JP2014199739A - 有機ｅｌ表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】狭額縁化を図りつつ、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】本開示の有機ＥＬ表示装置は、それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、表示領域から周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、表示領域と周辺領域との間の第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、第２絶縁層の少なくとも端面が有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、被覆部の外縁側に設けられると共に、第１導電層と第２電極とが積層されてなる封止部とを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。

有機材料のＥＬ現象を利用して発光する有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けて構成されており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。ところが、この有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、吸湿によって有機ＥＬ素子における有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になる等、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いといった問題があった。

そこで、例えば特許文献１には、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、封止のためのカバー材を配置し、基板とカバー材との周縁部をシール材で封止するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている。また、この特許文献１には、水蒸気等の浸入を防ぐ保護膜として、シール材の外側を硬質な炭素膜で覆う構成も提案されている。このような構成により、基板上に形成された有機ＥＬ素子が外部から完全に遮断され、有機ＥＬ素子の酸化による劣化を促す水分や酸素等の物質が外部から浸入することを防ぐことが可能となっている。

また、この他にも、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、接着剤を介して封止のためのカバー材を貼り合わせるようにした、完全固体型の有機ＥＬ表示装置も提案されている。

特開２００２−９３５７６号公報 特開２００６−５４１１１号公報 特開２００８−２８３２２２号公報

有機ＥＬ表示装置では一般に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を用いて構成された駆動回路を覆う状態で層間絶縁層が設けられており、この層間絶縁層上に有機ＥＬ素子が配列形成された構成となっている。この場合、駆動回路の形成によって生じる段差を軽減して平坦化された面上に有機ＥＬ素子を形成するため、例えば有機感光性絶縁層等を用いた平坦化膜によって、層間絶縁層を形成する。ところが、このような有機材料からなる層間絶縁層（有機絶縁層）は水を通し易いため、上述したようにして異物に付着したまま表示装置内に取り残された水分が、この有機絶縁層を介して拡散し易いという問題があった。

そこで、このような問題を解決するため、表示領域を囲む位置（表示領域の外縁側）に、上記した有機絶縁層をその内部領域側と外部領域側とに分離する分離溝を形成するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献２，３参照）。このような分離溝を設けることにより、有機絶縁層における上記外部領域側に存在する水分が、この有機絶縁層内を通過して内部領域側（表示領域側）に浸入することが回避される。したがって、上記したような、表示装置内に取り残された水分が有機絶縁層を通過することに起因した有機層（有機ＥＬ素子）の劣化を抑えることが可能となっている。

しかしながら、この特許文献２，３に提案されている構造では、例えば白色有機ＥＬ素子等の場合のように、有機層等を成膜する際にエリアマスクを使用する場合、以下の問題が生じてしまうため、改善の余地があった。即ち、このような場合、エリアマスクのアライメントずれ（マスクずれ領域）と膜の回り込み（テーパー領域）とを考慮すると、実際には、上記した分離溝を、表示領域から十分に離れた位置に形成する必要がある。このため、額縁を広く取る必要が生じ（表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じ）、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが困難となってしまう。加えて、表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じることから、この領域（分離溝の内部領域）における有機絶縁層内に含まれる水分が有機層へ侵入することに起因して、有機層が劣化してしまうことになる。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、狭額縁化を図りつつ、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

本開示の有機ＥＬ表示装置は、それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、表示領域から周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、表示領域と周辺領域との間の第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、第２絶縁層の少なくとも端面が有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、被覆部の外縁側に設けられると共に、第１導電層と第２電極とが積層されてなる封止部とを備えたものである。

本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。

本開示の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、表示領域と周辺領域との間に第１絶縁層を表示領域側と周辺領域側とに分離する第１分離溝が形成されている。また、周辺領域において、第２絶縁層の端面が有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部およびこの被覆部よりも外縁側において第１導電層と第２電極とが積層されてなる封止部が設けられている。これにより、有機層の形成領域の外縁側の一部の領域に第１絶縁層および第２絶縁層を分離する分離溝を形成している従来とは異なり、第１分離溝の外縁側（従来の場合における上記分離溝の内部領域に対応）における第１絶縁層および第２絶縁層内に含まれる水分の有機層へ浸入が回避される。

本開示の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、表示領域と周辺領域との間の第１絶縁層に第１分離溝を設け、周辺領域に第２絶縁層の端面が有機層または前記第２電極に覆われた被覆部および第１導電層と上部電極とが積層されてなる封止部を形成するようにした。これにより、第１分離溝の外縁側の第１絶縁層および第２絶縁層に含まれる水分が有機層へ浸入することを回避することができる。よって、狭額縁化を図りつつ、有機ＥＬ素子の水分による劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となる。

