JP2014168836A - 光デバイス封止構造体および封止部品 - Google Patents

Abstract

【課題】気密性の低下を防止することができる光デバイス封止構造体を提供する。
【解決手段】封止空間３０内に光デバイス２が収容された光デバイス封止構造体１は、光デバイス２を収容する筺体１９と、筺体１９の上部に設けられて、筺体１９の開口部１９ｃを覆う蓋部２０と、を備え、筺体１９は、第１の基材１９ａと、第２の基材１９ｂと、を有し、第１の基材１９ａは、ダイキャスト製の金属から構成され、蓋部２０および第２の基材１９ｂは、ガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の金属から構成され、第１の基材１９ａの蓋部２０と対向する領域に第２の基材１９ｂが接合され、蓋部２０と第２の基材１９ｂとの境界付近には溶け込み部２４が形成され、第２の基材１９ｂは、溶け込み部２４よりも大きい厚みＴを有している。
【選択図】図６

Description

本発明は、光デバイス封止構造体および封止部品に関する。

特許文献１においては、光学素子が気密パッケージされた再構成可能光アド・ドロップ・モジュール（ＲＯＡＤＭ）パッケージが開示されている。

特開２００９−１４５８８７号公報

特許文献１に記載のＲＯＡＤＭパッケージは、光学素子を収容する筺体を有し、当該筺体はアルミナ・セラミックからなる基部と、コバール（Ｋｏｖａｒ）（登録商標）からなる側壁部および蓋部とを有する。基部と側壁部とは半田付けにて固定され、側壁部と蓋部とは半田付け、抵抗溶接あるいはレーザ溶接により固定されている。

このようなＲＯＡＤＭパッケージにおいては、波長が互いに異なる複数の信号成分を含む光信号を受けて該光信号を各信号成分に分光して出力するために、例えば回折格子を有する分光素子と、分光された各信号成分をそれぞれ異なる方向へ反射する光偏向素子（例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラーやＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon））とを備えている。このような分光素子および光偏向素子を含む分光光学系では、複数の信号成分を含む光信号と、その光信号から分光された各信号成分とが、空間を伝搬する。したがって、分光光学系が収容される空間の気体の組成が変化し、それによって気体の屈折率が変動すると、この分光光学系により分光される光の波長も変動してしまう。このため、高い気密密封品質を確保するために筺体を構成する基部、側壁部および蓋部を強固に溶接する必要がある。一方、生産コストを抑えるため、高価なコバールの代わりに、筺体の側壁部や蓋部がダイキャスト製の金属材料から構成される場合がある。しかし、ダイキャスト製の金属の内部には空洞である鋳巣が発生することが多く、この金属により筺体を形成すると気密性が低下してしまう。

そこで、本発明は、気密性の低下を防止することができる光デバイス封止構造体および封止部品を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明がとりうる第１の態様は、
封止空間内に光デバイスが収容された光デバイス封止構造体であって、
前記光デバイスを収容する筺体と、
前記筺体の上部に設けられて、前記筺体の開口部を覆う蓋部と、を備え、
前記筺体は、第１の基材と、第２の基材と、を有し、
前記第１の基材は、ダイキャスト製の金属から構成され、
前記蓋部および前記第２の基材は、ガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の金属から構成され、
前記第１の基材の前記蓋部と対向する領域に前記第２の基材が接合され、
前記蓋部と前記第２の基材との境界付近には溶け込み部が形成され、
前記第２の基材は、前記溶け込み部よりも大きい厚みを有している。

さらに、上記の目的を達成するために、本発明がとりうる第２の態様は、
光デバイスを収容する筺体を構成する封止部品であって、
基部と、前記基部から立設する側壁部と、前記基部に対向する開口部とを備え、
前記開口部は、前記側壁部の上端部に前記開口部を覆う蓋部を搭載するように形成され、
前記基部および前記側壁部は、ダイキャスト製の第１の金属部材から構成され、
前記上端部であって前記蓋部と対向する領域において、ガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の第２の金属部材が前記第１の金属部材に接合されている。

