JP2014187409A - Light-emitting device - Google Patents
Light-emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014187409A JP2014187409A JP2014141924A JP2014141924A JP2014187409A JP 2014187409 A JP2014187409 A JP 2014187409A JP 2014141924 A JP2014141924 A JP 2014141924A JP 2014141924 A JP2014141924 A JP 2014141924A JP 2014187409 A JP2014187409 A JP 2014187409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent resin
- light emitting
- light
- resin layer
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
この発明は、発光装置に関し、特に、発光ダイオード等の固体発光素子を用いた発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device using a solid light emitting element such as a light emitting diode.
従来、固体発光素子、例えば発光ダイオードを使用した発光装置が提案されている。この種の発光装置として、擬似的に白色光を得るものが提案されている。このように白色光を発光する発光装置は、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源、あるいは照明用光源などとして利用できる。 Conventionally, a light emitting device using a solid light emitting element, for example, a light emitting diode, has been proposed. As this type of light emitting device, a device that obtains pseudo white light has been proposed. Thus, the light-emitting device which emits white light can be used as, for example, a light source for backlight of a liquid crystal display element or a light source for illumination.
例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3等には、発光ダイオードの外側に、この発光ダイオードの発光波長で励起される蛍光体が含有された蛍光体層を設け、発光ダイオードの発光(励起光)と、この蛍光体からの発光(波長変換光)との組み合わせで擬似的に白色光を得ることができる発光装置が記載されている。
For example, in
この発明の目的は、固体発光素子からの発光を無駄なく有効に活用して輝度の向上を図ることにある。 An object of the present invention is to improve luminance by effectively utilizing light emitted from a solid state light emitting element without waste.
この発明の概念は、
固体発光素子が実装された実装基板の該固体発光素子が実装された面に、上記固体発光素子を囲むドーナツ状の、上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第1の薄膜部が配置されると共に、該第1の薄膜部の外側に連続してドーナツ状の、撥水性素材からなる第2の薄膜部が配置され、
上記固体発光素子の外側に、外径が上記第1の薄膜部と上記第2の薄膜部の境界に一致したドーム状の第1の透明樹脂層が設けられ、
上記第1の透明樹脂層の外側に上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有したドーム状の第2の透明樹脂層が設けられた
発光装置にある。
The concept of this invention is
A transparent resin containing a doughnut-shaped phosphor that is excited at the emission wavelength of the solid light emitting element on the surface of the mounting substrate on which the solid light emitting element is mounted. And a second thin film portion made of a water-repellent material is continuously disposed outside the first thin film portion.
A dome-shaped first transparent resin layer having an outer diameter coinciding with the boundary between the first thin film portion and the second thin film portion is provided outside the solid-state light emitting device,
In the light emitting device, a dome-shaped second transparent resin layer containing a phosphor excited at an emission wavelength of the solid light emitting element is provided outside the first transparent resin layer.
この発明の発光装置によれば、固体発光素子からの発光を無駄なく有効に活用して輝度の向上を図ることができる。 According to the light emitting device of the present invention, the luminance can be improved by effectively utilizing the light emitted from the solid state light emitting element without waste.
以下、発明を実施するための形態(以下、「実施の形態」とする)について説明する。なお、説明を以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.第3の実施の形態
4.第4の実施の形態
5.変形例
Hereinafter, modes for carrying out the invention (hereinafter referred to as “embodiments”) will be described. The description will be given in the following order.
1. 1.
