CN103407231A - 离线增反镀膜玻璃及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种离线增反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2；离线增反镀膜玻璃的制备方法为：在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到10?3Pa，线速度为1.5米/分钟时，在玻璃上依次溅射钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2。本发明具有使用靶材成本低，能够实现高折射率效果的优点。

Description

离线增反镀膜玻璃及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种玻璃及其制造方法，特别是一种离线增反镀膜玻璃及其制造方法。
背景技术
薄膜干涉使用扩展光源，虽然相干性不好，但因能在明亮环境观察，所以使用价值高。利用上述原理可以测定薄膜的厚度d或光波波长l。在玻璃基片上镀上一层厚度为d的薄膜，使强度相等的两束反射光的光程差d满足干涉强度（d=kl）的条件，可以提高玻璃基片的反射率。增加反射率的薄膜叫高反膜。由于相邻两束光的强度不等，实际常采用多层膜，使高反膜的反射率达99%以上。增反射膜是应用最广、产量最大的一种光学薄膜，但是现有的镀膜工艺较为复杂，使用的材料也较为普通，所以镀膜效果不稳定。
发明内容
本发明的目的是为了寻找更简单、更稳定的工艺，提供一种高折射率的离线增反镀膜玻璃及其制造方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种离线增反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm。
本发明的进一步改进在于：玻璃基片的厚度为6mm，钛的氧化物TiOx的厚度为29nm，氧化钛TiO2的厚度为29nm，硅的氧化物SiOx的厚度为40nm，氧化硅SiO2的厚度为40nm。
一种离线增反镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10?3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第一层12nm～18nm的钛的氧化物TiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第二层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，在玻璃基片上溅射第三层25nm～32nm的氧化钛TiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，在玻璃基片上溅射第四层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第五层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm～20nm的氧化硅SiO2。
本发明与现有技术相比具有以下优点：用简单的材料和相对较少的镀膜层数实现高折射率的效果。
具体实施方式：
    为了加深对发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
本发明离线增反镀膜玻璃的一种实施方式为：一种离线增反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm。
离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10?3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第一层12nm～18nm的钛的氧化物TiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第二层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，在玻璃基片上溅射第三层25nm～32nm的氧化钛TiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，在玻璃基片上溅射第四层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第五层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm～20nm的氧化硅SiO2。
本发明具有实现用简单的材料和相对较少的镀膜层数实现高折射率的效果。
实施例1：
在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到10?3Pa，线速度为1.5米/分钟时，在6mm玻璃基片上依次溅射：功率为60KW时溅射的钛的氧化物TiOx厚度为14nm，功率为60KW时溅射的钛的氧化物TiOx厚度为14nm，功率为80KW时溅射的氧化钛TiO2厚度为29nm，功率为80KW时溅射的硅的氧化物SiOx厚度为40nm，功率为62KW时溅射的氧化硅SiO2厚度为20nm，功率为62KW时溅射的氧化硅SiO2厚度为20nm。此厚度的玻璃所用靶材成本低，能够实现高折射率的效果。

Claims (3)

1.一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻璃基片上依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2，所述玻璃基片的厚度为3mm～15mm，所述硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，所述氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm，所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，所述氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm。
2.根据权利要求1所述离线减反镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为6mm，所述硅的氧化物SiOx的厚度为38nm，所述氧化硅SiO2的厚度为42nm，所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm，所述氧化钛TiO2的厚度为33nm。
3.一种离线减反镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和硅靶在玻璃基片上溅射第一层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第二层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第三层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化钛靶在玻璃基片上溅射第六层25nm～32nm的氧化钛TiO2。
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