本発明の光デバイス封止構造体によれば、蓋部、および蓋部と接合される筺体の第２の基材はガス含有量の少ない金属により形成されているため、筺体と蓋部との接合部は鋳巣が発生することが少ない。そのため、気密性の低下を確実に防止することができる。

本発明に係る光デバイス封止構造体の実施形態を示す平面斜視図である。 図１に示される光デバイス封止構造体の基部斜視図である。 図１に示される光デバイス封止構造体の内部に収容される光デバイスとして波長選択光スイッチを示す概略構成図である。 図１に示される光デバイス封止構造体の内部に収容される光デバイスとして通常の光スイッチを示す概略構成図である。 図１に示される光デバイス封止構造体の断面図である。 （ａ）は、図５に示される光デバイス封止構造体の筺体と蓋部との接合箇所を示す拡大断面図、（ｂ）は筺体と蓋部との接合箇所に溶け込み部が形成された状態を示す拡大断面図である。 図５に示される光デバイス封止構造体を形成するための光デバイス封止方法の工程を示すフローチャートである。 図５に示される光デバイス封止構造体の変形例を示す拡大断面図である。

以下、本発明に係る光デバイス封止構造体および封止部品の実施形態の例を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。

図１および図２に示すように、本実施形態に係る光デバイス封止構造体１は、光デバイス２（図３参照）と、光デバイス２を気密封止する矩形箱型の金属パッケージ３とを備えている。筺体１９と蓋部２０は封止空間３０を区画形成する。

封止空間３０内には、光デバイス２が収容されている。本実施形態において光デバイス２は、互いに波長が異なる複数の信号成分を含む光信号を受け、各信号成分をそれぞれ異なる方向に出射することにより、当該複数の信号成分を分離する分光光学系を備える。分光光学系を有する光デバイスとしては、分散補償器や波長ブロッカ、波長選択光スイッチが挙げられる。

図３に光デバイス２の一例としての波長選択スイッチを示す。光デバイス２は、ポートアレイ５、分光素子の一例としての回折格子６、光偏向素子の一例としての複数のＭＥＭＳ（micro-electro-mechanical systems）ミラー７、および駆動ＩＣ８を備えている。ポートアレイ５は、入力ポート５ａ、および出力ポート５ｂを備えている。光偏向素子としては、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）のような反射型液晶素子や、透過型液晶素子、ＤＭＤ (Digital Mirror Device)、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等といった、印加する電圧によって光路が切り替えられる素子を用いることが好ましい。

ポートアレイ５は、封止空間３０の外部から導入された複数の光ファイバ２５と、入力レンズ５ｃまたは出力レンズ５ｄを含んで構成されている。入力ポート５ａは、所定の入力用光ファイバ２５と、これと光学的に接続された入力レンズ５ｃを含む。出力ポート５ｂは、所定の入力用光ファイバ２５と、これと光学的に接続された出力レンズ５ｄを含む。

入力ポート５ａから入力される入力光は、互いに波長が異なる複数の信号成分を含む波長多重光信号である。入力光は回折格子６により所定の波長成分光に分光され、各波長成分ごとに異なる方向へ出射される。各波長成分光は、図示しない集光レンズを介して、対応するＭＥＭＳミラー７に結像される。

各ＭＥＭＳミラー７は、マイクロマシン技術によって作製されたミラーであって、複数の微小な光反射面を有する。これら複数の光反射面は弾性的に支持されており、各々に設けられたアクチュエータに印加される制御電圧の大きさに応じて、その角度を個別に変化できるように構成されている。すなわち、駆動ＩＣ８により電気的に反射面の傾斜角を制御可能とされており、入射した対応する波長成分光の光路を制御する。

