JP2014179594A - 半導体光源装置及び投写型映像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】より多くの半導体光源素子を実装できる半導体光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光源装置（１０６）は、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含む第一の光源回路（１０１）と、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含み、第一の光源回路に対して接続部を介して直列に接続された第二の光源回路（１０２）と、第一の光源回路および第二の光源回路の直列接続回路に電源電圧を供給する電源回路（１００）と、第一の光源回路および第二の光源回路が取り付けられる導電体（１０５）と、を備える。接続部（Ｐ１）は、導電体に電気的に接続されて接地される。
【選択図】図１

Description

本開示は、複数の半導体光源素子を直列に接続して駆動する半導体光源装置、及びそれを用いた投写型映像表示装置に関する。

特許文献１は、ＬＥＤ（発光ダイオード）の駆動電圧以上の電源電圧を確保するだけで、電源電圧変動、ＬＥＤの諸特性及び使用環境に影響されることなく、所定の定電流を駆動できるＬＥＤ駆動回路を開示している。このＬＥＤ駆動回路は、直流電源Ｖと、直流電源Ｖの端子との間に接続された定電流回路を備える。定電流回路には、直列接続されたＬＥＤ列が接続される。定電流回路の出力端子間には、少なくとも１つのＬＥＤが接続される。定電流回路はフローティング接続されている。この構成により、電源電圧変動、ＬＥＤの諸特性及び使用環境に影響されることなく、所定の定電流を駆動できるＬＥＤ駆動回路を実現できる。

特開２０１１−２５８６１６号公報

本開示は、半導体光源の発光素子と発光素子を格納するケースとの間に印加される電圧を低減し、直列に接続して駆動することが可能な半導体光源の数を増やすことができる半導体光源装置を提供する。

本開示における半導体光源装置は、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含む第一の光源回路と、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含み、第一の光源回路の低圧側において、第一の光源回路に対して接続部を介して直列に接続された第二の光源回路と、第一の光源回路および第二の光源回路の直列接続回路に電源電圧を供給する電源回路と、第一の光源回路および第二の光源回路が取り付けられる導電体と、を備える。接続部は、導電体に電気的に接続されて接地される。

本開示における半導体光源装置は、直列接続された複数の半導体光源素子と、半導体光源素子を収納するケースとの間の電位差の最大値を低減させることができ、これにより、半導体光源装置において実装できる半導体光源素子の数を増やすことができる。

実施の形態１における半導体光源装置のブロック図 実施の形態で使用される半導体光源の構成を示す要部断面図 実施の形態で使用される半導体光源を導電体に取り付けた状態を示す図 半導体光源の直列接続における電圧関係を示す図 実施の形態１における半導体光源の直列接続の電圧関係を説明するための図 実施の形態２における半導体光源装置のブロック図 実施の形態３における半導体光源装置のブロック図 実施の形態４における半導体光源装置のブロック図 実施の形態５における投写型映像表示装置の構成を示す図

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。

なお、発明者は、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。

（実施の形態１）
以下、図１〜図５を用いて、実施の形態１を説明する。

図１は、実施の形態１における半導体光源装置のブロック図である。図２は実施の形態で使用される半導体光源装置に含まれる半導体光源素子の構成を示す要部断面図である。

図１に示すように半導体光源装置１０６は、電源を供給する電源回路１００と、半導体光源素子２０４が１つ以上直列に接続された第一の光源回路１０１と、半導体光源素子２０４が１つ以上直列に接続された第二の光源回路１０２と、第一及び第二の光源回路１０１、１０２に流れる電流を検出する電流検出回路１０４とを備える。

第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２との間には第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２を直列に接続する接続部を構成する、電流検出用の抵抗器１０３が接続されている。

電流検出回路１０４は抵抗器１０３の両端間電圧に基づいて抵抗器１０３、すなわち、第一及び第二の光源回路１０１、１０２に流れる電流値を検出してその電流検出値を電源回路１００に出力する。

電源回路１００はいわゆるフローティング電源として構成されている。電源回路１００は、電流検出回路１０４の検出出力に基づいて、抵抗器１０３、すなわち、第一及び第二の光源回路１０１、１０２に流れる電流が一定になるように電源電圧を制御する。電源回路１００の高圧側出力端に第一の光源回路１０１が接続されている。電源回路１００の低圧側出力端に第二の光源回路１０２が接続されている。

