JP2014194998A - 有機太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】安定で安価な下部電極を有する有機太陽電池を提供する。
【解決手段】金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含む有機太陽電池であって、前記有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層を前記第2の金属層からこの順に含む積層体である有機太陽電池。
【選択図】なし
【解決手段】金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含む有機太陽電池であって、前記有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層を前記第2の金属層からこの順に含む積層体である有機太陽電池。
【選択図】なし
Description
本発明は、有機太陽電池に関する。
有機太陽電池(有機薄膜太陽電池)は、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードや撮像素子、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池に代表されるように、光入力に対して電気出力を示す装置である。
太陽電池は、化石燃料の枯渇問題や地球温暖化問題を背景に、クリーンエネルギー源として近年大変注目され、研究開発が盛んに行なわれている。
従来、実用化されてきたのは、単結晶Si、多結晶Si、アモルファスSi等に代表されるシリコン系太陽電池であるが、高価であることや原料Siの不足問題等が表面化するにつれて、次世代太陽電池への要求が高まりつつある。このような背景の中で、有機太陽電池は、安価で毒性が低く、原材料不足の懸念もないことから、シリコン系太陽電池に次ぐ次世代の太陽電池として大変注目を集めている。
従来、実用化されてきたのは、単結晶Si、多結晶Si、アモルファスSi等に代表されるシリコン系太陽電池であるが、高価であることや原料Siの不足問題等が表面化するにつれて、次世代太陽電池への要求が高まりつつある。このような背景の中で、有機太陽電池は、安価で毒性が低く、原材料不足の懸念もないことから、シリコン系太陽電池に次ぐ次世代の太陽電池として大変注目を集めている。
有機太陽電池としては、ボトム入射構造とトップ入射構造が知られており、特にトップ入射構造はあまり研究報告がされておらず、実用化に向けた要求が高い。
特許文献1には、トップ入射型の有機太陽電池において、バッファー層としてアルカリ金属又はアルカリ金属土類をドープした層を用いる事が開示されている。また、特許文献2には、ボトム入射型の逆層配列を有する有機太陽電池が開示されている。
有機太陽電池及びそれを用いた有機太陽電池モジュールにおいて、製造コスト等の観点からトップ入射型の逆層配列を有する有機太陽電池の開発が求められている。
特許文献1には、トップ入射型の有機太陽電池において、バッファー層としてアルカリ金属又はアルカリ金属土類をドープした層を用いる事が開示されている。また、特許文献2には、ボトム入射型の逆層配列を有する有機太陽電池が開示されている。
有機太陽電池及びそれを用いた有機太陽電池モジュールにおいて、製造コスト等の観点からトップ入射型の逆層配列を有する有機太陽電池の開発が求められている。
本発明の目的は、高い光電変換効率を示す有機太陽電池を提供することである。
本発明の一形態によれば、以下の有機太陽電池が提供される。
金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含む有機太陽電池であって、前記有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層を前記第2の金属層からこの順に含む積層体である有機太陽電池。
金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含む有機太陽電池であって、前記有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層を前記第2の金属層からこの順に含む積層体である有機太陽電池。
本発明によれば、安定で安価な下部電極を有する有機太陽電池が提供できる。
本発明の一形態に係る有機太陽電池は、金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含み、有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層をこの順に含む積層体である。
本発明の一形態に係る有機太陽電池は、透明な上部電極を介して光電変換層に太陽光が入射される構造を有するトップ入射型の逆層配列を有する有機太陽電池であって、金属電極、第1金属層及び第2金属層の積層体は下部電極として機能でき、当該下部電極が積層体であることで安定化することができる。
また、ボトム入射型の有機太陽電池の場合、通常、基板と下部電極(例えばITO)の積層体を用いるが、トップ入射型であれば基板上にアルミニウムのような金属電極を積層したものを使用でき、コスト削減等を図ることができる。
本発明の一形態に係る有機太陽電池は、透明な上部電極を介して光電変換層に太陽光が入射される構造を有するトップ入射型の逆層配列を有する有機太陽電池であって、金属電極、第1金属層及び第2金属層の積層体は下部電極として機能でき、当該下部電極が積層体であることで安定化することができる。
また、ボトム入射型の有機太陽電池の場合、通常、基板と下部電極(例えばITO)の積層体を用いるが、トップ入射型であれば基板上にアルミニウムのような金属電極を積層したものを使用でき、コスト削減等を図ることができる。
