JP2014201746A - 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】透明電極の消衰係数の低い透明導電膜を提供する。【解決手段】透明電極膜を有する透明導電膜であって、前記透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である透明導電膜。【選択図】図1
Description
本発明は、透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法に関する。
タッチパネルでは一般にインジウム系透明電極が使用されるが、インジウム系透明電極の屈折率は一般に1.9以上と高いため、反射による光の損失が大きいという課題があった。また、インジウム系透明電極を用いた透明導電膜の場合、インジウム系透明電極が透けて見える、所謂「骨見え」を防止することが大きな課題となっている。
上記課題を解決するための方法の開示はあるものの(特許文献1及び2)、これらであっても十分な効果は得られなかった。
本発明の目的は、透明電極の消衰係数の低い透明導電膜を提供することである。
本発明の一形態によれば、以下の透明導電膜が提供される。
透明電極膜を有する透明導電膜であって、前記透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である透明導電膜。
透明電極膜を有する透明導電膜であって、前記透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である透明導電膜。
本発明によれば、透明電極の消衰係数の低い透明導電膜が提供できる。
[透明電極]
本発明の一形態に係る透明導電膜は、透明電極膜を有する透明導電膜であって、当該透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である。
透明電極膜の消衰係数を0.006以下と低くすることで、透明電極の反射を低減することができる。
本発明の一形態に係る透明導電膜は、透明電極膜を有する透明導電膜であって、当該透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である。
透明電極膜の消衰係数を0.006以下と低くすることで、透明電極の反射を低減することができる。
消衰係数は、以下のように定義される係数である。
物質が光を吸収する場合に、透過光Iは、入射光強度I0、光の侵入深さZを用いて、下記の関係式に従って減衰する。
I=I0e−αz
このとき、単位長さあたりの減衰を示すαを吸収係数と呼ぶ。一方、光と物質の相互作用を理論的に扱う場合には、光の電磁場の振動1回あたりの吸収量が基準となる。このため、物質による光の吸収を定義する量として消衰係数kが定義されている。消衰係数kと吸収係数α、波長λの間には、下記関係がある。
k=α×λ/4π
物質が光を吸収する場合に、透過光Iは、入射光強度I0、光の侵入深さZを用いて、下記の関係式に従って減衰する。
I=I0e−αz
このとき、単位長さあたりの減衰を示すαを吸収係数と呼ぶ。一方、光と物質の相互作用を理論的に扱う場合には、光の電磁場の振動1回あたりの吸収量が基準となる。このため、物質による光の吸収を定義する量として消衰係数kが定義されている。消衰係数kと吸収係数α、波長λの間には、下記関係がある。
k=α×λ/4π
本発明の一形態に係る透明導電膜の透明電極膜は、好ましくはIn、Zn及びSnから得らればれる2以上の元素を含む酸化物からなる。
上記酸化物としては、例えばIn2O3−SnO2、In2O3−ZnO、In2O3−SnO2−ZnO等が挙げられる。
上記酸化物としては、例えばIn2O3−SnO2、In2O3−ZnO、In2O3−SnO2−ZnO等が挙げられる。
透明電極膜の膜厚は、低い比抵抗及び高い光透過率を得る観点から、好ましくは10nm〜1000nmであり、生産コストの観点から、好ましくは20nm〜100nm以下である。
本発明の一形態に係る透明導電膜は、好ましくは透明基材を有し、当該透明基材及び透明電極膜を含む積層体である。
上記透明基材としては、特に制限はなく公知の基材を使用でき、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラス基板;アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、環状シクロポリオレフィン(COP)等の樹脂基板;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、環状シクロポリオレフィン(COP)、ポリアミド等の高分子フィルム基材等が使用できる。
上記透明基材としては、特に制限はなく公知の基材を使用でき、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラス基板;アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、環状シクロポリオレフィン(COP)等の樹脂基板;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、環状シクロポリオレフィン(COP)、ポリアミド等の高分子フィルム基材等が使用できる。
透明基材の厚さは、通常0.1〜10mmであり、0.3〜5mmが好ましい。