<1.第1の実施の形態>
[発光装置の構成]
図1は、第1の実施の形態としての発光装置100の構造例を示している。この発光装置100は、固体発光素子としての発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)101と、第1の樹脂層としての透明樹脂層102と、第2の樹脂層としての透明樹脂層103を有している。
<1. First Embodiment>
[Configuration of light emitting device]
FIG. 1 shows an example of the structure of a
発光ダイオード101は、実装基板としての回路基板104に実装されている。発光ダイオード101の電極は、回路基板104上の導体に、ワイヤ105を用いて接続されている。透明樹脂層102は、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層102は、発光ダイオード101を覆うように、この発光ダイオード101の外側に設けられている。この透明樹脂層102は、ドーム状に形成され、発光ダイオード101を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
The
透明樹脂層103は、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層103は、透明樹脂層102を覆うように、この透明樹脂層102の外側に設けられている。この透明樹脂層103は、透明樹脂層102と同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード101および透明樹脂層102を内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード101は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の蛍光体とされる。
The
上述の透明樹脂層102,103の回路基板104の接触部には、撥水性素材106が塗布されている。この撥水性素材106は、例えば、フッ素を成分とする。後述するように、発光装置100において、透明樹脂層102,103はポッティング法により形成される。撥水性素材106は、透明樹脂層102,103の成形性を確保するために塗布されたものである。
A
なお、図1に示す発光装置100において、発光ダイオード101、透明樹脂層102,103の屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード101の屈折率をN1、透明樹脂層102の屈折率をN2、透明樹脂層103の屈折率をN3とするとき、N1≧N2≧N3≧1の関係を満足するようにされる。
In the
[発光装置の製造方法]
図1に示す発光装置100の製造工程を、図2を参照して説明する。まず、図2(a)に示すように、発光ダイオード101が実装された回路基板104が用意される。次に、図2(b)に示すように、回路基板104の発光ダイオード101が実装された面に、この発光ダイオード101を囲むように、撥水性素材106が塗布される。この場合、図示は省略するが、撥水性素材106の塗布領域は、例えば、発光ダイオード101を中心とするドーナツ状領域となる。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
A manufacturing process of the
次に、図2(c)に示すように、発光ダイオード101の外側に、透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材106の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、発光ダイオード101の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層102が形成される。
Next, as illustrated in FIG. 2C, a transparent resin is applied to the outside of the
次に、図2(d)に示すように、透明樹脂層102の外側に、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材106の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、透明樹脂層102の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層103が形成され、発光装置100が完成する。
Next, as shown in FIG. 2D, a transparent resin containing a phosphor that is excited by the light emission wavelength of the
図1に示す発光装置100においては、図3に示すように、発光ダイオード101を内包した透明樹脂層102,103の凸部から光が出力される。この場合、発光ダイオード101の発光の一部は、透明樹脂層102および透明樹脂層103を通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード101の発光の他の一部は、透明樹脂層102を通じて、透明樹脂層103に入力され、この透明樹脂層103内の蛍光体を励起する。
In the
そして、この透明樹脂層103内の蛍光体の発光が、透明樹脂層103から外部に出力される。上述したように、発光ダイオード101が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層103内の蛍光体がYAG系の蛍光体であるため、発光ダイオード101の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード101の屈折率N1、透明樹脂層102の屈折率N2、透明樹脂層103の屈折率N3の関係がN1≧N2≧N3≧1とされている。そのため、発光ダイオード101の発光および透明樹脂層103内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
The light emitted from the phosphor in the
図1に示す発光装置100においては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図1に示す発光装置100においては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。この図1に示す発光装置100は、上述したように凸部のみからの発光となることから、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源などとして利用できる。
In the
図4は、以下の(1)〜(4)の場合における発光強度および発光波長を示している。
(1)回路基板104に発光ダイオード101のみを実装して発光させた場合(図2(a)参照)。
(2)回路基板104に発光ダイオード101を実装し、さらに、この発光ダイオード101の外側に透明樹脂層102を形成して発光させた場合(図2(c)参照)。
FIG. 4 shows the emission intensity and emission wavelength in the following cases (1) to (4).