本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の全体構成を表す図である。 図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の断面図である。 比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の構成の一例を表す断面図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の構成の他の例を表す断面図である。 変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の構成の他の例を表す断面図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の構成の他の例を表す断面図である。 上記実施の形態等の画素を用いた表示装置の適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。 上記実施の形態等の画素を用いた表示装置の適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。 適用例５の開いた状態の正面図および側面図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第１分離溝および第２分離溝を設けた例）
２．変形例
変形例１（有機層と第２電極との間に高抵抗層を設けた例）
変形例２（第３分離溝を設けた例）
変形例３（第２分離溝よりも外縁に金属層を設けた例）
変形例４（第１分離溝の代わりに、基板の端部までの全領域で有機絶縁層を除去してなる除去部を設けた例）
３．適用例（電子機器への適用例）

＜実施の形態＞
（有機ＥＬ表示装置の全体構成例）
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものであり、図２に示したように、基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、白色有機ＥＬ素子１０Ｗと後述するカラーフィルタ１９Ａとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である（図５参照）。なお、図１は、図２に示したＩ−Ｉ線における有機ＥＬ表示装置１Ａの断面図である。図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置１の全体構成の一例を表したものであり、表示領域１１０Ａ内には、複数の画素２（赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバ（後述する周辺回路１２Ｂ）である信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図３は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１６１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された白色有機ＥＬ素子１０Ｗを有している。即ち、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ内にはそれぞれ、この白色有機ＥＬ素子１０Ｗが設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１では、図１に示したように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の有機絶縁層１５１（第１絶縁層）に分離溝２１（第１分離溝）が形成されている。有機ＥＬ表示装置１は、基板１１上に画素駆動回路１２Ａ（画素駆動回路１４０に対応）、周辺回路１２Ｂおよび金属層１３Ａからなる配線層と、無機絶縁層層１４と、有機絶縁層層１５１と、下部電極１６１Ａ（および導電層１６１Ｂ）と、有機絶縁層１５２（第２絶縁層）と、有機層１６０と、上部電極１６２と、保護層１７と、充填剤層（接着層）１８Ａおよびシール剤１８Ｂと、カラーフィルタ１９ＡおよびＢＭ（ブラックマトリクス）層１９Ｂとがこの順に積層された積層構造を有している。また、この積層構造上には封止用基板１９が貼り合わされており、積層構造が封止されるようになっている。

分離溝２１は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の有機絶縁層１５１、具体的には金属層１３に対応する位置の有機絶縁層１５１に設けられており、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離するためのものである。この分離溝２１は側壁および底面が下部電極１６１Ａおよび導電層１６１Ｂによって覆われている。これら下部電極１６１Ａおよび導電層１６１Ｂは同一工程および同一材料によって形成された導電膜であり、例えば分離溝２１の表示領域１１０Ａ側の側壁に設けられた開口Ｐ１によって互いに分離され、両領域間が電気的に非導通となっている。また、本実施の形態では、分離溝２１はさらに無機絶縁層１４を貫通しており、分離溝２１の底部を覆う導電層１６１Ｂが金属層１３Ａと直接積層された接続部（後述するカソードコンタクト２１Ａ）を形成している。分離溝２１の内径は、例えば１０〜１００μｍ程度であり、分離溝２１の深さは、有機絶縁層１５１の厚さと無機絶縁層１４の厚さとを合わせたものであり、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。

基板１１は、その一主面側に白色有機ＥＬ素子１０Ｗが配列形成される支持体である。この基板１１としては、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシート等が用いられる。

画素駆動回路１２Ａおよび周辺回路１２Ｂは、上記信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等からなる駆動回路（映像表示用のドライバ）である。画素駆動回路１２Ａおよび周辺回路１２Ｂは、基板１１上において、有機絶縁層１５１の下層側（具体的には、基板１１と無機絶縁層１４との間）に形成されている。

金属層１３Ａは、画素駆動回路１２Ａ（１４０）や周辺回路１２Ｂに対する配線層として機能すると共に、後述する上部電極１６２とのコンタクトをとるための配線層（電極）として機能するもの（カソードコンタクト２１Ａ）である。金属層１３Ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ）等の金属元素の単体または合金からなる。

無機絶縁層１４は、画素駆動回路１２Ａ、周辺回路１２Ｂ、金属層１３Ａ，１３Ｂおよび基板１１の上にほぼ一様に形成されている。この無機絶縁層１４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）または酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料からなる。

有機絶縁層１５１，１５２はそれぞれ、画素間絶縁層として機能するものであり、有機絶縁層１５１が下層側、有機絶縁層１５２が上層側に形成されている。下層側の有機絶縁層１５１は、基板１１上において、表示領域１１０Ａからその外部領域（例えば、周辺領域１１０Ｂを介して基板１１の端部）まで延在するように形成されている。上層側の有機絶縁層１５２は表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂの一部（例えば、表示領域１１０Ａ寄りの周辺領域１１０Ｂ（テーパー領域Ａ１内））まで形成され、その端面は有機層１６０によって覆われている。有機絶縁層１５１，１５２はそれぞれ、例えばポリイミド、アクリル、ノボラック樹脂またはシロキサン等の有機材料からなる。