各ＭＥＭＳミラー７は、回折格子６から出力された各波長成分光を受けて、いずれかの出力ポート５ｂへ向けて反射する。各波長成分光は、図示しない集光レンズおよび回折格子６を経て、当該出力ポート５ｂが備える出力レンズ５ｄを通過し、当該出力レンズ５ｄと光学的に接続された出力用光ファイバ２５内を伝搬して封止空間３０の外側へと導出される。複数のＭＥＭＳミラー７が同一の出力ポート５ｂへ向けて入射した信号成分光を反射した場合、接続された光ファイバ２５内において波長の異なる複数の信号成分光が結合されることとなる。

このような光通信に用いられる分光光学系を収容する封止構造体は、封止空間内のガスのリーク量が５×１０^−９Ｐａ・ｍ^３／ｓｅｃ以下であることが好ましい。

図２および図３に示すように、筺体１９にはファイバフィードスルー２６が設けられている。ファイバフィードスルー２６は、光信号の伝達に用いられる光ファイバ２５を封止空間３０の外側から内側へ導入するための部材である。

また、光デバイス２は、図４に示すような通常の光スイッチ２Ｂであっても良い。光スイッチ２Ｂは、入力ポートを形成する複数本の光ファイバ１２と、出力ポートを形成する複数本の光ファイバ１３と、各光ファイバ１２から出射された光をコリメートする複数のレンズ１４と、各光ファイバ１３に入射される光を集光する複数のレンズ１５と、レンズ１４を通過した光を対応する光ファイバ１３に向けて偏向するＭＥＭＳミラー１６， １７と、ＭＥＭＳミラー１６，１７をそれぞれ駆動する駆動ＩＣ１８Ａ，１８Ｂとを有している。駆動ＩＣ１８Ａ，１８Ｂは、後述するように筺体１９に設けられた電気フィードスルー２９を通して、外部の制御部９と電気的に接続されている。

金属パッケージ３は、図５に示すように、光デバイス２を収容する筺体（封止部品）１９と、筺体１９の上部に設けられる蓋部２０とを有している。筺体１９は、第１の基材（第１の金属部材）１９ａと、第２の基材（第２の金属部材）１９ｂとから構成され、蓋部２０に対向する開口部１９ｃを有している。第１の基材１９ａは、基部１９ａ１と、基部１９ａ１から立設する側壁部１９ａ２とを備えている。

第１の基材１９ａには、筺体１９の内部と外部とを光ファイバにより空間的に連通するファイバフィードスルー２６と、筺体１９の内部と外部とを電気的に連結する電気フィードスルー２９と、筺体１９の内部に封止ガスを導入可能なガス導入部４０とが設けられている。

第１の基材１９ａの側壁部１９ａ２には、上記のファイバフィードスルー２６が側壁部１９ａ２を貫通するように設けられている。ファイバフィードスルー２６は、筺体１９の内部と外部とを空間的に連通しており、筺体１９内に複数本の光ファイバ２５（図３に示す光ファイバ４、図４に示す光ファイバ１２，１３に相当）を導入可能に構成されている。

光ファイバ２５は、それと線膨張係数の近い低線膨張係数金属２７（例えばコバール（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む合金））で被覆されることが好ましい。このように光ファイバ２５を線膨張係数の近い材料でメタライズすることにより、環境温度の変化による部材の伸縮によって光ファイバ２５が損傷することを防止できる。

低線膨張係数金属２７は、ファイバフィードスルー２６に半田Ｓで接合されている。また、ファイバフィードスルー２６は、第１の基材１９ａに半田Ｓで接合されている。

第１の基材１９ａの基部１９ａ１には、筺体１９内に複数本の導電性ピン（電気線）２８を導入するための上記の電気フィードスルー２９が設けられている。電気フィードスルー２９は、複数本の導電性ピン２８を保持している。電気フィードスルー２９は、例えばステンレスで形成され、導電性ピン２８が貫通している部分は、絶縁性を確保するために溶融ガラス等で形成されている。

電気フィードスルー２９の両端部（ステンレス部分）は、基部１９ａ１に半田で接合されている。半田としては、上記のファイバフィードスルー２６の半田Ｓと同じものが使用される。

