JP2014207487A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップごとの信号の遅延差が小さく、信号のタイミングマージンが大きな半導体装置を提供する。【解決手段】基板2と、第1の半導体チップ3と、第2の半導体チップ4と、第1の半導体チップ3と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5と、第2の半導体チップ4と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5よりも長いワイヤ長を有する第2のボンディングワイヤ6と、第1のボンディングワイヤ5を被覆する第1の封止樹脂7と、第2のボンディングワイヤ6を被覆する第2の封止樹脂8とを備え、第1の封止樹脂7の比誘電率が第2の封止樹脂8の比誘電率よりも大きいことを特徴とする半導体装置1。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関するものである。
近年の半導体装置の高速化、高密度化、高集積化に伴い、半導体チップ積み重ねた様々な積層パッケージと呼ばれるパッケージが考案されている。
ところが、従来の積層パッケージは、複数の半導体チップが上下に積み重ねられているが、外部入出力端子が単一方向にしか存在していない。これにより、半導体チップから外部入出力端子までの配線長が、半導体チップごとに異なる。このため、半導体チップごとに信号の遅延時間に差が発生し、半導体装置の信号が高速化するほどこの配線長の差による信号の遅延時間の差が顕著になることから、信号の高速化が難しくなるという問題があった。
以下、従来の半導体チップ積層パッケージ一例について図面を参照して説明する。図5は、DDP(Double Density Package)と呼ばれているパッケージである。すなわち、図5(A)及び図5(B)に示すように、半導体装置100,101は、外部に信号を入出力するためのバンプ102aを有する基板102上に2枚の半導体チップ103,104を順に積層し、各半導体チップ103,104からボンディングワイヤ105,106により一枚の基板2に接続させて形成されている。
図5(A)に示す例では、半導体チップ103と基板102とを結ぶボンディングワイヤ105は、基板102に設けられた開口部102bを通って半導体103と基板102とを接続している。また、基板102、半導体チップ103,104を覆うように、且つ、ボンディングワイヤ106を被覆するように封止樹脂107bが形成されている。さらに、開口部102bを埋めると共にボンディングワイヤ105を被覆するように封止樹脂107aが形成されている。なお、封止樹脂107aと封止樹脂107bとは、同じ樹脂からなる。また、ボンディングワウイヤ106は、ボンディングワイヤ105に比べてワイヤ長が長くなっている。
また、図5(B)に示す例では、ボンディングワイヤ105,106がそれぞれ基板102の実装面102c側に配置されている。
このような従来の半導体装置100,101の形成方法は、先ず、基板2上の1段目の半導体チップ103をボンディングワイヤ105によって基板2に接続する。次に、2段目の半導体チップ104を1段目の半導体チップ103の上に積層して、ボンディングワイヤ106で2段目の半導体チップ104と基板2とを接続する。このため、半導体装置100,101では、半導体チップ103,104と基板2とを接続しているボンディングワイヤ105,106の長さが異なってしまう。これにより、1段目の半導体チップ103から信号の外部入出力用バンプ102aまでの遅延時間と、2段目の半導体チップ104から信号の外部入出力用バンプ102aまでの遅延時間とに差異が発生する。
このような遅延時間は、ボンディングワイヤ105,106を含む配線の容量とインダクタンスとによって決定される。そして配線の容量は、封止樹脂107(107a,107b)を含む周辺材料の比誘電率及び配線面積に、インダクタンスは、ボンディングワイヤ105,106等の配線長にそれぞれ依存する。したがって、基板内で遅延時間調整を行う場合には、配線の長さや面積を変更することで調整することができる。
しかしながら、上述のDDPでは、基板内での遅延時間調整の他に、各半導体チップと基板とを接続するボンディングワイヤ105,106の配線長さの違いにより生じる遅延時間の調整が必要となる。すなわち、DDPでは、信号伝送路に占めるボンディングワイヤ105,106部分の寄与率が大きいため、ボンディングワイヤ105,106による遅延時間が無視できないためである。