下部電極１６１Ａ、有機層１６０および上部電極１６２は、前述した白色有機ＥＬ素子１０Ｗを構成する積層構造となっている。

下部電極１６１Ａは、陽極（アノード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内においては各色の画素２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）ごとに設けられている。また、表示領域１１０Ａの外部領域（主に周辺領域１１０Ｂ）には、この下部電極１６１が延在して形成されると共に、開口Ｐ１によって切断された導電層１６１Ｂがほぼ一様に形成されている。即ち、下部電極１６１Ａおよび導電層１６１Ｂは、同一工程および同一材料によって形成されたものであり、例えば光反射率が７０％程度以上の金属材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）と銀（Ａｇ）との積層等）によって構成されている。

有機層１６０は、有機絶縁層１５２および導電層１６１Ｂ上に、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂの一部にまで延在するように形成されている。具体的には、有機層１６０は、表示領域１１０Ａから図１に示したテーパー領域Ａ１にまで形成され、このテーパー領域Ａ１内において有機絶縁層１５２の端面を覆う被覆部２２が形成されている。ここで、テーパー領域Ａ１とは、有機層１６０の形成時における膜の回り込み領域のことであり、表示領域１１０Ａの外縁（外周）に形成される領域である。

有機層１６０は、図５に示したように、下部電極１６１の側から順に、正孔注入層１６０Ａ、正孔輸送層１６０Ｂ、発光層１６０Ｃ、電子輸送層１６０Ｄおよび電子注入層１６０Ｅを積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層１６０Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。正孔注入層１６０Ａは、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層１６０Ｂは、発光層１６０Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１６０Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１６０Ｄは、発光層１６０Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものであり、電子注入省１６０Ｅは電子注入効率を高めるためのものである。なお、有機層１６０の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。

上部電極１６２は、陰極（カソード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内において各画素２に共通の電極として設けられている。上部電極１６２は透明電極からなり、例えばＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の材料からなるのが好ましい。上部電極１６２はまた、基板１１上において、表示領域１１０Ａからその外部領域（例えば、周辺回路１２Ｂの端部）まで延在するように形成されている。具体的には、有機絶縁層１５２の端面を覆う被覆部２２を介して導電層１６１Ｂ上に設けられた有機層１６０よりも拡張して形成されており、この拡張領域において導電層１６１Ｂと上部電極１６２とが直接積層され、有機層１６０（および有機絶縁層１５２）を外気から遮断する封止部２３が設けられている。これにより、有機絶縁層１５２および有機層１６０への水分の浸入が防止されている。なお、有機層１６０は、必ずしも有機絶縁層１５２の端面を覆う必要はなく、上部電極１６２が直接有機絶縁層１５２の端面を覆うような構成としてもよい。

また、上部電極１６２は、上記のように周辺領域１１０Ｂにおいて導電層１６１Ｂと直接積層されることにより、上部電極１６０と金属層１３Ａとが導電層１６１Ｂを介して電気的に接続されている。即ち、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間には、有機絶縁層１５１を分離する分離溝２１が形成されると共に、上部電極１６２と金属層１３Ａとが電気的に接続された、所謂カソードコンタクト２１Ａが形成されている。このカソードコンタクト２１Ａは、図２に示したように、分離溝２１と共に表示領域１１０Ａを囲むように連続して設けられている。このように、カソードコンタクト２１Ａを、表示パネル（表示領域１１０Ａ）を囲むように設けることにより、大型化した際にパネル中央部の輝度が低下する虞を防止することができる。

保護層１７は、上部電極１６２上に形成されると共に、例えば周辺回路１２Ｂ、無機絶縁層１４、有機絶縁層１５１、導電層１６１Ｂおよび上部電極１６２の端面を覆うように基板１１上まで連続して形成されている。この保護層１７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）または酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料からなる。

充填剤層１８Ａは、保護層１７の上にほぼ一様に形成されており、接着層として機能するものである。この充填剤層１８Ａは、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。

シール材１８Ｂは、基板１１の端部（端縁部）に配設されており、基板１１と封止用基板１９との間の各層を外部から封止するための部材である。このようなシール材１８Ｂもまた、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。

封止用基板１９は、充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂと共に、白色有機ＥＬ素子１０Ｗを封止するものである。封止用基板１９は、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。この封止用基板１９における基板１１側の面上には、各画素２に対応する位置にそれぞれ、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタ１９Ａが設けられ、各画素２の間にＢＭ層１９Ｂ（遮光膜）が設けられている。これにより、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ内の各白色有機ＥＬ素子１０Ｗから発せられた白色光が、上記した各色のカラーフィルタを透過することによって、赤色光，緑色光，青色光がそれぞれ出射されるようになっている。また、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ内ならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

