JP2014214242A - リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、及びパターンが形成された基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記工程(i)〜(iii)を含む、リソグラフィー用重合体の製造方法、該重合体を用いたレジスト組成物の製造方法、該レジスト組成物を用いたパターンが形成された基板の製造方法。
(i)単量体、重合溶媒及び重合開始剤の存在下で、重合体を含む重合反応溶液を得る重合工程;
(ii)前記工程(i)で得られた重合反応溶液を、重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させた後、固液分離により重合体湿粉を得る回収工程;
(iii)前記工程(ii)で得られた重合体湿粉に、リンス溶媒を拡散させて接触させるリンス工程;
【選択図】なし
Description
具体的には、従来のg線(波長:438nm)、i線(波長:365nm)に代表される紫外線から、より短波長のDUV(Deep Ultra Violet)へと照射光が短波長化してきている。
また、これらとは異なるタイプのリソグラフィー技術として、電子線リソグラフィー技術についても精力的に研究されている。
例えば、ArFエキシマレーザーリソグラフィーにおいて用いられる化学増幅型レジスト用重合体として、波長193nmの光に対して透明なアクリル系重合体が注目されている。該アクリル系重合体としては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとエステル部にラクトン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとの重合体が提案されている。
また、露光時に基板からの反射を防ぐ役割を果たすため、露光光に対する光線透過率が低い反射防止膜の開発が進められており、アクリル系重合体を用いた反射防止膜が提案されている。
しかしながら、従来の方法ではレジストパターンの微細化に伴うリソグラフィー用重合体の高純度化という点で十分ではなく、重合体の性能も安定しない等の問題があった。
[1] 下記工程(i)〜(iii)を含む、リソグラフィー用重合体の製造方法。
(i)単量体、重合溶媒及び重合開始剤の存在下で、重合体を含む重合反応溶液を得る重合工程;
(ii)前記工程(i)で得られた重合反応溶液を、重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させた後、固液分離により重合体湿粉を得る回収工程;
(iii)前記工程(ii)で得られた重合体湿粉に、リンス溶媒を拡散させて接触させるリンス工程;
[2] 前記工程(iii)において、前記リンス溶媒を、スプレーノズルを用いて供給する、請求項1記載のリソグラフィー用重合体の製造方法。
[3] 前記工程(iii)において、前記リンス溶媒を、拡散板を用いて供給する、請求項1記載のリソグラフィー用重合体の製造方法。
[4] 前記工程(iii)を、前記工程(ii)を行う固液分離装置内で行う、前記態様[1]〜[3]のリソグラフィー用重合体の製造方法。
[5] 前記態様[1]〜[4]の何れか一項に記載の製造方法により得られたリソグラフィー用重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを混合する工程を含む、レジスト組成物の製造方法。
[6] 前記態様[5]記載の製造方法により得られたレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、
該レジスト膜に対して、露光する工程と、
露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程と、を含む、
パターンが形成された基板の製造方法。
また、該リソグラフィー用重合体をレジスト組成物に用いた時の感度や現像コントラスト等のレジスト性能を向上させることができる。
本発明の基板の製造方法によれば、感度や現像コントラスト等のレジスト性能に優れたレジスト組成物を用いて、高精度の微細レジストパターンを安定して形成できる。
本発明のリソグラフィー用重合体は、後述する本発明のリソグラフィー用重合体の製造法により得られる。
また、本発明のリソグラフィー用重合体は、極性基を有する構成単位を有することが好ましい。
[極性基を有する構成単位]
「極性基」とは、極性を持つ官能基又は極性を持つ原子団を有する基であり、具体例としては、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコキシ基、カルボキシ基、アミノ基、カルボニル基、フッ素原子を含む基、硫黄原子を含む基、ラクトン骨格を含む基、アセタール構造を含む基、エーテル結合を含む基などが挙げられる。
これらのうちで、波長250nm以下の光で露光するパターン形成方法に適用されるレジスト用重合体は、極性基を有する構成単位として、ラクトン骨格を有する構成単位を有することが好ましく、さらに後述の親水性基を有する構成単位を有することが好ましい。