ここで、ボンディングワイヤ105,106部分の遅延時間を調整するために、ボンディングワイヤ105,106の経路長及びワイヤ径を変更することが考えられる。しかしながら、ボンディングワイヤ105,106の経路長の変更は困難であり、ワイヤ径を変更した場合には、接続信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある。変更しても大きな効果を求めることができない。さらに、これらを変更したとしても、ボンディングワイヤ105,106の経路長の差による遅延時間の調整では、大きな効果が得られないという問題があった。
ところで、特許文献1〜3には、ボンディングワイヤを樹脂で被覆することで、信号劣化を防ぐ半導体装置が開示されている。
すなわち、特許文献1では、配線導体と半導体素子の電極とを接続するボンディングワイヤの周囲を、基板と略同一の比誘電率を有する樹脂で被覆した半導体装置が開示されている。
また、特許文献2では、半導体チップを封止する第1の樹脂層と、第1の樹脂層の外側に設けられた第2の樹脂層とを具備し、第1の樹脂層の誘電率が第2の樹脂層の誘電率よりも小さい半導体装置が開示されている。
また、特許文献3では、基板上に交互に積層された絶縁層と配線層とを備える多層配線を備え、各配線層の抵抗値は、上下に隣接する配線層において上層側が低いか同等であり、且つ最下層より最上層のほうが低く、絶縁層の比誘電率は、上下に隣接する絶縁層において上層側が高いか同等であり、且つ最下層より最上層のほうが高い半導体装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1,2で開示された半導体装置は、高周波特性等の伝送特性を改善するためのものであり、特許文献3で開示された半導体装置は、配線層の多層化及び微細化にともなう配線層の薄膜化のために生じる信号遅延時間を低減させるものである。
このように、いずれもボンディングワイヤの経路差による遅延時間の差を解決するものではない。
このように、いずれもボンディングワイヤの経路差による遅延時間の差を解決するものではない。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、ワイヤボンディング接続している半導体チップ積層パッケージの樹脂封止型半導体装置において、半導体チップごとの信号の遅延時間の差が小さく、信号のタイミングマージンが大きな半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の半導体装置は、一方側の面にバンプを有すると共に他方側の面が実装面である基板と、実装面に実装された第1の半導体チップと、第1の半導体チップの実装面側と反対側に実装された第2の半導体チップと、第1の半導体チップと基板とを接続する第1のボンディングワイヤと、第2の半導体チップと基板とを接続する第1のボンディングワイヤよりも長いワイヤ長を有する第2のボンディングワイヤと、第1のボンディングワイヤを被覆する第1の封止樹脂と、第2のボンディングワイヤを被覆する第2の封止樹脂とを備え、第1の封止樹脂の比誘電率が第2の封止樹脂の比誘電率よりも大きいことを特徴とする。
すなわち、本発明の半導体装置は、一方側の面にバンプを有すると共に他方側の面が実装面である基板と、実装面に実装された第1の半導体チップと、第1の半導体チップの実装面側と反対側に実装された第2の半導体チップと、第1の半導体チップと基板とを接続する第1のボンディングワイヤと、第2の半導体チップと基板とを接続する第1のボンディングワイヤよりも長いワイヤ長を有する第2のボンディングワイヤと、第1のボンディングワイヤを被覆する第1の封止樹脂と、第2のボンディングワイヤを被覆する第2の封止樹脂とを備え、第1の封止樹脂の比誘電率が第2の封止樹脂の比誘電率よりも大きいことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、第2のボンディングワイヤが第1のボンディングワイヤよりも長いワイヤ長を有し、第1の封止樹脂が第2の封止樹脂よりも大きい比誘電率を有している。このため、第1の半導体チップから第1のボンディングワイヤを介して外部に信号を入出力するバンプまでの遅延時間と、第2の半導体チップから第2のボンディングワイヤを介して外部に信号を入出力するバンプまでの遅延時間とを調整することができる。これにより、信号のタイミングマージンが大きい半導体装置を提供することができる。
また、本発明の半導体装置は、第1の封止樹脂の比誘電率をε1とし、第2の封止樹脂の比誘電率をε2とし、第1のボンディングワイヤの長さをL1とし、第2のボンディングワイヤの長さをL2としたとき、下記数式(1)が成立することが好ましい。