なお、有機絶縁層１５１には、上述した分離溝２１の他に分離溝２４を設けてもよい。分離溝２４は、分離溝２１よりも外側（周辺回路１２Ｂに対応する位置）、具体的には導電層１６１Ｂと上部電極１６２とが直接積層されている領域に形成されている。この分離溝２４は、有機絶縁層１５２よりも広く周辺領域１１０Ｂに形成されている有機絶縁層１５１をさらに内部領域側と外部領域側とに分離するものである。これにより、周辺領域１１０Ｂに設けられている有機絶縁層１５１内に含まれる水分および有機絶縁層１５１を侵入経路とした、外部からの水分の浸入がより低減される。分離溝２４の内径は、例えば１０〜１０００μｍ程度であり、分離溝２４の深さは、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。なお、分離溝２４の壁面および底面は導電層１６１Ｂによって覆われており、溝内部には上部電極１６２が埋設されている。

（有機ＥＬ表示装置１の製造方法）
この有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料からなる基板１１上に、画素駆動回路１２Ａ（１４０）および周辺回路１２Ｂを形成する。また、それと共に、上述した材料からなる金属層１３Ａを、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法およびエッチングにより所望の形状にパターニングすることにより形成する。そののち、これら画素駆動回路１２Ａ、周辺回路１２Ｂおよび金属層１３Ａの上に、上述した材料からなる無機絶縁層１４を、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成する。但し、このときの成膜方法としては、上記したＣＶＤ法には限られず、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition；原子層堆積）法、（真空）蒸着法等を用いるようにしてもよい。次いで、表示領域１１０Ａ内のフォトリソグラフィー法によるパターングと同時に金属層１３Ａを露出させるようにパターングし、金属層１３Ａ上の無機絶縁層をエッチングにより除去する。

続いて、この無機絶縁層１４上に、上述した材料からなる有機絶縁層１５１を、例えばスピンコート法や液滴吐出法等の塗布法（湿式法）により形成する。そののち、分離溝２１を、例えばフォトリソグラフィー法により、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間に形成し、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離する。また、同時に、周辺領域１１０Ｂ内（周辺回路１２Ｂに対応する領域内）の一部の領域に分離溝２４を形成し、周辺領域１１０Ｂに形成されている有機絶縁層１５１をさらに内部領域側と外部領域側とに分離する。次いで、有機絶縁層１５１上に、上述した材料からなる下部電極１６１Ａおよび導電層Ｂとなる金属膜を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングすることにより形成する。具体的には、図１に示したように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界付近において下部電極１６１を切断し、両領域間が電気的にも非導通となるようにする。これにより、分離溝２１および分離溝２４の側面および底部が、それぞれ対応する下部電極１６１Ａおよび導電層１６Ｂにより被覆される。

次に、下部電極１６１Ａ、導電層１６１Ｂおよび有機絶縁層１５１の上に、上述した材料からなる有機絶縁層１５２を、例えばスピンコート法や液滴吐出法等の塗布法（湿式法）により形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィー法により周辺領域１１０Ｂの一部の領域の有機絶縁層１５２を除去する。続いて、有機絶縁層１５２上に、上述した材料からなる有機層１６０の各層を、表示領域１１０Ａをカバーするエリアマスクを用いて、例えば蒸着法により形成する。このとき、実際には、表示領域１１０Ａから図１に示したテーパー領域Ａ１にまで、有機層１６０が回り込んで成膜される。

次に、上述した材料からなる上部電極１６２を、例えばスパッタ法を用いて有機層１６０および導電層１６１Ｂの上に成膜すると共に、分離溝２４の溝内を埋め込む。続いて、上部電極１６２の上に、上述した材料からなる保護層１７を、例えばプラズマＣＶＤ法やＰＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法等を用いて形成する。これにより、上部電極１６２の上面および周辺回路１２Ｂ、無機絶縁層１４、有機絶縁層１５１、導電層１６１Ｂ、上部電極１６２の側面がこの保護層１７により被覆される。

続いて、上述した材料からなる封止用基板１９上に、カラーフィルタ１９ＡおよびＢＭ層１９Ｂをそれぞれ、例えばスピンコート法等により塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより形成する。

次に、封止用基板１９上に、前述した材料からなる充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂをそれぞれ形成する。最後に、これらの充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂを間にして、封止用基板１９を貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１が完成する。

（有機ＥＬ表示装置１の作用・効果）
この有機ＥＬ表示装置１では、各画素２に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、白色有機ＥＬ素子１０Ｗに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、ここでは有機ＥＬ表示装置１が上面発光型（トップエミッション型）であるため、上部電極１６２、保護層１７、充填剤層１８Ａ、各色のカラーフィルタ（図示せず）および封止用基板１９を透過して取り出される。このようにして、有機ＥＬ表示装置１において映像表示（カラー映像表示）がなされる。

ところで、このような有機ＥＬ表示装置では一般に、吸湿によって有機ＥＬ素子における有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になる等、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いといった問題がある。

