JP2014214299A - 近赤外線吸収粒子、その製造方法、分散液およびその物品 - Google Patents

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Abstract

【課題】近赤外線領域の光をより広範囲にわたって吸収できる近赤外線吸収粒子およびその製造方法、またそのような近赤外線吸収粒子を用いた分散液および近赤外吸収膜を有する物品を提供する。
【解決手段】近赤外線吸収粒子は、実質的に下記一般式(1)で表される金属イオン含有を含み、拡散反射スペクトルにおける波長400nmから550nmの平均反射率が75%以上であり、かつ波長1000〜1500nmの反射率積分値が20000nm・%以下である。
M(SOb(Z)c …(1)
[式中、Aはアルカリ金属(Li、Na、K、RbおよびCs)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、SrおよびBa)、H、並びにNHからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Zは電荷を中和させるのに必要な対イオンを表す。また、a、bおよびcは数を表し、0<a≦4、0<b≦4、0≦c≦8、a+b>1である。]
【選択図】なし

Description

本発明は、近赤外線吸収粒子、その製造方法、分散液および近赤外吸収膜を有する物品に関する。
デジタルスチルカメラ等の撮像装置における撮像素子(CCD、CMOS等)、自動露出計等の表示装置における受光素子等の感度は、可視光領域から近赤外線領域にわたっている。一方、人の視感度は可視光領域のみである。そのため、例えばデジタルスチルカメラにおいては、撮像レンズと撮像素子の間に可視光領域(420〜630nm)の光を透過し、かつ近赤外線領域(700〜1200nm)の光を吸収または反射する近赤外線遮蔽フィルタを設けることで、人間の視感度に近づくように撮像素子の感度を補正している。
近赤外線遮蔽フィルタとしては、近赤外線吸収粒子を分散媒に分散させた分散液にバインダ樹脂等を加えた塗料を、ガラス基材の表面に塗布して形成された近赤外線吸収膜を有するものが知られている。また、近赤外線吸収粒子として、例えば下記に示すような、銅およびリン酸を含むものが提案されている。
(1)フィチン酸に有機銅塩を反応させて得られるフィチン酸銅塩(特許文献1)
(2)リン酸エステル化合物と銅イオンよりなる成分および/またはリン酸エステル化合物と銅化合物との反応生成物(特許文献2)
(3)リン酸銅(特許文献3)
このような従来の近赤外線吸収粒子を用いて形成された近赤外線吸収膜は、いずれも可視光透過率が高く、かつ近赤外線を効率よく吸収することが確認されている。一方、近時、固体撮像素子等においては、より長波長の近赤外線に感度を有するものが使用されるようになり、それに伴い近赤外線領域の光をより広範囲に吸収できる近赤外線吸収粒子が求められてきている。具体的には、波長700〜1500nmの領域の光を効率良く吸収できるものが求められている。また、可視光領域についても、より広範囲にわたって高い透過率を示すものが求められてきている。そして、上記のような従来の近赤外線吸収粒子ではかかる要求に十分応えることができなかった。
特開2001−97984号公報 特開2001−154015号公報 特開2004−231708号公報
本発明は、近赤外線領域の光をより広範囲にわたって吸収できる近赤外線吸収粒子およびその製造方法、またそのような近赤外線吸収粒子を用いた分散液および近赤外吸収膜を有する物品を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る近赤外線吸収粒子は、実質的に下記式(1)で表される金属イオン含有化合物を含み、拡散反射スペクトルにおける波長400nmから550nmの平均反射率が75%以上であり、かつ波長1000〜1500nmの反射率積分値が20000nm・%以下であることを特徴とする。
Cu(SOb(Z)c …(1)
[式中、Aはアルカリ金属(Li、Na、K、RbおよびCs)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、SrおよびBa)、H、並びにNHからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Zは電荷を中和させるのに必要な対イオンを表す。また、a、bおよびcは数を表し、0<a≦4、0<b≦4、0≦c≦8、a+b>1である。]
本発明の一態様に係る近赤外線吸収粒子の製造方法は、下記工程(a)〜(c)を有することを特徴とする。
