CN108017290B - 减反射玻璃的制备方法 - Google Patents
减反射玻璃的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108017290B CN108017290B CN201711331050.8A CN201711331050A CN108017290B CN 108017290 B CN108017290 B CN 108017290B CN 201711331050 A CN201711331050 A CN 201711331050A CN 108017290 B CN108017290 B CN 108017290B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refractive index
- layer
- index layer
- thickness
- low refractive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 311
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 20
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 39
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 39
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 38
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 31
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 241000227425 Pieris rapae crucivora Species 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
- C03C2217/734—Anti-reflective coatings with specific characteristics comprising an alternation of high and low refractive indexes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
- C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明涉及一种减反射玻璃。一种减反射玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基底表面制备第一高折射率层；在所述第一高折射率层的表面制备第一低折射率层；在所述第一低折射率层表面制备防尘层，所述防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种，所述防尘层的厚度为20nm～79nm；及在所述防尘层的表面制备第二低折射率层。上述减反射玻璃的制备方法制备得到的减反射玻璃能够防尘。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃领域，特别是涉及一种减反射玻璃制备方法。
背景技术
众所周知，光在两种介质的界面上会发生反射现象，当反射光的光程差恰好等于入射光的半个波长时，反射光会相互抵消，从而大大减少了光学器件的光反射损失，增强了透射光的强度。在光学镜头、展示展柜玻璃等领域，这种减反增透膜玻璃具有非常广泛的应用。
然而，现有的减反射玻璃在干燥的环境中使用时，膜层容易吸附灰尘，从而降低玻璃的减反射效果，即降低了玻璃的增透效果。虽然通过清洁维护可以除去膜表面吸附的灰尘，但长期采取清洁等方式处理，容易在膜表面留下划伤等痕迹，从而永久性地破坏了镀膜玻璃的减反射效果。
发明内容
基于此，有必要针对提供一种能够防尘的减反射玻璃的制备方法。
一种减反射玻璃的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基底表面制备第一高折射率层；
在所述第一高折射率层的表面制备第一低折射率层；
在所述第一低折射率层表面制备第二高折射率层；及
在所述的第二高折射率层的表面制备第二低折射率层；及
在所述的第二低折射率层表面制备薄膜保护层；
其中，所述第二高折射率层包含防尘层，所述防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种，所述防尘层的厚度为60nm～79nm；或
所述第二高折射率层包含折射率调整层及层叠于所述折射率调整层表面的防尘层，所述防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种，所述折射率调整层的折射率为2.0～2.5，所述防尘层的厚度为20nm～79nm，所述折射率调整层的厚度为40nm～100nm。
上述减反射玻璃的制备方法，通过在玻璃基底表面依次制备第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层及第二低折射率层，各层通过反射干涉，使其具有相对低反射和高透过的光学效果；防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种且通过控制第二高折射率层的厚度，从而即使在干燥的环境中也能起到较好的防尘效果且对减反射膜整体的透光性影响较小；上述减反射玻璃的制备方法制备工艺较为简单，从而能提高生产效率。
在其中一个实施例中，所述第一高折射率层的折射率为2.0～2.5，所述第一低折射率层的折射率为1.47～1.53，所述第二低折射率层的折射率为1.47～1.53。
在其中一个实施例中，所述折射率调整层和所述防尘层的总厚度为80nm～130nm。
在其中一个实施例中，所述第一高折射率层的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种；所述第一低折射率层的材料为二氧化硅；所述第二低折射率层的材料为二氧化硅。
在其中一个实施例中，所述折射率调整层的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述第一高折射率层的厚度为5nm～50nm；所述第一低折射率层的厚度为5nm～50nm；所述第二低折射率层的厚度为30nm～120nm。