本発明の半導体装置は、第1の封止樹脂の比誘電率ε1が上記数式(1)の関係を有している。このため、第1の半導体チップから第1のボンディングワイヤを介して外部に信号を入出力するバンプまでの遅延時間と、第2の半導体チップから第2のボンディングワイヤを介して外部に信号を入出力するバンプまでの遅延時間とを等遅延時間とすることができる。これにより、信号のタイミングマージンがより大きい半導体装置を提供することができる。
本発明によれば、ワイヤボンディング接続している半導体チップ積層パッケージの樹脂封止型半導体装置において、半導体チップごとの信号の遅延時間の差が小さく、信号のタイミングマージンが大きな半導体装置を提供することが出来る。
本発明の一実施形態である半導体装置について、適宜図面を参照して説明する。尚、以下の説明において参照する図は、本実施形態の半導体装置を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置における各部の寸法関係とは異なる場合がある。
<第1の実施形態>
先ず、第1の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
<第1の実施形態>
先ず、第1の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態を示す半導体装置の断面模式図である。
図1に示すように、第1の実施形態の半導体装置1は、バンプ2bを有する基板2と、基板2の実装面2cに実装された第1の半導体チップ3と、第1の半導体チップ3の実装面と反対側に実装された第2の半導体チップ4と、第1の半導体チップ3と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5と、第2の半導体チップ4と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5よりも長いワイヤ長を有する第2のボンディングワイヤ6と、第1のボンディングワイヤ5を被覆する第1の封止樹脂7と、第2のボンディングワイヤ6を被覆する第2の封止樹脂8とを備えている。
図1に示すように、第1の実施形態の半導体装置1は、バンプ2bを有する基板2と、基板2の実装面2cに実装された第1の半導体チップ3と、第1の半導体チップ3の実装面と反対側に実装された第2の半導体チップ4と、第1の半導体チップ3と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5と、第2の半導体チップ4と基板2とを接続する第1のボンディングワイヤ5よりも長いワイヤ長を有する第2のボンディングワイヤ6と、第1のボンディングワイヤ5を被覆する第1の封止樹脂7と、第2のボンディングワイヤ6を被覆する第2の封止樹脂8とを備えている。
そして、半導体装置1は、第1及び第2の半導体チップ3,4が、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6によってそれぞれ基板2に形成されている図示略の回路に接続されており、さらに基板2に形成されると共に上記回路と導通されたバンプ2bを介して外部に信号を入出力できる構造となっている。
基板2は、特に限定されるものではないが、高密度多層配線基板等のプリント配線基板を用いることができる。基板2の一方側の面2aには、外部基板と接続して外部へ信号を入出力するためのバンプ2bが設けられている。また、一方側の面2aと反対側の面は、半導体チップを実装するための実装面2cとなっている。そして、それぞれの面2a,2cには、バンプ2bと導通された図示略の回路が形成されている。さらに、基板2の中央部には、一方側の面2aと実装面2cとを貫通する開口部2dが形成されており、第1の半導体チップ3から一方側の面2aに第1のボンディングワイヤ5を引き出し可能とされている。
また、基板2は、当該基板の比誘電率や配線引き回し方法の変更によって当該基板内で事前に遅延時間の調整を行っている。
第1の半導体チップ3は、電極(パッド)を有する面3aを実装面2cと対向させるように下側に向けて(フェイスダウン)実装面2cに実装されている。また、第1の半導体チップ3は、上記電極が基板2の開口部2dの上方に位置するように実装面2c上に配置されている。これにより、第1の半導体チップ3の電極(パッド)と基板2の一方側の面2a側の配線とが配線可能とされている。
第2の半導体チップ4は、第1の半導体チップ3の実装面側と反対側に実装されている。すなわち、第2の半導体チップ4は、電極を有する面4aと反対側の面4bを第1の半導体チップ3の実装面3aと反対側の面3bと対向させるように下側に向けて第1の半導体チップ3上に実装されている。これにより、第2の半導体チップ4の電極(パッド)と基板2の実装面2c側の配線とが配線可能とされている。