ラクトン骨格としては、例えば、4〜20員環程度のラクトン骨格が挙げられる。ラクトン骨格は、ラクトン環のみの単環であってもよく、ラクトン環に脂肪族又は芳香族の炭素環又は複素環が縮合していてもよい。
重合体がラクトン骨格を有する構成単位を含む場合、その含有量は、基板等への密着性の点から、全構成単位(100モル%)のうち、20モル%以上が好ましく、25モル%以上がより好ましい。
また、感度及び解像度の点から、60モル%以下が好ましく、55モル%以下がより好ましく、50モル%以下がさらに好ましい。
本明細書において、「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「(メタ)アクリロイルオキシ」は、アクリロイルオキシ又はメタクリロイルオキシを意味する。
ラクトン骨格を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本明細書における「親水性基」とは、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基、メトキシ基、カルボキシ基及びアミノ基からなる群より選ばれる、少なくとも1種である。
これらのうちで、波長250nm以下の光で露光するパターン形成方法に適用されるレジスト用重合体は、親水性基として、ヒドロキシ基又はシアノ基を有することが好ましい。
重合体における親水性基を有する構成単位の含有量は、レジストパターン矩形性の点から、全構成単位(100モル%)のうち、5〜30モル%が好ましく、10〜25モル%がより好ましい。
基板等に対する密着性の点から、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシアダマンチル、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシアダマンチル、2−若しくは3−シアノ−5−ノルボルニル(メタ)アクリレート、2−シアノメチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート等が好ましい。
親水性基を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のリソグラフィー用重合体がレジスト用途に用いられる場合、上述した極性基を有する構成単位の他に、酸脱離性基を有する構成単位を有することが好ましく、その他に、必要に応じて公知の構成単位をさらに有していてもよい。
「酸脱離性基」とは、酸により開裂する結合を有する基であり、該結合の開裂により酸脱離性基の一部又は全部が重合体の主鎖から脱離する基である。
レジスト用組成物において、酸脱離性基を有する構成単位を有する重合体は、酸成分と反応してアルカリ性溶液に可溶となり、レジストパターン形成を可能とする作用を奏する。
酸脱離性基を有する構成単位の割合は、感度及び解像度の点から、重合体を構成する全構成単位(100モル%)のうち、20モル%以上が好ましく、25モル%以上がより好ましい。また、基板等への密着性の点から、60モル%以下が好ましく、55モル%以下がより好ましく、50モル%以下がさらに好ましい。
酸脱離性基を有する単量体の具体例として、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有し、かつ酸脱離性基を有している(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。
該脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
該(メタ)アクリル酸エステルには、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有するとともに、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有する(メタ)アクリル酸エステル、又は、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有するとともに、該脂環式炭化水素基に−COOR基(Rは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を表す。)が、直接若しくは連結基を介して結合している(メタ)アクリル酸エステルが含まれる。
酸脱離性基を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
例えば、レジスト膜の形成に用いられるレジスト用重合体、レジスト膜の上層に形成される反射防止膜(TARC)、レジスト膜の下層に形成される反射防止膜(BARC)の形成に用いられる反射防止膜用重合体、ギャップフィル膜の形成に用いられるギャップフィル膜重合体、又はトップコート膜の形成に用いられるトップコート膜用重合体が挙げられる。
レジスト用重合体の例としては、前記酸脱離性基を有する構成単位の1種以上と、前記極性基を有する構成単位の1種以上とを含む共重合体が挙げられる。
ここで、吸光性基とは、レジスト組成物中の感光成分が感度を有する波長領域の光に対して、高い吸収性能を有する基であり、具体例としては、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、キノリン環、キノキサリン環、チアゾール環等の環構造(任意の置換基を有していてもよい。)を有する基が挙げられる。