在其中一个实施例中，所述保护层的材料选自二氧化锆、氮化硅及碳化硅中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为2nm～20nm。
在其中一个实施例中，所述第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层及保护层采用离线磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源加旋转阴极制备。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底的尺寸为300mm×300mm～3300mm×6000mm。
附图说明
图1为一实施方式的减反射玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的减反射玻璃100包括玻璃基底110及减反射膜130。
在其中一个实施例中，玻璃基底110的厚度为3mm～19mm，优选为3mm、4mm、5mm、6mm、8mm、10mm、12mm、15mm或19mm。
在其中一个实施例中，玻璃基底110的最大尺寸为3300mm×6000mm。
减反射膜130层叠于玻璃基底110的其中一个表面。当然在其他实施方式中，玻璃基底110相对的两个表面都可以层叠减反射膜130。
减反射膜130包括依次层叠的第一高折射率层131、第一低折射率层133、第二高折射率层135、第二低折射率层137及保护层139。
第一高折射率层131层叠于玻璃基底110的表面，主要作用是起到和玻璃基片的连接作用，调节反射色性能，并阻挡玻璃中碱金属离子的扩散。第一高折射率层131的折射率为2.0～2.5。在其中一个实施例中，第一高折射率层131的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种。第一高折射率层131的厚度为5nm～50nm，优选为10nm～40nm，进一步优选为15nm～30nm。
第一低折射率层133层叠于第一高折射率层131的表面，主要作用是调节膜层的干涉及外观颜色。第一低折射率层133的折射率为1.47～1.53。在其中一个实施例中，第一低折射率层133为二氧化硅层。第一低折射率层133的厚度为5nm～50nm。第一低折射率层133的厚度为5nm～50nm，优选为10nm～40nm，进一步优选为20nm～30nm。
第二高折射率层135层叠于第一低折射率层133的表面，主要作用是抗静电和调节膜层的干涉及反射颜色。第二高折射率层135的折射率为2.0～2.5。在图示的实施方式中，第二高折射率层135包括折射率调整层1352及防尘层1354。第二高折射率层135的厚度为30nm～150nm，优选为50nm～120nm，进一步优选为60nm～120nm。
折射率调整层1352层叠于第一低折射率层133的表面。折射率调整层1352选自氮化硅层、五氧化二铌层及二氧化钛层中的至少一层。折射率调整层1352的厚度为40nm～100nm。
防尘层1354层叠于折射率调整层1352的表面。防尘层1354选自ITO(氧化铟锡)层、IXO(氧化铟锌)层、AZO(铝掺杂氧化锌)层及ATO(氧化锡锑)层中的至少一层，防尘层1354的厚度为20nm～79nm。
折射率调整层1352和防尘层1354的总厚度为80nm～130nm。
当然，需要说明的是，在其他实施方式中，折射率调整层1352可以省略，此时防尘层1354的厚度为60nm～79nm且直接层叠于第一低折射率层133即可。
第二低折射率层137层叠于防尘层1354的表面，主要作用是调节膜层的干涉及外观颜色。第二低折射率层137的折射率为1.47～1.53。在其中一个实施例中，第二低折射率层137为二氧化硅层。第二低折射率层137的厚度为30nm～120nm，优选为40nm～100nm，进一步优选为50nm～80nm。
保护层139层叠于第二低折射率层137的表面，主要作用是使薄膜能暴露在户外环境使用，也可防止所镀膜层出现划伤、化学腐蚀等缺陷，保证产品在输运、安装及使用过程中的整体性。保护层139的折射率为2.0～2.35。保护层139选自二氧化锆(ZrO2)层、氮化硅(Si3N4)层及碳化硅(SiC)层中的至少一层。保护层139的厚度为2nm～20nm，优选为4nm～15nm，进一步优选为5nm～10nm。当然，需要说明的是，保护层139可以省略。
上述减反射玻璃100，包括依次层叠的第一高折射率层131、第一低折射率层133、第二高折射率层135及第二低折射率层137，通过反射干涉，使其具有相对低反射和高透过的光学效果；第二高折射率层135包括防尘层1354，防尘层1354选自ITO层、IXO层、AZO层及ATO层中的至少一层且厚度为20nm～79nm，从而即使在干燥的环境中也能起到较好的防尘效果且对减反射膜130整体的透光性影响较小；经实验测定，减反射玻璃100的可见光反射率≤5％，颜色呈现中性色；减反射膜各层采用抗氧化能力较强的无机材料，可以稳定的暴露于户外环境中使用，具有较高的耐候性。
上述减反射玻璃的制备方法，包括以下步骤：
步骤S310、对玻璃基底进行清洗抛光处理。
在其中一个实施例中，玻璃基底110的厚度为3mm～9mm，优选为3mm、4mm、5mm、6mm、8mm、10mm、12mm、15mm或19mm。
在其中一个实施例中，玻璃基底110的最大尺寸为3300mm×6000mm。优选的，玻璃基底110的尺寸为300mm×300mm～3300mm×6000mm。
在其中一个实施例中，清洗抛光处理使用自动清洗机进行，自动清洗机的自动装片台将玻璃基底110上片后，对玻璃基底进行清洗抛光。
需要说明的是，步骤S310可以省略。
步骤S320、在玻璃基底110表面制备第一高折射率层131。
第一高折射率层131层叠于玻璃基底110的表面，主要作用是起到和玻璃基底110的连接作用，调节反射色性能，并阻挡玻璃基底110中碱金属离子的扩散。第一高折射率层131的折射率为2.0～2.5。在其中一个实施例中，第一高折射率层131的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种。第一高折射率层131的厚度为5nm～50nm，优选为10nm～40nm，进一步优选为15nm～30nm。
