JP2014216445A - 発光装置 - Google Patents

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雄壮 前野
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Takeshi Iwasaki
剛 岩崎
大長 久芳
Hisayoshi Daicho
久芳 大長
榎本公典
Kiminori Enomoto
公典 榎本
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Yutaka Shinomiya
裕 四ノ宮
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Abstract

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。【解決手段】発光素子2と、発光素子2が発する光の少なくとも一部を吸収して波長変換光を発する複数の蛍光体31と、複数の蛍光体を分散させた状態で支持し、発光素子が発する光及び蛍光体の波長変換光に対して透明なバインダ32と、を有し、蛍光体31の結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であり、少なくとも一つの蛍光体31の結晶粒子は、50個以下の結晶子で構成されている、発光装置1が提供される。【選択図】図1

Description

本発明は、蛍光体を用いた発光装置に関する。
紫外光で励起されて青色に発光する蛍光体を備えた白色発光装置が特許文献1などに知られている。
国際公報WO06/106883号公報
上述のような発光装置は、発光素子と、発光素子を覆う蛍光層とを備えている。蛍光層は、発光素子から発せられるの一部を吸収して発光素子からの光と波長の異なる光(波長変換光)を外部に出射する蛍光体と、この蛍光体を分散させて支持するバインダとを備えている。
ところで本発明者らは、上述のような発光装置において、発光素子から発せられる光の一部が蛍光層の内部に閉じ込められてしまい、発光効率に改善の余地があることに気がついた。
そこで本発明は、発光効率の高い発光装置および蛍光体を提供することを目的とする。
上記課題を解決することのできる本発明の発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子が発する光の少なくとも一部を吸収して波長変換光を発する複数の蛍光体と、
複数の前記蛍光体を分散させた状態で支持し、前記発光素子が発する光及び前記蛍光体の波長変換光に対して透明なバインダと、を有し、
前記蛍光体の結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であり、
少なくとも一つの前記蛍光体の前記結晶粒子は、50個以下の結晶子で構成されている、発光装置。
本発明に係る発光装置によれば、蛍光体とバインダとの間の界面、および蛍光体内部での光損失が小さく、発光効率の高い発光装置を提供することができる。
上記本発明に係る発光装置において、前記蛍光体の結晶粒子を構成する結晶子の平均個数が50個以下であってもよい。結晶粒子中の結晶子の平均の個数が50個以下であれば、更に蛍光体の透過率を高めることができる。
上記本発明に係る発光装置において、前記蛍光体は、それぞれ異なる波長の光を発する複数種類の蛍光体であってもよい。
上記本発明に係る発光装置において、少なくとも一種類の前記蛍光体の結晶粒子を構成する結晶子の平均個数が50個以下であってもよい。
上記本発明に係る発光装置において、前記バインダの屈折率nbと前記蛍光体の屈折率nfとの比(nb/nf)が0.75<nb/nf<1.42であってもよい。
上記本発明に係る発光装置において、前記バインダ中の前記蛍光体の濃度が20vol.%以上70vol.%以下であってもよい。
上記本発明に係る発光装置において、前記蛍光体の結晶粒子の径は65μm以上95μm以下であってもよい。あるいは、前記蛍光体の結晶粒子の径は150μm以上200μm以下であってもよい。
上記課題を解決することのできる本発明の蛍光体は、
少なくとも一つの結晶粒子を含み、
前記結晶粒子の径が15μm以上200μm以下であり、少なくとも一つの前記結晶粒子は50個以下の結晶子で構成されている。
本発明によれば、発光効率の高い発光装置および蛍光体を提供することができる。
本発明の実施形態に係る発光装置の模式図である。 蛍光体の結晶粒子中の結晶子を示す金属顕微鏡写真である。 蛍光体の結晶粒子中の結晶子の個数と透過率との関係を示すグラフである。 蛍光体の結晶粒子の粒径と透過率との関係を示すグラフである。 実施例1,2および比較例1,2について波長と透過率との関係を示すグラフである。 実施例1,2および比較例1,2の発光スペクトルを示す図である。 本発明に係る発光装置を適用した車両用灯具の断面図である。 発光装置の断面図である。 蛍光体濃度と蛍光体層の透過率との関係を示すグラフである。
以下、本発明に係る発光装置の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
(全体構造)
発光装置1は、図1に示すように、基板5と、基板5の上に搭載された発光素子2と、発光素子2の上面を覆う蛍光層3と、発光素子2および蛍光層3の縁部の外周を覆う光反射材4とを備えている。
発光素子2は、LEDチップやLDチップなどの半導体発光素子など、特定の波長の光を発する素子により構成することができる。蛍光層3は、発光素子2が発する光の少なくとも一部を吸収し、発光素子2が発する光の波長と異なる波長の光(波長変換光)を発する蛍光体31と、粉末状の蛍光体31を分散させた状態で支持するバインダ32とからなる。バインダ32は、有機樹脂材や無機アモルファス材、無機ゾルゲル材からなり、発光素子2が発する光および蛍光体3が発する波長変換光に対して透明である。なおここでいう透明とは、それぞれの主要な波長の光の透過率が80%以上であることをいう。
光反射材4は、光反射粒子を含んだ樹脂材や金属薄膜や反射面を備えた金属板で構成される。光反射材4は、発光素子2からの光を蛍光層3中に向けて反射し、また、蛍光層3からの光を蛍光層3中に向けて反射する。これにより、発光装置1の光利用効率を高めている。