(a)Cu2+およびSO 2−を含む塩と、Aイオンを含む塩とを溶媒に溶解し、混合する工程。
(b)前記工程(a)で得られた生成物を分離する工程。
(c)前記工程(b)で得られた生成物を解砕する工程。
本発明の他の態様に係る分散液は、上記近赤外線吸収粒子を分散媒に分散させたことを特徴とする。
本発明のさらに他の態様に係る近赤外線吸収膜を有する物品は、上記近赤外吸収粒子を含む近赤外線吸収膜が基材に形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、近赤外線領域の光を広範囲にわたって吸収できる近赤外線吸収粒子、およびそのような近赤外線吸収粒子の製造方法が提供される。また、このような近赤外線吸収粒子を用いた分散液および近赤外線吸収膜を有する物品が提供される。
例1の粒子のX線回折の結果を示す図である。 例1の粒子の拡散反射スペクトルである。 例2の粒子のX線回折の結果を示す図である。 例2の粒子の拡散反射スペクトルである。 例1および例9の粒子の拡散反射スペクトルである。
<近赤外線吸収粒子>
本発明者らは、鋭意検討した結果、硫酸と銅を含有する化合物が、以下に説明するAイオンと化合物全体の電荷を中和するZイオンをさらに含有することで、近赤外線吸収特性を有し、近赤外線吸収粒子として使用できることを見出した。すなわち、本発明の近赤外線吸収粒子は、実質的に下記一般式(1)で表される硫酸銅化合物を含む粒子である。
Cu(SOb(Z)c …(1)
式中、Aはアルカリ金属(Li、Na、K、RbおよびCs)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、SrおよびBa)、H、並びにNHからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Zは電荷を中和させるのに必要な対イオンを表す。また、a、bおよびcは数を表し、0<a≦4、0<b≦4、0≦c≦8、a+b>1である。
本発明の近赤外線吸収粒子は、実質的に一般式(1)で表される硫酸銅化合物からなることが好ましい。なお、「実質的に〜からなる」とは、不可避不純物の混入を許容するとの意味である。
一般式(1)において、Aは、Na、K、RbおよびNHからなる群から選ばれる1種が好ましく、化合物の構造を安定にできるため、KまたはRbがより好ましい。
一般式(1)において、aは、0<a≦3が好ましく、0<a≦2.5がより好ましい。bは、0<b≦3が好ましく、0<b≦2.5がより好ましい。cは、0<c≦6が好ましく、0<c≦4がより好ましい。また、aとbの和は、2以上が好ましく、2.5以上がより好ましく、3以上が特に好ましい。
Zは、化合物の電荷を中和させるのに必要な対イオンである。
陽イオンとしては、典型的には無機または有機のアンモニウムイオン(例えば、テトラアルキルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等)、アルカリ金属イオン、およびプロトン等が挙げられる。
陰イオンとしては、無機陰イオンあるいは有機陰イオンのいずれであってもよい。典型的には酸素イオン、ハロゲン陰イオン、置換アリールスルホン酸イオン(例えば、p−トルエンスルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン酸イオン等)、アリールジスルホン酸イオン(例えば、1,3−ベンゼンジスルホン酸イオン、1,5−ナフタレンジスルホン酸イオン、2,6−ナフタレンジスルホン酸イオン等)、アルキル硫酸イオン(例えば、メチル硫酸イオン等)、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エノレート(例えば、アセチルアセトナート、ヘキサフルオロアセチルアセトナート等)、水酸イオン、亜硫酸イオン、硝酸イオン、亜硝酸イオン、炭酸イオン、アルキルカルボン酸イオン、アリールカルボン酸イオン、テトラアルキルボレート、サリシネート、ベンゾエート、ヘキサフルオロアンチモン、テトラフルオロボレート、パーフルオロアルキルスルホンイミンアニオン、パーフルオロアルキルスルホンカルバニオン等が挙げられる。合成時の収率を高めるためには、酸素イオンが好ましい。
一般式(1)で表される硫酸銅化合物としては、特に、容易かつ安価に合成でき、かつ室温での化学的安定性に優れる、という理由から、下記式(2)または(3)で表される化合物が好ましい。
Cu(SOO・・・(2)
RbCu(SO・・・(3)
本発明の近赤外線吸収粒子は、式(1)で表される化合物の結晶子を含有することが好ましく、実質的に式(1)で表される化合物の結晶子からなることが好ましい。前記結晶子とは、単結晶とみなせる最大の集まりを意味する。また、式(1)で表される化合物の結晶子とは、X線回折によって式(1)の結晶構造を確認できることを意味する。
