JP2014167790A - 不揮発性メモリへの書き込みの管理および領域選択 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コントローラが書き込みを受け取り、(例えば、書き込みデータ、書き込みデータソースを分析することにより、かつ/またはヒントを受け取ることにより)書き込みの特性を決定し、決定した特性および不揮発性メモリの領域の特性に基づいて領域を選択する。例えば、コントローラは、読み取り専用データであると決定された書き込みを受け取り、書き込み障害を有する可能性の高いセルを含む不揮発性メモリの領域を選択する。読み取り専用データを書き込み障害が発生しやすい領域に配置することによって、誤りの可能性が低減され、よって、信頼性が改善される。別の例として、コントローラは、圧縮不能であると示唆された書き込みを受け取り、圧縮不能データを含む不揮発性メモリの領域を選択する。
【選択図】図7
Description
本出願の優先権利益の主張を、(それがある場合には、適宜)添付の出願データシート、請求、または送達状において行う。本出願の種類によって許容される範囲内で、本出願はこの参照によりあらゆる目的で以下の出願を組み込むものであり、以下の出願はすべて、発明がなされた時点において本出願と所有者を同じくするものである。
2011年10月26日付で出願された、Yan LIを筆頭発明者とする、「ADAPTIVE ECC TECHNIQUES FOR FLASH MEMORY BASED DATA STORAGE」という名称の、国際出願(整理番号第SF−10−03PCT号および出願番号第PCT/US11/57914号)、
2012年1月18日付で出願された、Jeremy Isaac Nathaniel WERNERを筆頭発明者とする、「HIGHER−LEVEL REDUNDANCY INFORMATION COMPUTATION」という名称の、国際出願(整理番号第SF−10−14PCT号および出願番号第PCT/US12/21682号);ならびに
2013年1月22日付で出願された、Earl T. COHENを筆頭発明者とする、「MANAGEMENT OF AND REGION SELECTION FOR WRITES TO NON−VOLATILE MEMORY」という名称の、米国仮出願(整理番号第SF−11−01号および出願番号第61/755442号)。
この概説は、詳細な説明のより迅速な理解を助けるために含まれるにすぎず、本発明は、(それがある場合には、明示的な例を含む)この概説で提示される概念だけに限定されるものではなく、どんな概説の段落も、必然的に、主題全体の縮約された見方であり、網羅的な、または限定的な記述であることを意味するものではない。例えば、以下の概説は、スペースおよび編成によりある一定の実施形態だけに限定される概要情報を提供するものである。特許請求の範囲が究極的にそこに導かれることになる実施形態を含む多くの他の実施形態があり、それらを本明細書の残りの部分にわたって論じる。
以下で定義する様々な省略形(頭字語など)の少なくともいくつかは、本明細書で使用するある一定の要素を指す。
詳細な説明の概説を終えるにあたり、以下に、例示的実施形態をまとめて示す。これらの例示的実施形態は、少なくとも部分的に「EC」(Example Combinations:ECs)として明示的に列挙されたものを有し、本明細書で説明する概念に従った様々な種類の実施形態の詳細な説明を提供するものである。これらの例は、相互排他的であることも、網羅的であることも、限定的であることも意図されておらず、本発明は、これらの例示的実施形態だけに限定されるものではなく、発行される特許請求の範囲およびその均等物の範囲内のすべての可能な改変形態および変形形態を包含するものである。
ホストから受け取った書き込みを分析して書き込みの特性を決定する工程と、
少なくとも部分的に特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する工程と、
書き込みのデータを選択したバンドに書き込む工程と
を有し、
前記バンドの各々はNVMの被管理部分である方法。
前記カウンタによって前記LBAへの書き込み回数をカウントする工程を有するものである方法。
前記カウンタによって前記LBAの読み取り回数と前記LBAの書き込み回数との差をカウントする工程を有するものである方法。
前記バンドのうちの第1のバンドからのデータを前記バンドのうちの第2のバンドに再利用する工程を有するものであり、前記第2のバンドは、ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1のバンドから再利用されたデータの両方を含む方法。
前記書き込みは、1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを介して前記ホストから受け取られ、
前記データを書き込む工程は、少なくとも部分的に、前記NVMと通信するフラッシュ・メモリ・インターフェースを介したものであり、
前記NVMは少なくとも1つのフラッシュメモリを有し、
前記ストレージインターフェースおよび前記フラッシュ・メモリ・インターフェースは単一の集積回路に実装されたコントローラに具備される方法。
ホストから受け取った書き込みを分析して書き込みの特性を決定する手段と、
少なくとも部分的に特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する手段と、
書き込みのデータを選択したバンドに書き込む手段と
を有し、