本実施の形態の半導体光源装置１０６は、金属製の放熱板である導電体１０５を備えている。導電体１０５には、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２が取り付けられ、電流検出用の抵抗器１０３と第二の光源回路１０２の接続点Ｐ１が導線１１１を介して導電体１０５に接地されている。

図２は半導体光源素子２０４の内部構造を示す断面図であって、半導体光源素子２０４は発光素子２０１と、発光素子２０１に接続された端子２０３と、発光素子２０１および端子２０３に接するように設けられる絶縁基板２００と、絶縁基板２００と接する導電性のケース２０２とから構成される。端子２０３は導電性のケース２０２に設けられた透孔２０５を通してケース２０２外部に突出している。端子２０３とケース２０２とは接触しておらず電気的に絶縁されている。

半導体光源２０４は、金属製の放熱板である導電体１０５に図３に示すように取り付けられる。端子２０３は導電体１０５の透孔１０７を貫通して配置され、ケース２０２は導電体１０５と接触して配置される。

端子２０３は導電体１０５とは接触しておらず電気的に絶縁されている。一方、ケース２０２と導電体１０５とは電気的に接続される。

以上のように構成された半導体光源装置１０６について、その動作を以下に説明する。

半導体光源素子２０４は上述したように、発光素子２０１と、発光素子２０１に接続された端子２０３と、発光素子２０１および端子２０３に接するように設けられる絶縁基板２００と、絶縁基板２００と接するケース２０２とを有する。

このような構成により、発光素子２０１はケース２０２とは絶縁され、かつ絶縁基板２００を通して発光素子２０１の熱がケース２０２から放熱可能となる。

図４は、本実施形態の課題を説明するための、従来技術における半導体光源素子２０４の導電体１０５への取り付けの状態を示した図である。

本例では、第一の光源回路１０１として直列接続された３個の半導体光源素子２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃと、第二の光源回路１０２として直列接続された３個の半導体光源の２０４ｄ、２０４ｅ、２０４ｆが導電体１０５に取り付けられている。第二の光源回路１０２の最終段の半導体光源素子２０４ｆの半導体光源素子２０４ｅに繋がれていない方の端子２０３ｆ２は導電体１０５に接続される。

この状態で、第一の光源回路１０１の半導体光源素子２０４ａの端子のうち隣の半導体光源素子２０４ｂに繋がれていない方の端子２０３ａ１と、導電体１０５とに対して、電源回路１００から電圧を供給して発光素子２０１を動作させるとする。

第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２の各半導体光源素子２０４ａ〜２０４ｆにおける端子間の電圧は発光素子の動作電圧Ｖｆになる。

従って、図４に示す構成の場合、半導体光源素子２０４ａ〜２０４ｆの端子と、半導体光源素子のケース２０２または導電体１０５との間の最大電圧は、発光素子２０１の動作電圧Ｖｆの６倍の電圧の６Ｖｆとなる。その最大電圧は、半導体光源素子２０４ａの端子２０３ａ１と、半導体光源素子２０４ａのケース２０２または導電体１０５との間で発生し得る。

すなわち、図４の構成で導電体１０５にＮ個の半導体光源素子２０４を実装した場合、最も高い電圧が印加される半導体光源素子の端子と、半導体光源のケースまたは導電体との間の電圧Ｖmaxは次のようになる。
Ｖmax＝Ｖｆ×Ｎ

半導体光源素子２０４の端子２０３と、ケース２０２または導電体１０５との間の許容電位差には上限（耐圧）がある。この許容電位差の上限により、導電体１０５に実装できる半導体光源素子２０４の数が制限される。すなわち、半導体光源素子２０４の実装可能個数は、導電体１０５全体に実装される半導体光源素子の個数×発光素子２０１の動作電圧Ｖｆが、許容電位差の上限（耐圧）を超えないように決定される必要がある。

