JP2014181390A - Cu−Ga合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲット用鋳造品及びこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1100℃以下、好ましくは1040℃以下とし、かつ真空度を5.0×10−2torr以下、好ましくは5.0×10−3torr以下の高い真空度として、溶解・鋳造によりCu−Ga合金の円筒型スパッタリングターゲットを作製することにより、同円筒型スパッタリングターゲットを輪切りに切断した場合の、横断面における50μm以上の円相当径を有するポアの個数が0.3個/cm2以下が得られる。
【選択図】図1
Description
Cu−Gaターゲットの製造方法としては、溶解法と粉末法がある。一般的には、溶解法で製造されたCu−Gaターゲットは、不純物汚染が比較的少ないとされているが、欠点もある。例えば、ターゲット中にポアが発生することである。これはスパッタリング時に異常放電及びパーティクルの発生を伴うことである。これは膜の品質を低下させる原因となる。
溶解法によるCu−Gaターゲットに関する先行文献(特許文献1)には、組成偏析が観察されなかった旨の記載はあるが、分析結果等は一切示されていない。また、ターゲット中にポアが発生に関しては、全く着目しておらず、その解決方法もない。
密度が低く、酸素濃度の高いターゲットは、当然ながら異常放電やパーティクル発生があり、スパッタ膜表面にパーティクル等の異形物があると、その後のCIGS膜特性にも悪影響を与え、最終的にはCIGS太陽電池の変換効率の大きな低下を招く虞が多分にある。
Gaの成分組成を調整し、溶解法によって溶解、鋳造された円筒型鋳造品であって、溶解条件、HIP条件を最適化することにより、ポアの極めて少ないターゲットが得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
1)Gaが25at%以上35at%以下、残部がCu及び不可避的不純物からなる溶解・鋳造したCu−Ga合金の円筒型鋳造品であって、同円筒型鋳造品を輪切りに切断した場合の、横断面における100μm以上の円相当径を有するポアの個数が3.5個/cm2以下であることを特徴とするCu−Ga合金円筒型鋳造品。
なお、ポアの「円相当径」とは、不規則形状の1個のポアの面積と同面積の円の直径である円相当径を意味するものとする。以下、同様である。
3)溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1040℃以下とすることを特徴とする上記2)記載のCu−Ga合金円筒型鋳造品の製造方法。
8)前記工程により、50μm以上の平均径を有するポアの個数を0.3個/cm2以下とすることを特徴とする上記7)に記載のCu−Ga合金円筒型スパッタリングターゲットの製造方法。
このような鋳造組織を持つCu−Ga合金ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、異常放電及びパーティクルの発生が少なく、均質なCu−Ga系合金膜を得ることが可能となる。さらに、本発明のCu−Ga合金ターゲット用いたスパッタ膜をもちいて光吸収層及びCIGS系太陽電池を製造した場合に、CIGS太陽電池の変換効率の低下が抑制されるとともに、低コストのCIGS系太陽電池を作製することができる。
鋳造インゴットの一部切断面を研磨した組織の様子を、図1に示す。図1の上の図では、〇で囲った5個のポア(マイクロポア)が確認できる。図1の下の図は、この中の一つを拡大した組織の写真である。主として、結晶組織の粒界にポアが見られる。
実際のガス分析については、ブローホール内ガス分析装置(日鐵テクノリサーチ)、質量分析計(アネルバ製「四重極質量分析計」)を使用して行った。この結果を図2に示す。この図2で、バックグラウンド(上図)とガス放出時(下図)の分析結果を示す。
ところが、単位面積あたりの空隙がある一定量以上存在するとHIP処理のみでは完全に除去しきれず、インゴット内部に残留することがあった。
すなわち、円筒型鋳造品を輪切りに切断した場合の、横断面における100μm以上の円相当径を有するポアの個数を3.5個/cm2以下とすることが可能となった。
合金の融点は、Cu−Gaの二元系状態図から求めることができる(参考資料:ASMのBinary Alloy data base)。例えば、Gaが25at%の場合、Cu−Gaの二元系状態図から、融点は、890℃となる。
図3に、Cu−Hの2元状態図を示す。Cuの水素固溶限は、約1075℃の0.2at%であり、温度が下がるほど少なくなる。また、融点の1084℃を超えると、溶解度は0.6at%と3倍に増加する。このことから、上記の温度範囲とするのが良いと言える。
Cu−Ga合金の溶解鋳造の例を図4に示す。所定のCuGa合金の組成となるように、Cu、Gaの原料を例えば約25kgをグラファイト製坩堝内で溶解する。水分除去のため、バーナーでグラファイト製タンディシュを約1時間、炙るのが良い。
この様にして得たインゴットを#400のエメリー紙で研磨する。そして、断面に存在するポアの個数を数えて、本願発明の要件を満足しているか否かを確認する。
以上に示すように、鋳造条件を制御し、適切な条件でHIP処理を施すことによりGa濃度が25〜35at%の範囲でも、ターゲットの割れが生じず、マイクロポアを低減することで異常放電数を低減したCuGa合金ロータリーターゲットを得ることができる。
図4に示す鋳造装置を使用し、添加元素であるGa(純度:4N)をGa濃度が25at%の組成比となるように調整し、残部銅(Cu:純度4N)とした原料25kgをカーボン製坩堝に入れ、チャンバー内を5×10−3torrの真空雰囲気にし、誘導加熱にて坩堝を1100°Cまで加熱した。
原料が完全に溶解した後、チャンバー内部にアルゴンガスを導入し、溶湯温度を990°Cになるまで下げ、溶湯温度が安定した時点で出湯を開始した。以降では、この際の温度を出湯温度とする。出湯はタンディッシュを介して鋳型へ流し込む方法で行った。溶解の際使用した坩堝の形状は320mmφ×400mmφ、鋳型は外径165φ、内径125φ、高さ400mmである。
この円筒型鋳物を内径135mm、外径150mm、長さ75mm2本を円筒状に加工して、チタン製のバッキングチューブにボンディグし、2分割で全長150mmのスパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流(DC)1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして5時間後から6時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ0回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例1と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度650℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり0.5個であった。実施例1とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は12回であり、異常放電が多い結果となった。
出湯温度を1040℃とした以外は、実施例1と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750°C、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.4個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり皆無(0)であり、0.3個/cm3以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は0回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例2と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度650℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.4個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.5個であった。
実施例2とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は20回であり、異常放電が多い結果となった。