透明基材がガラス基板の場合は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。透明性や平滑性が求められる場合は、ガラス基板、樹脂基板が好ましく、ガラス基板が特に好ましい。軽量化が求められる場合は樹脂基板や高分子基材が好ましい。
透明基材がガラス基板の場合は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。透明性や平滑性が求められる場合は、ガラス基板、樹脂基板が好ましく、ガラス基板が特に好ましい。軽量化が求められる場合は樹脂基板や高分子基材が好ましい。
本発明の一形態に係る透明導電膜は、好ましくは透明電極膜及び透明基材に挟持されてなる屈折率調整層を有する。透明導電膜が、屈折率調整層を有することにより、b*を1.5以下とすることができる。
屈折率調整層は、1層単独でもよく、2層以上の積層体でもよい。
例えば屈折率調整層が2層以上の積層体である場合、例えば屈折率が1.70〜2.50である1層以上の高屈折率層及び屈折率が1.30〜1.60である1層以上の低屈折率層の積層体を屈折率調整層とすることができる。
上記の高屈折率層及び低屈折率層の積層体が屈折率調整層である場合、高屈折率層及び低屈折率層を透明基材側からこの順に有する積層体であると好ましい。
例えば屈折率調整層が2層以上の積層体である場合、例えば屈折率が1.70〜2.50である1層以上の高屈折率層及び屈折率が1.30〜1.60である1層以上の低屈折率層の積層体を屈折率調整層とすることができる。
上記の高屈折率層及び低屈折率層の積層体が屈折率調整層である場合、高屈折率層及び低屈折率層を透明基材側からこの順に有する積層体であると好ましい。
高屈折率層の屈折率は、例えば1.70〜2.50であり、好ましくは1.90〜2.30であり、より好ましくは1.90〜2.10である。
高屈折率層の材料としては、TiO2、Nb2O3、ZrO2、Ta2O5、ZnO、In2O3、SnO等の酸化物;これらの複合酸化物;及びZnSが挙げられる。
高屈折率層の厚みは、例えば4〜20nmであり、好ましくは7〜15nmであり、より好ましくは8〜13nmである。
高屈折率層の材料としては、TiO2、Nb2O3、ZrO2、Ta2O5、ZnO、In2O3、SnO等の酸化物;これらの複合酸化物;及びZnSが挙げられる。
高屈折率層の厚みは、例えば4〜20nmであり、好ましくは7〜15nmであり、より好ましくは8〜13nmである。
低屈折率層の屈折率は、例えば1.30〜1.60であり、好ましくは1.40〜1.55であり、より好ましくは1.43〜1.50である。
低屈折率層の材料としては、SiO2、Al2O3等の透明金属酸化物;これらの複合酸化物;CuF2、CeF2、MnF2、MgF2等の金属フッ化物;及びこれらの複合フッ化物が挙げられる。
低屈折率層の厚みは、例えば4〜20nmであり、好ましくは7〜15nmであり、より好ましくは8〜13nmである。
低屈折率層の材料としては、SiO2、Al2O3等の透明金属酸化物;これらの複合酸化物;CuF2、CeF2、MnF2、MgF2等の金属フッ化物;及びこれらの複合フッ化物が挙げられる。
低屈折率層の厚みは、例えば4〜20nmであり、好ましくは7〜15nmであり、より好ましくは8〜13nmである。
屈折率調整層は、好ましくは透明導電膜を構成する元素と異なる元素の酸化物からなり、より好ましくはZr、Ti及びSiからなる群から選択される1以上の元素を含む酸化物からなる。
本発明の一形態に係る透明導電膜は、屈折率調整層を有することによりb*を1.5以下とすることができ、b*が1.5以下である透明導電膜は、透明電極が透けて見える「骨見え」を防ぐことができる。
図1は、上述の透明電極膜、屈折率調整層及び透明基材を有する場合の透明導電膜の一実施形態を示す概略断面図である。
透明導電膜1は、透明基材10、屈折率調整層20、及び透明電極膜30をこの順に有する。
透明導電膜1は、透明基材10、屈折率調整層20、及び透明電極膜30をこの順に有する。
[透明導電膜の製造方法]
本発明の一形態に係る透明導電膜は、透明電極膜の成膜時の背圧を1×10−3Pa以上とする。背圧を1×10−3Pa以上より高くすることで、波長450nmにおける透明電極膜の消衰係数を0.006以下とすることができる。
透明電極膜成膜時の背圧は、好ましくは1×10−3Pa〜1×10−2Paである。
また、透明電極膜成膜時の背圧の上限は特にないが、例えば5×10−2Paである。
本発明の一形態に係る透明導電膜は、透明電極膜の成膜時の背圧を1×10−3Pa以上とする。背圧を1×10−3Pa以上より高くすることで、波長450nmにおける透明電極膜の消衰係数を0.006以下とすることができる。
透明電極膜成膜時の背圧は、好ましくは1×10−3Pa〜1×10−2Paである。
また、透明電極膜成膜時の背圧の上限は特にないが、例えば5×10−2Paである。
ここで「成膜時の背圧」とは、スパッタ成膜する際に基板が設置される成膜室(真空容器)内の到達真空度であり、成膜開始前の成膜ガスを導入する前の成膜装置内の真空度を意味する。
本明細書において、背圧(到達真空度)は、スパッタ成膜装置に設置されているイオンゲージ(電離真空計)の値を読み取った値とすることができる。成膜装置内の背圧(到達真空度)は、成膜装置内の水分量(水分圧)と概ね等価であるため、質量分析計を用いて測定された水分圧から求めた値としてもよい。