バンドの各々はNVMの被管理部分であるシステム。
前記カウンタによって前記LBAへの書き込み回数をカウントする手段を有するものであるシステム。
前記カウンタによって前記LBAの読み取り回数と前記LBAの書き込み回数との差をカウントする手段を有するものであるシステム。
前記バンドのうちの第1のバンドからのデータを前記バンドのうちの第2のバンドに再利用する手段を有するものであり、前記第2のバンドは、前記ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1のバンドから再利用されたデータの両方を含むシステム。
前記書き込みは、1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを介してホストから受け取られ、
前記データを書き込む手段は、前記NVMと通信するフラッシュ・メモリ・インターフェースを有し、
前記NVMは少なくとも1つのフラッシュメモリを有し、
前記ストレージインターフェースおよび前記フラッシュ・メモリ・インターフェースは単一の集積回路に実装されたコントローラに具備されるシステム。
ホストから受け取った書き込みを分析して書き込みの特性を決定する動作と、
少なくとも部分的に特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する動作と、
書き込みのデータを選択したバンドに書き込む動作と
を有し、
前記バンドの各々はNVMの被管理部分である有形のコンピュータ可読媒体。
前記書き込みは、1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを介して前記ホストから受け取られ、
前記データを書き込む動作は、少なくとも部分的に、前記NVMと通信するフラッシュ・メモリ・インターフェースを介したものであり、
前記NVMは少なくとも1つのフラッシュメモリを有し、
前記処理要素、前記ストレージインターフェースおよび前記フラッシュ・メモリ・インターフェースは単一の集積回路に実装されたコントローラに具備される有形のコンピュータ可読媒体。
ホストから受け取った書き込みを分析して書き込みの特性を決定するこ書き込み分析ハードウェア論理回路と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択するバンド選択ハードウェア論理回路と、
前記書き込みのデータを前記選択したバンドに書き込むメモリ書き込みハードウェア論理回路と
を有し、
前記バンドの各々は前記NVMの被管理部分である装置。
前記バンドのうちの第1のバンドからのデータを前記バンドのうちの第2のバンドに再利用するリサイクラハードウェア論理回路を有するものであり、前記第2のバンドは、前記ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1のバンドから再利用されたデータの両方を含む装置。
前記書き込みに対応する論理ブロックアドレス(LBA)と関連付けられたカウンタを有するものであり、前記特性は、少なくとも部分的に、前記カウンタに基づくものである装置。
1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを有するものであり、前記書き込みは前記ストレージインターフェースを介して前記ホストから受け取られる装置。
書き込みデータの少なくともいくつかの特性を決定する工程と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて、1若しくはそれ以上の不揮発性メモリ(NVM)のブロックの複数の被管理グループのうちの1つを選択する工程と、
前記書き込みデータを選択した被管理グループに書き込む工程と
を有し、
決定する工程、選択する工程、および書き込む工程は、記憶システムのコントローラによって行われ、
前記被管理グループの各々は1若しくはそれ以上の管理動作に関して管理され、前記管理動作は、再利用動作および書き込み割り振り動作のうちの任意の1若しくはそれ以上を有し、前記被管理グループの各々は、前記NVMのうちの少なくとも2つのダイによって提供される記憶を有する方法。
前記被管理グループのうちの第1の被管理グループからのデータを前記被管理グループのうちの第2の被管理グループに再利用する工程を有するものであり、前記第2の被管理グループは、前記ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1の被管理グループから再利用されたデータの両方を含む方法。
前記ホストから書き込みデータを受け取る工程を有するものである方法。
書き込みデータの少なくともいくつかの特性を決定する手段と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて、1若しくはそれ以上の不揮発性メモリ(NVM)のブロックの複数の被管理グループのうちの1つを選択する手段と、
前記書き込みデータを選択した被管理グループに書き込む手段と
を有し、
決定する手段、選択する手段、および書き込む手段は、記憶システムのコントローラの要素であり、
前記被管理グループの各々は1若しくはそれ以上の管理動作に関して管理され、前記管理動作は、再利用動作および書き込み割り振り動作のうちの任意の1若しくはそれ以上を有し、前記被管理グループの各々は、前記NVMのうちの少なくとも2つのダイによって提供される記憶を有するシステム。