（比較例）
そこで、図６に示した比較例に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１００）では、以下のような有機層１６０への水分の侵入を防ぐ構造を設けることにより、上記の問題（水分に起因した、有機ＥＬ素子における有機層の劣化）を解決している。図６は、この比較例に係る有機ＥＬ表示装置１００の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１００では、有機層１６０への水分の侵入を防ぐ構造として、表示領域１１０Ａを囲む位置（表示領域１１０Ａの外縁側，外周側）に、２つ（２種類）の分離溝１０１，１０２が形成されている。

具体的には、まず、シール材１８Ｂに対応する領域（基板１１の端部付近）に、有機絶縁層１５１，１５２をそれぞれその内部領域側と外部領域側とに分離する分離溝１０１が形成されている。また、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域、具体的には、前述したテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）と周辺領域１１０Ｂとの間の領域に、分離溝１０２が形成されている。この分離溝１０２は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１における分離溝２１とは異なり、有機絶縁層１５１，１５２の双方を、表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離するものとなっている。

この比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、上記した分離溝１０２が設けられていることにより、上記周辺領域１１０Ｂ側の有機絶縁層１５１，１５２に存在する水分が、これら有機絶縁層１５１，１５２内を通過して表示領域１１０Ａ側に浸入することが回避される。したがって、分離溝２５によって外部から有機層１６０への水分の侵入を防ぐことが可能となるのに加え、有機表示装置１００内に取り残された水分が有機絶縁層１５１，１５２を通過することに起因した、有機層１６０の劣化を抑えることが可能となっている。

ところが、前述したように、白色有機ＥＬ素子１０Ｗを構成する有機層１６０等の成膜の際にエリアマスクを使用する場合、この比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、以下の問題が生じてしまう。即ち、このような場合、エリアマスクのアライメントずれ（図中のマスクずれ領域Ａ２）と膜の回り込み（図中のテーパー領域Ａ１）とを考慮すると、上記した分離溝１０２を、表示領域１１０Ａから十分に離れた位置に形成する必要がある。具体的には、上記したように、テーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）と周辺領域１１０Ｂとの領域に、分離溝１０２を形成することになる。これは、分離溝１０２が、有機絶縁層１５１，１５２の双方を分離するための溝であることから、有機層１６０が形成される（可能性がある）テーパー領域Ａ１やマスクずれ領域Ａ２には、分離溝１０２を形成することができないことに起因している。

このことから、比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、図６のように額縁を広く取る必要が生じ、狭額縁化を図ることが困難となってしまう。加えて、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を広く取ることにより、この領域（分離溝１０２の内部領域）における有機絶縁層１５１，１５２内に含まれる水分が有機層１６０へ侵入することに起因して、有機層１６０が劣化してしまうことになる

（本実施の形態）
これに対して本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１では、上記比較例とは異なり、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間に、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離する分離溝２１が設けられている。また、有機絶縁層１５２は想定されるテーパー領域Ａ１よりも外周（外縁）側が除去され、有機絶縁層１５２の端面は有機層１６０または上部電極１６２によって覆われている。更に、有機層１６０（および有機絶縁膜層１５２）は導電層１６１Ａと、有機層１６０よりも上層に形成されている上部電極１６２とによって封止されている。即ち、この有機ＥＬ表示装置１では、比較例とは異なり、テーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２より内周側において下層側の有機絶縁層１５１を選択的に分離する。また、周辺領域１１０Ｂに設けられた有機絶縁層１５２は有機層１６０の形成領域よりも表示領域１１０Ａ側から除去され、導電層１６１Ｂおよび上部電極１６２によって有機層１６０と共に有機絶縁膜１５２が封止されている。

これにより、本実施の形態では、上記分離溝１０２が形成されている比較例とは異なり、周辺領域１１０Ｂに形成された有機絶縁層１５１内に含まれる水分および有機絶縁層１５１を侵入経路とした外部からの水分の有機層１６０への浸入が回避される。また、有機絶縁層１５２から有機層１６０への浸入する虞のある水分量が低減される。

更にまた、分離溝２１等の、有機層１６０への水分の侵入を防ぐ構造を表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間（比較例におけるテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の内部領域）に形成できるため、比較例と比べて周辺回路１２Ｂ（周辺領域１１０Ｂ）を表示領域１１０Ａ側に形成することができるようになる。即ち、上記比較例と比べて額縁を狭くする（表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を小さくする）ことができ、狭額縁化（表示装置の小型化および低コスト化）が実現される。

また、本実施の形態では分離溝２１において、上部電極１６２が積層された導電層１６１Ｂと金属層１３Ａとを積層させることにより、上部電極１６２と金属層１３Ａとが電気的に接続されるようになる。即ち、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間に、カソードコンタクト２１Ａが表示領域１１０Ａを連続して囲むように設けられるため、表示パネル内の輝度ムラを低減することができる。更に、分離溝２１よりも外側の有機絶縁層１５１に分離溝２４を形成することにより、有機絶縁層１５１内に含まれる水分および有機絶縁層１５１を侵入経路とした外部からの水分の浸入がより低減される。

