JP2014199915A - 化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法 - Google Patents
化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1の化合物半導体太陽電池100を示す断面図である。
実施の形態1では、GaInPセル180、GaAsセル160、及びGaInPAsセル120によって構成される3接合型の化合物半導体太陽電池100を作製した。3つの光電変換セルのバンドギャップの組み合わせは、1.9eV/1.42eV/1.0eVであった。
図7は、実施の形態3の化合物半導体太陽電池300を示す断面図である。
図8は、実施の形態4の化合物半導体太陽電池400を示す断面図である。
10 電極
20 GaAs基板
30 InPエッチングストップ層
40 GaAsコンタクト層
40A コンタクト層
50 電極
110 InP基板
120 GaInPAsセル
130 接合層
140 接合層
150 トンネル接合層
160 GaAsセル
170 トンネル接合層
180 GaInPセル
200 化合物半導体太陽電池
210 GaInAsセル
220 トンネル接合層
300 化合物半導体太陽電池
320 GaInPAsセル
330 接合層
360 GaInAsセル
400 化合物半導体太陽電池
Claims (12)
- 化合物半導体基板と、
第1化合物半導体材料で作製され、前記化合物半導体基板に積層される、1又は複数の第1光電変換セルと、
第2化合物半導体材料で作製され、前記1又は複数の第1光電変換セルに積層される接合層と、
第3化合物半導体材料で作製され、前記接合層によって前記1又は複数の第1光電変換セルに接合され、光の入射方向において前記1又は複数の第1光電変換セルよりも入射側に配設される、1又は複数の第2光電変換セルと
を含み、
前記1又は複数の第1光電変換セルと、前記1又は複数の第2光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、
前記接合層のバンドギャップは、前記第2光電変換セルが1つである場合は当該1つの第2光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第2光電変換セルが複数である場合は当該複数の第2光電変換セルのうちの少なくとも1つの第2光電変換セルのバンドギャップ以上である、化合物半導体太陽電池。 - 化合物半導体基板と、
第1化合物半導体材料で作製され、前記化合物半導体基板に積層される、1又は複数の第1光電変換セルと、
第2化合物半導体材料で作製され、前記1又は複数の第1光電変換セルに積層される表面層と、
第3化合物半導体材料で作製され、光の入射方向において前記表面層との間に間隔を隔てて前記1又は複数の第1光電変換セルよりも入射側に配設される、1又は複数の第2光電変換セルと、
前記1又は複数の第1光電変換セルと前記表面層との積層体と、前記1又は複数の第2光電変換セルとを固定する固定部と
を含み、
前記1又は複数の第1光電変換セルと、前記1又は複数の第2光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、
前記表面層のバンドギャップは、前記第2光電変換セルが1つである場合は当該1つの第2光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第2光電変換セルが複数である場合は当該複数の第2光電変換セルのうちの少なくとも1つの第2光電変換セルのバンドギャップ以上である、化合物半導体太陽電池。 - 請求項1記載の前記接合層のバンドギャップは、前記入射方向において前記接合層に隣接する第2光電変換セルのバンドギャップ以上である、又は、請求項2記載の前記表面層のバンドギャップは、前記入射方向において前記表面層に隣接する第2光電変換セルのバンドギャップ以上である、化合物半導体太陽電池。
- 請求項1記載の前記接合層、又は、請求項2記載の前記表面層は、InP基板に対して引っ張り歪を有するGaInP、もしくはGaPSbである、化合物半導体太陽電池。
- 前記接合層は、前記光の入射方向において前記接合層に隣接する前記第2光電変換セルと、前記光の入射方向において前記接合層より奥側において前記接合層に隣接する前記第1光電変換セルとの間にトンネル接合を形成する、請求項1記載の化合物半導体太陽電池。
- 前記1又は複数の第1光電変換セルのうち、前記入射方向において最も手前側に位置する第1光電変換セルは、InP系の光電変換セルであり、前記1又は複数の第2光電変換セルのうち、前記入射方向において最も奥側に位置する第2光電変換セルは、GaAs系の光電変換セルである、請求項1乃至5のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。
- 前記第1光電変換セルは、前記入射方向における入射側に、前記1又は複数の第2光電変換セルのうち前記入射方向の最も奥側に位置する第2光電変換セルのバンドギャップ以上のバンドギャップを有する、窓層を含む、請求項1乃至6のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。
- 前記窓層は、GaInP、GaPSb、Al(Ga)InAs、Al(Ga)AsSb、Al(Ga)PSb、Al(In)PSbのいずれかである、請求項7記載の化合物半導体太陽電池。
- 前記1又は複数の第2光電変換セルのうち、少なくとも1つの光電変換セルはGaAs基板に対して圧縮歪を有するGaInAsである、請求項1乃至8のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。
- 前記1又は複数の第1光電変換セルと、前記1又は複数の第2光電変換セルとにより、少なくとも3つの光電変換セルが積層方向に光学的に直列接続された多接合セルである、請求項1乃至9のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。
- (Al)GaInP(As)で構成されるGaAs格子整合系材料セルと、GaIn(P)Asで構成されるInP格子整合系材料セルを、少なくとも含む、請求項10記載の化合物半導体太陽電池。
- 第1化合物半導体基板に、第1化合物半導体材料で1又は複数の第1光電変換セルを積層する工程と、
前記1又は複数の第1光電変換セルに、第2化合物半導体材料で接合層を形成する工程と、
第2化合物半導体基板に、第3化合物半導体材料で、光の入射方向において前記1又は複数の第1光電変換セルよりも入射側に配設される、1又は複数の第2光電変換セルを形成する工程と、
前記接合層を前記1又は複数の第2光電変換セルに接合する工程と、
前記第2化合物半導体基板を除去する工程と
を含み、
前記1又は複数の第1光電変換セルと、前記1又は複数の第2光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、かつ、前記接合層のバンドギャップは、前記1又は複数の第2光電変換セルのバンドギャップ以上である、化合物半導体太陽電池の製造方法。
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