第1及び第2のボンディングワイヤ5,6は、金属からなる電線材であり、圧着性といった金属特性から金がよく用いられるが特にこれに限定されるものではなく、銅、アルミ等を用いることもできる。
第1のボンディングワイヤ5は、一端が第1の半導体チップ3の実装側の面3aに設けられている電極(パッド)に圧着されて接続されており、他端が基板2の開口部2dから基板2のバンプ2bが形成された面2a側に引き出されて面2aに形成された図示略の配線に圧着されて接続されている。
また、第2のボンディングワイヤ6は、一端が第2の半導体チップ4の第1の半導体チップ4との接合面と反対側の面4aに設けられている電極(パッド)に圧着されて接続されており、他端が第2の半導体チップ4の中心部から外側に引き出されて基板2の実装面2cに形成された図示略の配線に圧着されて接続されている。
これにより、第1及び第2の半導体チップ3,4は、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6とバンプ2bとを介して外部に信号を入出力できる構造となっている。
なお、本実施形態では、第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも第2のボンディングワイヤ6の長さL2が長くなっている。
なお、本実施形態では、第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも第2のボンディングワイヤ6の長さL2が長くなっている。
第1の封止樹脂7は、第1のワイヤボンディング5を保護するためのモールド樹脂であり、開口部2dと第1の半導体チップ3の電極を有する面3aとからなる空間内部に充填されている。そして、第1の封止樹脂7は、バンプ2bが形成された面2a側に引き出された第1のワイヤボンディング5が被覆されるようにして設けられている。
第2の封止樹脂8は、第1及び第2の半導体チップ3,4と第2のワイヤボンディング6とを保護するためのモールド樹脂であり、基板2の実装面2c側に第1及び第2の半導体チップ3,4と第2のワイヤボンディング6とを被覆するようにして設けられている。
第1の封止樹脂7は、第2の封止樹脂8と異なる封止樹脂が用いられている。また、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1は、第2の封止樹脂8の比誘電率ε2よりも大きな値を示している。さらに、比誘電率ε1は、下記数式(2)の関係を満たすことが好ましい。
すなわち、長さL2が長さL1の4倍である場合には、比誘電率ε1は、比誘電率ε2の16倍となる。
なお、現在市販されている高誘電率有機材料には、比誘電率10程度のものが存在している。また、研究段階のものでは、比誘電率100程度の誘電体も存在しており、さらに樹脂に金属粉を混ぜることによって比誘電率を大きくすることができる。
次に、第1の実施形態である半導体装置1の遅延時間について説明する。
半導体装置1の配線遅延時間は、既に遅延時間調整を行っている基板2を使用しているため、第1及び第2の半導体チップ3,4による各遅延時間の差は、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6の長さの差に起因している。すなわち、比誘電率ε1,ε2が同じ値であり、L2がL1の4倍である場合には、遅延時間は、配線長に依存するため、第2のボンディングワイヤ6を通過したときに生じる遅延時間は、第1のボンディングワイヤ5を通過したときに生じる遅延時間の4倍となる。
半導体装置1の配線遅延時間は、既に遅延時間調整を行っている基板2を使用しているため、第1及び第2の半導体チップ3,4による各遅延時間の差は、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6の長さの差に起因している。すなわち、比誘電率ε1,ε2が同じ値であり、L2がL1の4倍である場合には、遅延時間は、配線長に依存するため、第2のボンディングワイヤ6を通過したときに生じる遅延時間は、第1のボンディングワイヤ5を通過したときに生じる遅延時間の4倍となる。
本実施形態では、上述したように、例えば長さL2が長さL1の4倍である場合には、比誘電率ε1は、比誘電率ε2の16倍となる。
また、比誘電率ε1,ε2が異なる場合には、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6を通過したときに生じる単位長さあたりの遅延時間T1,T2は、下記(3)式よりそれぞれ算出することができる。