以上のように本実施の形態では、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間に、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離する分離溝２１を形成する。また、有機絶縁層１５２の端面が有機層１６０または上部電極１６２によって覆われる被覆部２２および有機層１６０を導電層１６１Ｂと上部電極１６２とによって封止する封止部２３を設けるようにしたので、有機層１６０への水分の浸入が回避することができる。よって、有機ＥＬ素子１０の劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となると共に、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を小さくすることができ、狭額縁化を図ることも可能となる。

＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜４）について説明する。なお、上記実施の形態における構成要素と同じものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

（変形例１）
図７は、変形例１に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１Ａは、有機層１６０と上部電極１６２との間に高抵抗層１６３を設けた点が上記実施の形態とは異なる。

高抵抗層１６３は、図７に示したように、例えば有機層１６０の上面および側面（端面）を覆うように有機層１６０の形成領域よりも拡張して設けられており、その端面は上記実施の形態における有機層１６０と同様に導電層１６１Ｂと上部電極１６２とによって封止されている。高抵抗層１６３の材料としては、例えば抵抗率が１〜１０⁷Ωｃｍの材料、具体的には、例えば酸化ニオブ（ＮｂＯｘ），酸化チタン（ＴｉＯｘ），酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）または酸化タンタル（ＴａＯｘ）、あるいは酸化ニオブ（ＮｂＯｘ）と酸化チタン（ＴｉＯｘ）の混合物，酸化チタン（ＴｉＯｘ）と酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）の混合物または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と酸化スズ（ＳｎＯｘ）の混合物が挙げられる。

このように、有機層１６０と上部電極１６２との間に高抵抗層１６３を設けることにより、上記実施の形態における効果に加えて、有機ＥＬ表示装置１Ａにおける滅点の発生が抑制されるという効果を奏する。

（変形例２）
図８は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１Ｂは、分離溝２１よりも外側の有機絶縁層１５１に複数の分離溝（分離溝２４，２５）を形成した点が上記実施例とは異なる。また、図９は本変形例と上記変形例１とを組み合わせたもの、即ち、有機層１６０と上部電極１６２との間に高抵抗層１６３を設けると共に、分離溝２１よりも外側の有機絶縁層１５１に分離溝２４，２５を形成した有機ＥＬ表示装置１Ｃの断面構成を表したものである。なお、本変形例では有機絶縁層１５１を分離する２つの分離溝（分離溝２４，２５）設けたが、これに限らず、３つ以上形成しても構わない。

このような構成の有機ＥＬ表示装置１Ｂ，１Ｃにおいても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、分離溝２１よりも外側の有機絶縁層１５１に複数の分離溝を設けることにより、有機絶縁層１５１内に含まれる水分および有機絶縁層１５１を侵入経路とした、外部からの水分の浸入をより低減させる効果が得られる。

（変形例３）
図１０は、変形例３に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｄ）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１Ｄは、周辺回路１２Ｂの外側に金属層１３Ｂを設け、この金属層１３Ｂにおいても導電層１６１Ｂおよび上部電極１６２と電気的に接続されている点が上記実施の形態とは異なる。また、図１１は本変形例と上記変形例１とを組み合わせたもの、即ち、有機層１６０と上部電極１６２との間に高抵抗層１６３を設けると共に、周辺回路１２Ｂの外側に金属層１３Ｂを設け、金属層１３Ｂ、導電層１６１Ｂおよび上部電極１６２が電気的に接続された有機ＥＬ表示装置１Ｅの断面構成を表したものである。

このような構成の有機ＥＬ表示装置１Ｄ，１Ｅにおいても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、周辺回路１２Ｂの外側に金属層１３Ｂを設けることによって導電層１６１Ｂと金属層１３Ａのみのカソードコンタクトより抵抗を低くすることができ、表示パネルの輝度ムラをより低減することが可能となる。

（変形例４）
図１２は、変形例４に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｆ）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１Ｆは、分離溝２１によって分離された有機絶縁層１５１のうち、周辺領域１１０Ｂ側に設けられた有機絶縁層１５１を除去した点が上記実施の形態とは異なる。また、図１３は本変形例と上記変形例１とを組み合わせたもの、即ち、有機層１６０と上部電極１６２との間に高抵抗層１６３を設けると共に、分離溝２１によって分離された有機絶縁層１５１のうち、周辺領域１１０Ｂ側に設けられた有機絶縁層１５１を除去された有機ＥＬ表示装置１Ｇの断面構成を表したものである。

このような構成の有機ＥＬ表示装置１Ｆ，１Ｇでは、有機層１６０を劣化させる水分を含む有機絶縁層１５１を周辺回路１２Ｂ上から除去し、有機絶縁層１５１の形成領域を少なくするようにしたので、上記実施の形態よりも有機層１６０への水分の浸入が回避される。即ち、有機ＥＬ表示素子１０Ｗの水分による劣化をより抑制することができる。