特に、照射光として、KrFレーザ光が用いられる場合には、アントラセン環又は任意の置換基を有するアントラセン環が好ましく、ArFレーザ光が用いられる場合には、ベンゼン環又は任意の置換基を有するベンゼン環が好ましい。
前記任意の置換基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、エステル基、アミノ基、又はアミド基等が挙げられる。これらのうち、吸光性基として、保護された又は保護されていないフェノール性水酸基を有するものが、良好な現像性・高解像性の観点から好ましい。
前記吸光性基を有する構成単位・単量体として、例えば、ベンジル(メタ)アクリレート、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
液浸リソグラフィーに用いられるトップコート膜用重合体の例としては、カルボキシル基を有する構成単位を含む共重合体、水酸基が置換したフッ素含有基を有する構成単位を含む共重合体等が挙げられる。
本発明のリソグラフィー用重合体の製造方法は、下記工程を有する。
(i)単量体、重合溶媒及び重合開始剤の存在下で、重合体を含む重合反応溶液を得る重合工程;
(ii)前記工程(i)で得られた重合反応溶液を、重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させた後、固液分離により重合体湿粉を得る回収工程;
(iii)前記工程(ii)で得られた重合体湿粉に、リンス溶媒を拡散させて接触させるリンス工程;
本発明において、工程(i)は、重合溶媒の存在下で、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて、重合体を含む重合反応溶液を得る工程であり、重合方法は、溶液重合法である。
すなわち、重合溶媒の存在下に重合開始剤を使用して単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る。
溶液重合法において、単量体及び重合開始剤の重合容器への供給は、連続供給であってもよく、滴下供給であってもよい。溶液重合法としては、製造ロットの違いによる平均分子量、分子量分布等のばらつきが小さく、再現性のある重合体が簡便に得られる点から、単量体及び重合開始剤を重合容器内に滴下する滴下重合法が好ましい。
単量体は、単量体のみで滴下してもよく、単量体を重合溶媒に溶解させた単量体溶液として滴下してもよい。
重合溶媒及び/又は単量体を、あらかじめ重合容器に仕込んでもよい。
重合開始剤は、単量体に直接に溶解させてもよく、単量体溶液に溶解させてもよく、重合溶媒のみに溶解させてもよい。
単量体及び重合開始剤は、同じ貯槽内で混合した後、重合容器中に滴下してもよく;それぞれ独立した貯槽から重合容器中に滴下してもよく;それぞれ独立した貯槽から重合容器に供給する直前で混合し、重合容器中に滴下してもよい。
単量体及び重合開始剤は、一方を先に滴下した後、遅れて他方を滴下してもよく、両方を同じタイミングで滴下してもよい。
滴下は、連続的に行ってもよく、間欠的に行ってもよい。
重合温度は、50〜150℃が好ましく、60〜120℃がより好ましく、70〜100℃が特に好ましい。
所定の重合温度で所定時間、重合反応させた後、重合反応を停止させ、重合反応溶液を得る。重合反応を停止させる手法は反応液を冷却させる工程が一般的に用いられるが、ラジカル捕捉剤を投入することによって停止させることもできる。
エーテル類:鎖状エーテル(ジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等。)、環状エーテル(テトラヒドロフラン(以下、「THF」と記す。)、1,4−ジオキサン等。)等。
エステル類:酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」と記す。)、γ−ブチロラクトン等。
ケトン類:アセトン、メチルエチルケトン(以下、「MEK」と記す。)、メチルイソブチルケトン(以下、「MIBK」と記す。)、シクロヘキサノン等。
アミド類:N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等。
スルホキシド類:ジメチルスルホキシド等。
芳香族炭化水素:ベンゼン、トルエン、キシレン等。
脂肪族炭化水素:ヘキサン等。
脂環式炭化水素:シクロヘキサン等。
重合溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明において、工程(ii)は、前記工程(i)で得られた重合反応溶液を、重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させた後、固液分離により重合体湿粉を得る工程である。
当該工程は、再沈殿と呼ばれ、重合反応溶液中の残存単量体、残存重合開始剤等を取り除くために有効である。残存単量体は、そのまま残存しているとレジスト組成物として用いた場合に感度が低下するため、できるだけ取り除くことが好ましい。