本実施形態に係る蛍光体31は、結晶性の微粒子(結晶粒子)である。結晶粒子とは、互いに独立した粒状の塊をいう。一つ一つの結晶粒子は、複数の結晶子から構成されている。それぞれの結晶子は特定の結晶方位を備えている。蛍光体31の結晶粒子の径は15μm以上200μm以下である。また、少なくとも一つの蛍光体31の結晶粒子は、50個以下の結晶子で構成されている。
図2は、蛍光体31の金属顕微鏡写真である。図2の(a)は一つの蛍光体31の結晶粒子が単一の結晶子で構成されたもの、(b)は一つの蛍光体31の結晶粒子が50個以下の結晶子で構成されたもの、(c)は一つの蛍光体31の結晶粒子が50個より多い複数の結晶子で構成されたものを示している。なお、結晶粒子中の結晶子の個数は、結晶方位の異なる領域の数を透過型電子顕微鏡でカウントすることで、測定することができる。
本発明は、有色や白色など、どのような色を発する発光装置にも適用でき、また、どのような種類の蛍光体や発光素子を組み合わせた発光装置にも適用できる。以下に一例として白色の光を発光する発光装置に適用した例を挙げて、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本実施形態においては、発光素子2として近紫外光から紫色の可視光を発するLEDチップが搭載されている。また蛍光体31として、近紫外光を吸収して青色の光を発する第一蛍光体と、近紫外光を吸収して緑色〜黄色の光を発する第二蛍光体を備えている。この発光装置1は、青色の光と黄色の光とを混色させることで、白色光を外部に出射することができる。第一蛍光体および第二蛍光体のいずれもが、結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であり、少なくとも一つの蛍光体31の結晶粒子は50個以下の結晶子で構成されている。
<蛍光体について>
(第一蛍光体(a−1))
第一蛍光体は、例えば以下の一般式(a−1)で表される蛍光体を採用できる。
(M:Re・・・(a−1)
ただしMは、Ca、Sr、Baのうち一種以上を必須とし、一部をMg、Zn、Cd、K、Ag、Tlからなる群の元素に置き換えることができる。Mは、Pを必須とし、一部をV,Si,As,Mn,Co,Cr,Mo,W,Bからなる群の元素に置き換えることができる。Xは少なくとも1種のハロゲン元素、Reは、Eu2+を必須とする少なくとも1種の希土類元素又は、Mnを示す。aは4.2≦a≦5.8、bは2.5≦b≦3.5、cは0.8<c<1.4、dは0.01<d<0.1の範囲である。
上述したように、結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であり、少なくとも一つの結晶粒子は50個以下の結晶子で構成されている第一蛍光体を得るには、例えば単結晶製造技術として知られているフラックス法を用いることができる。
具体的には、上記第一蛍光体の原料を、フラックスとともに溶融させて、1000℃から1400℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第一蛍光体(a−2))
あるいは第一蛍光体として、以下の一般式(a−2)で表される蛍光体を採用できる。
1−aMgAl1017:Eu2+ a ・・・(a−2)
ただしMは、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、aは0.001≦a≦0.5の範囲である。
上記組成の第一蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1200℃から1600℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、III族メタルハライド、XIII族メタルハライド、ホウ酸、アルカリ土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第一蛍光体(a−3))
さらには第一蛍光体として、以下の一般式(a−3)で表される蛍光体を採用できる。
1−aMgSi:Eu2+ a・・・(a−3)
ただしMは、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、aは0.001≦a≦0.8の範囲である。
上記組成の第一蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、800℃から1200℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第一蛍光体(a−4))
さらには第一蛍光体として、以下の一般式(a−4)で表される蛍光体を採用できる。
2−aX:Re・・・(a−4)
ただしMは、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、Xは少なくとも1種のハロゲン元素、aは0.001≦a≦0.5の範囲である。
上記組成の第一蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、800℃から1200℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、ホウ酸、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第二蛍光体(b−1))
第二蛍光体は、例えば以下の一般式(b−1)で表される蛍光体を採用できる。
(Ca1−x−y−z−w、Sr、MII 、Eu、M (SiO・・・(b−1)
ただしMIIはMg,BaまたはZnであり、Mは希土類元素又はMnであり、XはClまたはClを必須とする複数のハロゲン元素であり、0.1<x<0.7、0≦y<0.3、0<z<0.4、0≦w<0.1である。
上記組成の第二蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、800℃から1200℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第二蛍光体(b−2))
あるいは第二蛍光体は以下の一般式で表される蛍光体(b−2)を採用できる。
CsM 1−a:Eu2+ ・・・(b−2)
ただしMはCaまたはSrであり、aは0.001≦a≦0.5である。
上記組成の第二蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、800℃から1200℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