また、比誘電率ε1,ε2が異なる場合には、第1及び第2のボンディングワイヤ5,6を通過したときに生じる単位長さあたりの遅延時間T1,T2は、下記(3)式よりそれぞれ算出することができる。
なお、上記(3)式中において、TDelayは単位長さあたりの遅延時間であり、εrは比誘電率であり、C0は真空中の光の速度である。
このように、単位長さあたりの遅延時間T1,T2は、比誘電率ε1,ε2の平方根に依存する。本実施形態では、比誘電率ε1が比誘電率ε2の16倍であるため、第1のボンディングワイヤ5を通過したときに生じる単位あたりの遅延時間T1は、比誘電率ε1が比誘電率ε2と同じ場合の単位長さあたりの遅延時間(すなわち、T2)の4倍になる。
したがって、本実施形態の半導体装置1は、長さL2が長さL1の4倍であり、且つ単位長さあたりの遅延時間T1がT2の4倍であるため、第1のボンディングワイヤ5を通過したときに生じる遅延時間と第2のボンディングワイヤ6を通過したときに生じる遅延時間とが同じ、すなわち等遅延時間となる構造となっている。
以上のように、第1の実施形態である半導体装置1は、第2のボンディングワイヤ6の長さL2が第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも長く、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1が第2の封止樹脂8の比誘電率ε2よりも大きい。このため、第1の半導体チップ3から第1のボンディングワイヤ5を介してバンプ2bまでの遅延時間と、第2の半導体チップ4から第2のボンディングワイヤ6を介してバンプ2bまでの遅延時間とを調整することができる。これにより、信号のタイミングマージンが大きい半導体装置1を提供することができる。
また、本実施形態の半導体装置1は、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1が上述の数式(2)の関係を有している。このため、第1の半導体チップ3から第1のボンディングワイヤ5を介してバンプ2bまでの遅延時間と、第2の半導体チップ4から第2のボンディングワイヤ6を介してバンプ2bまでの遅延時間とを等遅延時間とすることができる。これにより、信号のタイミングマージンがより大きく、デバイスの誤動作を防ぐことが可能な半導体装置1を提供することができる。
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態を示す半導体装置の断面模式図である。また、図2に示す半導体装置21の構成要素のうち、図1に示す半導体装置1の構成要素と同一の構成要素には、図1と同一の符号を付してその説明を省略、若しくは簡単に説明する。
半導体装置21は、図2に示すように、バンプ2bを有する一方側の面2aと反対側の実装面2c上に、第1の半導体チップ3が実装されている。ここで、第1の半導体チップ3の実装は、電極が設けられている側面3aと反対側の側面3bを実装面2cと対向させている点で第1の実施形態とは異なっている。これにより、第1のボンディングワイヤ5は、一端が第1の半導体チップ3の電極に接続され、他端が実装面2c上に形成された図示略の配線に接続されている。
また、第1の封止樹脂7は、第1の半導体チップ3と第1のボンディングワイヤ5とを完全に被覆するようにして実装面2c上に設けられている。そして、第2の半導体チップ4は、第1の封止樹脂7の基板2と反対側の側面7a上に実装されていれる。また、第2の半導体チップ4の電極と実装面2c上に形成された樹脂略の配線とが第2のボンディングワイヤ6によって接続されている。さらに、第2の封止樹脂8は、第1の封止樹脂7と第2の半導体チップ4と第2のボンディングワイヤとを完全に被覆するようにして実装面2c上に設けられている。
このように、半導体装置21は、第1の実施形態の半導体装置1と同様に、第2のボンディングワイヤ6の長さL2が第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも長くなっている。このため、半導体装置21では、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1が第2の封止樹脂8の比誘電率ε2と長さL1と長さL2とから上述の数式(2)の関係を満たすように調整することができる。
したがって、第2の実施形態である半導体装置21においても、第1の実施形態である半導体装置1と同様の効果を奏することができる。
<第3の実施形態>
次に、第3の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
<第3の実施形態>
次に、第3の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