電気フィードスルー２９における導電性ピン２８は、外部の回路基板等と電気的に接続することが可能であり、例えば図３に示すように、ＭＥＭＳミラー７を含む光学エンジン１１の動作を制御する制御部９と接続される。即ち、ＭＥＭＳミラー７は、駆動ＩＣ８および制御部９を通じて電気的に駆動・制御され得る。

ガス導入部４０は、筺体１９の内部と外部とを空間的に連通するように側壁部１９ａ２に設けられている。そして、筺体１９の内部に封止ガスを導入した後、所定のキャップ部材４１を用いて封止可能に形成されている。ガス導入部４０は、上記のファイバフィードスルー２６と同様に、例えばステンレスにより構成され、半田によって側壁部１９ａ２に接合されている。

複数の光学部品１０が搭載された光学基板１０ａは、支柱１０ａ１を有しており、この支柱１０ａ１が基部１９ａ１に固定されている。複数の光学エンジン（電気部品）１１が実装された電気基板１１ａは、蓋部２０の内側にネジ１１ｂにより取り付けられた状態で、筺体１９の内部に収容されている。電気基板１１ａには、配線部材１１ｃの一端が電気的に接続されている。配線部材１１ｃの他端は、導電性ピン２８と電気的に接続されている。

図６（ａ）に示すように、第２の基材１９ｂは、断面視において、第１の基材１９ａの側壁部１９ａ２の上端部から内側面に沿って断面略Ｌ字状の形状を有している。この第２の基材１９ｂは、第１の基材１９ａと物理的に接合されている。このような筺体１９の製造方法については後述する。

第２の基材１９ｂは、少なくとも厚みＴを有している。厚みＴは、蓋部２０と第２の基材１９ｂとの境界付近に形成された後述の溶け込み部２４（図６（ｂ）参照）よりも大きい。第１の基材１９ａと第２の基材１９ｂとの接合強度を高めるため、第２の基材１９ｂの外周の少なくとも二面（本実施形態では、三面）が第１の基材１９ａと接合されていることが好ましい。

蓋部２０は、上面視において、第２の基材１９ｂの外縁部１９ｂ１（図６（ａ）参照）により規定される面積よりもやや小さい面積を有し、筺体１９の開口部１９ｃを覆うように搭載される。具体的には、蓋部２０は、第２の基材１９ｂの上端部１９ｂ２に搭載され、蓋部２０の外縁部２０ａは第２の基材１９ｂの外縁部１９ｂ１よりも内側に配置されている。

第１の基材１９ａは金属パッケージ３を構成する部材の中でも大きな体積を有しており、作製の容易性や低コスト化を考慮する必要がある。そのため、第１の基材１９ａは、ダイキャスト法により形成されるアルミニウム合金（Ａｌ合金）ダイキャストまたはマグネシウム合金（Ｍｇ合金）ダイキャストから構成される。第１の基材１９ａを構成する金属は、ガス含有量が例えば２０〜４０ｍｌ／１００ｇ程度である。具体的には、第１の基材１９ａとして、Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ系合金（融点：５８４℃）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金（融点：５９６℃）等を用いることが好ましい。

第２の基材１９ｂおよび蓋部２０は、溶け込み部２４による接合時の鋳巣の発生を防ぐため、ガス含有量のできるだけ少ない金属から構成される必要がある。そのため、第２の基材１９ｂおよび蓋部２０を構成する金属は、ガス含有量が例えば５ｍｌ／１００ｇ以下であることが好ましい。さらに、ガス含有量が３ｍｌ／１００ｇ以下であれば、熱処理時に当該ガスが膨張することによって生じる内部欠陥の発生を防止できる。具体的には、Ａｌ、Ａｌ合金、ＭｇおよびＭｇ合金等の軽金属から構成され、特に、Ａｌ−Ｍｎ系合金（融点：６５４℃）、Ａｌ−Ｓｉ系合金（融点：５８０℃）、またはＡｌ−Ｍｇ系合金（融点：６４９℃）等を用いることが好ましい。