出湯温度を1100℃とした以外は、実施例1と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750°C、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.2個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
低い真空度である5×10−1torr(出湯前の真空度)とした以外は実施例3と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり4.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.6個であった。
このように、実施例3とは異なる真空度(低真空)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は36回であり、異常放電が多い結果となった。
添加元素であるGa(純度:4N)をGa濃度が30at%の組成比となるように調整して、実施例1と同様に原料を完全に溶解した。
原料が完全に溶解した後、チャンバー内部にアルゴンガスを導入し、溶湯温度を950°Cになるまで下げ、溶湯温度が安定した時点で出湯を開始した。出湯方法、鋳型の寸法は実施例1と同様である。
鋳造した円筒型物を加圧力1500kg/cm2、温度750°C、保持時間2時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.1個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度650℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.6個であった。
実施例4とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は32回であり、異常放電が多い結果となった。
実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度800℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり皆無(0)個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は1回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
真空度を5×10−2torrの真空雰囲気とした以外は実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間4時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.2個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
出湯温度を1040℃とした以外は実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.3個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は4回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例7と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度650℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.8個であった。
実施例7とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は64回であり、異常放電が多い結果となった。
実施例7と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間1時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.5個であった。
実施例7とは異なるHIP条件(短時間)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は26回であり、異常放電が多い結果となった。
真空度を5×10−4torrとした以外は実施例7と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間2時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.8個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり皆無(0)であり、0.3個/cm3以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は1回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
真空度を5×10−2torrとした以外は実施例7と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。 鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり4.0個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.3個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は3回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
出湯温度を1050℃とした以外は実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度800℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.1個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.2個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
溶解温度を1180℃まで高くし、そのまま出湯した以外は、実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり4.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.5個であった。
実施例4とは異なる溶解、出湯温度(高温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は28回であり、異常放電が多い結果となった。
出湯温度を1200℃とした以外は、実施例4と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり5.4個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.7個であった。
実施例4とは異なる出湯温度(高温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は49回であり、異常放電が多い結果となった。
添加元素であるGa(純度:4N)をGa濃度が35at%の組成比となるように調整して、実施例1と同様に原料を完全に溶解した。
原料が完全に溶解した後、チャンバー内部にアルゴンガスを導入し、溶湯温度を910°Cになるまで下げ、溶湯温度が安定した時点で出湯を開始した。出湯方法、鋳型の寸法は実施例1と同様である。
鋳造した円筒型物を加圧力1500kg/cm2、温度750°C、保持時間2時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.2個であり、0.2個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度650℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.6個であった。
実施例11とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は40回であり、異常放電が多い結果となった。
実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間5時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり1.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり皆無(0)であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は0回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
