JP2014170839A - レーザー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱源となる励起半導体レーザーの近傍に生じる発熱要因と、環境温度や伝送されたレーザーの吸収で生じる発熱要因とを区別し、それぞれに適した制御ユニットを配置し、その制御ユニット間の情報をコンピュータープログラムで適切に制御することにより、突発的な要因で生じる不具合も含め、レーザー装置の立ち上がり時間を大幅に短縮できる技術を提供する。
【選択図】図1
Description
しかし、APC制御では、レーザー発振媒体を固定している保持機具の応力歪みに対しては、比較的良好な応答性を有する。
短時間と長時間の閾値を示す時間は、例えば、1分である。この閾値を示す時間は、レーザー装置内のミラーの数、非線形素子の数、又は、半導体レーザーの特性等の構成要素によって適宜決定される。
光センサーが検知した信号強度の変化において、短時間で変化する要因は、励起源である半導体レーザーの強度変化であるか、あるいは、大きな熱源でもある半導体レーザーに近い位置の光学素子の熱歪みによる光軸ずれに起因すると考えられる。他方、光センサーが検知した信号において、長時間で変化する要因は、大きな熱源から遠い場所における光学素子の歪みに起因すると考えられる。さらに、長時間の変化の要因には、ゆっくりと劣化する非線形光学結晶の損傷や屈折率変化による光軸ずれが考えられる。
単一の光センサーでは、どのような要因により、信号強度が変化するかは区別できないが、信号強度の応答時間を短時間領域と長時間領域に分けること、また、上記のように主レーザーとそれを励起する半導体レーザーという2系統のレーザーを含むシステムにおける特徴を踏まえた制御をおこなうことにより、複雑に重畳した熱歪みによる光軸ずれを制御でき、レーザーシステム全体を安定化させることが可能となる。
しかし、本発明に係る制御システムで制御した場合は約30分で、レーザー装置として安定して使用できる状態となり大幅に立ち上げ時間の短縮が実現される。
この微動機構は、たとえば、モーターに回転方向と回転量を含む制御信号を送る事で、その制御信号に応じた変位を起こし、結果的に通過するレーザービームの光軸を変化させることができる。
たとえば、図2に示すような光軸微動機構において、光学素子が反射ミラーの場合は、通過するレーザービームは、微動機構の動きにより、そのビームの仰角と俯角を変化させることができる。さらに、図2に示すような光軸微動機構を2台組み合わせて、レーザービームを通過させることにより、都合4軸、すなわちそれぞれの微動機構を制御することにより、角度だけではなく、ビームを平行移動させることもできる。
光学制御ユニット20は、レーザーが図2に示すような光軸微動機構を複数個通過する過程で、制御信号に応じて、仰角、俯角、平行移動を組み合わせることによりレーザーの光軸を制御する機能を有する。この機能を使うことにより、最適とされた光軸からずれた場合には、光検知器15(センサー)からの信号を元にコンピューター27により分析された情報を用いて、適切な光軸に補正することができる。コンピューター27は、光軸微動機構の装置ID番号や、アクチュエーターの変位量を知る必要があり、光学制御ユニット20とコンピューター27は双方向性の信号制御が行われる。
その発熱は、保持機構45の内部に、応力歪み52を発生させ、周辺保持機構46の内部にも応力歪み53を発生させ、結果的に通過するレーザー50のようにその光軸は、熱歪みの無い場合の通過レーザー49とは光軸がずれたものとなる。この光軸ずれには、機能性光学素子47の屈折率の温度依存性による光軸ずれも重畳するので、補正のための制御は複雑となるが、光軸微動制御ユニット20からの制御信号18により、光学系8のユニット内に含まれる図2に示すような光軸微動機構を制御することにより、光軸補正が行われる。
ビーム14は、光軸ずれが生じて光検知器15に入射するビームの一部が検知されないために起こる信号強度の変化と、光軸ずれが生じていないが、レーザー12自体の強度そのものの信号強度の変化とが重畳されている。その重畳された変化は、光検知器15に入り、電子回路を経て電気信号に変換され、光強度検知信号16となる。光強度検知信号16は、APC制御ユニット23に導かれ、その情報は、APC制御ユニット23と光軸微動制御ユニット20とに共有され、以下に説明するような制御手順に使用される。
コンピューター27にプログラムされている制御手順(1)を実行する処理において、APC制御ユニット23とコンピューター27とを接続する信号経路25を使い、光強度検知信号16から得られる信号強度の変化を判別して、半導体レーザー3とコンピューター27とを接続する信号経路26を通じて、所定の設定値となるように、半導体レーザーの電流を制御する。
例えば、主共振器2におけるレーザー発振素子に由来する光軸ずれの場合は、半導体レーザー3への入力電流の増減に応じて比較的敏感に光軸ずれに影響を与えるため、光検知器は、数ミリから数十ミリ秒程度の応答速度を有し、入射される光強度の変化に対して十分な応答速度で対応できるように設計される。コンピューター27が、例えば、数十ミリ秒程度の変化速度の電流変化を半導体レーザーに与えるように指示すると、コンピューター27の指示後、所定時間内(具体的数値はシステムパラーメータとして決められる)に光検出器は光強度の変化を感知することになり、コンピューター27は、レーザー発振素子に由来する光軸ずれと認識し、APC制御は所定時間以内、例えば1分以内に行われる。
コンピューター27にプログラムされている制御手順(2)を実行する処理において、光軸微動制御ユニット20とコンピューター27とを接続する信号経路24を使い、APC制御ユニット23から信号経路22を通じてもたらされる光強度検知信号16の情報を判別して、光学系10、8、6の光軸微動機構を制御する制御信号17、18、19、を通じて光軸制御することにより、光強度検知信号16の強度が所定の設定値に戻るかどうか、コンピューター27に搭載されているプログラムで監視や制御を行う。