(第二蛍光体(b−3))
さらには第二蛍光体は以下の一般式で表される蛍光体(b−3)を採用できる。
Ba2−aMgSi:Eu2+ ・・・(b−3)
ただしaは0.001≦a≦0.5である。
上記組成の第二蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1000℃から1300℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。温度勾配を急にしたり、蛍光体原料に対するフラックスの量を少なくすることなどにより、結晶子の少ない多結晶体の蛍光体が得られる。このようなフラックス法を用いて蛍光体を作製すると、およそ粒子径が70〜100μmの蛍光体が比較的容易に得られる。
なお、上述の実施形態の説明においては、特定の発光素子や、特定の組成を持った蛍光体を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限られない。また、発光素子からの光によって、それぞれ異なる波長の光を発する二種類の蛍光体を採用した例を挙げて説明したが、本発明は一種類の蛍光体を採用してもよいし、三種類以上の蛍光体を採用してもよい。また、白色以外に有色の光を発する発光装置にも本発明を適用できる。
また、上述の説明では少なくとも一つの結晶粒子中の結晶子の個数が50個以下であると説明したが、結晶粒子中の結晶子の平均の個数を50個以下とすれば、蛍光層3の透過率を更に高めることができる。また、青色光を発する発光素子と青色光を黄色光に波長変換する蛍光体とを備えた発光装置において、発光装置から発せられる光の色を調整するために適宜、青色光を赤色、緑色、橙色に波長変換する蛍光体を蛍光層に含ませても良い。
また、上述の説明では、第一の蛍光体と第二の蛍光体の両方の蛍光体について、結晶粒子の平均粒径が15〜200μmで、かつ、少なくとも一つの結晶粒子中の結晶子の個数が50個以下であるとして説明したが、少なくとも一方の蛍光体が結晶粒子の平均粒径が15〜200μmで、かつ、少なくとも一つの結晶粒子中の結晶子の個数が50個以下であってもよい。
<その他の蛍光体の例示>
また、上述の説明では、近紫外光を発するLEDと、蛍光体の発する青色と光と黄色の光とを混色させることで、白色光を発する発光装置を構成した例を挙げたが、本発明はこれに限られない。例えば、青色光を発する発光素子と、青色光を吸収して黄色の光を発する蛍光体とを組み合わせて、白色光を発する発光装置を構成してもよい。この場合には、次のような組成の蛍光体を採用することができる。
YAG蛍光体とも呼ばれる、以下の一般式で表される蛍光体(c−1)を採用できる。
12:Re・・・(c−1)
ただしMはY,Sc,Gdからなる群より選択される少なくとも一種の元素、MはAl,Gaの群より選択される少なくとも一種の元素、ReはCe,Nd,Ybの群からなる少なくとも一種の元素である。
上記組成の蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1400℃から2000℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、PbO−PbF−B系やKF−B系を採用できる。
あるいは、CASNとも呼ばれる、以下の一般式で表される蛍光体(c−2)を採用できる。
・・・(c−2)
ただしMは、Mn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luの群より選択される少なくとも一種の元素、Aは、Mg,Ca,Sr,Baの群より選択される少なくとも一種の元素、Dは、Si,Ge,Snの群より選択される少なくとも一種の元素、Eは、B,Al,Ga,Inの群より選択される少なくとも一種の元素、Xは、O,N,Fの群より選択される少なくとも一種の元素である。
また、0.00001≦a≦0.1、0.5≦b≦1.8、0.5≦c≦1.8、0.5≦d≦1.8、0.8×(1+b+c+d)≦e≦1.2×(1+b+c+d)である。
上記組成の蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1400℃から2000℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。
あるいは、β―SiAlONとも呼ばれる、以下の一般式で表される蛍光体(c−3)を採用できる。
Si6−xAl6−y:Ln・・・(c−3)
ただしLnは希土類元素であり、0<x≦4.2、0<y≦4.2、0<z≦1.0である。
上記組成の蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1400℃から2000℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。
あるいは、α―SiAlONとも呼ばれる、以下の一般式で表される蛍光体(c−4)を採用できる。
Si12−(m+n)Alm+n16−n・・・(c−4)
ただしMはLi,Mg,Ca,Sr,Y及びランタニド金属(LaとCeを除く)の群より選択される少なくとも一種の元素、MはCe,Pr,Eu,Tb,Yb,Erの群より選択される少なくとも一種の元素である。また、0.3≦x+y≦1.5、0<y≦0.7、0.6≦m≦3.0、0≦n≦2.5、x+y=m/(MとMの平均価数)である。
上記組成の蛍光体を採用する場合には、蛍光体の原料をフラックスとともに溶融させて、1400℃から2000℃の合成温度で24時間から120時間保持し、100℃/hから10℃/hの温度勾配で温度を下降させる。フラックスとしては、アルカリ金属ハライド、アンモニウムハライド、MgCl、アルカリ土類金属ハライド、YCl、希土類金属ハライドの中から少なくとも一種を選択できる。
なお、上述の説明では、フラックス法によって蛍光体を作製した例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、ゾルゲル法、チョクラルスキー法などによって、平均粒子径が15〜200μmで、結晶粒子中の結晶子の数が少ない蛍光体を得ることができる。
<発明に至った経緯>
本発明者らは、上述のような発光装置1の発光効率を向上させるために鋭意研究を行った。