前記被管理グループのうちの第1の被管理グループからのデータを前記被管理グループのうちの第2の被管理グループに再利用する手段を有するものであり、前記第2の被管理グループは、前記ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1の被管理グループから再利用されたデータの両方を含むシステム。
ホストから前記書き込みデータを受け取る手段を有するものであるシステム。
書き込みデータの少なくともいくつかの特性を決定する動作と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて、1若しくはそれ以上の不揮発性メモリ(NVM)のブロックの複数の被管理グループのうちの1つを選択する動作と、
書き込みデータを選択した被管理グループに書き込む動作と
を有し、
前記処理要素は記憶システムのコントローラに具備され、
前記被管理グループの各々は1若しくはそれ以上の管理動作に関して管理され、前記管理動作は、再利用動作および書き込み割り振り動作のうちの任意の1若しくはそれ以上を有し、前記被管理グループの各々は、前記NVMのうちの少なくとも2つのダイによって提供される記憶を有する有形のコンピュータ可読媒体。
書き込みデータの少なくともいくつかの特性を決定する書き込みデータ特性付けハードウェア論理回路と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて、1若しくはそれ以上の不揮発性メモリ(NVM)のブロックの複数の被管理グループのうちの1つを選択する被管理グループ選択ハードウェア論理回路と、
前記書き込みのデータを選択された被管理グループに書き込むメモリ書き込みハードウェア論理回路と
を有し、
記憶システムのコントローラに具備されており、
前記被管理グループの各々は1若しくはそれ以上の管理動作に関して管理され、前記管理動作は、再利用動作および書き込み割り振り動作のうちの任意の1若しくはそれ以上を有し、前記被管理グループの各々は、前記NVMのうちの少なくとも2つのダイによって提供される記憶を有する装置。
前記被管理グループのうちの第1の被管理グループからのデータを前記被管理グループのうちの第2の被管理グループに再利用するリサイクラハードウェア論理回路を有するものであり、前記第2の被管理グループは、ホストによって直接書き込まれたデータと前記第1の被管理グループから再利用されたデータの両方を含む装置。
コントローラに具備され、前記コントローラと前記ホストとのインターフェースをとるストレージインターフェースを有するものであり、前記ストレージインターフェースは、少なくとも1つのストレージインターフェース規格と適合する装置。
前記コントローラに具備され、コントローラと前記ダイのうちの少なくとも1つとのインターフェースをとるフラッシュ・メモリ・インターフェースを有するものである装置。
ユニバーサル・シリアル・バス(USB)インターフェース規格、
コンパクトフラッシュ(登録商標)(CF)インターフェース規格、
マルチメディアカード(MMC)インターフェース規格、
組み込みMMC(eMMC)インターフェース規格、
サンダーボルト(Thunderbolt)インターフェース規格、
UFSインターフェース規格、
セキュアディジタル(SD)インターフェース規格、
メモリ・スティック・インターフェース規格、
xDピクチャ・カード・インターフェース規格、
統合ドライブエレクトロニクス(IDE)インターフェース規格、
シリアル・アドバンスド・テクノロジ・アタッチメント(SATA)インターフェース規格、
外部SATA(eSATA)インターフェース規格、
小型コンピュータ・システム・インターフェース(SCSI)インターフェース規格、
シリアル小型コンピュータ・システム・インターフェース(SAS)インターフェース規格、
ファイバ・チャネル・インターフェース規格、
イーサネット(登録商標)(Ethernet(登録商標))インターフェース規格、および
周辺装置相互接続エクスプレス(PCIe)インターフェース規格
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
オープンNANDフラッシュインターフェース(ONFI)、
トグルモードインターフェース、
ダブルデータレート(DDR)同期インターフェース、
DDR2同期インターフェース、
同期インターフェース、および
非同期インターフェース
のうち1若しくはそれ以上と適合するEC。
コンピュータ、
ワークステーションコンピュータ、
サーバコンピュータ、
ストレージサーバ、
ストレージ・アタッチト・ネットワーク(SAN)、
ネットワーク・アタッチト・ストレージ(NAS)デバイス、
ダイレクト・アタッチト・ストレージ(DAS)デバイス、
ストレージアプライアンス、
パーソナルコンピュータ(PC)、
ラップトップコンピュータ、
ノートブックコンピュータ、
ネットブックコンピュータ、
タブレット機器またはタブレットコンピュータ、
ウルトラブックコンピュータ、
電子読み出し装置(e−reader)、
携帯情報端末(PDA)
ナビゲーションンシステム
(ハンドヘルド型)全地球測位システム(GPS)機器、
自動通信路制御システム、
自動車媒体制御システムまたは自動車媒体制御コンピュータ、
プリンタ、コピー機またはファックス機またはオールインワン機器、
販売時点(POS)機器、
金銭登録機、
メディアプレーヤ、
テレビ、
メディアレコーダ、
ディジタル・ビデオ・レコーダ(DVR)、
ディジタルカメラ、
セルラハンドセット、
コードレス電話機ハンドセット、および
電子ゲーム
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
NANDフラッシュ技術記憶セル、および