本実施形態では、より多くの半導体光源素子２０４を導電体１０５に実装できるようにするため、半導体光源装置１０６において半導体光源素子２０４を図１に示すように実装している。すなわち、半導体光源装置１０６において、複数の半導体光源素子２０４が直列に接続された第一の光源回路１０１と、複数の半導体光源素子２０４が直列に接続された第二の光源回路１０２とが、電流検出用の抵抗器１０３を介して接続している。また、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２とが導電体１０５に取り付けられている。さらに、電流検出用の抵抗器１０３と第二の光源回路１０２の接続部Ｐ１とを、導体１１１によって導電体１０５に接地している。

図５は、本実施形態の半導体光源装置１０６における半導体光源素子２０４の導電体１０５への接続状態をより具体的に説明するための図である。

第一の光源回路１０１としての、６個の半導体光源素子２０４ａ〜２０４fの直列接続と、第二の光源回路１０２としての、６個の半導体光源素子の２０４g〜２０４lの直列接続とが導電体１０５に取り付けられている。そして、第一の光源回路１０１の最終段の半導体光源素子２０４fの半導体光源素子２０４ｅに接続されていない方の端子２０３f２に、抵抗器１０３の一端が接続されている。抵抗器１０３の他端は接続点Ｐ１で導体１１１によって導電体１０５に接続されて接地されている。さらに、抵抗器１０３の他端は、第二の光源回路１０２の初段の半導体光源素子２０４gの端子２０３g１に接続されている。

このように接続することで、第一の光源回路１０１において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４ａの端子２０３ａ１と、ケース２０２または導電体１０５との間の電圧Ｖａは、抵抗器１０３の両端電圧Ｖｒとすると、第一の光源回路１０１に実装する半導体光源素子２０４の個数が６であることから、次のようになる。
Ｖａ＝６Ｖｆ＋Ｖｒ

また、第二の光源回路１０２において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４lの端子２０３l２と、ケース２０２または導電体１０５との間の電圧Ｖｂは、第二の光源回路１０２に実装する半導体光源素子２０４の個数が６であることから、次のようになる。
Ｖｂ＝６Ｖｆ

なお、抵抗器１０３の値はその両端電圧Ｖｒが、通常２Ｖ（ボルト）以下程度の低い電圧になる値に設定される。

上記のように、本実施形態では、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２との間が接地されていることから、第一の光源回路１０１及び第二の光源回路１０２それぞれにおける、半導体光源素子２０４の端子とケース２０２または導電体１０５との間の最大電位差Ｖａ、Ｖｂが、許容電位差の上限内に収まるように半導体光源素子２０４を実装すればよい。したがって、第一の光源回路１０１及び第二の光源回路１０２それぞれの回路において、許容電位差により定まる最大の実装可能数の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。このため、第一の光源回路１０１及び第二の光源回路１０２のそれぞれに実装する半導体光源素子２０４の個数を同一とすれば、従来の構成（図４参照）のほぼ２倍の数の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

例えば、許容電位差の上限を略６Ｖfとすると、図４に示す構成では、第１の光源回路１０１及び第２の光源回路１０２双方の合計で６個の半導体光源素子２０４を実装できる。これに対して、図５（図１）に示す構成では、第１及び第２の光源回路１０１それぞれにおいて６個の半導体光源素子２０４を実装でき、合計で１２個の半導体光源素子２０４を実装することができる。すなわち、図４の構成のほぼ２倍の数の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

図１に戻り、電流検出回路１０４は、抵抗器１０３の両端の電圧を検出することで、抵抗器１０３に流れる電流すなわち第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２を流れる電流を検出する。電源回路１００は、電流検出回路１０４により検出された電流値に基づき、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２に対する出力電圧を制御する。すなわち、半導体光源素子２０４は発熱によって順方向電圧Ｖｆが変動し、これにより、抵抗器１０３すなわち第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２を流れる電流が変動する。このため、電源回路１００は、電流検出回路１０４により検出された電流値に基づき出力電圧を制御して、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２に所望の電流を流すようにしている。