本発明の近赤外線吸収粒子の、式(1)の化学組成は、各種元素分析装置を用いた組成分析等から決定できる。組成分析から、化学組成の構成成分のモル比を算出し、銅イオンのモル比を1として規格化することで、a、bおよびcを算出できる。
前記元素分析装置としては、例えば、フレーム原子吸光分析装置、ICP発光分光分析装置、ICP質量分析装置、元素分析装置、走査型蛍光X線分析装置、走査電子顕微鏡(SEM)に付属したエネルギー分散型X線分析装置等が挙げられる。
本明細書中では、電解放出形走査電子顕微鏡(FE−SEM)(日立ハイテクノロジーズ社製、装置名:S−4300形)に付属させた、堀場エネルギー分散型X線分析装置(堀場製作所製、装置名:EMAX ENERGY)を用いて、1サンプルに対し、2〜3点での元素分析を行い、その平均値を算出した。
本発明の近赤外線吸収粒子の、拡散反射スペクトルにおける波長400〜550nmの範囲の光の平均反射率は、75%以上である。平均反射率は、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上がより一層好ましい。
また、本発明の近赤外線吸収粒子の、拡散反射スペクトルにおける波長1000〜1500nmの反射率積分値は、20000nm・%以下であり、18000nm・%以下が好ましく、15000nm・%以下がより好ましく、10000nm・%以下がより一層好ましい。
さらに、本発明の近赤外線吸収粒子の、拡散反射スペクトルにおける波長1200nmの反射率は、40%以下であることが好ましく、30%以下がより好ましく、25%以下がより好ましい。
拡散反射スペクトルは、粉体状態の近赤外線吸収粒子について、紫外可視分光光度計を用いて測定される。
本明細書において、前記反射率積分値は、波長1000〜1500nmにおける反射スペクトルの面積を意味する。反射スペクトルの面積は、例えば、実施例に記載のとおり、波長1000〜1500nmにおける反射スペクトルを5nmごとに小区間の台形面積に分割し、これらを合算することで算出できる。本明細書中では、実施例に記載の方法で算出した。
近赤外線吸収粒子の拡散反射率が高いということは、近赤外線吸収粒子による光の吸収が少ないことを示している。一方で、近赤外線吸収粒子の拡散反射率が低いということは、近赤外線吸収粒子による光の吸収が多いことを示している。すなわち、近赤外線吸収粒子の拡散反射率は、これを用いて形成される近赤外線吸収膜の透過率の目安となる。
したがって、近赤外線吸収粒子の前記拡散反射スペクトルが前記した範囲にあれば、これを用いて形成される近赤外線吸収膜の波長1000〜1500nmの透過率を低くできる。このような近赤外線吸収膜は、近赤外線吸収フィルタに好適である。
本発明の近赤外線吸収粒子の数平均凝集粒子径は、200nm以下が好ましく、100nm以下がより好ましい。また、本発明の近赤外線吸収粒子の数平均凝集粒子径は、10nm以上が好ましく、20nm以上がより好ましく、30nm以上がより一層好ましい。数平均凝集粒子径が200nm以下であれば、これを用いて形成された近赤外線吸収膜のヘーズが低くなる(すなわち透過率が高くなる)。また、数平均凝集粒子径が10nm以上であれば、十分な近赤外線吸収特性を発現できる。このような近赤外線吸収膜は、近赤外線吸収フィルタに好適である。
なお、前記ヘーズとは近赤外線吸収膜を通過する透過光が拡散されている状態をいう。また、前記数平均凝集粒子径は、近赤外線吸収粒子を分散媒に分散させた粒子径測定用分散液について、動的光散乱式粒度分布測定装置を用いて測定した値である。
<近赤外線吸収粒子の製造方法>
本発明の近赤外線吸収粒子の製造方法の一態様として、下記工程(a)〜(c)を有する方法が挙げられる。
(a)Cu2+およびSO 2−を含む塩と、Aイオンを含む塩とを溶媒に溶解し、混合する工程。
(b)前記工程(a)で得られた生成物を分離する工程。
(c)前記工程(b)で得られた生成物を解砕する工程。
Cu2+およびSO 2−を含む塩としては、硫酸銅(II)五水和物が挙げられる。Aイオンを含む塩としては、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ金属の塩化物、アルカリ土類金属の塩化物、アルカリ金属の臭化物、アルカリ土類金属の臭化物、アルカリ金属の硝酸塩、アルカリ土類金属の硝酸塩、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の硫酸塩、アルカリ土類金属の硫酸塩等が挙げられる。