真空度を5×10−2torrとした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.3個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は3回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
真空度を5×10−1torrとした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり4.2個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.4個であった。
実施例11とは異なる真空度(低真空)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は11回であり、異常放電が多い結果となった。
出湯温度を1040℃とした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間2時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.9個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.1個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
実施例14と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度600℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.9個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり1.0個であった。
実施例11とは異なるHIP条件(低温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は72回であり、異常放電が多い結果となった。
真空度を5×10−4torrとした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり2.4個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり皆無(0)であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は1回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
真空度を5×10−1torrとした以外は、実施例14と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり4.3個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.5個であった。
実施例14とは異なる真空度(低真空)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は34回であり、異常放電が多い結果となった。
出湯温度を1050℃とした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間6時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.1個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.2個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は2回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
出湯温度を1100℃とした以外は、実施例11と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり3.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり0.3個であり、0.3個/cm2以下を満たした。この結果を、表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は4回であった。これにより、本願の目的を達成することができた。この結果を、表1に示す。
出湯温度を1200℃とした以外は、実施例14と同様に鋳造した円筒型鋳物を、加圧力1500kg/cm2、温度750℃、保持時間3時間で、HIP処理を施した。鋳物に存在する50μm以上の円相当径を有するポアの個数は、単位cm2あたり5.5個であり、HIP後のポアの個数は、単位cm2あたり1.2個であった。
実施例14とは異なる出湯温度(高温)で処理したものであるが、ポア数が増加した。この結果を、同様に表1に示す。実施例1と同様の条件でスパッタしたところ、異常放電数は84回であり、異常放電が多い結果となった。
このようなスパッタ膜から光吸収層及びCIGS系太陽電池を製造することができるので、CIGS太陽電池の変換効率低下抑制のための太陽電池に有用である。
Claims (8)
- Gaが25at%以上35at%以下、残部がCu及び不可避的不純物からなる溶解・鋳造したCu−Ga合金の円筒型鋳造品であって、同円筒型鋳造品を輪切りに切断した場合の、横断面における100μm以上の円相当径を有するポアの個数が3.5個/cm2以下であることを特徴とするCu−Ga合金円筒型鋳造品。
- Gaが25at%以上35at%以下、残部がCu及び不可避的不純物からなるCu−Ga合金を溶解・鋳造して円筒型鋳造品を製造方法であって、溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1100℃以下とし、かつ真空度を5.0×10−2torr以上の高い真空度として、溶解・鋳造することを特徴とするCu−Ga合金円筒型鋳造品の製造方法。
- 溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1040℃以下とすることを特徴とする請求項2記載のCu−Ga合金円筒型鋳造品の製造方法。
- 上記製造方法により、円筒型鋳造品を輪切りに切断した場合の、横断面における100μm以上の円相当径を有するポアの個数を3.5個/cm2以下とすることを特徴とする請求項2又は3記載のCu−Ga合金円筒型鋳造品の製造方法。
- Gaが25at%以上35at%以下、残部がCu及び不可避的不純物からなるCu−Ga合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲットに50μm以上の円相当径を有するポアの個数が0.3個/cm2以下であることを特徴とするCu−Ga合金円筒型スパッタリングターゲット。
- Gaが25at%以上35at%以下、残部がCu及び不可避的不純物からなるCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、Cu−Ga合金原料を溶解するに際して、溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1100℃以下とし、かつ真空度を5.0×10−2torr以上の高い真空度として、溶解・鋳造してCu−Ga合金円筒型鋳造品とした後、これを加圧力1500kg/cm2以上、温度750℃以上(融点−50)℃以下、保持時間2時間以上でHIP処理し、さらにターゲット形状に加工することを特徴とするCu−Ga合金円筒型スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記溶解温度を同合金の(融点+100)℃以上1040℃以下とし、かつ真空度を5.0×10−3torr以上の高い真空度として、溶解・鋳造してCu−Ga合金円筒型鋳造品とした後、これを加圧力1500kg/cm2以上、温度750℃以上(融点−50)℃以下、保持時間3時間以上でHIP処理させることを特徴とする請求項6に記載のCu−Ga合金円筒型スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記工程により、50μm以上の円相当径を有するポアの個数を0.3個/cm2以下とすることを特徴とする請求項7に記載のCu−Ga合金円筒型スパッタリングターゲットの製造方法。
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