貧溶媒は、目的の重合体を溶解させる能力が小さくて、該重合体が析出し得る溶媒である。重合体の組成に応じて、公知のものを適宜選択して使用できる。
リソグラフィー用重合体に用いられる未反応の単量体、重合開始剤等を効率的に取り除くことができる点で、メタノール、イソプロピルアルコール、ジイソプロピルエーテル、ヘプタン、又は水が好ましい。
貧溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
重合反応溶液を貧溶媒中に滴下する際の貧溶媒の量は、特に限定されないが、未反応単量体をより低減しやすい点で、希釈後溶液と同質量以上が好ましく、質量基準で3倍以上が好ましく、4倍以上がより好ましく、5倍以上がさらに好ましく、6倍以上が特に好ましい。
上限は特に限定されないが、多すぎると後の濾過工程における作業効率が悪くなる。例えば質量基準で10倍以下が好ましい。
希釈溶媒としては、1,4−ジオキサン、アセトン、THF、MEK、MIBK、γ−ブチロラクトン、PGMEA、PGME、乳酸エチル等が挙げられる。
これらは1種を用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
希釈を行う場合、希釈後の重合反応溶液中の溶媒(重合溶媒と希釈溶媒の混合物)の溶解度パラメーター(以下、SP値とも記す。)と、再沈殿に用いられる貧溶媒のSP値の差は、重合体の良好な分散性が得られ、効率的に単量体を除去できる点で、小さい方が好ましい。
溶媒のSP値は、例えば、「ポリマーハンドブック(Polymer Handbook)」、第4版、VII−675頁〜VII−711頁に記載の方法により求めることができ、具体的には、表1(VII−683頁)、表7〜8(VII−688頁〜VII−711頁)に記載されている。
また、複数の溶媒の混合溶媒におけるSP値は、公知の方法により求めることができる。例えば、混合溶媒のSP値は、加成性が成立するとして、各溶媒のSP値と体積分率との積の総和として求めることができる。
さらに、固液分離した重合体湿粉を再び貧溶媒に分散させた後に、固液分離する操作を繰り返して、目的の重合体の重合体湿粉を得ることもできる。
この工程は、リスラリと呼ばれ、湿粉中に残存する未反応の単量体、重合開始剤等の不純物をより低減させるために有効である。
重合体を高い生産性を維持したまま取得できる点では、リスラリを行わず、再沈殿法のみで重合体の重合体湿粉を回収することが好ましい。
固液分離操作は加圧濾過器、減圧濾過器、遠心分離機等の公知の固液分離装置を用いることができる。
本発明における工程(iii)は、前記工程(ii)で得られた重合体湿粉に、リンス溶媒を拡散させて、接触させる工程である。
本発明の製造方法では、前記工程(ii)で得られた湿粉を、さらに洗浄するリンス工程を有する。当該洗浄は、回収した湿粉(又は乾粉)にリンス溶媒を接触させることで行われる。
リンス操作は、前記工程(ii)で用いた固液分離装置内で行っても良いし、固液分離装置から湿粉を取り出して行っても良い。
高い生産性を維持しつつ不純物の汚染を防げる点で、前記工程(ii)で固液分離を行った湿粉が、固液分離装置の中にある状態でリンス操作を行うことが好ましい。
リンス溶媒としては、前記工程(ii)で用いることの出来る公知の貧溶媒を用いることができる。
本発明の効果を得られやすい点で、前記工程(i)に用いた単量体や重合溶媒を溶解し、均一溶液を得る事のできる溶媒を選択することが好ましい。
生産性に優れる点で、前記工程(ii)で用いた貧溶媒と同一種の貧溶媒を用いることが好ましい。
本発明において、「拡散」とは、物理的拡散を意味し、具体的には、リンス溶媒を、供給点から角度を持って供給すること、又は、多点的に供給することを意味する。
工程(iii)において、拡散方法は限定されないが、例えば、スプレーノズル、シャワーノズル、拡散板又は攪拌翼(回転板)等を用いた拡散方法が挙げられる。
ここで、湿粉に対して均一にリンス溶媒が供給でき、残存溶剤や残存単量体を効率的に除去できる点で、後述するようなスプレーノズル、シャワーノズル又は拡散板等を用いた拡散方法で供給することが好ましい。
スプレーノズルを用いる場合、所定の圧力にて溶液を加圧し、ノズル孔から噴出させることで、スプレー状に液滴を拡散させることが可能なノズルが挙げられる。
リンス溶媒の液滴の平均粒径は、湿粉に対して均一にリンス溶媒を接触させることができる点で、10mm以下が好ましく、5mm以下がより好ましく、1mm以下がさらに好ましい。
リンス溶媒の液滴を供給する圧力としては、液滴粒径を小さくすることができる点で、0.05MPa以上が好ましく、0.10MPa以上がより好ましく、0.20MPa以上がさらに好ましい。
リンス溶媒の液滴を湿粉全体へ均一に接触するために、リンス溶媒の液滴を湿粉に対して拡散させる角度としては、湿粉全体へ均一に接触させることができるよう任意に選択することができる。
シャワーノズルを用いる場合、複数の孔から溶液を噴出させることで、溶液を拡散させることが可能なノズルが挙げられる。
本発明の効果を得られやすい点で、所定の圧力にて溶液を加圧し、リンス溶液を拡散させることが好ましい。
供給圧力としては液滴粒径を小さくすることができる点で、0.05MPa以上が好ましく、0.10MPa以上がより好ましく、0.20MPa以上がさらに好ましい。