以上のように、本実施形態の半導体光源装置１０６は、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子２０４を含む第一の光源回路１０１と、直列に接続された１つ以上の半導体光源素子２０４を含み、第一の光源回路の低圧側において、第一の光源回路１０１に対して接続部（Ｐ１）を介して直列に接続された第二の光源回路１０２と、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２の直列回路に電源電圧を供給する電源回路１００と、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２が取り付けられる導電体１０５と、を備える。接続部（Ｐ１）は、導電体１０５に電気的に接続されて接地される。

この構成により、半導体光源素子２０４の端子２０３とケース２０２との間の許容電位差によって制限される個数の約２倍の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

また、電流検出回路１０４は、抵抗器１０３の両端の電圧を検出することで、抵抗器１０３に流れる電流すなわち第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２を流れる電流を検出し、電源回路１００を制御するようにしている。かかる構成によれば、抵抗器１０３の片側がＧＮＤ（接地）レベルになり、また抵抗器１０３の両端の電圧は通常小さくなる。このため、電流検出回路１０４がＧＮＤ（接地）レベルを基準に動作する時、電流検出回路１０４が取り扱う電流を検出するための電圧の電位が低くなるという利点がある。

（実施の形態２）
以下、図６を用いて、実施の形態２を説明する。

図６は、実施の形態２における半導体光源装置のブロック図である。

実施の形態２において、実施の形態１と同一構成部分については同一符号を付している。実施の形態１では、抵抗器１０３と第二の光源回路１０２の接続部を導電体１０５に接地していた。これに対して、実施の形態２では、抵抗器１０３と第一の光源回路１０１の接続部（接続点Ｐ２）を、導体１１１を介して導電体１０５に接地するようにしている。

本実施の形態２の動作は実施の形態１における半導体光源装置１０６の動作と同様である。第一の光源回路１０１において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４の端子２０３の導電体１０５に対する電圧は、第一の光源回路１０１に実装する半導体光源素子２０４の個数×Ｖｆとなる。また、第二の光源回路１０２において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４の端子２０３の導電体１０５に対する電圧は、第二の光源回路１０２に実装する半導体光源素子２０４の個数×Ｖｆ＋抵抗器１０３の両端電圧となる、抵抗器１０３の値はその両端電圧が、通常２Ｖ（ボルト）以下程度の低い電圧になる値に設定される。

以上のように、本実施の形態においても、実施の形態１における半導体光源装置１０６と同様に、従来の構成（図４参照）に対して約２倍の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

また、電流検出回路１０４は、抵抗器１０３の両端の電圧を検出することで、抵抗器１０３に流れる電流すなわち第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２を流れる電流を検出し、電源回路１００を制御するようにしている。かかる構成によれば、抵抗器１０３の片側がＧＮＤ（接地）レベルになり、また抵抗器１０３の両端の電圧は通常小さくなる。このため、電流検出回路１０４がＧＮＤ（接地）レベルを基準に動作する時、電流検出回路１０４が取り扱う電流を検出するための電圧の電位が低くなるという利点がある。

（実施の形態３）
以下、図７を用いて、実施の形態３を説明する。

図７は、実施の形態３における半導体光源装置のブロック図である。

この実施の形態３において、実施の形態１と同一構成部分については同一符号を付している。実施の形態１では、抵抗器１０３は第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２の間に接続されていた。これに対して本実施形態では、抵抗器１０３は、電源回路１００と第一の光源回路１０１の間に直列に挿入され、すなわち、第一の光源回路１０１の高圧側に挿入されている。また、抵抗器１０３は、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２は接続部で接続され、その接続点Ｐ３が導体１１１によって導電体１０５に接続（接地）されている。

本実施の形態においても、実施の形態１における半導体光源装置１０６と同様に、第二の光源回路１０２において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４の端子の電圧は、第二の光源回路１０２に実装する半導体光源素子２０４の個数×Ｖｆとなる。また実施の形態２における半導体光源装置１０６と同様に、第一の光源回路１０１において最も高い電圧が印加される半導体光源素子２０４の端子の電圧は、第一の光源回路１０１に実装する半導体光源素子２０４の個数×Ｖｆとなる。

以上のように、本実施の形態においても、前述の実施の形態と同様に、従来の構成（図４参照）に対して約２倍の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