(1) When only the
(2) When the
(3)回路基板104に発光ダイオード101を実装し、この発光ダイオード101の外側に、透明樹脂層102を形成し、さらにこの透明樹脂層102の外側に蛍光体を含有した透明樹脂層103を形成して発光させた場合(図1、図2(d)参照)。
(4)回路基板104に発光ダイオード101を実装し、さらに、この発光ダイオード101の外側に直接蛍光体を含有した透明樹脂層103を形成して発光させた場合(図5参照)。
(3) The
(4) When the
(1)の場合、発光ダイオード101からの450〜470nm前後の波長の光(青色光)のみが外部に出力される。(2)の場合、(1)の場合と同様に発光ダイオード101からの450〜470nm前後の波長の光(青色光)のみが外部に出力される。この場合、発光ダイオード101が、この発光ダイオード101よりも屈折率の低い透明樹脂層102で覆われているので、(1)の場合に比べて、光の取り出し効率が高くなり、発光強度が大きくなる。
In the case of (1), only light (blue light) having a wavelength of around 450 to 470 nm from the
(4)の場合、発光ダイオード101からの450〜470nm前後の波長の光(青色光)と、蛍光体からの570〜580前後の波長の光(赤から緑に渡る光)が外部に出力され、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード101の外側が直接蛍光体を含有した透明樹脂層103で覆われている。そのため、発光ダイオード101から透明樹脂層103に入力される光の強度は弱く((1)の場合参照)、出力光(白色光)の強度も弱くなる。
In the case of (4), light having a wavelength of about 450 to 470 nm from the light emitting diode 101 (blue light) and light having a wavelength of about 570 to 580 from the phosphor (light ranging from red to green) are output to the outside. , Pseudo white light is obtained. In this case, the outside of the
(3)の場合、(4)の場合と同様に、発光ダイオード101からの450〜470nm前後の波長の光(青色光)と、蛍光体からの570〜580前後の波長の光(赤から緑に渡る光)が外部に出力され、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード101の外側が、まず透明樹脂層102で覆われ、その外側が蛍光体を含有した透明樹脂層103で覆われている。そのため、発光ダイオード101から透明樹脂層103に入力される光の強度は(4)の場合に比べて強く((2)の場合参照)、出力光(白色光)の強度も強くなる。つまり、(3)の場合には、(4)の場合に比べて、白色光の輝度が高くなる。
In the case of (3), as in the case of (4), light having a wavelength of about 450 to 470 nm (blue light) from the
<2.第2の実施の形態>
[発光装置の構成]
図6は、第2の実施の形態としての発光装置100Aの構成例を示している。この図6において、図1と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置100Aは、固体発光素子としての発光ダイオード(LED)101と、第1の樹脂層としての透明樹脂層102Aと、第2の樹脂層としての透明樹脂層103Aを有している。
<2. Second Embodiment>
[Configuration of light emitting device]
FIG. 6 shows a configuration example of a
発光ダイオード101は、実装基板としての回路基板104に実装されている。発光ダイオード101の電極は、回路基板104上の導体に、ワイヤ105を用いて接続されている。
The
透明樹脂層102Aは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層102Aは、発光ダイオード101を覆うように、この発光ダイオード101の外側に設けられている。この透明樹脂層102Aは、発光ダイオード101を内包する凸部102Aaと、この凸部102Aaに連接し、この凸部102Aaの周辺に位置する薄膜部102Abとを有する。透明樹脂層102Aの凸部102Aaは、ドーム状に形成されており、凸状のレンズ機構を構成する。
The
透明樹脂層103Aは、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層103Aは、透明樹脂層102Aを覆うように、この透明樹脂層102Aの外側に設けられている。この透明樹脂層103Aは、発光ダイオード101を内包する凸部103Aaと、この凸部103Aaに連接し、この凸部103Aaの周辺に位置する薄膜部103Abとを有する。透明樹脂層103Aの凸部103Aaは、ドーム状に形成されており、凸状のレンズ機構を構成する。
The
この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード101は青色発光ダイオードとされ、透明樹脂層103Aに含有される蛍光体はYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の蛍光体とされる。
In this embodiment, in order to obtain pseudo white light, for example, the
なお、図1に示す発光装置100Aにおいて、発光ダイオード101、透明樹脂層102A,103Aの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード101の屈折率をN1、透明樹脂層102Aの屈折率をN2、透明樹脂層103Aの屈折率をN3とするとき、N1≧N2≧N3≧1の関係を満足するようにされる。
In the
[発光装置の製造方法]