リンス溶液を広範囲に拡散できる点で、孔の数は5点以上が好ましく、10点以上がより好ましく、20点以上がさらに好ましく、30点以上が特に好ましい。
リンス溶媒の液滴粒径を小さくすることができる点で、孔径は15mmφ以下が好ましく、10mmφ以下がより好ましい。
拡散板を用いる場合、単独又は複数のリンス溶液供給ラインからの吐出方向に対して、所定の角度をつけて設置した板が挙げられる。
供給ライン出口から拡散板までの距離及び供給ライン方向と拡散板の面とのなす角度はリンス液滴が湿粉全体に接触させることができるように、任意の距離及び角度で設置してもよい。
本発明の効果を得られやすい点で、所定の圧力にて溶液を加圧し、リンス溶液を供給することが好ましい。
リンス溶液供給ラインからの供給圧力としては0.05MPa以上が好ましく、0.10MPa以上がより好ましく、0.20MPa以上がさらに好ましい。
本発明の効果を得られやすい点で、拡散板には複数の孔が空けられていることが好ましく、穴の数は3点以上が好ましく、5点以上がより好ましく、10点以上がさらに好ましく、20点以上が特に好ましい。
リンス溶媒の液滴粒径を小さくすることができる点で、孔径は15mmφ以下が好ましく、10mmφ以下がより好ましい。
リンス溶媒の使用量は特に限定されず、湿粉中の残存単量体量や残存溶剤量に応じて調節できるが、工程時間が長くなり過ぎない点で、重合工程で得られる重合反応溶液と同一量以下が好ましい。
前記工程(iii)で得られた重合体湿粉を乾燥させることで、重合体乾粉として得る事ができる。
減圧を行う場合の減圧度は、50kPa以下が好ましく、40kPa以下がより好ましく、30kPa以下がさらに好ましい。該減圧度の下限値は特に限定されないが、現実的には0.01kPa以上である。
加熱を行う場合の加熱温度としては30℃以上が好ましく、35℃以上がより好ましく、40℃以上がさらに好ましい。加熱温度の上限は、重合体の熱劣化を防ぐ点で100℃以下が好ましく、90℃以下がより好ましく、80℃以下がさらに好ましい。
前記工程(iii)で得られた重合体(湿粉)又は前記乾燥工程で得られた重合体乾粉
を、必要に応じて良溶媒に溶解させてもよい。これにより、目的の重合体が良溶媒に溶解された溶液が得られる。
良溶媒は、目的の重合体を溶解させることができる公知の溶媒を用いることができ、上記に重合溶媒として挙げた溶媒を用いることができる。目的の重合体をレジスト組成物の製造に用いる場合、該レジスト組成物におけるレジスト溶媒と同じ溶媒を、溶解工程における良溶媒として使用することが好ましい。
また、良溶媒に溶解させる際、保存安定剤等の添加剤を適宜添加してもよい。すなわち前記重合体溶液は保存安定剤等の添加剤を含んでもよい。
前記溶解工程で得られた溶液を濃縮して、目的の重合体が良溶媒に溶解された濃縮液としてもよい。濃縮を行うことで、残留する低沸点化合物をさらに除去することができる。
当該工程においては、公知の濃縮方法を用いることができる。短い時間で濃縮できる点で減圧濃縮することが好ましい。減圧濃縮を行う場合の減圧度は、50kPa以下が好ましく、40kPa以下がより好ましく、30kPa以下がさらに好ましい。該減圧度の下限値は特に限定されないが、現実的には0.05kPa以上である。
また、減圧濃縮中に加熱することも短い時間で濃縮できる点で好ましい。加熱温度としては20℃以上が好ましく、30℃以上がより好ましく、40℃以上がさらに好ましい。また、重合体の熱劣化を防ぐ点で加熱温度は100℃以下が好ましく、90℃以下がより好ましく、80℃以下がさらに好ましい。
濃縮中は突沸を防ぐ点で攪拌しながら行うのが好ましい。
また、圧力制御ができ、熱伝導性に優れ反応温度制御が容易になる点で、耐圧製金属反応容器内で濃縮することが好ましい。金属としては耐食性が高く重合体への金属不純物の混入が低減できる点でステンレス鋼(以下SUSとも言う)が好ましい。
前記溶解工程で得られた溶液、又は前記濃縮工程で得られた濃縮液を必要に応じて濾過してもよい。これにより重合体のゲル物や異物が低減された重合体溶液を得ることができる。
濾過フィルター前後の圧力損失を低く抑えたまま、短時間で濾過できる点では、濃縮工程の前に、記溶解工程で得られた溶液を濾過することが好ましい。
最終製品に混入する恐れのある重合体のゲル物や異物を効率的に低減できる点では、濃縮工程の後に、得られた濃縮液を濾過することが好ましい。
前記溶解工程で得られた溶液と前記濃縮液の両方を濾過してもよい。すなわち溶解工程で得られた溶液を濾過した後、得られた濾液を前記濃縮工程に供して濃縮し、得られた濃縮液を、さらに濾過してもよい。
本発明のレジスト組成物の製造方法は、前記態様[1]〜[4]の何れか一項に記載の製造方法により得られたリソグラフィー用重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを混合する工程を有する。
ここで、必要に応じて、さらにレジスト溶媒を加えて混合することもできる。レジスト溶媒としては、上記に重合溶媒として挙げた溶媒を用いることができる。こうして得られるレジスト組成物は化学増幅型レジスト組成物である。