工程(a)で使用する溶媒は、Cu2+およびSO 2−を含む塩と、Aイオンを含む塩とを溶解できるものであれば特に限定されない。このような溶媒としては水が好ましい。
反応させる際の条件は、反応温度は5〜85℃、反応時間は30分〜8時間が好ましい。反応溶液は、式(1)の化学組成となるように混合比を適宜調整して使用される。
工程(b)において、生成物は、濾過や遠心分離等によって分離される。分離された生成物は、必要に応じて、洗浄し、乾燥することが好ましい。洗浄液は、特に限定されないが、生成物の水を効果的に除去できるため、有機溶媒が好ましい。乾燥では、溶媒や洗浄液等を除去できればよく、その方法としては、加熱乾燥法、スプレードライ法、凍結乾燥法、真空乾燥法等が挙げられる。
工程(c)において、生成物は、所望の大きさに解砕して粒子が得られる。解砕方法としては、公知の乾式粉砕法または湿式粉砕法が挙げられる。中でも、粒子の大きさを制御しやすいため湿式粉砕法が好ましい。解砕は、所望の大きさにできるのであれば、上記した方法のいずれかを一度行ってもよく、乾式粉砕と湿式粉砕との両方を行ってもよい。
解砕後の粒子径は、数平均凝集粒子径で200nm以下が好ましく、100nm以下がより好ましい。
乾式粉砕法としては、ボールミル、ジェットミル、ミル型粉砕機、ミキサー型粉砕機等を用いる方法等が挙げられる。また湿式粉砕法としては、湿式ミル(ボールミル、遊星ミル等)、クラッシャー、乳鉢、衝撃粉砕装置(ナノマイザー等)、湿式微粒子化装置等を用いる方法等が挙げられ、最も簡便かつ安価に粉砕処理が可能な湿式ミルを用いる方法が好ましい。
湿式粉砕法の場合、上記反応生成物を分散媒に分散させて解砕用分散液とする必要がある。分散媒としては、水、アルコール、ケトン、エーテル、エステル、アルデヒド等が挙げられる。分散媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。分散媒としては、作業環境の点から、水またはアルコールが好ましく、解砕用分散液に高圧力をかける場合は、水が特に好ましい。分散媒の量は、焼成物の分散性を維持する点から、解砕用分散液(100質量%)中、3〜50質量%が好ましい。湿式粉砕後の粒子は、必要に応じて、遠心分離等によって分散液から分離された後、洗浄や乾燥される。
本発明の近赤外線吸収粒子の製造においては、工程(c)の前または後で生成物を熱処理することが好ましい。熱処理することで、近赤外線領域の光の吸収特性が向上する。熱処理の影響としては、銅(II)イオンの周囲の配位構造の変化、生成物から吸着している溶媒や結晶水等の脱離、または生成物の構造相転移が考えられる。
工程(c)として乾式粉砕法を用いる場合には、熱処理は工程(c)の前が好ましい。工程(c)として湿式粉砕法を用いる場合には、熱処理は工程(c)の後が好ましい。このような順で行うこと、熱処理の効果を十分にできる。
熱処理の温度は、100〜500℃が好ましく、200〜450℃がより好ましい。
熱処理は、粒子の成長を抑える点から、被熱処理物(前記工程(b)で得られた生成物)を流動させつつ行うことが好ましい。
熱処理時間は、10分以下が好ましく、7分以下がより好ましい。熱処理は短時間であっても十分効果を発揮できる。一方、処理時間が長くなると生成物が分解するおそれがある。
被焼成物を流動させながら熱処理できる装置としては、ロータリーキルン炉等が挙げられる。短時間で焼成できる装置としては、集光加熱炉(例えば、IRイメージ炉)等が挙げられる。
以上のようにして得られた近赤外線吸収粒子は、耐候性、耐酸性、耐水性等の向上や表面改質によるバインダ樹脂との相溶性の向上を目的に、公知の方法にて表面処理されてもよい。表面処理の方法としては、近赤外線吸収粒子を含む分散液中に、表面処理剤または溶媒で希釈した表面処理剤を添加し、撹拌して処理した後、溶媒を除去し乾燥させる方法(湿式法)、あるいは近赤外線吸収粒子を撹拌しながら、表面処理剤または溶媒で希釈した表面処理剤を、乾燥空気または窒素ガスで噴射させて処理した後、乾燥させる方法(乾式法)が挙げられる。表面処理剤としては、界面活性剤、カップリング剤等が挙げられる。
以上説明した本発明の近赤外線吸収粒子の製造方法においては、可視光領域で高い透明性を維持したまま、近赤外線領域の光を広範囲にわたり吸収することができる。
<用途>
本発明の近赤外線吸収粒子は、分散媒に分散させて分散液として用いてもよく、樹脂に分散させて樹脂組成物として用いてもよい。
<分散液>
本発明の分散液は、分散媒と、該分散媒に分散された本発明の近赤外線吸収粒子とを含み、必要に応じて分散剤、バインダ樹脂、他の光吸収材を含む。近赤外線吸収粒子の含有量は、分散液の固形分(100質量%)のうち、10〜60質量%が好ましい。近赤外線吸収粒子の量が10質量%以上であれば、十分な近赤外線吸収特性を発現できる。近赤外線吸収粒子の量が60質量%以下であれば、可視光領域の光の透過率を高く維持できる。