図6に示す発光装置100Aの製造工程を、図7を参照して説明する。まず、図7(a)に示すように、発光ダイオード101が実装された回路基板104が用意される。次に、図7(b)に示すように、発光ダイオード101の外側に、コンプレッション成型法により、凸部102Aaおよび薄膜部102Abを有する透明樹脂層102Aが形成される。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
A manufacturing process of the
この透明樹脂層102Aの製造工程の一例を、図8を参照して説明する。図8(a)に示すように、透明樹脂層102Aの凸部102Aaに対応した凹部211を有する下金型210と、平板状の上金型220が使用される。
An example of the manufacturing process of the
まず、図8(a)に示すように、下金型210の上部に剥離シート212を介して液状の熱硬化性の透明樹脂214が置かれる。なお、下金型210の上部には、上述した液状の透明樹脂214が外部に漏れ出ることを防止するためのOリング213が配置される。この状態で、剥離シート212は、矢印で示すように外周方向に引っ張られており、緊張した状態に置かれる。また、図8(a)に示すように、上金型220に、発光ダイオード101が実装された回路基板104が固定される。
First, as shown in FIG. 8A, a liquid thermosetting
次に、図8(b)に示すように、上金型220が下金型210に近づくように移動されていき、回路基板104に実装された発光ダイオード101が、下金型210の凹部211内に位置する状態とされる。この場合、上金型220の移動速度を抑制することで、ワイヤ105にダメージが発生することを回避できる。この状態では、発光ダイオード101は液状の透明樹脂214内に埋没した状態にあると共に、剥離シート212は凹部211の底に張り付いた状態にある。そして、この状態で熱が加えられて、透明樹脂214が凝固するようにされる。
Next, as shown in FIG. 8B, the
次に、図8(c)に示すように、上金型220が下金型210から遠ざかるように移動されていく。上述したように透明樹脂214が凝固することで、発光ダイオード101の外側に、ドーム状の透明樹脂層102Aが形成される。この場合、下金型210と透明樹脂層102Aとの間に剥離シート212が配されているので、下金型210からの透明樹脂層102Aの剥離はスムーズに行われる。
Next, as shown in FIG. 8C, the
図7に戻って、図7(b)に示すように、発光ダイオード101の外側に透明樹脂層102Aが形成される。そして、その後に、図7(c)に示すように、透明樹脂層102Aの外側に、コンプレッション成型法により、凸部103Aaおよび薄膜部103Abを有する透明樹脂層103Aが形成され、発光装置100Aが完成する。
Returning to FIG. 7, as shown in FIG. 7B, a
この透明樹脂層103Aの製造工程の一例を、図9を参照して説明する。図9(a)に示すように、透明樹脂層103Aの凸部103Aaに対応した凹部311を有する下金型310と、平板状の上金型320が使用される。
An example of the manufacturing process of the
まず、図9(a)に示すように、下金型310の上部に剥離シート312を介して液状の熱硬化性の透明樹脂(蛍光体含有)314が置かれる。なお、下金型310の上部には、上述した液状の透明樹脂314が外部に漏れ出ることを防止するためのOリング313が配置される。この状態で、剥離シート312は、矢印で示すように外周方向に引っ張られており、緊張した状態に置かれる。また、図9(a)に示すように、上金型320に、発光ダイオード101が実装された回路基板104が固定される。なお、発光ダイオード101の外側に透明樹脂層102Aが形成されている。
First, as shown in FIG. 9A, a liquid thermosetting transparent resin (containing phosphor) 314 is placed on the
次に、図9(b)に示すように、上金型320が下金型310に近づくように移動されていき、回路基板104に実装された、外側に透明樹脂層102Aで覆われた発光ダイオード101が、下金型310の凹部211内に位置する状態とされる。この状態では、透明樹脂層102Aで覆われた発光ダイオード101は液状の透明樹脂314内に埋没した状態にあると共に、剥離シート312は凹部311の底に張り付いた状態にある。そして、この状態で熱が加えられて、透明樹脂314が凝固するようにされる。
Next, as shown in FIG. 9B, the
次に、図9(c)に示すように、上金型320が下金型310から遠ざかるように移動されていく。上述したように透明樹脂314が凝固することで、透明樹脂層102Aの外側に、透明樹脂層103Aが形成される。この場合、下金型310と透明樹脂層103Aとの間に剥離シート312が配されているので、下金型310からの透明樹脂層103Aの剥離はスムーズに行われる。
Next, as shown in FIG. 9C, the
図6に示す発光装置100Aにおいては、図10に示すように、発光ダイオード101を内包した透明樹脂層102A,103Aの凸部および薄膜部から光が出力される。この場合、発光ダイオード101の発光の一部は、透明樹脂層102Aおよび透明樹脂層103Aを通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード101の発光の他の一部は、透明樹脂層102Aを通じて、透明樹脂層103Aに入力され、この透明樹脂層103A内の蛍光体を励起する。
In the
そして、この透明樹脂層103A内の蛍光体の発光が、透明樹脂層103Aから外部に出力される。上述したように、発光ダイオード101が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層103A内の蛍光体がYAG系の蛍光体であるため、発光ダイオード101の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード101の屈折率N1、透明樹脂層102Aの屈折率N2、透明樹脂層103Aの屈折率N3の関係がN1≧N2≧N3≧1とされている。そのため、発光ダイオード101の発光および透明樹脂層103A内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