以下、有機太陽電池の各部材について説明する。
[金属電極、第1金属層及び第2金属層]
金属電極の材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、モリブデン等の金属、及びそれらの金属のうちの2つ以上の金属の合金、、グラファイト、グラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。より好ましくはアルミニウム、チタン、モリブデン、銀である。
第1金属層の材料としては、イオン化傾向の小さい金属が挙げられ、好ましくは金、プラチナ、銀、水銀又は銅である。
第2金属層の材料としては、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる金属が挙げられ、好ましくはカルシウム(Ca)である。
[金属電極、第1金属層及び第2金属層]
金属電極の材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、モリブデン等の金属、及びそれらの金属のうちの2つ以上の金属の合金、、グラファイト、グラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。より好ましくはアルミニウム、チタン、モリブデン、銀である。
第1金属層の材料としては、イオン化傾向の小さい金属が挙げられ、好ましくは金、プラチナ、銀、水銀又は銅である。
第2金属層の材料としては、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる金属が挙げられ、好ましくはカルシウム(Ca)である。
金属電極、第1金属層、及び第2金属層の厚さは、例えばそれぞれ0.1nmから10μmの範囲であり、好ましくはそれぞれ0.1nmから0.2μmの範囲である。
上記のうち、第1金属層の厚さは、好ましくは1nmから50nm、より好ましくは2.5から20nmである。
上記のうち、第2金属層の厚さは、好ましくは0.1nmから10nmである。
上記のうち、第1金属層の厚さは、好ましくは1nmから50nm、より好ましくは2.5から20nmである。
上記のうち、第2金属層の厚さは、好ましくは0.1nmから10nmである。
[有機層]
有機層は、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層の積層体である。従って、本発明の一形態に係る有機太陽電池のセル構造は、以下の構造のいずれかを含む:
(1)下部電極/電子受容体(n材料)と電子供与体(p材料)の混合層/上部電極
(2)下部電極/電子受容体を含む層(n層)/電子供与体を含む層(p層)/上部電極
有機層は、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層の積層体である。従って、本発明の一形態に係る有機太陽電池のセル構造は、以下の構造のいずれかを含む:
(1)下部電極/電子受容体(n材料)と電子供与体(p材料)の混合層/上部電極
(2)下部電極/電子受容体を含む層(n層)/電子供与体を含む層(p層)/上部電極
上記電子受容体としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、C60等のフラーレン及びその誘導体、カーボンナノチューブ、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン等のフェナントロリン誘導体が挙げられ、とりわけフラーレン及びその誘導体が好ましい。電子の移動度が高い材料が好ましい。さらに、好ましくは、電子親和力が小さい材料が好ましい。このように電子親和力の小さい材料をn層として組み合わせることで充分な開放端電圧を実現することができる。
フラーレン及びその誘導体としては、C60、C70、C84及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体とは、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。
上記フラーレン誘導体としては、例えば、式(I)で表される化合物、式(II)で表される化合物、式(III)で表される化合物、式(IV)で表される化合物が挙げられる。
(式(I)〜(IV)中、
Raは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はエステル構造を有する基である。複数のRaは、互いに同一であっても相異なってもよい。
Rbはアルキル基、又はアリール基を表す。複数のRbは、互いに同一であっても相異なってもよい。)
上記フラーレン誘導体としては、例えば、式(I)で表される化合物、式(II)で表される化合物、式(III)で表される化合物、式(IV)で表される化合物が挙げられる。
Raは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はエステル構造を有する基である。複数のRaは、互いに同一であっても相異なってもよい。
Rbはアルキル基、又はアリール基を表す。複数のRbは、互いに同一であっても相異なってもよい。)
Raのエステル構造を有する基は、例えば、下記式式(V)で表される基が挙げられる。
(式(V)中、
u1は、1〜6の整数を表す。
u2は、0〜6の整数を表す。
Rcは、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。)
u1は、1〜6の整数を表す。
u2は、0〜6の整数を表す。
Rcは、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。)