レジスト組成物の製造に用いる重合体溶液は、前記溶解工程で得られた溶液でもよく、その後に濾過した濾液でもよく、前記濃縮工程で得られた濃縮液でもよく、その後に濾過した濾液でもよい。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物は、化学増幅型レジスト組成物の光酸発生剤として使用可能なものの中から任意に選択できる。光酸発生剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられる。
光酸発生剤の使用量は、重合体100質量部に対して、0.1〜20質量部が好ましく、0.5〜10質量部がより好ましい。
化学増幅型レジスト組成物は、含窒素化合物を含んでいてもよい。含窒素化合物を含むことにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。つまり、レジストパターンの断面形状が矩形により近くなり、また、レジスト膜に光を照射し、ついでベーク(PEB)した後、次の現像処理までの間に数時間放置されることが半導体素子の量産ラインではあるが、そのような放置(経時)したときにレジストパターンの断面形状の劣化の発生がより抑制される。
含窒素化合物としては、アミンが好ましく、第2級低級脂肪族アミン、第3級低級脂肪族アミンがより好ましい。
含窒素化合物の量は、重合体100質量部に対して、0.01〜2質量部が好ましい。
化学増幅型レジスト組成物は、有機カルボン酸、リンのオキソ酸又はその誘導体(以下、これらをまとめて酸化合物と記す。)を含んでいてもよい。
酸化合物を含むことにより、含窒素化合物の配合による感度劣化を抑えることができ、また、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。
有機カルボン酸としては、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が挙げられる。
リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸又はその誘導体、ホスホン酸又はその誘導体、ホスフィン酸又はその誘導体等が挙げられる。
酸化合物の量は、重合体100質量部に対して、0.01〜5質量部が好ましい。
レジスト組成物は、必要に応じて、界面活性剤、その他のクエンチャー、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。該添加剤は、当該分野で公知のものであればいずれも使用可能である。
また、これら添加剤の量は、特に限定されず、適宜決めればよい。
本発明の、微細パターンが形成された基板の製造方法の一例について説明する。
まず、所望の微細パターンを形成しようとするシリコンウエハー等の被加工基板の表面に、本発明の製造方法で得られるレジスト組成物をスピンコート等により塗布する。そして、該レジスト組成物が塗布された被加工基板を、ベーキング処理(プリベーク)等で乾燥することにより、基板上にレジスト膜を形成する。
また、該レジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に、純水、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロトリアルキルアミン等の高屈折率液体を介在させた状態で光を照射する液浸露光を行ってもよい。
現像後、基板を純水等で適宜リンス処理する。このようにして被加工基板上にレジストパターンが形成される。
エッチング後、レジストを剥離剤によって除去することによって、微細パターンが形成された基板が得られる。
また、各実施例、比較例中「部」とあるのは、特に断りのない限り「質量部」を示す。測定方法及び評価方法は以下の方法を用いた。
重合体の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、下記の条件(GPC条件)でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた。
[GPC条件]
装置:東ソー社製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)
分離カラム:昭和電工社製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列に連結したもの
測定温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
試料:重合体の約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液
流量:1mL/分
注入量:0.1mL
検出器:示差屈折計
F−80(Mw=706,000);
F−20(Mw=190,000);
F−4(Mw=37,900);
F−1(Mw=10,200);
A−2500(Mw=2,630);
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物);
重合体中の残存溶剤は、下記の条件(GC条件)でガス・クロマトグラフィーにより、内部標準法で求めた。
[GC条件]
装置:アジレント・テクノロジー社製、Agilent Technologies 6890(商品名)
キャリアガス:He
全流量:24mL/min