このように構成された第２の基材１９ｂと蓋部２０とは溶け込み部２４において接合されている。溶け込み部２４は、レーザ溶接によって形成され得る。レーザ溶接は、例えば、ビームスポットの外径がφ０．２ｍｍ以下、好ましくはφ０．１ｍｍ程度のファイバレーザが用いられる。ビームスポット径の小さいファイバレーザを用いることで、図６（ｂ）に示されるように、第２の基材１９ｂと蓋部２０とをレーザ接合して溶け込み部２４を好適に形成することができる。

図６（ａ）に示されるように、筺体１９における第１の基材１９ａと第２の基材１９ｂとの接合部Ｃを含む外側面、すなわち、第１の基材１９ａの外側面１９ａ３から第２の基材１９ｂの外側面１９ｂ３にかけて、第１の基材１９ａ、第２の基材１９ｂおよび蓋部２０を構成する金属とは異なる金属層２２が形成されている。この金属層２２としては、例えばニッケル層が好ましい。このような構成とすれば、接合部Ｃから封止空間内のガスがリークすることをさらに防止することができ、封止品質が良好である。また、第２の基材１９ｂの外側面１９ｂ３において外縁部１９ｂ１から下側の一部領域には金属層２２を設けないことが好ましい。これは、第２の基材１９ｂと蓋部２０とを接合する際に形成される溶け込み部２４（図６（ｂ）参照）と金属層２２とが接触して溶接性が悪化するのを避けるためである。

次に、以上のような光デバイス封止構造体１を形成するための方法を図７に示すフローチャートを参照して説明する。

まず、第２の基材１９ｂを、真空鋳造法のような気泡混入が防止される方法により形成する。次に、この第２の基材１９ｂを金型内に配置して第１の基材１９ａを構成する金属材料を金型内に流し込んで固定し（通常のダイキャスト法）、第１の基材１９ａを第２の基材１９ｂに接合する。そして、第１の基材１９ａと第２の基材１９ｂとの接合部Ｃを含む外側面１９ａ３，１９ｂ３に、金属層（例えば、ニッケルめっき層）２２を形成する。このようにして、気密封止品質の良い筺体１９が形成される（工程Ｓ１０１）。

次に、第１の基材１９ａにファイバフィードスルー２６、電気フィードスルー２９およびガス導入部４０を接合する（工程Ｓ１０２）。具体的には、第１の基材１９ａにおける部品接合位置に、これらの部品および半田を配置した状態で、筺体１９の全体を加熱するリフロー工程を実施する。なお、半田を容易に溶融させるため、ファイバフィードスルー２６、電気フィードスルー２９およびガス導入部４０が接合される第１の基材１９ａは、第２の基材１９ｂよりも熱伝導率の高い金属から構成されていることが好ましい。

次に、電気基板１１ａに、複数の光学エンジン１１を実装するとともに、配線部材１１ｃの一端部を接続し、この電気基板１１ａを蓋部２０にネジ留めにより固定する（工程Ｓ１０３）。

次に、複数の光学部品１０を光学基板１０ａ上で位置合わせして接着やネジ等により固定し、この光学基板１０ａを基部１９ａ１に固定する（工程Ｓ１０４）。

次に、所定の光信号を入力する入力ポートと所定の光信号を出力する出力ポートとを含む複数本の光ファイバ２５を、ファイバフィードスルー２６に導入し、導入された複数本の光ファイバ２５を複数の光学部品１０とそれぞれ接続する（工程Ｓ１０５）。このとき、ファイバフィードスルー２６を筺体１９に半田付けすることが好ましい。

次に、蓋部２０に固定された電気基板１１ａに接続されている配線部材１１ｃの他端部を電気フィードスルー２９と接続した後で、第２の基材１９ｂの上端部１９ｂ２に蓋部２０を配置する（工程Ｓ１０６）。