NORフラッシュ技術記憶セル
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
シングルレベルセル(SLC)フラッシュ技術記憶セル、および
マルチレベルセル(MLC)フラッシュ技術記憶セル
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
多結晶シリコン技術ベースの電荷蓄積セル、および
シリコン窒化膜技術ベースの電荷蓄積セル
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
2次元技術ベースのフラッシュメモリ技術、および
3次元技術ベースのフラッシュメモリ技術
のうち1若しくはそれ以上を有するEC。
ある実施形態では、SSDといった入出力装置がSSDコントローラを有する。SSDコントローラはホストインターフェースとSSDのNVMとの間のブリッジとして働き、SSDのホストインターフェースを介してコンピューティングホストから送られるホストプロトコルのコマンドを実行する。コマンドの少なくとも部分的に、SSDに、コンピューティングホストから送られたデータおよびコンピューティングホストに送られるデータについて、それぞれ、NVMの書き込みおよび読み出しを行うよう指図する。別の実施形態では、SSDコントローラは、マップを使用してホストプロトコルのLBAとNVM内の物理的記憶アドレスとを変換することができるようになっている。別の実施形態では、マップの少なくとも一部分が、入出力装置の専用記憶(コンピューティングホストからは見えない)に使用される。例えば、コンピューティングホストからアクセスできないLBAの部分が、入出力装置によって、ログ、統計、または他の専用データへのアクセスを管理するのに使用される。
図2に、LBAのLPN部分のマッピングの実施形態の選択された詳細を図示する。ある実施形態では、読み出し単位は、NVMのページの部分といった、独立に読み出すことのできるNVMの最も細かい粒度である。別の実施形態では、読み出し単位は、検査ビットによって保護されるすべてのデータに(低レベル)誤り訂正符号の検査ビット(冗長性ともいう)を加えたものに対応する。例えば、図1AのECC161は、検査ビットによる、例えばLDPC符号による誤り訂正を実施し、読み出し単位は、LDPC符号化ビットによって保護されるデータビットにLDPC符号を加えたものを実施する符号化ビットに対応する。
図7に、SSDのNVMの特定のバンドにデータを選択的に配置するSSDの実施形態の選択された詳細を概念的に図示する。概念的には、SSDのNVMへの書き込みは書き込みデータソース700の1若しくはそれ以上の要素から発生し、バンド管理710によって分析され、データ変換717によって変換され、SSDのNVMの特定のデータバンド730に配置される。
ある実施形態では、(例えばフラッシュメモリを有する)不揮発性記憶、コンピューティングホスト・フラッシュ・メモリ・コントローラ、および/またはSSDコントローラ(例えば図1AのSSDコントローラ100)、ならびにプロセッサ、マイクロプロセッサ、システム・オン・チップ、特定用途向け集積回路、ハードウェアアクセラレータ、または前述の動作の全部または部分を提供する他の回路を管理するための自己ジャーナリングおよび階層的整合性を実施するシステムによって行われる動作の全部またはいずれかの部分の様々な組み合わせが、コンピュータシステムによる処理と適合する仕様によって指定される。仕様は、様々な記述、例えば、ハードウェア記述言語、回路記述、ネットリスト記述、マスク記述、またはレイアウト記述に従ったものである。記述の例には、Verilog、VHDL、SPICE、SPICEの変形、例えば、PSpice、IBIS、LEF、DEF、GDS−II、OASIS、または他の記述が含まれる。様々な実施形態では、処理は、1若しくはそれ以上の集積回路上に含めるのに適する論理および/または回路を生成し、検証し、または指定するための解釈、コンパイル、シミュレーション、および合成の任意の組み合わせを含む。各集積回路は、様々な実施形態によれば、様々な技法に従って設計することができ、かつ/または製造することができる。技法には、プログラマブルな技法(例えば、フィールド若しくはマスク・プログラマブル・ゲート・アレイ集積回路)、セミカスタムの技法(例えば、全部若しくは一部がセルベースの集積回路)、およびフルカスタムの技法(例えば、実質的に専門化された集積回路)、それらの任意の組み合わせ、または集積回路の設計および/若しくは製造と適合する任意の他の技法が含まれる。
ある特定の選択が、説明において、テキストおよび図面を作成するに際の単なる便宜のためになされており、別の指示がない限り、それらの選択は、それ自体で、前述の実施形態の構造または動作に関する追加情報を伝えるものと解釈すべきではない。選択の例には、図の符番に使用される呼称の特定の編成または割り当て、および実施形態の特徴および要素を識別し、参照するのに使用される要素識別子(コールアウトや数値識別子など)の特定の編成または割り当てが含まれる。
Claims (25)
- 方法であって、
ホストから受け取った書き込みを分析して前記書き込みの特性を決定する工程と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する工程と、
前記書き込みのデータを前記選択したバンドに書き込む工程と
を有し、
前記バンドの各々は前記不揮発性メモリの被管理部分である方法。 - 請求項1記載の方法において、前記特性は前記書き込みのデータが圧縮可能であることを有する方法。