n層の材料として無機化合物を用いる場合、n型特性の無機半導体化合物を挙げることができる。具体的には、n−Si、GaAs、CdS、PbS、CdSe、InP、Nb2O5、WO3、Fe2O3等のドーピング半導体及び化合物半導体、また、二酸化チタン(TiO2)、一酸化チタン(TiO)、三酸化二チタン(Ti2O3)等の酸化チタン、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等の導電性酸化物が挙げられ、これらのうちの1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。好ましくは、酸化チタン、特に好ましくは、二酸化チタンを用いる。
電子供与体としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
電子受容体及び電子供与体を含む層の当該電子受容体及び電子供与体は、それぞれ1種単独、又は2種以上の混合物を使用してもよい。
また、電子受容体を含む層は、例えば1種単独の電子受容体からなる層、2種以上の電子受容体の混合物からなる層、2種以上の電子受容体それぞれからなる積層体のいずれでもよい。同様に、電子供与体を含む層は、例えば1種単独の電子供与体からなる層、2種以上の電子供与体の混合物からなる層、及び2種以上の電子供与体それぞれからなる積層体のいずれでもよい。
また、電子受容体を含む層は、例えば1種単独の電子受容体からなる層、2種以上の電子受容体の混合物からなる層、2種以上の電子受容体それぞれからなる積層体のいずれでもよい。同様に、電子供与体を含む層は、例えば1種単独の電子供与体からなる層、2種以上の電子供与体の混合物からなる層、及び2種以上の電子供与体それぞれからなる積層体のいずれでもよい。
[透明電極]
透明電極は半透明電極を含み、透明電極又は半透明電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、NESA(酸化錫)、金、白金、銀、銅が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
透明電極は半透明電極を含み、透明電極又は半透明電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、NESA(酸化錫)、金、白金、銀、銅が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
[バッファー層]
本発明の一形態に係る有機太陽電池は、必要に応じて、電極と有機層の間にバッファー層を設けてもよい。例えば具体例として、上記構成(2)にバッファー層を設けた場合、下記構成を有する構造が挙げられる。
(3)下部電極/バッファー層/n層/p層/上部電極
(4)下部電極/n層/p層/バッファー層/上部電極
(5)下部電極/バッファー層/n層/p層/バッファー層/上部電極
本発明の一形態に係る有機太陽電池は、必要に応じて、電極と有機層の間にバッファー層を設けてもよい。例えば具体例として、上記構成(2)にバッファー層を設けた場合、下記構成を有する構造が挙げられる。
(3)下部電極/バッファー層/n層/p層/上部電極
(4)下部電極/n層/p層/バッファー層/上部電極
(5)下部電極/バッファー層/n層/p層/バッファー層/上部電極
一般に、有機太陽電池は総膜厚が薄いことが多く、そのため透明電極と下部電極が短絡し、セル作製の歩留まりが低下することが多い。このような場合には、バッファー層を積層することによってこれを防止することが好ましい。
バッファー層に好ましい化合物としては、膜厚を厚くしても短絡電流が低下しないようにキャリア移動度が充分に高い化合物が好ましい。例えば、低分子化合物であれば下記に示すNTCDAに代表される芳香族環状酸無水物等が挙げられ、高分子化合物であればポリ(3,4−エチレンジオキシ)チオフェン:ポリスチレンスルホネート(PEDOT:PSS)、ポリアニリン:カンファースルホン酸(PANI:CSA)等に代表される公知の導電性高分子等が挙げられる。
(PEDOT:PSSにおいて、n及びmは、それぞれ繰り返し数である。)
バッファー層に好ましい化合物としては、膜厚を厚くしても短絡電流が低下しないようにキャリア移動度が充分に高い化合物が好ましい。例えば、低分子化合物であれば下記に示すNTCDAに代表される芳香族環状酸無水物等が挙げられ、高分子化合物であればポリ(3,4−エチレンジオキシ)チオフェン:ポリスチレンスルホネート(PEDOT:PSS)、ポリアニリン:カンファースルホン酸(PANI:CSA)等に代表される公知の導電性高分子等が挙げられる。
バッファー層には、励起子が電極まで拡散して失活してしまうのを防止する役割を持たせることも可能である。このように励起子阻止層としてバッファー層を挿入することは、高効率化のために有効である。励起子阻止層は陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。この場合、励起子阻止層として好ましい材料としては、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)用途で公知な正孔障壁層用材料又は電子障壁層用材料等が挙げられる。
正孔障壁層として好ましい材料は、イオン化ポテンシャルが充分に大きい化合物であり、電子障壁層として好ましい材料は、電子親和力が充分に小さい化合物である。具体的には有機EL素子用途で公知な材料であるバソクプロイン(BCP)、バソフェナントロリン(BPhen)等が陰極側の正孔障壁層材料として挙げられる。
正孔障壁層として好ましい材料は、イオン化ポテンシャルが充分に大きい化合物であり、電子障壁層として好ましい材料は、電子親和力が充分に小さい化合物である。具体的には有機EL素子用途で公知な材料であるバソクプロイン(BCP)、バソフェナントロリン(BPhen)等が陰極側の正孔障壁層材料として挙げられる。
バッファー層には、上記n層材料として例示した無機半導体化合物を用いてもよい。また、p型無機半導体化合物としてはCdTe、p−Si、SiC、GaAs、WO3等を用いることができる。