分離カラム:アジレント・テクノロジー社製、HP−INNWAX(商品名) 長さ30m×内径0.32mm×膜厚0.25μm
カラム流量:1.5mL/min(40℃)
カラム昇温条件:50℃(10分間保持)→(10℃/minで昇温)→110℃(9分間保持)
注入口温度:230℃
検出口温度:230℃
検出器:水素炎イオン化検出器(FID)
注入量:1μL
試料:重合体の0.1gに5mLのアセトニトリルを加え、12時間・25℃で静置した後、上澄み液を0.98mL分取し、内部標準であるn−ブチルアルコールの1%溶液を20μL添加した溶液
重合体又は重合体溶液を0.5g採取し、これをアセトニトリルで希釈し、メスフラスコを用いて全量を50mLとした。
この希釈液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過し、東ソー社製、高速液体クロマトグラフHPLC−8020(製品名)を用いて、該希釈液中の未反応の単量体含有量を、単量体ごとに求めた。
これらの合計単量体量の重合体における質量割合(質量%)を重合体中に残存する単量体の含有量とした。検出下限以下は残存単量体量を0質量%とした。
測定時間0〜3分:A液/B液=90体積%/10体積%
測定時間3〜24分:A液/B液=90体積%/10体積%から、50体積%/50体積%まで
測定時間24〜36.5分:A液/B液=50体積%/50体積%から、0体積%/100体積%まで
測定時間36.5〜44分:A液/B液=0体積%/100体積%
[感度、現像コントラスト測定]
レジスト組成物を、6インチシリコンウエハー上に回転塗布し、ホットプレート上で120℃、60秒間プリベーク(PAB)して、厚さ300nmの薄膜を形成した。ArFエキシマレーザー露光装置(リソテックジャパン製、商品名:VUVES−4500)を用い、露光量を変えて10mm×10mm2の18ショットを露光した。次いで110℃、60秒間のポストベーク(PEB)を行った後、レジスト現像アナライザー(リソテックジャパン製。商品名:RDA−800)を用い、23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間現像し、各露光量における現像中のレジスト膜厚の経時変化を測定した。
得られたデータを基に、露光量(mJ/cm2)の対数と、初期膜厚に対する60秒間現像した時点での残存膜厚率(以下、残膜率という)(%)をプロットした曲線(以下、露光量−残膜率曲線という)を作成し、Eth感度(残膜率0%とするための必要露光量であり、感度を表す。)を以下の通り求めた。Eth感度の値が小さいほどレジスト組成物の感度が高く良好であることを示す。
Eth感度:露光量−残膜率曲線が残膜率0%と交わる露光量(mJ/cm2)
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下ポンプ及び温度計を備えた容量500LのSUS製の反応容器に、乳酸エチル121.0kgを入れた。反応容器内を窒素で置換し、窒素雰囲気を保ったまま反応容器を加熱し、反応容器内を攪拌しながら反応容器内の乳酸エチルの温度を80℃に上げた。
その後、下記混合物1を滴下ポンプより、4時間かけて反応容器内に滴下し、さらに80℃の温度で、3時間保持した。
その後、25℃まで反応容器内の反応液を冷却して重合反応を停止させ、重合反応溶液を得た。
[混合物1]
下記式(m1)の単量体:51.00kg
下記式(m2)の単量体:58.80kg
下記式(m3)の単量体:35.40kg
乳酸エチル:217.8kg
ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名)):4.140kg
また、各単量体の仕込み割合(モル%)は、下記の通りである。
(m−1)/(m−2)/(m−3)=40/40/20
攪拌しながら40℃に加熱し、30分間保持した後、25℃まで冷却して沈殿を加圧濾過器で濾別し、重合体湿粉(A)を得た。
加圧濾過器内にて、製造例1で得られた重合体湿粉(A)に、スプレーノズルを用いて20℃に温度制御された重合反応溶液の半分量のリンス溶媒(メタノール/水=80/20容量比)を前記湿粉(A)に接触させ洗浄した。
ここで、スプレーノズルでの供給は、リンス溶液の液滴の平均粒径が0.59mmとなる条件(噴射圧0.2MPa、墳量16.0L/min)で噴射し行った。
次に、得られたリンス後の湿粉(B−1)を、重合反応溶液の7.0倍量の貧溶媒と再び混合し、リスラリ操作を行った。貧溶媒としてはメタノールと水の混合溶媒(メタノール/水=85/15容量比)を用いた。
次に、25℃の雰囲気中で、得られた湿粉の100kgを、PGMEA(25℃)の1000kgに溶解させた。
得られた濾液を圧力20kPa、温度50℃の条件で濃縮し、留出液が出なくなった時点で、圧力3kPa、温度65℃の条件に変更して、重合体の固形分濃度が25質量%になるまで濃縮を行った。
得られた濃縮液(PGMEA溶液)について、上記の方法で重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた濃縮液(PGMEA溶液)を用い、上記の方法で残存単量体量と残存溶剤量を測定した。その結果を表1に示す。