(分散媒)
分散媒としては、水、アルコール、ケトン、エーテル、エステル、アルデヒド、アミン、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。分散媒は、1種を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。分散媒としては、作業環境の点から、水またはアルコールが好ましい。分散媒の量は、近赤外線吸収粒子の分散性を維持する点から、分散液(100質量%)のうち、40〜90質量%が好ましい。
(分散剤)
分散剤としては、近赤外線吸収粒子の表面に対して改質効果を示すもの、例えば、界面活性剤、シラン系カップリング剤、シリコーンレジン、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤等が挙げられる。
界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤(特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤、アルキルリン酸エステル等)、ノニオン系界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンカルボン酸エステル、ソルビタン高級カルボン酸エステル等)、カチオン系界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルアミンカルボン酸エステル、アルキルアミン、アルキルアンモニウム塩等)、両性界面活性剤(高級アルキルベタイン等)が挙げられる。
シラン系カップリング剤のシランとしては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザンが挙げられる。シランカップリング剤としては、官能基(ビニル基、アミノ基、アルケニル基、エポキシ基、メルカプト基、アンモニウム基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基等)を有するアルコキシシラン等が代表的な例として挙げられる。
シリコーンレジンとしては、メチルシリコーンレジン、メチルフェニルシリコーンレジンが挙げられる。
チタネート系カップリング剤としては、アシロキシ基、ホスホキシ基、ピロホスホキシ基、スルホキシ基、アリーロキシ基等を有するものが挙げられる。
アルミニウム系カップリング剤としては、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレートが挙げられる。
ジルコアルミネート系カップリング剤としては、アミノ基、メルカプト基、アルキル基、アルケニル基等を有するものが挙げられる。
分散剤の量は、分散剤の種類にもよるが、分散液(100質量%)のうち、0.5〜10質量%が好ましい。分散剤の量が該範囲内であれば、近赤外線吸収粒子の分散性が良好となり、透明性が損なわれず、また、経時的に近赤外線吸収粒子が沈降することが抑えられる。
(バインダ樹脂)
バインダ樹脂としては、熱可塑性樹脂(ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、アルキド系樹脂等)、熱硬化性樹脂(エポキシ系樹脂、熱硬化型アクリル系樹脂、シルセスキオキサン系樹脂等)が挙げられる。近赤外線吸収膜に透明性が必要となる場合、バインダ樹脂としては、アクリル系樹脂またはポリエステル系樹脂が好ましい。バインダ樹脂の量は、分散液の固形分(100質量%)のうち、40〜90質量%が好ましい。
(他の光吸収材)
他の光吸収材としては、紫外線吸収材、他の赤外線吸収材等が挙げられる。
紫外線吸収材としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、マイカ、カオリン、セリサイト等が挙げられる。
他の赤外線吸収材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)、ATO(Antimony doped Tin Oxide)等が挙げられる。ITOは、可視光領域の透過率が高く、かつ1100nmを超える電波領域も含めた広範囲の電磁波吸収性を有するため、電波遮蔽性を必要とする場合に特に好ましい。
他の光吸収材の数平均凝集粒子径は、透明性の点から、100nm以下が好ましい。
(分散液の調製)