[有機太陽電池モジュール]
本発明の一形態に係る有機太陽電池を、樹脂基板(樹脂フィルム)上又はガラス基板上に形成することで太陽電池モジュールとすることができる。
上記樹脂基板又はガラス基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものが好ましい。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明電極又は半透明電極であることが好ましい。
本発明の一形態に係る有機太陽電池を、樹脂基板(樹脂フィルム)上又はガラス基板上に形成することで太陽電池モジュールとすることができる。
上記樹脂基板又はガラス基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものが好ましい。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明電極又は半透明電極であることが好ましい。
[有機太陽電池の製造方法]
本発明の一形態に係る有機太陽電池の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法を適用することができる。
本発明の一形態に係る有機太陽電池の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されないが、適切な膜厚に設定する。一般に有機薄膜の励起子拡散長は短いことが知られているため、膜厚が厚すぎると励起子がヘテロ界面に到達する前に失活してしまうため光電変換効率が低くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生してしまうため、充分なダイオード特性が得られないため、変換効率が低下する。通常の膜厚は1nmから10μmの範囲が適しているが、5nmから0.2μmの範囲がさらに好ましい。
乾式成膜法の場合、公知の抵抗加熱法が好ましく、混合層の形成には、例えば、複数の蒸発源からの同時蒸着による成膜方法が好ましい。さらに好ましくは、成膜時に基板温度を制御する。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解又は分散させて発光性有機溶液を調製し、薄膜を形成するが、任意の溶媒を使用できる。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒等が挙げられる。なかでも、炭化水素系溶媒又はエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は単独で使用しても複数混合して用いてもよい。尚、使用可能な溶媒は、これらに限定されるものではない。
有機太陽電池のいずれの有機化合物層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。
また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。
また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
本発明の一形態に係る有機太陽電池を用いることにより、これを具備する装置を提供することができる。本発明の一形態に係る有機太陽電池は、時計、携帯電話及びモバイルパソコン等の各種装置、電化製品等の電源又は補助電源として使用できる。充電機能のある二次電池と組み合わせ、暗所においても使用可能とし、適用範囲を拡げることも可能である。
以下、本発明を実施例を用いて説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。
実施例1
25mm×75mm×0.7mm厚の青板ガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間実施した。
洗浄後、ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、金属Alを蒸着して膜厚100nmの金属Al層を形成し、続けて金属Al層上に金属Auを抵抗加熱蒸着により0.1Å/sで蒸着して膜厚2.5nmの金属Au層を形成し、続けてその上に、Caを抵抗加熱蒸着により2Å/sで成膜して膜厚0.5nmのCa層を形成して下部電極を形成した。
下部電極ラインが形成されている側の面上に、当該下部電極を覆うようにして、膜厚5nmのバソクプロイン(BCP)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、バッファー層を形成した。続けてその上に、膜厚20nmのC60(電子受容体)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、続けてその上に膜厚10nmのSubNc(電子供与体)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、膜厚10nmの化合物Aを抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。
続いて、化合物Aを1Å/sで30nm、化合物Bを0.05Å/sで1.5nmになるように同時蒸着し、ドープ層(混合層)を形成した。ドープ層上に、5nmのMoO3を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。最後に、連続して透明電極として金属Auを膜厚20nm蒸着させ透過性の高い上部電極として、有機薄膜太陽電池を作製した。素子面積は1.0cm2であった。
得られた素子は、下部電極を陰極として用い、上部電極を陽極として用いる逆構成型の素子である。