- 請求項1記載の方法において、前記特性は前記書き込みのデータが実行可能であることを有する方法。
- 請求項1記載の方法において、前記特性は、少なくとも部分的に、前記書き込みに対応する論理ブロックアドレス(LBA)と関連付けられたカウンタに基づくものである方法。
- 請求項4記載の方法において、さらに、
前記カウンタによって前記LBAへの書き込み回数をカウントする工程を有するものである方法。 - 請求項4記載の方法において、さらに、
前記カウンタによって前記LBAの読み取り回数と前記LBAの書き込み回数との差をカウントする工程を有するものである方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記書き込みは、1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを介して前記ホストから受け取られ、
前記データを書き込む工程は、少なくとも部分的に、前記不揮発性メモリと通信する
フラッシュ・メモリ・インターフェースを介したものであり、
前記不揮発性メモリは少なくとも1つのフラッシュメモリを有し、
前記ストレージインターフェースおよび前記フラッシュ・メモリ・インターフェースは単一の集積回路に実装されたコントローラに具備される方法。 - 請求項1記載の方法において、前記バンドの各々は複数の論理特性のうちの少なくとも1つに対応すものであり、前記論理特性は、頻繁に読み取られること、相対的により頻繁に書き込まれること、相対的にあまり頻繁に書き込まれないこと、圧縮不能であること、実行可能であること、回復不能であり、電源喪失後に保存される必要があること、回復可能であり、電源喪失後に保存される必要がないこと、特定の技法若しくは鍵を使用して暗号化されること、特定の技法若しくは鍵を使用して、または特定の誤り訂正符号(ECC)方式を用いて誤りから保護されること、再利用の対象とされること、および再利用の対象とされないことを有する方法。
- システムであって、
ホストから受け取った書き込みを分析して前記書き込みの特性を決定する手段と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する手段と、
前記書き込みのデータを前記選択したバンドに書き込む手段と
を有し、
前記バンドの各々は前記不揮発性メモリの被管理部分であるシステム。 - 請求項9記載のシステムにおいて、前記特性は、前記書き込みのデータが圧縮可能であることを有するシステム。
- 請求項9記載のシステムにおいて、前記特性は、前記書き込みのデータが実行可能であることを有するシステム。
- 請求項9記載のシステムにおいて、前記特性は、少なくとも部分的に、前記書き込みに対応する論理ブロックアドレス(LBA)と関連付けられたカウンタに基づくものであるシステム。
- 請求項12記載のシステムにおいて、さらに、
前記カウンタによって前記LBAへの書き込み回数をカウントする手段を有するものであるシステム。 - 請求項12記載のシステムにおいて、さらに、
前記カウンタによって前記LBAの読み取り回数と前記LBAの書き込み回数との差をカウントする手段を有するものであるシステム。 - 処理要素によって実行されると、前記処理要素に動作を実行させ、かつ/または制御させる命令のセットが記憶されている有形の非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記動作は、
ホストから受け取った書き込みを分析して前記書き込みの特性を決定する動作と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択する動作と、
前記書き込みのデータを前記選択したバンドに書き込む動作と
を有し、
前記バンドの各々は前記不揮発性メモリの被管理部分である有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 請求項15記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記特性は、前記書き込みのデータが圧縮可能であることを有する有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 請求項15記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記特性は、前記書き込みのデータが実行可能であることを有する有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 請求項15記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記特性は、少なくとも部分的に、前記書き込みに対応する論理ブロックアドレス(LBA)と関連付けられたカウンタに基づくものである有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 請求項18記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記動作は、前記カウンタによって前記LBAへの書き込み回数をカウントする動作をさらに有するものである有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 請求項18記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記動作は、前記カウンタによって前記LBAの読み取り回数と前記LBAの書き込み回数との差をカウントする動作をさらに有するものである有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 請求項15記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、