本発明の分散液は、本発明の近赤外線吸収粒子、分散媒、必要に応じて分散剤、バインダ樹脂等を混合し、自転・公転式ミキサー、ビーズミル、遊星ミル、超音波ホモジナイザ等によって撹拌することにより調製できる。高い透明性を確保するためには、十分に撹拌する必要がある。撹拌は、連続的に行ってもよく、断続的に行ってもよい。
以上説明した分散液においては、本発明の近赤外線吸収粒子を分散媒に分散させたものであるため、可視光領域の透過率が高く、近赤外線領域の透過率が低く、かつ耐湿熱性に優れる近赤外線吸収膜の形成に有用である。
<近赤外線吸収膜を有する物品>
近赤外線吸収膜を有する物品は、基材面に上記した本発明の近赤外線吸収粒子を含む近赤外線吸収膜を有するものである。かかる近赤外線吸収膜を有する物品は、前述した分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥させることによって得られる。
近赤外線吸収膜を有する物品としては、撮像装置等における近赤外線遮蔽フィルタ、プラズマディスプレイ用の光学フィルタ、車両(自動車等)用のガラス窓、ランプ等が挙げられる。基材の形状としては、フィルムでも板状でもよい。基材の材料としては、ガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル、フッ素樹脂等が挙げられ、透明性および耐熱性の点から、ガラスが好ましい。
本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明は当然にこれらの実施例に限定して解釈されない。なお、例1、2、5〜24は本発明の実施例であり、例3、4、25、26は比較例である。
近赤外線吸収粒子のX線回折、数平均凝集粒子径および拡散反射スペクトルの測定方法は次のとおりである。
(X線回折)
粉体状態の近赤外線吸収粒子について、X線回折装置(RIGAKU社製、装置名:SmartLab)を用いてX線回折の測定を行い、結晶構造の同定を行った。
(数平均凝集粒子径)
近赤外線吸収粒子を水に分散させて粒子径測定用分散液(固形分濃度:5質量%)を調製し、この分散液について動的光散乱式粒度分布測定装置(日機装社製、装置名:マイクロトラック超微粒子粒度分析計UPA−150)を用いて近赤外線吸収粒子の粒度分布を測定し、数平均凝集粒子径を求めた。
一つの球状粉体の集合と仮定して、その粉体の集団の全個数を100%とし、粒度分布から累積カーブを求めた。この累積カーブが50%となる点の粒子径は累積中位径(Median径)であり、これを数平均凝集粒子径とした。
(拡散反射スペクトル)
粉体状態の近赤外線吸収粒子について、紫外可視分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、装置名:U−4100形)を用いて拡散反射スペクトルを測定した。測定は、300〜2600nmの波長範囲について、サンプリング間隔5nmで行った。また、ベースラインには硫酸バリウムを用いた。この測定結果から、可視光(波長400〜550nm)の平均反射率(単位:%)、近赤外光(波長1200nm)反射率(単位:%)、および近赤外光(波長1000〜1500nm)の反射率積分値(単位:nm・%)を求めた。反射率積分値は、5nmごとの小区間の台形面積を合算して算出した。算出方法の詳細は、趙 華安著「Excellによる数値計算法」(共立出版),2000年に記載されている。
(元素分析)
粉体状態の近赤外線吸収粒子について、電解放出形走査電子顕微鏡(FE−SEM)(日立ハイテクノロジーズ社製、装置名:S−4300形)に付属させた、堀場エネルギー分散型X線分析装置(堀場製作所製、装置名:EMAX ENERGY)を用いて、1サンプルに対し、2〜3点での元素分析を行い、その平均値を算出した。算出したモル比から、銅イオンの組成比が1となるようにして他のイオンの組成比を算出し、式(1)の化学式のa、bおよびcを算出した。
〔例1〕
塩化カリウム(純正化学社製)120gを水350gに溶解させた水溶液と、硫酸銅・5水和物(純正化学社製)50gを水150gに溶解させた水溶液を、撹拌しながら混合した後、1晩静置した。
得られた水色溶液から遠心分離器を用いて生成物を分離した。さらに水およびアセトンで洗浄し、水色の生成物を得た。この生成物を加熱乾燥法により乾燥した。
得られた粒子についてX線回折を測定した。結果を図1に示す。X線回折の結果から、KCu(SOOの結晶構造を含むスペクトルパターンを確認でき、実質的にKCu(SOOの結晶子からなる粒子を含む化合物であることが同定された。