但し、本変形例では、導電層１６１Ｂと無機絶縁層１４との間に絶縁層を設けたほうが寄生容量を低減することができるため、周辺回路１２Ｂ上の有機絶縁層１５１除去しない方が望ましいといえる。

＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１，１Ａ〜１Ｇ）の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等のあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

＜７．適用例＞
上記実施の形態および変形例１〜４で説明した表示装置１，１Ａ〜１Ｇは、例えば、下記電子機器として好適に用いることができる。

（適用例１）
図１４Ａは、スマートフォンの外観を表側から、図１６Ｂは裏側から表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部６１０（表示装置１）および非表示部（筐体）６２０と、操作部６３０とを備えている。操作部６３０は、図１４Ａに示したように非表示部６２０の前面に設けられていてもよいし、図１４Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。

（適用例２）
図１５は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００を有しており、映像表示画面２００が、上記表示装置に相当する。

（適用例３）
図１６Ａは、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表側から、図１６Ｂは裏側から表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０、上記表示装置としての表示部３２０、メニュースイッチ３３０およびシャッターボタン３４０を有している。

（適用例４）
図１７は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０，文字等の入力操作のためのキーボード４２０および上記表示装置としての表示部４３０を有している。

（適用例６）
図１８は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０，この本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０および上記表示装置としての表示部５４０を有している。

（適用例７）
図１９Ａは、適用例５に係る携帯電話機の閉じた状態における正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図を表したものである。図１９Ｂは、携帯電話機の開いた状態における正面図および側面図を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。ディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記表示装置に相当する。

＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。具体的には、例えば上記実施の形態等では、本開示における「第１絶縁層および第２絶縁層」がそれぞれ有機絶縁層（有機絶縁層１５１，１５２）である場合について説明したが、場合によっては、これらの絶縁層を有機材料以外の材料によって構成してもよい。

また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置が上面発光型（トップエミッション型）のものである場合について説明したが、これには限られず、例えば下面発光型（ボトムエミッション型）の構成としてもよい。このような下面発光型の有機ＥＬ表示装置の場合、有機層１６０内の発光層からの光は、下部電極および基板１１を透過して外部へ取り出されることになる。また、このような有機ＥＬ表示装置において、いわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）構造を設けるようにしてもよい。この微小共振器構造は、例えば、一対の反射膜間に所定の屈折率差を有する複数の層を積層した構造であり、入射光を一対の反射膜間で繰り返し反射させることにより光閉じ込めを行うものである。

更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子１０Ｗ）の有機層１６０の構成を、下部電極１６１の側から順に、正孔注入層１６０Ａ、正孔輸送層１６０Ｂ、発光層１６０Ｃ、電子輸送層１６０Ｄおよび電子注入層１６０Ｅを積層した積層構造としたが、これに限らない。例えば、所謂スタック構造、具体的には、上記積層構造上に電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、正孔注入層１６０Ａ’、正孔輸送層１６０Ｂ’、発光層１６０Ｃ’、電子輸送層１６０Ｄ’および電子注入層１６０Ｅ’を積層した構成としてもよい。

なお、電荷発生層を間にした各層（例えば正孔注入層１６０Ａ、１６０Ａ’）は、互いに同じ材料によって形成してもよいし、異なる材料を用いて形成してもよく、各発光層１６０Ｃ，１６０Ｃ’に適した材料を用いることが好ましい。また、発光層１６０Ｃ、１６０Ｃ’はそれぞれ必ずしも単層ではなく、異なる色光を発する発光層を２層以上積層させてもよい。具体的には、例えば上記実施の形態のように有機ＥＬ素子として白色有機ＥＬ素子１０Ｗを用いる場合には、発光層１６０Ｃとして青色発光層を、発光層１６０Ｃ’として黄色発光層を形成するようにしてもよい。あるいは、発光層１６０Ｃとして青色発光層を、発光層１６０Ｃ’として赤色発光層および緑色発光層の２層を積層させて白色有機ＥＬ素子１０Ｗとしてもよい。

加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。

また、上記実施の形態等では、色画素として赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂの３種類を例に説明したが、これに限らず、例えば白色画素２Ｗや黄色画素２Ｙ等の色画素を組み合わせてもよい。