25mm×75mm×0.7mm厚の青板ガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間実施した。
洗浄後、ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、金属Alを蒸着して膜厚100nmの金属Al層を形成し、続けて金属Al層上に金属Auを抵抗加熱蒸着により0.1Å/sで蒸着して膜厚2.5nmの金属Au層を形成し、続けてその上に、Caを抵抗加熱蒸着により2Å/sで成膜して膜厚0.5nmのCa層を形成して下部電極を形成した。
下部電極ラインが形成されている側の面上に、当該下部電極を覆うようにして、膜厚5nmのバソクプロイン(BCP)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、バッファー層を形成した。続けてその上に、膜厚20nmのC60(電子受容体)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、続けてその上に膜厚10nmのSubNc(電子供与体)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜し、膜厚10nmの化合物Aを抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。
続いて、化合物Aを1Å/sで30nm、化合物Bを0.05Å/sで1.5nmになるように同時蒸着し、ドープ層(混合層)を形成した。ドープ層上に、5nmのMoO3を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。最後に、連続して透明電極として金属Auを膜厚20nm蒸着させ透過性の高い上部電極として、有機薄膜太陽電池を作製した。素子面積は1.0cm2であった。
得られた素子は、下部電極を陰極として用い、上部電極を陽極として用いる逆構成型の素子である。
作製した有機太陽電池を上部電極側から光照射を実施して、AM1.5条件下(光強度(Pin)100mW/cm2)でI−V特性を測定した。測定結果である開放端電圧(Voc)、短絡電流密度(Jsc)、曲線因子(FF)及び光電変換効率(η)を表1に示す。
尚、光電変換効率(η)は次式によって求めた。従って、同じPinに対して、Voc、Jsc及びFFがいずれも大きな化合物ほど優れた変換効率を示す。
(式中、Vocは開放端電圧、Jscは短絡電流密度、FFは曲線因子、Pinは入射光エネルギーである。)
尚、光電変換効率(η)は次式によって求めた。従って、同じPinに対して、Voc、Jsc及びFFがいずれも大きな化合物ほど優れた変換効率を示す。
実施例2
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を5nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を5nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例3
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を10nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を10nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例4
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を20nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を20nmとした他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
比較例1
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層を形成しなかった他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層を形成しなかった他は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例5
25mm×75mm×0.7mm厚の青板ガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間実施した。
洗浄後、ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、金属Alを蒸着して膜厚100nmの金属Al層を形成し、続けて金属Al層上に金属Auを抵抗加熱蒸着により0.1Å/sで蒸着して膜厚10nmの金属Au層を形成し、続けてその上に、Caを抵抗加熱蒸着により2Å/sで成膜して膜厚0.5nmのCa層を形成して下部電極を形成した。
下部電極ラインが形成されている側の面上に、前記下部電極を覆うようにして、5nmのバソクプロイン(BCP)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。続けてその上に、膜厚5nmのC60を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した後、続けてその上に、膜厚15nmのC70を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した後、続けてその上にSubNcを0.1Å/sで5nm、C70を0.4Å/sで20nmになるように同時蒸着し、i層(混合層)を形成した。続けてその上に、膜厚10nmの化合物Aを抵抗加熱蒸着により、1Å/sで成膜した。続いて、化合物Aを1Å/sで30nm、化合物Bを0.05Å/sで1.5nmになるように同時蒸着し、ドープ層(混合層)を形成した。ドープ層上に5nmのMoO3を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。最後に、連続して透明電極として金属Auを膜厚20nm蒸着させ透過性の高い上部電極として、有機薄膜太陽電池を作製した。素子面積は1.0cm2であった。