図3は、本発明の第3の実施形態を示す半導体装置の断面模式図である。また、図3(A)及び図3(B)に示す半導体装置31,32の構成要素のうち、図1及び図2に示す半導体装置1,21の構成要素と同一の構成要素には、図1及び図2と同一の符号を付してその説明を省略、若しくは簡単に説明する。
半導体装置31は、図3(A)に示すように、基板2のバンプ2bを有する一方側の面2aと反対側の実装面2c上に、第1の半導体チップ3と基板9とから構成されるパッケージ11が実装されている。このパッケージ11は、このパッケージ内で遅延時間が調整されており、第1の半導体チップ3の側面3aが基板9の実装面9aと対向するように下側に向けられて(フェイスダウン)実装面9aに実装されている。そして、パッケージ11は、第1の半導体チップ3の側面3bを基板2の実装面2cと対向させるようにして、実装面2cに実装されている。第1の半導体チップ3の信号は、基板9の側面9b側に設けられた図示略の配線から取り出し可能とされており、第1のボンディングワイヤ5を介して基板2の実装面2cに設けられた配線と接続されている。なお、図3(B)に示す半導体装置32は、半導体装置31がパッケージ11の片側からのみ第1のボンディングワイヤ5が接続されているのに対して、両側から接続されたものである。
また、第1の封止樹脂7は、パッケージ11と第1のボンディングワイヤ5とを完全に被覆するようにして実装面2c上に設けられている。そして、第1の封止樹脂7を硬化させる前に、基板9の側面9b上に第2の半導体チップ4と基板10とから構成されるパッケージ12が実装されている。このパッケージ12は、前述したパッケージ11と同様にこのパッケージ内で遅延時間が調整されており、第2の半導体チップ4の側面4aが基板10の実装面10aと対向するように下側に向けられて(フェイスダウン)実装面10aに実装されている。そして、パッケージ12は、第2の半導体チップ4の側面4bを基板9の側面9bと対向させるようにして、基板9に実装されている。そして、パッケージ12の実装後、第1の封止樹脂7を硬化させる。
第2の半導体チップ4の信号は、基板10の側面10b側に設けられた図示略の配線から取り出し可能とされており、第2のボンディングワイヤ6を介して基板2の実装面2cに設けられた配線と接続されている。また、第2の封止樹脂8は、第1の封止樹脂7とパッケージ11と第2のボンディングワイヤとを完全に被覆するようにして実装面2c上に設けられている。
このように、半導体装置31,32は、第1の実施形態の半導体装置1と同様に、第2のボンディングワイヤ6の長さL2が第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも長くなっている。このため、半導体装置31,32では、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1が第2の封止樹脂8の比誘電率ε2と長さL1と長さL2とから上述の数式(2)の関係を満たすように調整することができる。
したがって、第3の実施形態である半導体装置31,32においても、第1の実施形態である半導体装置1と同様の効果を奏することができる。
<第4の実施形態>
次に、第4の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
<第4の実施形態>
次に、第4の実施形態の半導体装置の構成について説明する。
図4は、本発明の第4の実施形態を示す半導体装置の断面模式図である。また、図4に示す半導体装置41の構成要素のうち、図1〜3に示す半導体装置1,21,31,32の構成要素と同一の構成要素には、図1〜3と同一の符号を付してその説明を省略、若しくは簡単に説明する。
半導体装置41は、図4に示すように、基板2の実装面2c上に、第1の実施形態である半導体装置1と同じ態様で第1の半導体チップ3が実装されている。また、第1のボンディングワイヤ5及び第1の封止樹脂7についても第1の実施形態である半導体装置1と同様に構成されている。
第1の半導体チップ3の側面3bには、第2の半導体チップ4と基板10とから構成されるパッケージ13が実装されている。このパッケージ13は、このパッケージ内で遅延時間が調整されており、第2の半導体チップ4の側面4aが基板10の実装面10aと対向するように下側に向けられて(フェイスダウン)基板10に実装されている。そして、第2のボンディングワイヤ6aの一端が第2の半導体チップ4の側面4aに形成された電極に接続されており、他端が基板10の中央に形成された開口部10cから側面10b側に引き出されて開口部10cに近接する図示略の配線に接続されている。これにより、パッケージ13は、第2の半導体チップ4の信号を側面10b側に入出力可能とされている。