また、電流検出回路１０４は、電源回路１００と第一の光源回路１０１との間に直列に接続された抵抗器１０３の両端の電圧を検出することで、抵抗器１０３に流れる電流を検出し、電源回路１００を制御するようにしている。かかる構成によれば、抵抗器１０３の片側が電源回路１００の＋側出力のレベルになり、また抵抗器１０３の両端の電圧は通常小さくなる。このため、電流検出回路１０４が電源回路１００の＋側を基準に動作する時、電流検出回路１０４が取り扱う電流を検出するための電圧の電位が低くなるという利点がある。

（実施の形態４）
以下、図８を用いて、実施の形態４を説明する。

図８は、実施の形態４における半導体光源装置のブロック図である。

本実施の形態において、実施の形態１と同一構成部分については同一符号を付している。実施の形態１では、抵抗器１０３は第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２との間に挿入されていた。これに対して本実施形態では、抵抗器１０３は、第二の光源回路１０２と電源回路１００との間に直列に挿入され、すなわち、第二の光源回路１０２の低圧側に挿入されている。

また、第一の光源回路１０１と第二の光源回路１０２は接続部で接続され、その接続点Ｐ４が導電体１０５に接続（接地）されている。

本実施形態の半導体光源装置は、実施の形態３における半導体光源装置と同様の動作を行う。

本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、従来の構成（図４参照）に対して約２倍の個数の半導体光源素子２０４を実装することが可能となる。

また、電流検出回路１０４は、第二の光源回路１０２と電源回路１００との間に直列に接続された抵抗器１０３の両端の電圧を検出することで、抵抗器１０３に流れる電流を検出し、電源回路１００を制御するようにしている。かかる構成によれば、抵抗器１０３の片側が電源回路１００の−側出力のレベルになり、また抵抗器１０３の両端の電圧は通常小さくなる。このため、電流検出回路１０４が電源回路１００の−側を基準に動作する時、電流検出回路１０４が取り扱う電流を検出するための電圧の電位が低くなるという利点がある。

（実施の形態５）
図９を用いて、上記の各実施形態で説明した半導体光源装置１０６を備えた投写型映像表示装置を説明する。図９に、上記の実施の形態における半導体光源装置１０６を備えた投写型映像表示装置５００の構成を示す。

投写型映像表示装置５００は、励起光源１２１と、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）２４と、投写レンズ２５とを備える。

励起光源１２１は、上記の実施形態のいずれかで説明した半導体光源装置１０６を含む。励起光源１２１は、青色光を出力する発光素子を含み、青色の励起光を出力する。

集光レンズ６は、コリメータレンズ５から出力される青色光を集光する。レンズ７は、集光レンズ６から出射される青色の励起光が入射され、この光を平行光に変換する。

レンズ７から出射された励起用の青色光は、青色光を透過し緑色光を反射するダイクロイックミラー８を通過し、一対の凸レンズ９ａ、９ｂからなる集光／平行化レンズ９に入射する。

励起光によって励起され、蛍光体ホイール１０１の緑色蛍光体１０２から発光した緑色光は、集光／平行化レンズ９に入射し平行化されて、ダイクロイックミラー８に出射される。

ダイクロイックミラー８は、集光／平行化レンズ９からの緑色光を反射し、緑色光を透過し赤色光を反射するダイクロイックミラー１２に、緑色光を出射する。

平行化レンズ１３は、一対の凸レンズ１３ａ、１３ｂから構成される。赤色発光素子１４は、平行化レンズ１３に対向配置されて、赤色光を発光する。赤色発光素子１４からの赤色光は、平行化レンズ１３で平行化されてダイクロイックミラー１２に出射される。

平行化レンズ１３から出射される赤色光はダイクロイックミラー１２で反射されて、赤色光と緑色光を透過し青色光を反射するダイクロイックミラー１５に入射する。

平行化レンズ１６は、一対の凸レンズ１６ａ、１６ｂから構成される。青色発光素子１７は、平行化レンズ１６に対向配置されて、青色光を発光する。青色発光素子１７からの青色光は平行化レンズ１６で平行化されてダイクロイックミラー１５に対して出射される。