本明細書において、背圧(到達真空度)は、スパッタ成膜装置に設置されているイオンゲージ(電離真空計)の値を読み取った値とすることができる。成膜装置内の背圧(到達真空度)は、成膜装置内の水分量(水分圧)と概ね等価であるため、質量分析計を用いて測定された水分圧から求めた値としてもよい。
透明電極膜の成膜前に、屈折率調整層を成膜してもよい。
透明電極膜及び屈折率調整層の成膜は、例えばスパッタ法、蒸着法、イオンビーム法等の乾式成膜又は湿式塗布法を用いてそれぞれ行うことができる。
スパッタ法で透明電極膜及び屈折率調整層の成膜をする場合、基板温度は加熱成膜でも非加熱成膜でも構わない。透明基材が有機物の場合は、非加熱成膜が好ましい。透明基材が無機物の場合は、室温成膜から250℃の範囲で成膜が可能である。好ましくは室温から150℃である。
透明電極膜及び屈折率調整層の成膜は、例えばスパッタ法、蒸着法、イオンビーム法等の乾式成膜又は湿式塗布法を用いてそれぞれ行うことができる。
スパッタ法で透明電極膜及び屈折率調整層の成膜をする場合、基板温度は加熱成膜でも非加熱成膜でも構わない。透明基材が有機物の場合は、非加熱成膜が好ましい。透明基材が無機物の場合は、室温成膜から250℃の範囲で成膜が可能である。好ましくは室温から150℃である。
透明電極膜及び屈折率調整層の成膜条件として、酸素分圧は0〜5%が好ましく、成膜圧力は0.1〜0.8Paであることが好ましく、基板間距離は50mm〜5000mmであることが好ましい。電源は、DC又はRFが使用可能である。
本発明の透明電極は、液晶ディスプレイ、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、太陽電池等の透明電極として好適に用いることができる。
実施例1
In2O3が92.5wt%及びZnOが7.5wt%の組成を有するインジウム化合物をマグネトロンスパッタ装置に装着した。
透明基材として厚さ125μmのPETフィルムを用い、スパッタ成膜室の背圧が1×10−3Paとなるように圧力調整した後、成膜時の基材温度を室温(非加熱成膜)、酸素を2%添加して成膜時の全圧力をO2+Arで0.1Paとなるように調整し、透明電極膜の成膜を行った。スパッタ時間は、透明電極膜の膜厚が30nmとなるように調整した。
得られた透明電極膜について、FilmTek3000(SCI社)を用いて、波長450nmの消衰係数を測定した。結果を表1に示す。
In2O3が92.5wt%及びZnOが7.5wt%の組成を有するインジウム化合物をマグネトロンスパッタ装置に装着した。
透明基材として厚さ125μmのPETフィルムを用い、スパッタ成膜室の背圧が1×10−3Paとなるように圧力調整した後、成膜時の基材温度を室温(非加熱成膜)、酸素を2%添加して成膜時の全圧力をO2+Arで0.1Paとなるように調整し、透明電極膜の成膜を行った。スパッタ時間は、透明電極膜の膜厚が30nmとなるように調整した。
得られた透明電極膜について、FilmTek3000(SCI社)を用いて、波長450nmの消衰係数を測定した。結果を表1に示す。
実施例2
スパッタ成膜室の背圧を3×10−3Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
スパッタ成膜室の背圧を3×10−3Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例3
スパッタ成膜室の背圧を5×10−3Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
スパッタ成膜室の背圧を5×10−3Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
比較例1
スパッタ成膜室の背圧を5×10−4Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
スパッタ成膜室の背圧を5×10−4Paとなるように圧力調整した他は、実施例1と同様にして透明電極膜を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例4
透明基材であるPET上に、ZrO2を20nm及びSiO2を10nmそれぞれこの順に成膜して、ZrO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した。
スパッタ成膜室の背圧が3×10−3Paとなるように圧力調整した後、透明基材及び屈折率調整層(透明基材側からZrO2層及びSiO2層からなる積層体)からなる積層体の温度を室温(非加熱成膜)、酸素を2%添加して成膜時の全圧力をO2+Arで0.1Paとなるように調整し、In2O3が92.5wt%及びZnOが7.5wt%の組成を有するインジウム化合物を用いて、透明電極膜の成膜を行った。スパッタ時間は、透明電極膜の膜厚が30nmとなるように調整した。
得られた透明導電膜について、分光光度計を用いて透過率からb*を計算した。結果を表2に示す。
また、得られた透明導電膜の透明電極膜の消衰係数を測定したところ,450nmの波長における消衰係数は,0.0052であった。
透明基材であるPET上に、ZrO2を20nm及びSiO2を10nmそれぞれこの順に成膜して、ZrO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した。