本発明者らは、発光装置1の発光効率を低下させる原因として、(1)蛍光体31内部での光損失、(2)蛍光体31の粒子表面での反射による光損失、という二つの要因があると考えた。なお、蛍光層3を通過する光として、発光素子2が発する光と、蛍光体31が発する波長変換光とがある。いずれの光も上記(1),(2)の要因により損失が生じてしまうと考えられる。
このうち(1)蛍光体31内部での光損失について、蛍光体31は一般的に複数の結晶子からなる多結晶体である。そのため、蛍光体31の内部に進入した光は複数の結晶子の界面で乱反射されてしまい、光損失が生じてしまう。そこで本発明者らは、蛍光体31内部の結晶子同士の界面を少なくすれば、その分、蛍光体31内部の光の損失を抑えることができると考えた。
図3は、上記一般式(b−1)で表される蛍光体の結晶粒子中の結晶子の個数と、波長550nmの光に対する透過率との関係を測定した結果を示すものである。図3では、上記蛍光体を蛍光体の体積濃度が28vol.%となるように透明シリコーン樹脂中に分散させ、これを厚さ200μmのシート状に成形したものについて、透過率を測定した。
本発明者らは、図3に示すように、結晶粒子中の結晶子の個数が少ないほど透過率が高く、特に結晶粒子中の結晶子の個数が50個より多くなると急激に透過率が低下することを見出した。そこで本発明者らは、少なくとも一つの蛍光体の結晶粒子が50個以下の結晶子で構成されていれば、該結晶粒子中を通過する光が乱反射されず、蛍光体31内部で光が損失されにくく、これにより、透過率の高く発光効率のよい発光装置を作製できることを見出した。
次に(2)蛍光体の粒子表面での反射による光損失について、バインダと蛍光体とでは屈折率が異なるため、蛍光体の粒子表面とバインダとの界面でも光が反射されてしまい、該界面にて光損失が生じてしまう。そこで、蛍光体の粒子の表面積を減らせば、その分、光損失を抑えることができると本発明者らは考えた。
図4は、上記一般式(b−1)で表される蛍光体の結晶粒子の径の大きさと、波長550nmの光に対する透過率との関係を測定した結果を示すものである。図4では、上記蛍光体を蛍光体の体積濃度が28vol.%となるように透明シリコーン樹脂中に分散させ、これを厚さ200μmのシート状に成形したものについて、透過率を測定した。
本発明者らは図4に示すように、蛍光体の結晶粒子の径が大きいと透過率が高く、特に蛍光体の結晶粒子の径が15μmより小さいと透過率が低下してしまうことを見出した。そこで本発明者らは、蛍光体の結晶粒子の外径が15μm以上200μm以下であれば、光損失を抑えて発光効率の良い発光装置を作製できることを見出した。なお、蛍光体の結晶粒子の径が200μmより大きいと、結晶子の数を50個以下に制御することが難しく、かつ、蛍光体を含む蛍光層を形成することが難しい。
特に、結晶粒子の径の平均(平均粒子径)を40μm以上とすると高い透過率が得られるため好ましい。さらに、結晶粒子の平均粒子径を65μm以上95μm以下とすると、結晶粒子を構成する結晶子の数が一つの単結晶で結晶粒子を作製することが容易となるため、好ましい。あるいは、結晶粒子の平均粒子径を150μm以上200μm以下とすると、蛍光体の結晶粒子とバインダーとの界面が大幅に減少し、より光損失の少ない発光装置を得ることができる。
また本発明者らは、このようにして透過率の高い蛍光体を得ることができたので、蛍光層における蛍光体の濃度を高めることを考えた。一般には、蛍光体の濃度が高いほど、蛍光体によって光損失が大きくなり、輝度が低下してしまうと考えられている。しかし本発明に係る発光装置の蛍光体によれば、透過率が高いので蛍光体濃度を高めても、光損失が大きくならず、むしろ多量の蛍光体からの光によって輝度を高めることができる。これにより、例えば、蛍光体の蛍光層(バインダと蛍光体の総和)に対する体積濃度を50〜70vol.%とすることができ、高輝度で発光する発光装置を実現できる。
また、上述した理由(2)のように、蛍光体の結晶粒子とバインダとの界面での光損失は、蛍光体の屈折率nfとバインダの屈折率nbを近づけることにより、抑制することができる。このため、蛍光体の屈折率nfとバインダの屈折率nbとの比が0.75<(nb/nf)<1.42であることが好ましい。より好ましくは、0.80<(nb/nf)<1.20である。
<実施例1,2、比較例1,2>
実際に作製した蛍光体および発光装置を評価した結果を用いて本発明を更に詳細に説明する。
まず、第一蛍光体として上記一般式(a−1)で表される蛍光体と、第二蛍光体として上記一般式(b−1)で表される蛍光体と、を採用し、表1に示すように、結晶粒子の平均粒子径と、結晶粒子中の結晶子の個数の異なる実施例1,2および比較例1,2を作製した。なお平均粒子径は、レーザ回折式の粒度分布測定装置で粒度分布を測定し、得られた粒度分布から体積比率のメジアン径d50を平均粒子径とした。
(実施例1)
表1に示すように、実施例1として、平均粒子径が72μmの単結晶(結晶粒子中の結晶子の数がひとつ)の第一蛍光体と、平均粒子径が78μmの単結晶の第二蛍光体と、を作製した。
(実施例2)
実施例2として、平均粒子径が83μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が46個の第一蛍光体と、平均粒子径が89μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が42個の第二蛍光体と、を作製した。
(比較例1)
比較例1として、平均粒子径が24μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第一蛍光体と、平均粒子径が12μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第二蛍光体と、を作製した。
(比較例2)
表1に示すように、比較例2として、平均粒子径が86μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第一蛍光体と、平均粒子径が91μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第二蛍光体と、を作製した。
また、実施例1,2および比較例1,2について、それぞれの第一蛍光体と第二蛍光体を、白色LEDとして色温度4000Kの発光が得られるような比率で混合した。さらに、この混合した蛍光体について、励起光の漏れ効率が5%程度となるように、透明シリコーン樹脂に対する混合蛍光体の体積濃度を調整し、混合蛍光体ペーストを作製した。その後、混合蛍光体ペーストを厚さ約200μmのシート状に成形し、150℃で1時間加熱・硬化させて混合蛍光体シートを作製した。