在其中一个实施例中，第一高折射率层131通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备第一高折射率层131。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10- 3mbar。
进一步的，制备第一高折射率层131的溅射条件为：载气为O2及N2中的至少一种和Ar，电源为中频交流电源、靶材为硅铝靶、硅硼靶、纯硅靶、氧化铌靶、氧化钛靶中的一种，功率为10KW～60KW、薄膜沉积率为1.2nm·(m/min)/KW～3nm·(m/min)/KW。具体的，如果第一高折射率层的材料为氮化硅，载气为Ar及N2；如果第一高折射率层的材料为五氧化二妮和二氧化钛，载气为Ar及O2。
步骤S330、在第一高折射率层131的表面制备第一低折射率层133。
第一低折射率层133层叠于第一高折射率层131的表面，主要作用是调节膜层的干涉及外观颜色。第一低折射率层133的折射率为1.47～1.53。在其中一个实施例中，第一低折射率层133的材料为二氧化硅。第一低折射率层133的厚度为5nm～50nm。第一低折射率层133的厚度为5nm～50nm，优选为10nm～40nm，进一步优选为20nm～30nm。
在其中一个实施例中，第一低折射率层133通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备第一低折射率层133。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10- 3mbar。
进一步的，制备第一低折射率层131的溅射条件为：载气为Ar及O2，电源为中频交流电源、靶材为硅铝靶、硅硼靶、纯硅靶中的一种，功率为15KW～70KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW～2.5nm·(m/min)/KW。
步骤S340、在第一低折射率层133的表面制备第二高折射率层135。
在图示的实施方式中，第二高折射率层135包括折射率调整层1352及防尘层1354。第二高折射率层135的厚度为30nm～150nm，优选为50nm～120nm，进一步优选为60nm～120nm。
折射率调整层1352层叠于第一低折射率层133的表面。折射率调整层1352的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种。折射率调整层1352的厚度为40nm～100nm。折射率调整层1352的折射率为2.0～2.5。
在其中一个实施例中，折射率调整层1352通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备折射率调整层1352。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10- 3mbar。
进一步的，制备折射率调整层1352的溅射条件为：载气为O2及N2中的至少一种和Ar，电源为中频交流电源、靶材为硅铝靶、硅硼靶、纯硅靶、氧化铌靶、氧化钛靶中的一种，功率为10KW～60KW、薄膜沉积率为1.2nm·(m/min)/KW～3nm·(m/min)/KW。具体的，如果折射率调整层1352的材料为氮化硅，载气为Ar及N2；如果折射率调整层1352的材料为五氧化二妮和二氧化钛，载气为Ar及O2。
防尘层1354层叠于折射率调整层1352的表面。防尘层1354的材料选自ITO(氧化铟锡)、IXO(氧化铟锌)、AZO(铝掺杂氧化锌)及ATO(氧化锡锑)中的至少一种，防尘层1354的厚度为20nm～79nm。
在其中一个实施例中，防尘层1354通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备防尘层1354。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10-3mbar。
进一步的，制备防尘层1354的溅射条件为：载气为Ar及O2，电源为中频交流电源或直流电源、靶材为ITO(氧化铟锡)、IXO(氧化铟锌)、AZO(铝掺杂氧化锌)及ATO(氧化锡锑)中的至少一种，功率为10KW～60KW、薄膜沉积率为3nm·(m/min)/KW～5nm·(m/min)/KW。
优选的，折射率调整层1352和防尘层1354的总厚度为80nm～130nm。
当然，需要说明的是，在其他实施方式中，折射率调整层1352可以省略，此时防尘层1354的厚度为60nm～79nm且直接层叠于第一低折射率层133即可。
步骤S350、在防尘层1354的表面制备第二低折射率层137。
第二低折射率层137层叠于防尘层1354的表面，主要作用是调节膜层的干涉及外观颜色。第二低折射率层137的折射率为1.47～1.53。在其中一个实施例中，第二低折射率层137的材料为二氧化硅。第二低折射率层137的厚度为30nm～120nm。第二低折射率层137的厚度为30nm～120nm，优选为40nm～100nm，进一步优选为50nm～80nm。
在其中一个实施例中，第二低折射率层137通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备第二低折射率层137。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10- 3mbar。
进一步的，制备第二低折射率层137的溅射条件为：第二低折射率层137的溅射条件为：载气为Ar及O2，电源为中频交流电源、靶材为硅铝靶、硅硼靶、纯硅靶中的一种，功率为15KW～70KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW～2.5nm·(m/min)/KW。
步骤S360、在第二低折射率层137的表面制备保护层139。
保护层139层叠于第二低折射率层137的表面，主要作用是使薄膜能暴露在户外环境使用，也可防止所镀膜层出现划伤、化学腐蚀等缺陷，保证产品在输运、安装及使用过程中的整体性。保护层139的折射率为2.0～2.35。保护层139的材料选自二氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)及碳化硅(SiC)中的至少一层。保护层139的厚度为2nm～20nm，优选为4nm～15nm，进一步优选为5nm～10nm。