すなわち、パッケージ13は、第2の半導体チップ4の側面4bを第1の半導体チップ3の側面3bと対向させるようにして、第1の半導体チップ3上に実装されている。また、第2の半導体チップ4の信号は、基板10の側面10bの外周部付近に設けられた図示略の配線から取り出し可能とされており、第2のボンディングワイヤ6bを介して基板2の実装面2cに設けられた配線と接続されている。
また、第2の封止樹脂8は、図4に示すように、第1の半導体チップ3とパッケージ13と第2のボンディングワイヤ6a,6bとを完全に被覆するようにして実装面2c上に設けられている。
ここで、第4の実施形態である半導体装置41において、第2のボンディングワイヤの長さL2は、第2のボンディングワイヤ6a,6bと、基板10に設けられた配線であって第2のボンディングワイヤ6a,6b間の配線との総和となっている。
このように、半導体装置41は、第1の実施形態の半導体装置1と同様に、第2のボンディングワイヤ6の長さL2が第1のボンディングワイヤ5の長さL1よりも長くなっている。このため、半導体装置21では、第1の封止樹脂7の比誘電率ε1が第2の封止樹脂8の比誘電率ε2と長さL1と長さL2とから上述の数式(2)の関係を満たすように調整することができる。
したがって、第4の実施形態である半導体装置41においても、第1の実施形態である半導体装置1と同様の効果を奏することができる。
以上説明したように、本実施形態の半導体装置1,21,31,32,41によれば、ワイヤボンディング接続している半導体チップ積層パッケージの樹脂封止型半導体装置において、半導体チップごとの信号の遅延時間の差が小さく、信号のタイミングマージンが大きな半導体装置を提供することが出来る。
本発明は、携帯電話等のモバイル機器、HDDレコーダやDVDプレーヤのようなデジタル家電等の高密度実装が必要とされる半導体装置に利用可能性を有する。
1・・・半導体装置、2・・・基板、2a・・・一方側の面、2b・・・バンプ、2c・・・実装面、3・・・第1の半導体チップ、4・・・第2の半導体チップ、5・・・第1のボンディングワイヤ、6・・・第2のボンディングワイヤ、7・・・第1の封止樹脂、8・・・第2の封止樹脂、ε1・・・第1の封止樹脂の比誘電率、ε2・・・第2の封止樹脂の比誘電率、L1・・・第1のボンディングワイヤの長さ、L2・・・第2のボンディングワイヤの長さ。
Claims (2)
- 一方側の面にバンプを有すると共に他方側の面が実装面である回路基板と、
前側面および後側面を有し、当該後側面が前記回路基板の前記実装面に実装された第1の半導体チップと、
前側面および後側面を有し、当該後側面が前記第1の半導体チップの前記前側面に実装された第1の基板と、
前側面および後側面を有し、当該後側面が前記第1の基板の前記前側面に実装された第2の半導体チップと、
前側面および後側面を有し、当該後側面が前記第2の半導体チップの前記前側面に実装された第2の基板と、
前記第1の基板と前記回路基板とを接続する複数の第1のボンディングワイヤと、
前記第2の基板と前記回路基板とを接続し、前記第1のボンディングワイヤよりも長いワイヤ長を有する複数の第2のボンディングワイヤと、
前記複数の第1のボンディングワイヤを被覆する第1の封止樹脂と、
前記複数の第2のボンディングワイヤを被覆する第2の封止樹脂とを備え、
前記第1の封止樹脂の比誘電率が前記第2の封止樹脂の比誘電率よりも大きく、
前記第1の封止樹脂は、前記第1の半導体チップ、前記第1の基板、前記第2の半導体チップおよび前記複数の第1のボンディングワイヤを覆うように形成され、
前記第2の封止樹脂は、前記第2の基板および前記複数の第2のボンディングワイヤを覆うように形成される、半導体装置。 - 前記回路基板は、さらに、前記実装面の両側に形成された、第1および第2のボンディング電極を備え、
前記複数の第1のボンディングワイヤおよび前記第2の複数のボンディングワイヤの各々は、前記第1および第2のボンディング電極に接続される、請求項1に記載の半導体装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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JP2014161256A Withdrawn JP2014207487A (ja) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 半導体装置 |
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