And the light emission of the fluorescent substance in this
図6に示す発光装置100Aにおいては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図6に示す発光装置100Aにおいては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。
In the
さらに、図6に示す発光装置100Aにおいては、発光ダイオード101からの発光および透明樹脂層103A内の蛍光体からの発光は、凸部から外部に出力される他に、薄膜部からも外部に出力される。そのため、全面から発光できると共に、輝度の向上を図ることができる。この図6に示す発光装置100Aは、このように全面発光となることから、例えば、照明用光源等として利用できる。
Furthermore, in the
<3.第3の実施の形態>
[発光装置の構成]
図11は、第3の実施の形態としての発光装置100Bの構成例を示している。この図11において、図1と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置100Bは、固体発光素子としての発光ダイオード(LED)101と、第1の樹脂層としての透明樹脂層102Bと、第2の樹脂層としての透明樹脂層103Bを有している。
<3. Third Embodiment>
[Configuration of light emitting device]
FIG. 11 shows a configuration example of a
発光ダイオード101は、実装基板としての回路基板104に実装されている。発光ダイオード101の電極は、回路基板104上の導体に、ワイヤ105を用いて接続されている。透明樹脂層102Bは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層102Bは、発光ダイオード101を覆うように、この発光ダイオード101の外側に設けられている。この透明樹脂層102Bは、ドーム状に形成され、発光ダイオード101を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
The
透明樹脂層103Bは、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層103Bは、透明樹脂層102Bを覆うように、この透明樹脂層102Bの外側に設けられている。この透明樹脂層103Bは、透明樹脂層102Bと同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード101および透明樹脂層102Bを内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード101は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の蛍光体とされる。
The
この図11に示す発光装置100Bにおいては、上述の図1に示す発光装置100とは異なり、透明樹脂層102B,103Bの回路基板104の接触部には、撥水性素材は塗布されていない。その理由は、この発光装置100Bにおいて、透明樹脂層102B,103Bは、上述の図6の発光装置100Aの透明樹脂層102A,103Aと同様に、金型を用いたコンプレッション成型法により形成されるからである。
In the
なお、図11に示す発光装置100Bにおいて、発光ダイオード101、透明樹脂層102B,103Bの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード101の屈折率をN1、透明樹脂層102Bの屈折率をN2、透明樹脂層103Bの屈折率をN3とするとき、N1≧N2≧N3≧1の関係を満足するようにされる。
In the
[発光装置の製造方法]
図11に示す発光装置100Bの製造工程を、図12を参照して説明する。まず、図12(a)に示すように、発光ダイオード101が実装された回路基板104が用意される。次に、図12(b)に示すように、発光ダイオード101の外側に、コンプレッション成型法により、ドーム状の透明樹脂層102Bが形成される。この透明樹脂層102Bの製造は、詳細説明は省略するが、例えば、上述の図6に示す発光装置100Aにおける透明樹脂層102Aの製造と同様の工程で行われる(図8参照)。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
A manufacturing process of the
次に、図12((c)に示すように、透明樹脂層102Bの外側に、コンプレッション成型法により、ドーム状の透明樹脂層103Bが形成され、発光装置100Bが完成する。この透明樹脂層103Bの製造は、詳細説明は省略するが、例えば、上述の図6に示す発光装置100Aにおける透明樹脂層103Aの製造と同様の工程で行われる(図9参照)。
12 (c), a dome-shaped
図11に示す発光装置100Bにおいては、図13に示すように、発光ダイオード101を内包した透明樹脂層102B,103Bの凸部から光が出力される。この場合、発光ダイオード101の発光の一部は、透明樹脂層102Bおよび透明樹脂層103Bを通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード101の発光の他の一部は、透明樹脂層102Bを通じて、透明樹脂層103Bに入力され、この透明樹脂層103B内の蛍光体を励起する。
In the
そして、この透明樹脂層103B内の蛍光体の発光が、透明樹脂層103Bから外部に出力される。上述したように、発光ダイオード101が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層103B内の蛍光体がYAG系の蛍光体であるため、発光ダイオード101の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード101の屈折率N1、透明樹脂層102Bの屈折率N2、透明樹脂層103Bの屈折率N3の関係がN1≧N2≧N3≧1とされている。そのため、発光ダイオード101の発光および透明樹脂層103B内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
And the light emission of the fluorescent substance in this