在其中一个实施例中，保护层139通过卧式磁控溅射设备制备。具体的，采用离线磁控溅射镀膜工艺制备，用中频交流电源加旋转阴极制备保护层139。卧式磁控溅射设备的本底真空度在10-6～10-7mbar以上，溅射工艺真空度要求在3～8×10-3mbar。
进一步的，制备保护层139的溅射条件为：保护层139的溅射条件为：载气为O2、N2及C2H2中的至少一种和Ar，电源为中频交流电源或直流电源、靶材为硅铝靶、硅硼靶、纯硅靶或金属锆靶中的一种，功率为10KW～50KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW～3nm·(m/min)/KW。具体的，如果保护层139的材料为氮化硅，载气为Ar及N2；如果保护层139的材料为二氧化锆，载气为Ar及O2；如果保护层139的材料为碳化硅时，载气为Ar及C2H2。
上述减反射玻璃的制备方法，通过在玻璃基底表面依次制备第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层及第二低折射率层，各层通过反射干涉，具有相对低反射和高透过的光学效果；防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种且通过控制第二高折射率层的厚度，从而即使在干燥的环境中也能起到较好的防尘效果且对减反射膜整体的透光性影响很小；上述减反射玻璃的制备方法制备工艺较为简单，能缩短生产周期，在降低成本的同时能极大的提高生产效率；采用卧式磁控溅射设备，可以实现大批量、大尺寸玻璃的生产，最大生产尺寸可达3300mm×6000mm，并可裁切成其他小尺寸，可安全用于后续切割、磨边、钢化等工序；上述减反射玻璃的材料均有无机材料，避免使用有机材料，可以降低污染及对人体的危害。
以下结合具体实施例进行说明。
实施例1
实施例1的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/氮化硅层(19.5nm)/二氧化硅层(21.3nm)/ITO层(70nm)/二氧化硅层(65nm)/氮化硅层(5nm)。式中，“/”代表层叠，括号的数字代表各层厚度，以下实施例相同。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为21.5KW、薄膜沉积率为2nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为29.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为ITO靶，功率为44KW、薄膜沉积率为3.5nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为89.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为7.5KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
实施例2
实施例2的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/氮化硅层(18.5nm)/二氧化硅层(28nm)/氮化硅层(62.4nm)/ITO层(48.3nm)/二氧化硅层(54nm)/氮化硅层(6nm)。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为20.5KW、薄膜沉积率为2nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为38.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀折射率调整层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为72.5KW、薄膜沉积率为1.9nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在折射率调整层表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为ITO靶，功率为30.5KW、薄膜沉积率为3.5nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为74.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为9KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
实施例3
实施例3的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/五氧化二铌层(15nm)/二氧化硅层(25.8nm)/ITO层(66.3nm)/二氧化硅层(60nm)/氮化硅层(5nm)。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和O2，靶材为氧化铌靶，功率为27.5KW、薄膜沉积率为1.2nm·(m/min)/KW、真空度为4.6×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为35.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为ITO靶，功率为42KW、薄膜沉积率为3.5nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为82.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为7.5KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
实施例4