なお、励起光の漏れ効率が5%とは、発光素子から出射した光の5%が発光装置から出射されることを意味する。第一蛍光体のRe、第二蛍光体のEuの添加量d,z、および蛍光体シート(蛍光体層)の厚みを調整することにより、漏れ効率を調整することができる。
この混合蛍光体シートについて、その透過率を測定した。波長550nmの光に対する透過率を表1に、波長に応じた透過率を図5に示す。
表1および図5より、蛍光体の結晶粒子の平均粒子径が15μm以上200μm以下であって、結晶粒子中の結晶子の個数が50個以下である実施例1,2に係る蛍光体は、高い透過率を示すことが確認できた。
なお、蛍光体が光を吸収してしまうと蛍光体の透過率を正確に測定できない。第一蛍光体である上記一般式(a−1)で表される蛍光体と、第二蛍光体である上記一般式(b−1)で表される蛍光体は、波長550nmの光に対する吸収率が極めて低い。そこで波長550nmの光を用いて上記蛍光体の透過率を測定した。
比較例1,2について、蛍光体の結晶粒子中の結晶子の個数が50個より多いので、結晶粒子中での結晶子の界面の総和が大きい。このため、結晶粒子中での光損失が大きく、透過率が低下したものと考えられる。
特に実施例2と比較例2とを比較すると、両者はいずれも同様な平均粒子径を有している。しかし実施例2の結晶粒子中の結晶子の個数が50以下であるのに対し、比較例2の結晶子の個数は50より多いので、比較例2の透過率が実施例2の透過率よりも低くなったと考えられる。
また、比較例1は、結晶粒子の平均粒子径が15μmより小さいので、蛍光体シートに占める蛍光体の結晶粒子の表面積の総和が大きい。バインダとしての透明シリコーン樹脂と蛍光体との界面が大きくなった結果、バインダと蛍光体との界面において光損失が大きくなったものと考えられる。
比較例1,2の透過率はいずれも実施例1,2の透過率よりも低く、特に比較例1は比較例2よりも透過率が低い。比較例1,2はいずれも結晶子の個数が50より多いことが共通しているが、比較例2の結晶粒子の平均粒子径は15〜200μmであるのに対し、比較例1の結晶粒子の平均粒子径は15より小さい。これにより、比較例1の透過率は比較例2の透過率よりも低くなったと考えられる。
また、図5に示したように、実施例1,2に係る蛍光体は、波長500nm以上の広い波長域において、60%以上の高い透過率を示している。つまり本発明に係る蛍光体は可視光の全域に対する透過率が高い。このため、本発明に係る照明装置を、外部に可視光を出射する照明器具の光源として採用すると、蛍光体が可視光を減衰させないので、明るい照明器具を実現できる。
次に、上述した実施例1,2および比較例1,2に係る蛍光体シートを1.2mm角にカットし蛍光体シートを得た。この蛍光体シートを蛍光層として採用し、ピーク波長が405nmのLEDの発光面にこの蛍光層を配置した発光装置を作製した。この発光装置について、比較例1の光束[lm]を1とした時の、実施例1,2および比較例2の蛍光体シートを用いた発光装置の相対光束を測定した。その結果を表2に示す。また、各々の発光スペクトルの比較を図6に示す。
表2および図6より、蛍光体の結晶粒子の平均粒子径が15μm以上200μm以下であって、結晶粒子中の結晶子の個数が50個以下である蛍光体を用いた実施例1,2は、比較例1,2より高い光束および輝度を示すことが確認できた。
また、図6に示したように、未変換の励起光の強度がほぼ一定の条件下で、実施例1,2の蛍光体の発光強度が、比較例2の蛍光体の発光強度より高いことが確認できる。実施例1,2の蛍光体においては、蛍光体内の結晶子が少ないために結晶内での光損失が低減され、変換光の透過率が向上したと考えられる。
<実施例3、比較例3>
なお、上述の実施例1,2および比較例1,2では第一蛍光体と第二蛍光体とを混合して一層の蛍光層として作製した例を挙げた。そこで次に、第一蛍光体を含む第一の蛍光層と、第二蛍光体を含む第二の蛍光層とを別々の層として作製し、実施例3および比較例3として、上述と同様に透過率、相対光束、相対輝度を評価した。その結果を表3にまとめた。相対光束および相対輝度は、上記比較例1のものを1としたときの相対評価である。
(実施例3)
上述した実施例1で作製した第一蛍光体および第二蛍光体を用いて、それぞれ、第一の蛍光体を含む第一の蛍光体シートと、第二の蛍光体を含む第二の蛍光体シートとを作製した。第一の蛍光体シートおよび第二の蛍光体シートの厚みは約150μmとした。また、第一の蛍光体シートの蛍光体濃度は6vol.%、第二の蛍光体の蛍光体濃度は28vol.%とした。それぞれのシートについて、第一の蛍光体シートの透過率は91.5%、第二の蛍光体シートの透過率は83.0%であった。
さらに、ピーク波長が405nmのLEDの発光面に、1.2mm角にカットした第一の蛍光体シートと第二の蛍光体シートとを積層させて発光装置を作製した。この発光装置の相対光束および相対輝度を測定した。
(比較例3)
上述した比較例1で作製した第一蛍光体および第二蛍光体を用いて、それぞれ、第一の蛍光体を含む第一の蛍光体シートと、第二の蛍光体を含む第二の蛍光体シートとを作製した。第一の蛍光体シートおよび第二の蛍光体シートの厚みは約150μmとした。また、第一の蛍光体シートの蛍光体濃度は4vol.%、第二の蛍光体の蛍光体濃度は23vol.%とした。それぞれのシートについて、第一の蛍光体シートの透過率は84.1%、第二の蛍光体シートの透過率は50.0%であった。
さらに、ピーク波長が405nmのLEDの発光面に、1.2mm角にカットした第一の蛍光体シートと第二の蛍光体シートとを積層させて発光装置を作製した。この発光装置の相対光束および相対輝度を測定した。その結果を表3−1および表3−2にまとめた。
表3−1および表3−2に示したように、それぞれ単一種類の蛍光体のみを含む蛍光層を二層重ねて発光装置を作製しても、光束および輝度の高い発光装置が得られることが確認できた。なお、白色光を得るために、第一の蛍光体シートと第二の蛍光体シートとで蛍光体濃度を大きく異ならせている。このため、表3−1および表3−2では実施例3の第一の蛍光体シートと比較例3の第一の蛍光体シートとを比較し、実施例3の第二の蛍光体シートと比較例3の第二の蛍光体シートとを比較する。
<実施例4、比較例4>
次に、蛍光体のバインダに対する濃度を高めた実施例4および比較例4について透過率を測定した。