前記書き込みは、1若しくはそれ以上のストレージインターフェース規格と適合するストレージインターフェースを介して前記ホストから受け取られ、
前記データを書き込む動作は、少なくとも部分的に、前記不揮発性メモリと通信するフラッシュ・メモリ・インターフェースを介したものであり、
前記不揮発性メモリは少なくとも1つのフラッシュメモリを有し、
前記処理要素、前記ストレージインターフェースおよび前記フラッシュ・メモリ・インターフェースは単一の集積回路に実装されたコントローラに具備される有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 請求項15記載の有形の非一時的なコンピュータ可読媒体において、前記バンドの各々は複数の論理特性のうちの少なくとも1つに対応すものであり、前記論理特性は、頻繁に読み取られること、相対的により頻繁に書き込まれること、相対的にあまり頻繁に書き込まれないこと、圧縮不能であること、実行可能であること、回復不能であり、電源喪失後に保存される必要があること、回復可能であり、電源喪失後に保存される必要がないこと、特定の技法若しくは鍵を使用して暗号化されること、特定の技法若しくは鍵を使用して、または特定の誤り訂正符号(ECC)方式を用いて誤りから保護されること、再利用の対象とされること、および再利用の対象とされないことを有する有形の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 装置であって、
ホストから受け取った書き込みを分析して前記書き込みの特性を決定する書き込み分析ハードウェア論理回路と、
少なくとも部分的に前記特性に基づいて不揮発性メモリ(NVM)の複数のバンドのうちの1つを選択するバンド選択ハードウェア論理回路と、
前記書き込みのデータを前記選択されたバンドに書き込むメモリ書き込みハードウェア論理回路と
を有し、
前記バンドの各々は前記不揮発性メモリの被管理部分である装置。 - 請求項23記載の装置において、前記特性は前記書き込みのデータが圧縮可能であることを有する装置。
- 請求項23記載の装置において、前記特性は前記書き込みのデータが実行可能であることを有する装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US201361755442P | 2013-01-22 | 2013-01-22 | |
US61/755,442 | 2013-01-22 |
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JP2014167790A true JP2014167790A (ja) | 2014-09-11 |
JP2014167790A5 JP2014167790A5 (ja) | 2017-02-02 |
JP6387231B2 JP6387231B2 (ja) | 2018-09-05 |
Family
ID=49949587
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US (1) | US9395924B2 (ja) |
EP (1) | EP2757479A1 (ja) |
JP (1) | JP6387231B2 (ja) |
KR (1) | KR102155191B1 (ja) |
CN (1) | CN103942010B (ja) |
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- 2014-01-21 KR KR1020140007211A patent/KR102155191B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-21 TW TW103102158A patent/TWI537724B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-01-21 JP JP2014008182A patent/JP6387231B2/ja not_active Expired - Fee Related
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TW201443641A (zh) | 2014-11-16 |
TWI537724B (zh) | 2016-06-11 |
CN103942010A (zh) | 2014-07-23 |
EP2757479A1 (en) | 2014-07-23 |
CN103942010B (zh) | 2019-05-10 |
US9395924B2 (en) | 2016-07-19 |
US20140208007A1 (en) | 2014-07-24 |
JP6387231B2 (ja) | 2018-09-05 |
KR20140094468A (ko) | 2014-07-30 |
KR102155191B1 (ko) | 2020-09-11 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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