实施例4的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/五氧化二铌层(16.7nm)/二氧化硅层(27nm)/五氧化二铌层(61.6nm)/ITO层(49nm)/二氧化硅层(59nm)/氮化硅层(5nm)。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和O2，靶材为氧化铌靶，功率为28.5KW、薄膜沉积率为1.3nm·(m/min)/KW、真空度为4.6×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为37.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀折射率调整层，载气为Ar和O2，靶材为氧化铌靶，功率为113KW、薄膜沉积率为1.2nm·(m/min)/KW、真空度为4.6×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在折射率调整层表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为ITO靶，功率为31KW、薄膜沉积率为3.5nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为81.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为7.5KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
实施例5
实施例5的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/氮化硅层(14.6nm)/二氧化硅层(22nm)/IXO层(72nm)/二氧化硅层(65nm)/氮化硅层(6nm)。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为16.5KW、薄膜沉积率为2nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为30.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar；；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为IXO靶，功率为33KW、薄膜沉积率为4.8nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为89.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为8.8KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
实施例6
实施例6的减反射玻璃的结构为：
普通白玻璃(6mm)/氮化硅层(17nm)/二氧化硅层(30nm)/氮化硅层(60nm)/IXO层(52nm)/二氧化硅层(54nm)/氮化硅层(6nm)。
减反射玻璃的制备步骤为：
对玻璃基底(超白玻璃)进行清洗，干燥后进入磁控溅射区；用中频交流电源加旋转阴极在玻璃基底表面镀第一高折射率层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为18.5KW、薄膜沉积率为2nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一高折射率层表面镀第一低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为41.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第一低折射率层表面镀折射率调整层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为69.5KW、薄膜沉积率为1.9nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在折射率调整层表面表面镀防尘层，载气为Ar和O2，靶材为ITO靶，功率为24KW、薄膜沉积率为4.8nm·(m/min)/KW、真空度为4.8×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在防尘层表面镀第二低折射率层，载气为Ar和O2，靶材为硅铝靶，功率为74.5KW、薄膜沉积率为1.6nm·(m/min)/KW、真空度为5.3×10-3mbar；用中频交流电源加旋转阴极在第二低折射率层表面镀保护层，载气为Ar和N2，靶材为硅铝靶，功率为8.8KW、薄膜沉积率为1.5nm·(m/min)/KW、真空度为5.4×10-3mbar。
对实施例1～6的减反射玻璃的反射率、透光率、颜色色度值及面电阻进行测试，结果见表1。
其中，反射率、透光率、颜色色度值通过datacolor厂家的650仪器测试；面电阻通过Stratometer G的非接触式面电阻测试仪测试。
表1
从表1可以看出，实施例1～6的减反射玻璃100呈现中性色调，可见光反射率低于5％，透光率大于90％，且面电阻不超过200Ω/□，具有较好的防静电效果。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种减反射玻璃制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基底表面制备第一高折射率层；
在所述第一高折射率层的表面制备第一低折射率层；
在所述第一低折射率层表面制备第二高折射率层；及
在所述的第二高折射率层的表面制备第二低折射率层；及
在所述的第二低折射率层表面制备薄膜保护层；
所述减反射玻璃的可见光反射率低于5％，透光率大于90％，且面电阻不超过200Ω/□；
所述第一高折射率层的厚度为10nm～40nm；所述第一低折射率层的厚度为10nm～40nm；所述第二低折射率层的厚度为40nm～100nm；
其中，所述第二高折射率层包含防尘层，所述防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种，所述防尘层的厚度为60nm～79nm；或
所述第二高折射率层包含折射率调整层及层叠于所述折射率调整层表面的防尘层，所述防尘层的材料选自ITO、IXO、AZO及ATO中的至少一种，所述折射率调整层的折射率为2.0～2.5，所述防尘层的厚度为20nm～79nm，所述折射率调整层的厚度为40nm～100nm。
2.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率层的折射率为2.0～2.5，所述第一低折射率层的折射率为1.47～1.53，所述第二低折射率层的折射率为1.47～1.53。