実施例4および比較例4では、第一蛍光体として上記一般式(a−1)で表される蛍光体と、第二蛍光体として上記一般式(b−1)で表される蛍光体と、を採用した。なお、ここで第一蛍光体のRe、第二蛍光体のEuの添加量をそれぞれ実施例1のものよりも少なくした。また、第二蛍光体のSrの比率を調整することで、第二蛍光体の発光主波長を短波長側にシフトさせた。
(実施例4)
実施例4として、平均粒子径が181μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が36個の第一蛍光体と、平均粒子径が175μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が43個の第二蛍光体と、を作製した。
(比較例4)
比較例1として、平均粒子径が26μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第一蛍光体と、平均粒子径が10μmであって結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い第二蛍光体と、を作製した。
実施例4および比較例4について、以下のようにして発光装置を作製した。
まず、上記した第一蛍光体と第二蛍光体とを、発光色が白色で、色温度が5500Kとなるように混合した。混合した蛍光体を0.246g、バインダーとして透明シリコーン樹脂を0.0308cc、溶剤としてトルエンを0.1863ccをそれぞれ秤量して、十分に混合し、蛍光体が液中に分散した分散スラリーを得た。
この分散スラリーをφ25×H10mmのPTFE製容器に移し、遠心処理により蛍光体粒子を一粒子分の厚みで整列させた。なお本例で用いた第一蛍光体と第二蛍光体とは、互いの比重が同等であるため、両者の粒径を同等とすることにより、遠心処理を行っても分離しない。その後、80℃、111℃、120℃で溶剤を順次乾燥させ、150℃で透明シリコーン樹脂を硬化させて厚さ約200μmの蛍光体シートを得た。得られたそれぞれの蛍光体シート中の蛍光体の体積濃度は70vol.%であった。
1.2mm角にカットした上記蛍光体シートを発光素子の発光面の上に搭載して、実施例4および比較例4の発光装置をそれぞれ作製した。この発光装置の相対光束、相対輝度を測定した。なお、相対光束とは、比較例1の光束[lm]を1としたときの、実施例4および比較例4の光束の値であり、相対輝度とは、比較例1の輝度[cd/mm]を1としたときの、実施例4および比較例4の輝度の値である。
測定結果を表4−1および表4−2に示した。結晶粒子の平均粒子径が15〜200μmで、結晶粒子中の結晶子の個数が50以下の蛍光体を用いた実施例4は、蛍光体濃度が70vol.%と高い濃度であっても、76.9%の高い透過率を示している。これにより、本発明によれば高光束および高輝度の発光装置が得られることが確認できた。
一方、結晶粒子の平均粒子径が15μmより小さく、結晶粒子中の結晶子の個数が50より多い蛍光体を用いた比較例4は、蛍光体濃度が70vol.%と高い濃度であると、光損失が大きく透過率が大きく低下してしまう。このため、発光装置にこの蛍光体を採用した場合、光束が低く、輝度も低下してしまうことが確認できた。
このように本発明によれば、高濃度で蛍光体を含んだ蛍光層を作製できる。発光装置においては各々の蛍光体から光が発せられるため、発光素子からの光を受けるとこのような蛍光層は高い輝度で発光する。つまり、一定の大きさの発光装置において、蛍光体の濃度を高めて輝度を高めることができる。あるいは、一定の明るさが求められる発光装置において、蛍光体の濃度を高めて発光装置を小型化できる。このため、大きさが小さく高い輝度で発光することが求められる、例えば図7に示すような車両用灯具の光源として最適な発光装置を実現できる。
図7は本発明に係る発光装置を適用した車両用灯具の断面図である。図7に示すように、車両用灯具50は、前方に開口するハウジング51と、アウタレンズ52と、光源53と、リフレクタ54、投影レンズ55とを備えている。アウタレンズ52はハウジング51の開口を閉塞してハウジング51との間に灯室Sを形成する。光源53、リフレクタ54、投影レンズ55はこの灯室Sの内部に配置されている。このような車両用灯具50において、光源53から出射した光はリフレクタ54によって反射され、投影レンズ55から灯具前方に出射される。本発明の蛍光体を用いた発光装置によって、光源53を構成することができる。
このような車両用灯具の光源に好適に適用するために、例えば、蛍光体の濃度をバインダーに対して20vol.%以上70vol.%以下とすることができる。なお、蛍光体の濃度を20vol.%より小さくすると、蛍光体密度が低く車両用灯具に用いる光源として必要な輝度といった光学特性を確保できない。蛍光体の濃度を70vol.%より大きくすると、蛍光体の結晶粒子同士がバインダで接着できず、蛍光層を所望の形状に形成できない。
<実施例5、比較例5>
なお、本発明は、実施例4のように蛍光体を高い濃度で含むことに限定されるものではない。実施例4および比較例4とは異なり、実施例5および比較例5は蛍光体を低い濃度で含む例である。
(実施例5)
実施例5として、上述した実施例2と同じ組成および平均粒子径、結晶粒子中の結晶子の数を有する、第一蛍光体および第二蛍光体を採用した。また、比較例5として、上述した比較例1と同じ組成および平均粒子径、結晶粒子中の結晶子の数を有する第一蛍光体および第二蛍光体を採用した。
これらの第一蛍光体と第二蛍光体と透明シリコーン樹脂を用いて、図8に示したような半径が5mmのドーム状の蛍光体層を発光素子を覆うように作製した。図8は本実施形態で作製した発光装置の断面図である。図8において、符号2aは発光素子、符号3aは蛍光層、符号31aは第一蛍光体および第二蛍光体を示し、符号32aはバインダとしての透明シリコーン樹脂、符号5aは基板を示す。
このときの蛍光体層に対する蛍光体の濃度は、実施例5を1.6vol.%、比較例5を1.2vol.%とした。また、白色で色温度が約4000Kとなるように、第一蛍光体と第二蛍光体の比率を調整した。なお、実施例5および比較例5ではドーム状の蛍光体層の中に第一蛍光体と第二蛍光体とが混在している。
上述した比較例1の発光装置の光束[lm]を1としたときの、実施例5および比較例5の発光装置それぞれの光束を相対光束として評価した。また、比較例1の発光装置の輝度を1[cd/mm]としたときの、実施例5および比較例5の発光装置それぞれの輝度を相対輝度として評価した。その結果を表5−1および表5−2にまとめた。