なお、本技術は以下のような構成をとることも可能である。
（１）それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、前記表示領域から前記周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、前記表示領域と前記周辺領域との間の前記第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、前記第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の前記第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、前記第２絶縁層の少なくとも端面が前記有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、前記被覆部の外縁側に設けられると共に、前記第１導電層と前記第２電極とが積層されてなる封止部とを備えた有機ＥＬ表示装置。
（２）前記基板と前記第１絶縁層との間に、前記基板側から第２導電層、第３絶縁層の順に設けられ、前記第１分離溝は前記第１絶縁層および前記第３絶縁層を分離し、前記第１分離溝の底部において前記第１導電層と前記第２導電層とが積層された接続部が形成されている、前記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記第２電極および前記第２導電層は、前記第１導電層を介して電気的に接続されている、前記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記第１電極および前記第１導電層は同一工程によって形成されている、前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記周辺領域に設けられると共に、前記第１絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２分離溝を有する、前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記第２分離溝の壁面および底面は前記第１導電層によって被覆され、前記第２分離溝は前記第２電極によって埋め込まれている、前記（３）乃至（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）前記有機層と前記第２電極との間に高抵抗層を有する、前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は有機絶縁層であり、前記第３絶縁層は無機絶縁層である、前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記基板の端部にシール材が配設されている、前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記周辺回路は、前記基板上において前記第３絶縁層の下層側に形成されている、前記（２）乃至（９）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）前記発光素子は、前記基板上に、前記第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層の順に設けられている、前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１２）前記発光素子は、前記基板上に、前記第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が設けられている、前記（１）乃至（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（１３）前記複数の画素は、赤色画素、緑色画素および青色画素、または、赤色画素、緑色画素、青色画素、および白色画素からなる、前記（１）乃至（１２）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１４）有機ＥＬ表示装置を備え、前記有機ＥＬ表示装置は、それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、前記表示領域から前記周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、前記表示領域と前記周辺領域との間の前記第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、前記第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の前記第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、前記第２絶縁層の少なくとも端面が前記有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、前記被覆部の外縁側に設けられると共に、前記第１導電層と前記第２電極とが積層されてなる封止部とを有する電子機器。

１，１Ａ〜１Ｇ…有機ＥＬ表示装置、２…画素、２Ｒ…赤色画素、２Ｇ…緑色画素、２Ｂ…青色画素、１０Ｗ…白色有機ＥＬ素子、１１…基板、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域、１２Ａ（１４０）…画素駆動回路、１２Ｂ…周辺回路、１３Ａ，１３Ｂ…金属層、１４…無機絶縁層、１５１，１５２…有機絶縁層、１６０…有機層１６０１…下部電極、１６２…上部電極、１７…保護層、１８Ａ…充填剤層、１８Ｂ…シール材、１９…封止用基板、１９Ａ…カラーフィルタ、１９Ｂ…ＢＭ層、２１，２４，２５…分離溝、２１Ａ…カソードコンタクト、２２…被覆部、２３…封止部、Ａ１…テーパー領域、Ａ２…マスクずれ領域。

Claims (14)

1. それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、
   前記表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、
   前記表示領域から前記周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、
   前記表示領域と前記周辺領域との間の前記第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、
   前記第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の前記第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、
   前記第２絶縁層の少なくとも端面が前記有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、
   前記被覆部の外縁側に設けられると共に、前記第１導電層と前記第２電極とが積層されてなる封止部と
   を備えた有機ＥＬ表示装置。
2. 前記基板と前記第１絶縁層との間に、前記基板側から第２導電層、第３絶縁層の順に設けられ、前記第１分離溝は前記第１絶縁層および前記第３絶縁層を分離し、前記第１分離溝の底部において前記第１導電層と前記第２導電層とが積層された接続部が形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第２電極および前記第２導電層は、前記第１導電層を介して電気的に接続されている、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１電極および前記第１導電層は同一工程によって形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記周辺領域に設けられると共に、前記第１絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２分離溝を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第２分離溝の壁面および底面は前記第１導電層によって被覆され、前記第２分離溝は前記第２電極によって埋め込まれている、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記有機層と前記第２電極との間に高抵抗層を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は有機絶縁層であり、前記第３絶縁層は無機絶縁層である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記基板の端部にシール材が配設されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記周辺回路は、前記基板上において前記第３絶縁層の下層側に形成されている、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記発光素子は、前記基板上に、前記第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層の順に設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 前記発光素子は、前記基板上に、前記第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
13. 前記複数の画素は、赤色画素、緑色画素、および青色画素、または、赤色画素、緑色画素、青色画素、および白色画素からなる、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 有機ＥＬ表示装置を備え、
    前記有機ＥＬ表示装置は、
    それぞれ、基板側から第１電極、発光層を含む有機層および第２電極の順に積層された発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域と、
    前記表示領域の外縁側に設けられると共に、周辺回路を有する周辺領域と、
    前記表示領域から前記周辺領域へ延在するように設けられた、下層側の第１絶縁層および上層側の第２絶縁層と、
    前記表示領域と前記周辺領域との間の前記第１絶縁層に設けられた第１分離溝と、
    前記第１分離溝の側面から底部を介して、周辺領域の前記第1絶縁層上に設けられた第１導電層と、
    前記第２絶縁層の少なくとも端面が前記有機層または前記第２電極によって覆われた被覆部と、
    前記被覆部の外縁側に設けられると共に、前記第１導電層と前記第２電極とが積層されてなる封止部と
    を有する電子機器。

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