スパッタ成膜室の背圧が3×10−3Paとなるように圧力調整した後、透明基材及び屈折率調整層(透明基材側からZrO2層及びSiO2層からなる積層体)からなる積層体の温度を室温(非加熱成膜)、酸素を2%添加して成膜時の全圧力をO2+Arで0.1Paとなるように調整し、In2O3が92.5wt%及びZnOが7.5wt%の組成を有するインジウム化合物を用いて、透明電極膜の成膜を行った。スパッタ時間は、透明電極膜の膜厚が30nmとなるように調整した。
得られた透明導電膜について、分光光度計を用いて透過率からb*を計算した。結果を表2に示す。
また、得られた透明導電膜の透明電極膜の消衰係数を測定したところ,450nmの波長における消衰係数は,0.0052であった。
実施例5
透明基材であるPET上に、ZrO2を10nm及びSiO2を30nmそれぞれこの順に成膜して、ZrO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
透明基材であるPET上に、ZrO2を10nm及びSiO2を30nmそれぞれこの順に成膜して、ZrO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
実施例6
透明基材であるPET上に、TiO2を15nm及びSiO2を10nmそれぞれこの順に成膜して、TiO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
透明基材であるPET上に、TiO2を15nm及びSiO2を10nmそれぞれこの順に成膜して、TiO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
実施例7
透明基材であるPET上に,TiO2を5nm及びSiO2を30nmをそれぞれこの順に成膜して、TiO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
透明基材であるPET上に,TiO2を5nm及びSiO2を30nmをそれぞれこの順に成膜して、TiO2及びSiO2の積層体からなる屈折率調整層を積層した他は、実施例4と同様にして透明導電膜を製造し、評価した。結果を表2に示す。
参考例1
屈折率調整層を設けなかった他は、実施例4と同様にして透明電極を作製し、評価した。結果を表2に示す。
屈折率調整層を設けなかった他は、実施例4と同様にして透明電極を作製し、評価した。結果を表2に示す。
比較例2
In2O3が92.5wt%及びTiO2が7.5wt%の組成を有するインジウム化合物を用いて透明電極膜を成膜した他は参考例1と同様にして透明導電膜を作製し、評価した。結果を表2に示す。
In2O3が92.5wt%及びTiO2が7.5wt%の組成を有するインジウム化合物を用いて透明電極膜を成膜した他は参考例1と同様にして透明導電膜を作製し、評価した。結果を表2に示す。
1 透明導電膜
10 透明基材
20 屈折率調整層
30 透明電極膜
10 透明基材
20 屈折率調整層
30 透明電極膜
Claims (9)
- 透明電極膜を有する透明導電膜であって、前記透明電極膜の波長450nmにおける消衰係数が0.006以下である透明導電膜。
- 前記透明電極膜が、成膜時の背圧が1×10−3Pa以上で成膜された透明電極膜である請求項1に記載の透明導電膜。
- 前記透明電極膜が、In、Zn及びSnからなる群から選ばれる2以上の元素を含む酸化物からなる請求項1又は2に記載の透明導電膜。
- 透明基材を有する請求項1〜3のいずれかにに記載の透明導電膜。
- 前記透明電極膜及び前記透明基材の間に屈折率調整層を有する請求項4に記載の透明導電膜。
- 前記屈折率調整層が、前記透明電極膜を構成する元素とは異なる元素から選ばれる酸化物からなる請求項5に記載の透明導電膜。
- 前記屈折率調整層が、Zr、Ti及びSiからなる群から選択される1以上の元素を含む酸化物からなる請求項5又は6に記載の透明導電膜。
- b*が1.5以下である請求項5〜7のいずれかに記載の透明導電膜。
- 透明電極膜を含む透明導電膜の製造方法であって、
成膜時の背圧を1×10−3Pa以上として前記透明電極膜を成膜する透明導電膜の製造方法。
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JP2013075709A JP2014201746A (ja) | 2013-04-01 | 2013-04-01 | 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10453891B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-10-22 | AGC Inc. | Substrate with conductive film |
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2013
- 2013-04-01 JP JP2013075709A patent/JP2014201746A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10453891B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-10-22 | AGC Inc. | Substrate with conductive film |
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