光学系10、8、6の光学素子に由来する光軸ずれの場合は、瞬時的なものではない。よって、応答速度の速い(1)の制御手順により、半導体レーザーへの入力電流を増減変化で強制的に光軸を変動させたとしても、瞬時的に光軸のずれが感知される可能性はあるが、半導体レーザーへの入力電流制御によって発生した光軸の大きなずれに瞬時的に小さなずれが重畳しただけの感知分析処理結果となり、光学系10、8、6に起因した光軸のずれであることを判別できない。
応答速度の速い制御手順(1)では光検知器を含む処理系で光軸ずれが感知されない場合があるが、制御手順(2)では、コンピューター27によって光学系10、8、6の光軸微動機構を意図的に制御することにより、光検知器が、光軸ずれの正しい補正、あるいは、さらに大きな光軸ずれの変化を感知し、コンピューター27は、光学素子に由来する光学素子に由来する光軸ずれと認識する。
APC制御の応答時間が1分以上の場合は、制御手順(2)が行われる。
コンピューター27にプログラムされている制御手順(3)を実行する処理において、上記の制御手順(1)と制御手順(2)を併用した制御を行う。すなわち、APC制御ユニット23による半導体レーザー3の電流制御と、光軸微動制御ユニット20による光軸制御を併用することにより、光強度検知信号16の強度が所定の設定値に戻るかどうか、コンピューター27に搭載されているプログラムで監視や制御を行う。
図5に、機能性光学系8において、機能性光学素子47(図3参照)が、非線形光学結晶56である場合の一例を示す。前段からのレーザービーム57は、光軸微動機構58、59を経て、非線形光学素子56に導かれ、結晶からの出射レーザービーム60となる。非線形光学素子56は、光学素子保持機構55に取り付けられており、その光学素子保持機構は、5軸移動微動機構54に取り付けられている。
2 主レーザー共振器
3 半導体レーザー
4 励起レーザー光
5 レーザービーム
6 分岐や集光あるいは反射を行う光学系
7 レーザー
8 機能性光学系
9 レーザー
10 分岐や集光あるいは反射を行う光学系
11 ビームスプリッター
12 最終的なレーザー
13 出力端
14 分岐ビーム
15 光検知器
16 光強度検知信号
17 制御信号
18 制御信号
19 制御信号
20 光軸微動制御ユニット
21 信号経路
22 信号経路
23 APC制御ユニット
24 信号経路
25 信号経路
26 信号経路
27 コンピューター
28 インターネット回線
29 コンピューター
30 微動機構駆動アクチュエーター
31 微動機構
32 保持機構
33 ミラー素子
34 レーザー
35 反射レーザー
36 反射レーザー
37 透過レーザー
38 発熱
39 力学的応力歪み
40 光強度検知信号の強度
41 光強度検知信号最適値
42 不感領域
43 境界値
44 共存領域
45 保持機構
46 周辺保持機構
47 機能性光学素子
48 入射レーザー
49 通過レーザー
50 レーザー
51 発熱
52 応力歪み
53 応力歪み
54 5軸移動微動機構
55 光学素子保持機構
56 非線形光学結晶
57 レーザービーム
58 光軸微動機構
59 光軸微動機構
60 出射レーザービーム
61 移動後の結晶位置
62 移動後のレーザービーム位置
63 移動前のレーザービーム位置
Claims (6)
- 励起用半導体レーザーを励起源とするレーザー装置から出力されたレーザービーム光を検出する単一の光検出器と、
光検出器で検出された信号を受信し、その信号に基づいて半導体レーザーの電流を制御して光軸をAPC制御するAPC制御ユニットと、
レーザービームが通過する光学系ユニットを微動制御して光軸を制御する光軸微動制御ユニットと、
を有して構成される光軸制御システムであって、
光検出器で検出された信号が所定の閾値を越える場合は、APC制御ユニットのみが機能してレーザービームの光軸を制御し、前記閾値を下回る場合は、APC制御ユニットと微動機構制御ユニットの双方が機能して光軸を制御するように構成された光軸制御システム。 - 前記光軸微動制御ユニットから送信された情報を分析し、レーザー発振素子の発熱由来の光軸変化であるか、あるいは、レーザー発振素子とは別の光学素子の環境温度に由来した光軸変化であるかを区別する、請求項1に記載の光軸制御システム。
- 光軸微動制御ユニットの機能が停止した状態で一定時間以上経過した場合、光軸微動制御ユニットの機能が停止した状態で半導体レーザーの電流値が所定の設定値を超えた場合、又は、光検知器の信号値が前記閾値以下の場合には、光軸微動制御ユニットの制御機能が回復する、請求項1又は2に記載の光軸制御システム。
- 励起用半導体レーザーのAPC制御の応答時間は所定時間以内とし、光軸微動機構の制御の応答時間は所定時間を超えるものとする、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の光軸制御システム。
- 前記光学系ユニットは非線形結晶を有し、所定の非線形結晶の劣化条件を満たして、非線形結晶の劣化に起因した光軸変化であるかを判別して、光軸微動機構の制御と半導体レーザーの制御を行う機能を有する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の光軸制御システム。
- 上記の光軸変化の情報や制御情報を、インターネットを通じて遠隔地のコンピューターに伝送して分析し、その情報を元にしてレーザー装置の適切な光軸を変化させること無く、レーザー装置内の非線形結晶の位置を微動する機能を有する、請求項5に記載の光軸制御システム。
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