図11に示す発光装置100Bにおいては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図11に示す発光装置100Bにおいては、発光ダイオード101の外側が2層であることから、従来の3層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。この図11に示す発光装置100Bは、上述したように凸部のみからの発光となることから、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源などとして利用できる。
In the
<4.第4の実施の形態>
[発光装置の構成]
図14は、第4の実施の形態としての発光装置100Cの構成例を示している。この図14において、図1と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置100Cは、固体発光素子としての発光ダイオード(LED)101と、第1の樹脂層としての透明樹脂層102Cと、第2の樹脂層としての透明樹脂層103Cと、薄膜部としての透明樹脂薄膜部107を有している。
<4. Fourth Embodiment>
[Configuration of light emitting device]
FIG. 14 shows a configuration example of a light emitting device 100C as the fourth embodiment. 14, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate. The light emitting device 100C includes a light emitting diode (LED) 101 as a solid light emitting element, a
発光ダイオード101は、実装基板としての回路基板104に実装されている。発光ダイオード101の電極は、回路基板104上の導体に、ワイヤ105を用いて接続されている。透明樹脂層102Cは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層102Cは、発光ダイオード101を覆うように、この発光ダイオード101の外側に設けられている。この透明樹脂層102Cは、ドーム状に形成され、発光ダイオード101を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
The
透明樹脂層103Cは、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層103Cは、透明樹脂層102Cを覆うように、この透明樹脂層102Cの外側に設けられている。この透明樹脂層103Cは、透明樹脂層102Cと同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード101および透明樹脂層102Cを内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード101は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の蛍光体とされる。
The
上述の透明樹脂層103Cの回路基板104の接触部には、撥水性素材106が塗布されている。この撥水性素材106は、例えば、フッ素を成分とする。後述するように、発光装置100Cにおいて、透明樹脂層103Cはポッティング法により形成される。撥水性素材106は、透明樹脂層103Cの成形性を確保するために塗布されたものである。
A
また、回路基板104と透明樹脂層102Cとの間の一部または全部(第4の実施の形態では一部)に対応して、透明樹脂薄膜部107が設けられている。この透明樹脂薄膜部107は、上述の透明樹脂層103Cと同様に、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。後述するように、この透明樹脂薄膜部107は、例えば、印刷法により形成される。
Further, a transparent resin
なお、図14に示す発光装置100Cにおいて、発光ダイオード101、透明樹脂層102C,103Cの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード101の屈折率をN1、透明樹脂層102Cの屈折率をN2、透明樹脂層103Cの屈折率をN3とするとき、N1≧N2≧N3≧1の関係を満足するようにされる。
In the light emitting device 100C shown in FIG. 14, the relationship between the refractive indexes of the
[発光装置の製造方法]
図14に示す発光装置100Cの製造工程を、図15を参照して説明する。まず、図15(a)に示すように、発光ダイオード101が実装された回路基板104が用意される。次に、図15(b)に示すように、回路基板104の発光ダイオード101が実装された面に、この発光ダイオード101を囲むように、撥水性素材106が例えば印刷法により塗布される。この場合、図示は省略するが、撥水性素材106の塗布領域は、例えば、発光ダイオード101を中心とするドーナツ状領域となる。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
A manufacturing process of the light emitting device 100C shown in FIG. 14 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 15A, a
次に、図15(c)に示すように、回路基板104の発光ダイオード101が実装された面に、この発光ダイオード101を囲むように、透明樹脂が、例えば印刷法により塗布される。この場合、図示は省略するが、透明樹脂の塗布領域は、撥水性素材106の塗布領域の内側で、例えば、発光ダイオード101を中心とするドーナツ状領域とされる。これにより、回路基板104上に透明樹脂薄膜部107が形成される。
Next, as shown in FIG. 15C, a transparent resin is applied to the surface of the