次に、第２の基材１９ｂの上端部１９ｂ２に蓋部２０を載せた状態で、図６（ａ）に示すように、第２の基材１９ｂと蓋部２０との接合部にレーザ光を照射し、図６（ｂ）に示すように、溶け込み部２４を形成することで第２の基材１９ｂと蓋部２０とを接合する（工程Ｓ１０７）。なお、第２の基材１９ｂと蓋部２０とを接合する時点では、筺体１９内にすでに光デバイス２が収容されているため、ファイバフィードスルー２６および電気フィードスルー２９を接合するときのように半田リフローにより一括固定を行うことはできない。従って、第２の基材１９ｂと蓋部２０との接合方法としては、レーザ溶接が好適である。また、光学基板１０ａを第１の基材１９ａの底部である基部１９ａ１上に固定し、電気基板１１ａを蓋部２０の内面２０ｂ上に固定した状態で、蓋部２０の上方からレーザ光を照射するため、光学基板１０ａに搭載された光学部品１０に熱衝撃を加えることなく溶接を行うことができる。

最後に、ガス導入部４０より筺体１９内に封止ガスを導入し、所定のキャップ部材４１でガス導入部４０を封止する（工程Ｓ１０８）。これにより、光デバイス２の光学特性を一定に保つことができる。このようにして、光デバイス２が金属パッケージ３により気密封止される。

以上説明したように、本実施形態によれば、第２の基材１９ｂおよび蓋部２０はガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の金属から構成されているため、溶け込み部２４を形成する場合に第２の基材１９ｂと蓋部２０との接合部に鋳巣が発生することが少ない。そのため、光デバイス封止構造体１の気密性の低下を確実に防止することができ、ひいては歩留まりを向上させることができる。また、溶け込み部２４が形成されない第１の基材１９ａは作製が容易なダイキャスト製の金属により構成されているため、低コスト化を実現することができる。

さらに、第２の基材１９ｂは、溶け込み部２４よりも大きい厚みＴを有しているため、溶け込み部２４が第１の基材１９ａに達することがなく、鋳巣の発生をより確実に防止することができる。

また、本実施形態によれば、第２の基材１９ｂの外周の少なくとも二面が第１の基材１９ａと接合されているため、第１の基材１９ａと第２の基材１９ｂとの接触面積を大きくして接合強度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、第１の基材１９ａの外側面１９ａ３と第２の基材１９ｂの外側面１９ｂ３との接合部Ｃに金属層２２が設けられている。このため、接合部Ｃからのガスのリークが防止され、光デバイス封止構造体１の気密性をさらに高めることができる。

また、本実施形態によれば、ファイバフィードスルー２６や電気フィードスルー２９、ガス導入部４０といった複数の物品が、第２の基材１９ｂよりも熱伝導率の高い第１の基材１９ａに半田により接合されている。このため、複数の物品をリフロー法により第１の基材１９ａに接合する際に、第１の基材１９ａを加熱して半田を溶融させることが容易であり、さらなる低コスト化を実現することができる。

また、本実施形態によれば、上記説明したような光デバイス封止構造体１を構成する封止部品である筺体１９を好適に提供することが可能である。

以上、本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。

上記実施の形態では、第２の基材１９ｂは、第１の基材１９ａの側壁部１９ａ２の上端部から内側面に沿って断面略Ｌ字状の形状を有しているが、この例に限られない。第２の基材１９ｂの外周の少なくとも二面が第１の基材１９ａと接合されているものであれば、断面視において四辺形状や階段形状であってもよい。
なお、図８に示すように、断面視において第１の基材１９ａと第２の基材１９ｂとが傾斜面を介して接合されていてもよい。十分な接合強度を得ることができる場合は、このように第２の基材１９ｂの外周の一面のみが第１の基材１９ａと接合される構成を採用することもできる。なお、本例においても、第２の基材１９ｂの厚みＴは、少なくとも溶け込み部２４よりも大きいことが好ましい。