表5に示したように、実施例5の蛍光体は、結晶粒子の平均粒子径が15〜200μmで、結晶粒子中の結晶子の個数が50以下であるので、その光束が比較例5よりも高い。一方、比較例5の蛍光体は、結晶粒子の平均粒子径が15μmより小さく、結晶粒子中の結晶子の個数が50より多いので、その光束が実施例5よりも低い。
なお、比較例5の蛍光体濃度は比較例1の蛍光体濃度より低く、蛍光層中において光が蛍光体で損失される機会が少ない。このために、比較例5の光束は比較例1の光束よりも大きい。また、蛍光層中に含まれる蛍光体の濃度が低く発光面積が大きいため、蛍光体密度が低くなり実施例5および比較例5の輝度は比較例1の輝度よりも小さくなっている。
このように実施例5は、本発明に係る発光装置が蛍光体濃度の低い発光装置にも適用できることを示している。このように蛍光体濃度の低い発光装置において、蛍光体中での光損失が小さい本発明の蛍光体を採用すれば、更に透過率が高い発光装置を実現することができる。また、蛍光体濃度が低いので蛍光層の体積が大きく、発光面積を大きく設定することができる。
そこで本発明は、室内照明器具のような、それほど大きな輝度が必要とされないかわりに大きな発光面積を持つことが好ましい、一般照明器具の光源にも適用することができる。このために、例えば、蛍光体の濃度をバインダーに対して0.3vol.%以上3vol.%以下とすることができる。
蛍光体濃度が0.3vo.%より小さいと、蛍光体層の体積が大きくなり、高価な透明バインダーを多量に使用することになり、コストが増加するので好ましくない。また、蛍光体濃度が3vol.%より大きいと、発光素子からの出射光を波長変換する量以上の過剰な量の蛍光体が存在することになり、コストがいたずらに嵩んでしまうので好ましくない。
図9は、蛍光体濃度と蛍光体層の透過率との関係を示すグラフである。図9に示したように、蛍光体濃度が0.3vol%以上3.0vol.%未満では透過率が極めて低い。このため、この濃度範囲で蛍光体層を作製する場合には、蛍光体層の厚みを2000μm以上20000μm以下の範囲とすることが好ましい。なお、ここでいう蛍光体層の厚みとは、発光素子の発光面から蛍光体層の外表面までの距離を意味する。
また、蛍光体濃度が30vol%以上70vol.%未満では透過率が低くなりやすいため、この濃度範囲で蛍光体層を作製する場合には、蛍光体層の厚みを50μm以上300μm以下の範囲とすることが好ましい。
また、蛍光体濃度が3.0vol.%以上10vol.%未満の濃度範囲で蛍光体層を作製した場合には、蛍光体層の厚みを150μm以上5000μm以下とすることが好ましい。さらに蛍光体濃度が10vol.%以上30vol.%未満の濃度範囲で蛍光体層を作製した場合には、蛍光体層の厚みを120μm以上300μm以下とすることが好ましい。
<実施例6、比較例6>
なお上述の実施例1〜5および比較例1〜5では、一般式(a−1)で表される第一の蛍光体と一般式(b−1)で表される第二の蛍光体とを用いて蛍光体シートを作製し、この蛍光体シートをピーク波長が405nmのLEDにより発光させる発光装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれらの例に限られない。
次に説明する実施例6の発光装置は、ピーク波長が452nmの青色LEDチップと、青色光を吸収し橙色に発光するα−SiAlON蛍光体と、青色光を吸収し緑色に発光するBOSE(BaSiO:Eu2+)蛍光体とを備える。これら青色LEDチップ、α−SiAlON蛍光体、BOSE蛍光体とを組み合わせて、発光装置は白色光を発する。
(実施例6)
実施例6のα−SiAlON蛍光体とBOSE蛍光体は、以下の方法により作製した。
α−SiAlON蛍光体:
原料をCaClのフラックスと共に溶解させ、1800℃で48時間保持した後、50℃/hで冷却し、α−SiAlON蛍光体を得た。得られたα−SiAlON蛍光体は、結晶子の数が41個の多結晶体で、その平均粒子径は34μmであった。
BOSE蛍光体:
原料をBaClのフラックスとともに溶解させ、1000℃で36時間保持した後、50℃/hで冷却し、BOSE蛍光体を得た。得られたBOSE蛍光体は、結晶子の数が32個の多結晶体で、その平均粒子径は48μmであった。
(比較例6)
実施例6と同様に、ピーク波長が452nmの青色LEDチップと、α−SiAlON蛍光体と、BOSE(BaSiO:Eu2+)蛍光体とを備えた比較例6の発光装置を作製した。この比較例6の発光装置のα−SiAlON蛍光体は、フラックスを用いずに作製され、平均粒子径が13μmで50個より多い結晶子を有する。また、BOSE蛍光体もフラックスを用いずに作製され、平均粒子径が18μmで50個より多い結晶子を有する。
実施例6および比較例6ともに、基板上に青色LEDチップを搭載し、青色LEDチップの発光面にα−SiAlON蛍光体とBOSE蛍光体とを含む蛍光体層を形成した。発光装置が発する光の色温度が5000Kとなるように、α−SiAlON蛍光体とBOSE蛍光体の蛍光体濃度および混合比を表6のように調整した。なお、蛍光体層のバインダーにはシリコーン樹脂を用いた。
作製した実施例6および比較例6の発光装置の蛍光体層の透過率を測定した。また実施例6および比較例6の発光装置の光束および輝度について測定した。その結果を表6に示す。なお表6において、相対光束は比較例6の光束を1.00としたときの値であり、相対輝度は比較例6の輝度を1.00としたときの値である。
表6に示すように、実施例6の蛍光体層の透過率は、比較例6の透過率の1.23倍であった。また実施例6の発光装置は、比較例6の発光装置に対して光束比で1.21倍、輝度比で1.19倍高くなった。このように、実施例6によれば、蛍光体の結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であって、少なくとも一つの蛍光体の結晶粒子が50個以下の結晶子で構成されていれば、蛍光体の種類によらずに、発光効率の高い発光装置が得られることが確認できた。
1:発光装置、2:発光素子、3:蛍光層、4:反射材、5:基板、31:蛍光体、32:バインダ

Claims (10)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子が発する光の少なくとも一部を吸収して波長変換光を発する複数の蛍光体と、