得られた素子は、下部電極を陰極として用い、上部電極を陽極として用いる逆構成型の素子である。この素子について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
25mm×75mm×0.7mm厚の青板ガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間実施した。
洗浄後、ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、金属Alを蒸着して膜厚100nmの金属Al層を形成し、続けて金属Al層上に金属Auを抵抗加熱蒸着により0.1Å/sで蒸着して膜厚10nmの金属Au層を形成し、続けてその上に、Caを抵抗加熱蒸着により2Å/sで成膜して膜厚0.5nmのCa層を形成して下部電極を形成した。
下部電極ラインが形成されている側の面上に、前記下部電極を覆うようにして、5nmのバソクプロイン(BCP)を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。続けてその上に、膜厚5nmのC60を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した後、続けてその上に、膜厚15nmのC70を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した後、続けてその上にSubNcを0.1Å/sで5nm、C70を0.4Å/sで20nmになるように同時蒸着し、i層(混合層)を形成した。続けてその上に、膜厚10nmの化合物Aを抵抗加熱蒸着により、1Å/sで成膜した。続いて、化合物Aを1Å/sで30nm、化合物Bを0.05Å/sで1.5nmになるように同時蒸着し、ドープ層(混合層)を形成した。ドープ層上に5nmのMoO3を抵抗加熱蒸着により1Å/sで成膜した。最後に、連続して透明電極として金属Auを膜厚20nm蒸着させ透過性の高い上部電極として、有機薄膜太陽電池を作製した。素子面積は1.0cm2であった。
得られた素子は、下部電極を陰極として用い、上部電極を陽極として用いる逆構成型の素子である。この素子について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
実施例6
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を20nmとした他は、実施例5と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
膜厚100nmの金属Al層に隣接する金属Au層の膜厚を20nmとした他は、実施例5と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。結果を表1に示す。
Claims (6)
- 金属電極、第1の金属層、第2の金属層、有機層、及び透明電極をこの順に含む有機太陽電池であって、
前記有機層が、電子受容体及び電子供与体を含む混合層、又は電子受容体を含む層と電子供与体を含む層を前記第2の金属層からこの順に含む積層体である有機太陽電池。 - 前記第1の金属層が、Au,Pt,Ag,Hg及びCuから選ばれる金属からなる請求項1に記載の有機太陽電池。
- 前記第2の金属層が、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる金属からなる請求項1又は2に記載の有機太陽電池。
- 前記第2の金属層が、Caからなる請求項1〜3のいずれかに記載の有機太陽電池。
- 前記第1の金属層の膜厚が、2.5〜20nmである請求項1〜4のいずれかに有機太陽電池。
- 樹脂基板及びガラス基板から選ばれる基板上に請求項1〜5のいずれかに記載の有機太陽電池を含む有機太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013070818A JP2014194998A (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 有機太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013070818A JP2014194998A (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 有機太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014194998A true JP2014194998A (ja) | 2014-10-09 |
Family
ID=51840055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013070818A Pending JP2014194998A (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 有機太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014194998A (ja) |
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013070818A patent/JP2014194998A/ja active Pending
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