１：光デバイス封止構造体、２：光デバイス、３：金属パッケージ、４：光ファイバ、５：ポートアレイ、６：回折格子、７：ＭＥＭＳミラー（光偏向素子）、８：駆動ＩＣ、９：制御部、１０：光学部品、１０ａ：光学基板、１１：光学エンジン（電気部品）、１１ａ：電気基板、１１ｃ：配線部材、１９：筺体、１９ａ：第１の部材、１９ａ１：基部、１９ａ２：側壁部、１９ａ３：外側面、１９ｂ：第２の基材、１９ｂ１：外縁部、１９ｂ２：上端部、１９ｂ３：外側面、１９ｃ：開口部、２０：蓋部、２０ａ：外縁部、２２：金属層、２５：光ファイバ、２６：ファイバフィードスルー、２７：低線膨張係数金属、２８：導電性ピン、２９：電気フィードスルー、３０：封止空間、４０：ガス導入部

Claims (10)

1. 封止空間内に光デバイスが収容された光デバイス封止構造体であって、
   前記光デバイスを収容する筺体と、
   前記筺体の上部に設けられて、前記筺体の開口部を覆う蓋部と、を備え、
   前記筺体は、第１の基材と、第２の基材と、を有し、
   前記第１の基材は、ダイキャスト製の金属から構成され、
   前記蓋部および前記第２の基材は、ガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の金属から構成され、
   前記第１の基材の前記蓋部と対向する領域に前記第２の基材が接合され、
   前記蓋部と前記第２の基材との境界付近には溶け込み部が形成され、
   前記第２の基材は、前記溶け込み部よりも大きい厚みを有している、光デバイス封止構造体。
2. 前記蓋部および前記第２の基材は、ガス含有量が３ｍｌ／１００ｇ以下の金属から構成される、請求項１に記載の光デバイス封止構造体。
3. 前記第２の基材の外周の少なくとも二面が前記第１の基材と接合されている、請求項１または２に記載の光デバイス封止構造体。
4. 前記筺体における前記第１の基材と前記第２の基材との接合部を含む外側面に、前記第１の基材、前記第２の基材および前記蓋部とは異なる金属から構成された金属層が形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の光デバイス封止構造体。
5. 前記封止空間には、互いに波長が異なる複数の信号成分を含む光信号を受け、各信号成分をそれぞれ異なる方向に出射することにより、当該複数の信号成分を分離する分光光学系を備える光デバイスが収容されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の光デバイス封止構造体。
6. 前記光デバイスは、分光光学系を構成する光学部品を搭載した光学基板と、前記各信号成分の光路を電気的に制御する電気部品を搭載した電気基板と、をさらに備え、
   前記光学基板は前記筺体の底部に固定されている、請求項５に記載の光デバイス封止構造体。
7. 前記光デバイスは、分光光学系を構成する光学部品を搭載した光学基板と、前記各信号成分の光路を電気的に制御する電気部品を搭載した電気基板と、をさらに備え、
   前記電気基板は前記蓋部の内面に固定されている、請求項５または６に記載の光デバイス封止構造体。
8. さらに、前記筺体は複数の物品を備え、
   前記第１の基材は、前記第２の基材よりも熱伝導率が高く、
   前記第１の基材には、前記複数の物品が前記金属層を介してはんだにより接合されている、請求項４に記載の光デバイス封止構造体。
9. 前記複数の物品は、電気フィードスルーとガス導入部を含む、請求項８に記載の光デバイス封止構造体。
10. 光デバイスを収容する筺体を構成する封止部品であって、
    基部と、前記基部から立設する側壁部と、前記基部に対向する開口部とを備え、
    前記開口部は、前記側壁部の上端部に前記開口部を覆う蓋部を搭載するように形成され、
    前記基部および前記側壁部は、ダイキャスト製の第１の金属部材から構成され、
    前記上端部であって前記蓋部と対向する領域において、ガス含有量が５ｍｌ／１００ｇ以下の第２の金属部材が前記第１の金属部材に接合されている、封止部品。

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