次に、図15(d)に示すように、発光ダイオード101の外側に、透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材106の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、発光ダイオード101の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層102Cが形成される。
Next, as shown in FIG. 15 (d), a transparent resin is applied to the outside of the
次に、図15(e)に示すように、透明樹脂層102Cの外側に、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材106の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、透明樹脂層102Cの外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層103Cが形成され、発光装置100Cが完成する。
Next, as shown in FIG. 15E, a transparent resin containing a phosphor that is excited by the light emission wavelength of the
図14に示す発光装置100Cにおいては、図1に示す発光装置100と同様の構造とされていることから、製造プロセスを簡単にしてコストの低減を図ることができ、また、光の取り出し効率を高めることが可能となる。さらに、この図14に示す発光装置100Cにおいては、透明樹脂薄膜部107が設けられていることから、輝度の向上を図ることができる。
Since the light emitting device 100C shown in FIG. 14 has the same structure as the
すなわち、発光ダイオード101の発光のうち回路基板104に向かう光は、透明樹脂層102Cを通じて透明樹脂薄膜部107に入力され、この透明樹脂薄膜部107内の蛍光体が励起される。そして、この蛍光体の発光の一部は、透明樹脂層102Cおよび透明樹脂層103Cを通じて外部に出力される。そのため、図1に示す発光装置100よりも輝度が向上したものとなる。
That is, the light emitted from the
<5.変形例>
なお、上述実施の形態においては、擬似的に白色光を得るために、発光ダイオード101は青色発光ダイオードとされ、透明樹脂層103,103A,103B内の蛍光体はYAG系の蛍光体とされている。しかし、この発明は、これに限定されるものではない。すなわち、発光ダイオード101は青色発光ダイオードに限定されない。また、発光ダイオード101の発光波長で励起される蛍光体はYAG系の蛍光体に限定されない。例えば、シリケート系の蛍光体等の他の蛍光体を使用してもよい。
<5. Modification>
In the above embodiment, in order to obtain pseudo white light, the
また、上述実施の形態においては、固体発光素子が発光ダイオードであるものを示したが、この発明は、固体発光素子として発光ダイオード以外のものを使用するものにも同様に適用できることは勿論である。 In the above-described embodiment, the solid light emitting element is a light emitting diode. However, the present invention can be similarly applied to a solid light emitting element other than the light emitting diode. .
この発明は、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源、あるいは照明用光源などとして利用し得る発光装置に適用できる。 The present invention can be applied to, for example, a light emitting device that can be used as a light source for a backlight of a liquid crystal display element or a light source for illumination.
100,・・・発光装置
101・・・発光ダイオード
102,102A,102B,102C・・・透明樹脂層
102Aa・・・凸部
102Ab・・・薄膜部
103,103A,103B,103C・・・透明樹脂層(蛍光体含有)
103Aa・・・凸部
103Ab・・・薄膜部
104・・・回路基板
105・・・ワイヤ
106・・・撥水性素材
107・・・透明樹脂薄膜部(蛍光体含有)
210,310・・・下金型
211,311・・・凹部
212,312・・・剥離シート
213,313・・・Oリング
214・・・液状の透明樹脂
220,320・・・上金型
314・・・液状の透明樹脂(蛍光体含有)
DESCRIPTION OF
103Aa ... convex part 103Ab ...
210, 310 ...
Claims (4)
上記固体発光素子の外側に、外径が上記第1の薄膜部と上記第2の薄膜部の境界に一致したドーム状の第1の透明樹脂層が設けられ、
上記第1の透明樹脂層の外側に上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有したドーム状の第2の透明樹脂層が設けられた
発光装置。 A transparent resin containing a doughnut-shaped phosphor that is excited at the emission wavelength of the solid light emitting element on the surface of the mounting substrate on which the solid light emitting element is mounted. And a second thin film portion made of a water-repellent material is continuously disposed outside the first thin film portion.