3.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述折射率调整层和所述防尘层的总厚度为80nm～130nm。
4.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率层的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种；所述第一低折射率层的材料为二氧化硅；所述第二低折射率层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述折射率调整层的材料选自氮化硅、五氧化二铌及二氧化钛中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为15nm～30nm；所述第一低折射率层的厚度为20nm～30nm；所述第二低折射率层的厚度为50nm～80nm。
7.根据权利要求1所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料选自二氧化锆、氮化硅及碳化硅中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2nm～20nm。
9.根据权利要求1～8任一项所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层及保护层采用离线磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源加旋转阴极制备。
10.根据权利要求9所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述玻璃基底的尺寸为300mm×300mm～3300mm×6000mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711331050.8A CN108017290B (zh) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | 减反射玻璃的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711331050.8A CN108017290B (zh) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | 减反射玻璃的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108017290A CN108017290A (zh) | 2018-05-11 |
| CN108017290B true CN108017290B (zh) | 2020-11-10 |
Family
ID=62073432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711331050.8A Active CN108017290B (zh) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | 减反射玻璃的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108017290B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109231849A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-01-18 | 布勒莱宝光学设备（北京）有限公司 | 红外截止膜以及镀有红外截止膜的产品 |
| CN109734331A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-10 | 浙江旗滨节能玻璃有限公司 | 一种可单片使用减反射低辐射玻璃及其制备方法 |
| CN110133783B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-08-31 | 东莞市微科光电科技有限公司 | 一种红外窄带滤光片制造方法 |
| CN114620947B (zh) | 2022-03-10 | 2023-03-17 | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 | 车辆用憎水减反玻璃及其制造方法与夹层玻璃 |
| CN115724597B (zh) * | 2022-11-23 | 2024-07-30 | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 | 一种玻璃、夹层玻璃及车辆 |
| CN116285444B (zh) * | 2023-04-20 | 2024-03-29 | 梁海潮 | 一种铟改性的纳米二氧化硅增透液及其制备方法、超亲水防尘增透涂层 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006014608A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-09 | Tru Vue, Inc. | Substrate coating |
| CN101236263A (zh) * | 2007-02-01 | 2008-08-06 | 甘国工 | 高透光率玻璃的显示器保护屏及使用该屏的液晶显示器 |
| CN202744455U (zh) * | 2012-07-18 | 2013-02-20 | 浙江大明玻璃有限公司 | 增透减反射镀膜玻璃 |
| CN103770404A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-05-07 | 同济大学 | 一种耐候性太阳能玻璃表面减反膜及其制备方法 |
| CN104553126A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 减反射玻璃及其制备方法 |