得られた粒子2.0gを粒径0.5mmのZrOビーズ40gとシクロヘキサン15gとともにポリエチレン製容器に入れ、架台上で48時間回転させることによって粒子径測定用分散液を調製し、数平均凝集粒子径を測定した。結果を表1に示す。また、得られた粒子の拡散反射スペクトルを測定した、結果を表1および図2に示す。さらに、得られた粒子について、元素分析結果から組成比を算出した。結果を表2に示す。
〔例2〕
混合する水溶液として、塩化ルビジウム(純正化学社製)4.84gを水10.22gに溶解させた水溶液と、硫酸銅・5水和物(純正化学製)4.99gを水15.00gに溶解させた水溶液を用いた以外は、例1と同様にして、RbCu(SOの粒子を作製した。
得られた粒子についてX線回折を測定した。結果を図3に示す。X線回折の結果から、RbCu(SOの結晶構造を含むスペクトルパターンを確認でき、実質的にRbCu(SOの結晶子からなる粒子を含む化合物であることが同定された。
得られた粒子について、例1と同様にして、数平均凝集粒子径、元素分析、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表1、表2および図4に示す。
〔例3〕
市販の50%フィチン酸銅(東京化成社製)13.7gを撹拌しながら、酢酸銅・1水和物4.15gを添加し、完全に溶解させた。この溶液を、イソプロパノール400mLとメタノール50mLを混合し、激しく撹拌した溶液中に少量ずつ滴下し、静置したところ、結晶が生成した。この結晶を吸引濾過により分取し、イソプロパノールで洗浄したところ、粘性固体が得られた。この粘性固体をメタノールで湿らせながら薬匙で粉砕した。さらにメタノールを加えて30分撹拌した。この溶液を吸引濾過した後、真空乾燥し、青色粉体を得た。
得られた粒子について、例1と同様にして、元素分析、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表1に示す。なお、上記粉体は水に溶解するため、水溶液中での粒度分布測定は実施できなかった。
〔例4〕
一般式(1)に該当しない市販の硫酸銅・5水和物(関東化学社製)の粉体について、例1と同様にして、元素分析、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表1に示す。なお、上記粉体は水に溶解するため、水溶液中での粒度分布測定は実施できなかった。
Figure 2014214299
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〔例5〕
例1で得られた粉体状態の粒子(粒子1と表記、以下、他の例についても同様に略す)に次のような焼成処理を施した。
粒子1を平皿に移し、集光加熱炉(米倉製作所製、装置名:IR−HR)にて100℃で5分間焼成した。焼成は、室温から焼成温度の100℃まで5分間で昇温し、その温度を5分間(焼成時間)保持した後、冷却するという手順で行った。
得られた粒子について、例1と同様にして、元素分析、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表3に示す。
〔例6〜20〕
焼成温度および/または焼成時間を表3および表4に示すように変更した以外は、例5と同様にして粒子を得た。
得られた粒子について、例1と同様にして、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表3および表4に併せ示す。また、例9で得られた粒子の拡散反射スペクトルを図5に示す。なお、図5には、比較のために、例1で得られた粒子の拡散反射スペクトルを併せ示す。さらに、例7、9、および13で得られた粒子について、元素分析を行い、組成比を算出した。結果を表6に示す。
〔例21〜24〕
原料粒子として、粒子1に代えて、粒子2を用いるとともに、焼成温度および/または焼成時間を表5に示すようにした以外は、例5と同様にして粒子を得た。
得られた粒子について、例1と同様にして、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表5に併せ示す。また、例21、22および24で得られた粒子について、元素分析を行い、組成比を算出した。結果を表6に示す。
〔例25〜26〕
原料粒子として、粒子1に代えて、粒子3、または粒子4を用いた以外は、例9と同様にして粒子を得た。
得られた粒子について、例1と同様にして、拡散反射スペクトルを測定した。結果を表5に併せ示す。
Figure 2014214299
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表1、表3〜5から明らかなように、本発明の実施例による粒子はいずれも、近赤外線領域で広範囲にわたって良好な近赤外線吸収性を示すとともに、可視光領域でも幅広く高い反射率(透過性)を示した。