A dome-shaped first transparent resin layer having an outer diameter coinciding with the boundary between the first thin film portion and the second thin film portion is provided outside the solid-state light emitting device,
A light-emitting device, wherein a dome-shaped second transparent resin layer containing a phosphor excited at an emission wavelength of the solid-state light-emitting element is provided outside the first transparent resin layer.
請求項1に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein the solid-state light-emitting element is a light-emitting diode.
請求項2に記載の発光装置。 The light-emitting diode is a blue light-emitting diode, and the phosphor is a phosphor excited at the emission wavelength of the blue light-emitting diode, and pseudo white light is generated by a combination of light emission of the light-emitting diode and light emission of the phosphor. The light-emitting device according to claim 2.
請求項1に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the water repellent material includes fluorine as a component.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014141924A JP5842963B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-07-10 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010026580 | 2010-02-09 | ||
JP2010026580 | 2010-02-09 | ||
JP2014141924A JP5842963B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-07-10 | Light emitting device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010274283A Division JP5678629B2 (en) | 2010-02-09 | 2010-12-09 | Method for manufacturing light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187409A true JP2014187409A (en) | 2014-10-02 |
JP5842963B2 JP5842963B2 (en) | 2016-01-13 |
Family
ID=51834578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014141924A Expired - Fee Related JP5842963B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-07-10 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5842963B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7440196B2 (en) | 2022-04-08 | 2024-02-28 | 株式会社スリーエス | LED device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087812A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device |
US20070158660A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-12 | Acol Technologies S.A. | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
JP2007243226A (en) * | 2007-06-20 | 2007-09-20 | Sony Corp | Light source apparatus and display apparatus |
JP2009081288A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | Method of manufacturing white light emitting lamp for lighting |
JP2009135306A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light-emitting apparatus |
JP2009176923A (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | Photoelectron device |
JP2009267039A (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
JP2009267289A (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
-
2014
- 2014-07-10 JP JP2014141924A patent/JP5842963B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087812A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device |
US20070158660A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-12 | Acol Technologies S.A. | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
JP2007243226A (en) * | 2007-06-20 | 2007-09-20 | Sony Corp | Light source apparatus and display apparatus |
JP2009081288A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | Method of manufacturing white light emitting lamp for lighting |
JP2009135306A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light-emitting apparatus |
JP2009176923A (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | Photoelectron device |
JP2009267039A (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
JP2009267289A (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7440196B2 (en) | 2022-04-08 | 2024-02-28 | 株式会社スリーエス | LED device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5842963B2 (en) | 2016-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5678629B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP5481587B2 (en) | Light emitting element | |
KR101297405B1 (en) | Light emitting device employing dielectric multilayer reflecting mirror | |
JP3782411B2 (en) | Light emitting device | |
JP5965162B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
TW201442559A (en) | LED display and manufacturing method thereof | |
JP2008034473A (en) | Surface light source | |
JP2010245481A (en) | Light emitting device | |
JP2007088472A (en) | Light emitting diode package and method for manufacture it | |
WO2011004795A1 (en) | Light emitting device | |
CN104282814A (en) | Light emitting diode packaging structure | |
JP2009200534A (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2015176960A (en) | light-emitting device | |
JP2010135488A (en) | Light-emitting device, and method of manufacturing the same | |
JP2008251663A (en) | Light-emitting device and illumination apparatus | |
JP2013038215A (en) | Wavelength conversion member | |
JP2007027585A (en) | Light emitting device with phosphor layer, and manufacture method therefor | |
JP2009182085A (en) | Light emitting device | |
JP5842963B2 (en) | Light emitting device | |
JP2009260075A (en) | Light-emitting apparatus and lead frame | |
JP2007042679A (en) | Light emitting diode device | |
JP2013197310A (en) | Light-emitting device | |
WO2010123051A1 (en) | Light-emitting device | |
US20090230418A1 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
JP2007080875A (en) | Light-emitting device, light-emitting element and manufacturing method of light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151102 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5842963 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |