JP2014192245A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ素含有ガスを含む処理ガスを処理容器12へ供給し、プラズマを発生させて、タングステン層Wをタングステン層Wの上面からタングステン層の下面に至る前までエッチングする第1のエッチング工程S2と、酸素含有ガスを含む処理ガスを処理容器12へ供給し、プラズマを発生させて、タングステン層Wを処理する酸化処理工程S3と、フッ素含有ガスを含む処理ガスを処理容器12へ供給し、プラズマを発生させて、タングステン層Wをタングステン層Wの下面に至るまでエッチングする第2のエッチング工程S4と、を含む。
【選択図】図2
Description
(第1のエッチング工程S2)
処理空間Sの圧力:5mTоrr(0.667Pa)
第1の高周波電源62の電力:100W
第2の高周波電源64の電力:200W
第1の処理ガスの流量
NF3ガス:20〜30sccm
Arガス:80〜100sccm
O2ガス:30〜50sccm
処理時間:60秒
(酸化処理工程S3)
処理空間Sの圧力:200mTоrr(26.7Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:0W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:10秒
(第2のエッチング工程S4)
処理空間Sの圧力:10mTоrr(1.33Pa)
第1の高周波電源62の電力:100W
第2の高周波電源64の電力:200W
第3の処理ガスの流量
NF3ガス:4〜6sccm
Arガス:100〜120sccm
O2ガス:30〜50sccm
処理時間:30秒
以下、上記効果を説明すべく本発明者が実施した実施例について述べるが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1では、図1に示すプラズマ処理装置10により、図2に示すエッチングの工程によりプラズマ処理を行った。実施例1の工程S2〜S4は、以下に示す処理条件とした。
処理空間Sの圧力:5mTоrr(0.667Pa)
第1の高周波電源62の電力:100W
第2の高周波電源64の電力:200W
第1の処理ガスの流量
NF3ガス:20〜30sccm
Arガス:80〜100sccm
O2ガス:30〜50sccm
処理時間:60秒
(実施例1の酸化処理工程S3)
処理空間Sの圧力:200mTоrr(26.7Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:0W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:10秒
(実施例1の第2のエッチング工程S4)
処理空間Sの圧力:10mTоrr(1.33Pa)
第1の高周波電源62の電力:100W
第2の高周波電源64の電力:200W
第3の処理ガスの流量
NF3ガス:4〜6sccm
Arガス:100〜120sccm
O2ガス:30〜50sccm
処理時間:30秒
(酸化処理工程S3の圧力)
酸化処理工程S3の圧力がタングステン層Wの形状に影響するか否か検証した。実施例2は、実施例1と同じ処理条件とした。実施例3及び4は、酸化処理工程S3のみ、実施例2と異なる処理条件とし、その他の条件は実施例2と同一とした。実施例3及び実施例4の酸化処理工程S3は、それぞれ以下に示す処理条件とした。
処理空間Sの圧力:20mTоrr(2.67Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:0W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:10秒
(実施例4の酸化処理工程S3)
処理空間Sの圧力:10mTоrr(1.33Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:0W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:10秒
すなわち、実施例3及び実施例4は、実施例2よりも酸化処理工程S3の処理空間Sの圧力を低くした。
酸化処理工程S3の処理時間がタングステン層Wの形状に影響するか否か検証した。実施例5は、酸化処理工程S3のみ実施例2と異なる処理条件とし、その他の条件は実施例2と同一とした。実施例5の酸化処理工程S3は、以下に示す処理条件とした。
処理空間Sの圧力:200mTоrr(26.7Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:0W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:20秒
すなわち、実施例5では、実施例2よりも酸化処理工程S3の処理時間を長くした。
酸化処理工程S3の印加電力がタングステン層Wの形状に影響するか否か検証した。実施例6は、酸化処理工程S3のみ実施例2と異なる処理条件とし、その他の条件は実施例2と同一とした。実施例6の酸化処理工程S3は、以下に示す処理条件とした。
処理空間Sの圧力:200mTоrr(26.7Pa)
第1の高周波電源62の電力:200W
第2の高周波電源64の電力:100W
第2の処理ガスの流量
O2ガス:500sccm
処理時間:10秒
すなわち、実施例6では、第2の高周波電力(イオン引き込み用のバイアス)を供給した。
Claims (8)
- プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器及び前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部を有するプラズマ処理装置を用いて、ポリシリコン層の上に形成されたタングステン層を、マスク層を介してエッチングし、前記タングステン層を所定のパターンにパターニングするプラズマ処理方法であって、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の上面から前記タングステン層の下面に至る前までエッチングする第1の工程と、
酸素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を処理する第2の工程と、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の下面に至るまでエッチングする第3の工程と、を含むプラズマ処理方法。 - 前記ポリシリコン層と前記タングステン層との間にバリアメタル層が形成され、
前記第3の工程は、前記バリアメタル層を更にエッチングする請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理装置が、前記処理容器内に配置される第1電極と、前記第1電極に対して対向して配置される第2電極と、前記第2電極に第1周波数の電力を供給する第1電源部と、前記第2電極に第2周波数の電力を供給する第2電源部と、を備え、
前記第2の工程では、前記第2電源部から前記第2電極へ電力が供給されない請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の工程では、前記第1の工程及び前記第3の工程よりも前記処理空間の圧力が高い請求項1〜3の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の工程では、前記第1の工程及び前記第3の工程よりも処理時間が短い請求項1〜4の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記酸素含有ガスが、O2ガス又はO3ガスである請求項1〜5の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記フッ素含有ガスが、NF3ガス、CF4ガス又はSF6ガスである請求項1〜6の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
- ポリシリコン層の上に形成されたタングステン層を、マスク層を介してエッチングし、前記タングステン層を所定のパターンにパターニングするプラズマ処理装置であって、
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の上面から前記タングステン層の下面に至る前までエッチングし、
酸素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を処理し、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の下面に至るまでエッチングする、プラズマ処理装置。
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