本発明による近赤外線吸収粒子は、可視光領域で高い透明性を維持したまま、近赤外線領域の光を広範囲にわたり吸収することができるため、撮像装置等の近赤外線遮蔽フィルタ、プラズマディスプレイ用の光学フィルタ、車両(自動車等)用のガラス窓、ランプ等の近赤外線吸収膜に含有させる近赤外線吸収材として有用である。

Claims (10)

  1. 実質的に下記式(1)で表される金属イオン含有化合物を含み、拡散反射スペクトルにおける波長400nmから550nmの平均反射率が75%以上であり、かつ波長1000〜1500nmの反射率積分値が20000nm・%以下である、近赤外線吸収粒子。
    Cu(SOb(Z)c …(1)
    [式中、Aはアルカリ金属(Li、Na、K、RbおよびCs)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、SrおよびBa)、H、並びにNHからなる群から選ばれる少なくとも1種を表し、Zは電荷を中和させるのに必要な対イオンを表す。また、a、bおよびcは数を表し、0<a≦4、0<b≦4、0≦c≦8、a+b>1である。]
  2. 前記式(1)中、AがNa、K、RbおよびNHからなる群から選ばれる、請求項1に記載の近赤外線吸収粒子。
  3. 前記式(1)中、a、bおよびcは、0<a≦3、0<b≦4、0≦c≦6、a+b>1である請求項1または2に記載の近赤外線吸収粒子。
  4. 拡散反射スペクトルにおける波長1200nmの反射率が35%以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の近赤外線吸収粒子。
  5. 拡散反射スペクトルにおける波長400nmから550nmの平均反射率が80%以上であり、かつ波長1000〜1500nmの反射率積分値が15000nm・%以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の近赤外線吸収粒子。
  6. 下記工程(a)〜(c)を有する、近赤外線吸収粒子の製造方法。
    (a)Cu2+およびSO 2−を含む塩と、Aイオンを含む塩とを溶媒に溶解し、混合する工程。
    (b)前記工程(a)で得られた生成物を分離する工程。
    (c)前記工程(b)で得られた生成物を解砕する工程。
  7. 少なくとも前記工程(c)の前または後で、生成物を100〜500℃で熱処理する、請求項6に記載の近赤外線吸収粒子の製造方法。
  8. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の近赤外線吸収粒子を分散媒に分散させた、分散液。
  9. 分散液の固形分として近赤外線吸収粒子を10〜60質量%含有する、請求項8に記載の分散液。
  10. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の近赤外線吸収粒子を含む近赤外線吸収膜が基材に形成された、近赤外線吸収膜を有する物品。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115315298A (zh) * 2020-07-13 2022-11-08 日本碍子株式会社 精制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05331449A (ja) * 1992-06-03 1993-12-14 Asahi Glass Co Ltd 近赤外線吸収材料
JPH069818A (ja) * 1992-06-22 1994-01-18 Tokyo Seihin Kaihatsu Kenkyusho:Kk 有機光学材料

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05331449A (ja) * 1992-06-03 1993-12-14 Asahi Glass Co Ltd 近赤外線吸収材料
JPH069818A (ja) * 1992-06-22 1994-01-18 Tokyo Seihin Kaihatsu Kenkyusho:Kk 有機光学材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115315298A (zh) * 2020-07-13 2022-11-08 日本碍子株式会社 精制方法
CN115315298B (zh) * 2020-07-13 2023-09-15 日本碍子株式会社 精制方法

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