 前記第四透光性膜の屈折率をｎ₄とし、
   前記第八透光性膜の屈折率をｎ₈とした際に、
   数式４の関係式を満たす事を特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
   

   
5. 前記第一波長λ₁が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 前記第二透光性膜の屈折率をｎ₂、前記第二透光性膜の物理膜厚をｄ₂、とした際に、
   ５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の第二波長λ₂に対して、１以上の整数ｍ₆を用いて、数式５の関係式を満たす事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
   

   
7. 前記液晶層は、無配向状態で、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率より、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光に対する吸収率の方が高い事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 前記第五透光性膜の物理膜厚と前記第七透光性膜の物理膜厚との和は、前記第二透光性膜の物理膜厚よりも小さい事を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
9. 前記第十透光性膜の物理膜厚は、前記第二透光性膜の物理膜厚よりも小さい事を特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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