    複数の前記蛍光体を分散させた状態で支持し、前記発光素子が発する光及び前記蛍光体の波長変換光に対して透明なバインダと、を有し、
    前記蛍光体の結晶粒子の径は15μm以上200μm以下であり、
    少なくとも一つの前記蛍光体の前記結晶粒子は、50個以下の結晶子で構成されている、発光装置。
  2. 前記蛍光体の結晶粒子を構成する結晶子の平均個数が50個以下である、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記蛍光体は、それぞれ異なる波長の光を発する複数種類の蛍光体である、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 少なくとも一種類の前記蛍光体の結晶粒子を構成する結晶子の平均個数が50個以下である、請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記バインダの屈折率nbと前記蛍光体の屈折率nfとの比(nb/nf)が0.75<nb/nf<1.42である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記バインダ中の前記蛍光体の濃度が20vol.%以上70vol.%以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記蛍光体の結晶粒子の径は15μm以上95μm以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記蛍光体の結晶粒子の径は150μm以上200μm以下である、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 少なくとも一つの結晶粒子を含み、
    前記結晶粒子の径が15μm以上200μm以下であり、少なくとも一つの前記結晶粒子は50個以下の結晶子で構成されている、発光装置用の蛍光体。
  10. 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装置を有する、車両用灯具。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005068412A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 緑色発光蛍光体及び発光装置
JP2006089547A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2006152069A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Fujikura Ltd アルファサイアロン蛍光体とその製造方法、アルファサイアロン蛍光体中間生成物、アルファサイアロン蛍光体原料粉末及び発光ダイオードランプ
JP2006348262A (ja) * 2005-05-17 2006-12-28 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置及び赤色発光蛍光体粒子
JP2010098335A (ja) * 2010-02-01 2010-04-30 Toshiba Corp 発光装置
JP2011001530A (ja) * 2008-07-02 2011-01-06 Sony Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
JP2011228673A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
JP2011249856A (ja) * 2011-09-14 2011-12-08 Toshiba Corp 半導体発光装置
WO2012101899A1 (ja) * 2011-01-26 2012-08-02 電気化学工業株式会社 α型サイアロン、発光装置及びその用途
JP2012193305A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Toshiba Corp 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005068412A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 緑色発光蛍光体及び発光装置
JP2006089547A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2006152069A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Fujikura Ltd アルファサイアロン蛍光体とその製造方法、アルファサイアロン蛍光体中間生成物、アルファサイアロン蛍光体原料粉末及び発光ダイオードランプ
JP2006348262A (ja) * 2005-05-17 2006-12-28 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置及び赤色発光蛍光体粒子
JP2011001530A (ja) * 2008-07-02 2011-01-06 Sony Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
JP2010098335A (ja) * 2010-02-01 2010-04-30 Toshiba Corp 発光装置
JP2011228673A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
WO2012101899A1 (ja) * 2011-01-26 2012-08-02 電気化学工業株式会社 α型サイアロン、発光装置及びその用途
JP2012193305A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Toshiba Corp 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置
JP2011249856A (ja) * 2011-09-14 2011-12-08 Toshiba Corp 半導体発光装置

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