得られた濃縮液を用いて、レジスト組成物を調製した。
すなわち、該濃縮液の400部に、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレートの2部を添加し、さらに溶媒であるPGMEAを重合体濃度が12.5質量%になるように加えて混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過し、レジスト組成物を得た。
得られたレジスト組成物について、上記の方法でEth感度を測定した。
結果を表1に示す。
加圧濾過器内にて、製造例1で得られた重合体湿粉(A)に、拡散板を用いて20℃に温度制御された重合反応溶液の半分量のリンス溶媒(メタノール/水=80/20容量比)を前記湿粉(A)に接触させ洗浄した。拡散板は直径10mmφで直径200mmφの孔が20個空いたものを使用した。(リンス溶液供給ライン方向と拡散板の面とのなす角度:120°)
次に、得られたリンス後の湿粉(B−2)を、重合反応溶液の7.0倍量の貧溶媒と再び混合し、実施例1と同様にしてリスラリ操作を行った。貧溶媒としてはメタノールと水の混合溶媒(メタノール/水=85/15容量比)を用いた。
次いで、実施例1と同様にして濃縮液を得て、これを用いてレジスト組成物を調製し、上記の方法でEth感度を測定した。
結果を表1に示す
加圧濾過器内にて、製造例1で得られた重合体湿粉(A)に、20℃に温度制御された重合反応溶液の半分量のリンス溶媒(メタノール/水=80/20容量比)を、拡散させることなく供給し、前記湿粉(A)に接触させ洗浄した。
次に、得られたリンス後の湿粉(B−3)を、重合反応溶液の7.0倍量の貧溶媒と再び混合し、実施例1と同様にしてリスラリ操作を行った。貧溶媒としてはメタノールと水の混合溶媒(メタノール/水=85/15容量比)を用いた。
次いで、実施例1と同様にして濃縮液を得て、これを用いてレジスト組成物を調製し、上記の方法でEth感度を測定した。
結果を表1に示す
残存単量体、残存溶剤が少なく、レジスト組成物として用いた際の感度も良好であった。
一方、リンス溶媒を拡散させずに供給した比較例1は、実施例に比べ、単量体及び溶剤の洗浄効率が悪く、レジスト組成物として用いた際の感度も悪かった。
Claims (6)
- 下記工程(i)〜(iii)を含む、リソグラフィー用重合体の製造方法。
(i)単量体、重合溶媒及び重合開始剤の存在下で、重合体を含む重合反応溶液を得る重合工程;
(ii)前記工程(i)で得られた重合反応溶液を、重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させた後、固液分離により重合体湿粉を得る回収工程;
(iii)前記工程(ii)で得られた重合体湿粉に、リンス溶媒を拡散させて接触させるリンス工程; - 前記工程(iii)において、前記リンス溶媒を、スプレーノズルを用いて供給する、請求項1記載のリソグラフィー用重合体の製造方法。
- 前記工程(iii)において、前記リンス溶媒を、拡散板を用いて供給する、請求項1記載のリソグラフィー用重合体の製造方法。
- 前記工程(iii)を、前記工程(ii)を行う固液分離装置内で行う、請求項1〜3記載のリソグラフィー用重合体の製造方法。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の製造方法により得られたリソグラフィー用重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを混合する工程を含む、レジスト組成物の製造方法。
- 請求項5記載の製造方法により得られたレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対して、露光する工程と、露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含む、パターンが形成された基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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JPH0395205A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 洗浄脱水装置およびこれを用いて重合体を回収する方法 |
JP2005132974A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Maruzen Petrochem Co Ltd | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法 |
JP2006328239A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Nippon Zeon Co Ltd | ゴム状重合体の製造方法 |
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Patent Citations (4)
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