| CN107311472A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-03 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种双面减反射无色硬质玻璃及其制备方法 |
-
2017
- 2017-12-13 CN CN201711331050.8A patent/CN108017290B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006014608A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-09 | Tru Vue, Inc. | Substrate coating |
| CN101236263A (zh) * | 2007-02-01 | 2008-08-06 | 甘国工 | 高透光率玻璃的显示器保护屏及使用该屏的液晶显示器 |
| CN202744455U (zh) * | 2012-07-18 | 2013-02-20 | 浙江大明玻璃有限公司 | 增透减反射镀膜玻璃 |
| CN103770404A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-05-07 | 同济大学 | 一种耐候性太阳能玻璃表面减反膜及其制备方法 |
| CN104553126A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 减反射玻璃及其制备方法 |
| CN107311472A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-03 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种双面减反射无色硬质玻璃及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108017290A (zh) | 2018-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108017290B (zh) | 减反射玻璃的制备方法 | |
| KR102500410B1 (ko) | 반사 방지 코팅된 유리 제품 | |
| CN107777894B (zh) | 光学涂覆方法、设备和产品 | |
| JP5090904B2 (ja) | 光触媒被覆物を有する基板 | |
| WO2015085283A1 (en) | Durable anti-reflective coated substrates for use in electronic-devices displays and other related technology | |
| CN109383083B (zh) | 减反射玻璃及其制备方法 | |
| KR101200724B1 (ko) | 반사방지 기능을 구비한 투명기판 | |
| JP2008201633A (ja) | 反射防止膜付きガラス板および窓用合わせガラス | |
| JP2005527452A (ja) | 耐摩耗特性を具備した反射防止コーティングを有する透明基材 | |
| Moghal et al. | Development of single layer nanoparticle anti-reflection coating for polymer substrates | |
| JP2005531814A (ja) | 反射防止コーティングを備えてなる透明な基材 | |
| US20150299470A1 (en) | Scratch and fingerprint resistant anti-reflective films for use on display windows of electronic devices and other related technology | |
| JPH0798414A (ja) | 偏光板および偏光板の製造方法 | |
| TW202229929A (zh) | 光學積層體及物品 | |
| KR20240014563A (ko) | 광학 적층체, 물품 및 화상 표시 장치 | |
| CN110357452B (zh) | 减反射玻璃的制备方法及减反射玻璃 | |
| CN207175782U (zh) | 减反射玻璃 | |
| KR20190104780A (ko) | 적외선 저반사 코팅막 및 이의 제조방법 | |
| CN211445536U (zh) | 复合玻璃和玻璃制品 | |
| WO2015129129A1 (ja) | 広帯域反射防止膜を有する光学部材 | |
| CN212954881U (zh) | 一种减反射膜玻璃 | |
| CN110746121A (zh) | 复合玻璃及其制备方法和应用 | |
| CN103407231A (zh) | 离线增反镀膜玻璃及其制造方法 | |
| WO2023171567A1 (ja) | 光学積層体、物品および画像表示装置 | |
| JP7563019B2 (ja) | カバーガラス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240122 Address after: 518051 sixth intersection of Shekou Industrial Zone, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: CSG HOLDING Co.,Ltd. Country or region after: China Patentee after: Xi'an Nanbo Energy Saving Glass Technology Co.,Ltd. Address before: 518051 sixth intersection of Shekou Industrial Zone, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: CSG HOLDING Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |