CN103407232A - 离线减反射镀膜玻璃及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2；离线减反镀膜玻璃的制备方法为：在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到103Pa，线速度为1.5米/分钟时，在玻璃上依次溅射硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2。本发明具有使用靶材成本低，能够实现低折射率效果的优点。

Description

离线减反射镀膜玻璃及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种玻璃及其制造方法，特别是一种离线减反镀膜玻璃及其制造方法。
背景技术
目前，玻璃表面反射造成的后果：光能量损失，使象的亮度降低；表面反射光经过多次反射或漫射，有一部分成为杂散光，最后也到达象平面，使象的衬度降低，从而影响系统的成像质量。特别是电视、电影摄影镜头等复杂系统，都包含了很多个与空气相邻的表面，如不加上减反膜将完全不能应用。
发明内容
本发明的目的是为了寻找更简单、更稳定的工艺，提供一种低折射率的离线减反镀膜玻璃及其制造方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm。
本发明的进一步改进为：玻璃基片的厚度为6mm，硅的氧化物SiOx的厚度为38nm，氧化硅SiO2的厚度为42nm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm，氧化钛TiO2的厚度为33nm。
一种离线减反镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和硅靶在玻璃基片上溅射第一层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第二层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第三层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化钛靶在玻璃基片上溅射第六层25nm～32nm的氧化钛TiO2。
本发明与现有技术相比具有以下优点：用简单的材料和相对较少的镀膜层数实现低折射率的效果。
具体实施方式：
    为了加深对发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
本发明离线减反镀膜玻璃的一种实施方式为：一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm。
离线减反射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和硅靶在玻璃基片上溅射第一层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第二层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第三层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化钛靶在玻璃基片上溅射第六层25nm～32nm的氧化钛TiO2。
为了减小表面反射光，最简单的途径是在玻璃表面上镀一层低折射率的薄膜。减反射膜，又称增透膜，主要功能是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，从而增加这些元件的透光量。减反射膜是应用最广、产量最大的一种光学薄膜。
实施例1：
在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到10?3Pa，线速度为1.5米/分钟时，在6mm玻璃基片上依次溅射：功率为80KW时溅射的硅的氧化物SiOx厚度为38nm，功率为62KW时溅射的氧化硅SiO2厚度为21nm，功率为62KW时溅射的氧化硅SiO2厚度为21nm，功率为60KW时溅射的钛的氧化物TiOx厚度为14nm，功率为60KW时溅射的钛的氧化物TiOx厚度为14nm，功率为80KW时溅射的氧化钛TiO2厚度为29nm。此厚度的玻璃所用靶材成本低，能够实现低折射率的效果。
本发明具有实现用简单的材料和相对较少的镀膜层数实现低折射率的效果。

Claims (3)

1.一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻璃基片上依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2，所述玻璃基片的厚度为3mm～15mm，所述硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，所述氧化硅SiO2的厚度为30nm～40nm，所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，所述氧化钛TiO2的厚度为25nm～32nm。
2.根据权利要求1所述离线减反镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为6mm，所述硅的氧化物SiOx的厚度为38nm，所述氧化硅SiO2的厚度为42nm，所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm，所述氧化钛TiO2的厚度为33nm。
3.一种离线减反镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；
C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和硅靶在玻璃基片上溅射第一层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；
D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第二层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第三层15nm～20nm的氧化硅SiO2；
F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；
H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化钛靶在玻璃基片上溅射第六层25nm～32nm的氧化钛TiO2。
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