以上のようにして、緑色光、赤色光、青色光の３色の光が、集光レンズ１８に入射する。すなわち、蛍光体ホイール装置１０からの緑色光はダイクロイックミラー８で反射された後、ダイクロイックミラー１２、１５を通過して集光レンズ１８に入射する。赤色発光素子１４から出射された赤色光はダイクロイックミラー１２で反射されてダイクロイックミラー１５を通過し集光レンズ１８に入射する。青色発光素子１７から出射された青色光はダイクロイックミラー１５で反射され集光レンズ１８に入射する。

集光レンズ１８は緑色光、赤色光、青色光を集光してロッドインテグレータ１９の一端面に出射する。ロッドインテグレータ１９の他端面から出射される出射光はリレーレンズ２０、２１を通過して全反射ミラー２２に出射される。

全反射ミラー２２で反射された光はレンズ２３を通過してＤＭＤ２４に入射する。ＤＭＤ２４は、入射した光を映像信号に応じて変調し、その変調した光を、レンズ２３を通して投写レンズ２５に対して出射する。投写レンズ２５は、入射された光を外部のスクリーンに拡大投写する。

（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態１〜４を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態１〜４で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。

実施の形態１〜４では、光源回路を構成する要素として半導体光源素子を記載しているが、半導体光源素子として、具体的にはレーザーダイオードやＬＥＤ（発光ダイオード）を用いる事が可能である。

実施の形態５において変調装置としてＤＭＤを用いた例を説明したが、変調装置はこれに限定されない。例えば、変調装置を液晶パネルで構成してもよい。

実施の形態１〜４の半導体光源駆動装置光源装置は、投写型映像表示装置（プロジェクタ）の光源や照明装置の光源等、種々の装置の光源として使用できる。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。

したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

本開示は、複数の半導体光源素子を直列に接続して駆動する、半導体光源装置に適用可能である。具体的には、プロジェクタの光源、照明用光源などに、本開示は適用可能である。

１００ 電源回路
１０１ 第一の光源回路
１０２ 第二の光源回路
１０３ 抵抗器
１０４ 電流検出回路
１０５ 導電体
１０６ 半導体光源装置
１２１ 励起光源
２００ 絶縁基板
２０１ 発光素子
２０２ ケース
２０４、２０４ａ〜２０４ｌ 半導体光源素子
２０３、２０３ａ１、２０３ｃ２、２０３ｄ１、２０３ｆ２ 端子
５００ 投写型映像表示装置（プロジェクタ）

Claims (7)

1. 直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含む第一の光源回路と、
   直列に接続された１つ以上の半導体光源素子を含み、前記第一の光源回路の低圧側において、前記第一の光源回路に対して接続部を介して直列に接続された第二の光源回路と、
   前記第一の光源回路および第二の光源回路の直列接続回路に電源電圧を供給する電源回路と、
   前記第一の光源回路および第二の光源回路が取り付けられる導電体と、を備え、
   前記接続部が前記導電体に電気的に接続されて接地された
   半導体光源装置。
2. 前記接続部は、前記第一の光源回路と前記第二の光源回路との間に直列に接続された電流検出用抵抗を含み、前記電流検出用抵抗と前記第二の光源回路との接続点が前記導電体に接続されて接地された、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光源装置。
3. 前記接続部は、前記第一の光源回路と前記第二の光源回路との間に直列に接続された電流検出用抵抗を備え、前記電流検出用抵抗と前記第一の光源回路との接続点が前記導電体に接続されて接地された、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光源装置。
4. 前記電源回路と前記第一の光源回路との間に電流検出用抵抗が直列に接続される請求項１に記載の半導体光源装置。
5. 前記電源回路と前記第二の光源回路との間に電流検出用抵抗が直列に接続される請求項１に記載の半導体光源装置。
6. 前記電流検出用抵抗に流れる電流を検出する電流検出回路をさらに備え、
   前記電源回路は、前記電流検出回路の出力に基づき、前記第一および第二の光源回路に供給する電源電圧を制御する
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体光源装置。
7. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体光源装置と、
   前記半導体光源装置から光を透過させる光学系と、
   前記光学系を通して受けた光を映像信号に応じて変調して出力する変調装置と
   を備えたことを特徴とする投写型映像表示装置。

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