JP2014166950A - 焼結体及びアモルファス膜 - Google Patents
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- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 129
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 120
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 31
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 4-pentoxyphenol Chemical group CCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 107
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 51
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- JODIJOMWCAXJJX-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[O-2].[Zn+2] Chemical compound [O-2].[Al+3].[O-2].[Zn+2] JODIJOMWCAXJJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
【解決手段】亜鉛(Zn)、3価の金属元素、ゲルマニウム(Ge)及び/又はシリコン(Si)、酸素(O)からなり、3価の金属元素の総含有量が酸化物換算でAmol%、Ge及び/又はSiの総含有量がGeO2及び/又はSiO2換算でBmol%としたとき、15≦A+B≦70である焼結体。前記Ge及び/又はSiの総含有量が5≦B≦30である焼結体。この焼結体はバルク抵抗が低く安定して成膜を行なうことができる。
【選択図】なし
Description
1)亜鉛(Zn)、3価の金属元素、ゲルマニウム(Ge)及び/又はシリコン(Si)、酸素(O)からなり、3価の金属元素の総含有量が酸化物換算でAmol%、Ge及び/又はSiの総含有量がGeO2及び/又はSiO2換算でBmol%としたとき、15≦A+B≦70であることを特徴とする焼結体。
2)前記Ge及び/又はSiの総含有量が、5≦B≦30であることを特徴とする上記1)記載の焼結体。
3)前記3価の金属元素の総含有量が、3価の金属元素/(Zn+3価の金属元素)の原子数比で0.1以上であることを特徴とする上記1)又は2)に記載の焼結体。
4)前記3価の金属元素がアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ボロン(B)、イットリウム(Y)及びインジウム(In)からなる群から選択される一種以上の元素であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載の焼結体。
7)前記融点が1000℃以下の酸化物が、B2O3、P2O5、K2O、V2O5、Sb2O3、TeO2、Ti2O3、PbO、Bi2O3、MoO3からなる群から選択される一種以上の酸化物であることを特徴とする上記6)記載の焼結体。
9)バルク抵抗値が10Ω・cm以下であることを特徴とする上記1)〜8)のいずれか一に記載の焼結体。
11)上記5)に記載される焼結体を用いることを特徴とするイオンプレーティング材。
13)亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)の酸化物からなり、Gaの含有量がGa2O3換算でAmol%、Geの含有量がGeO2換算でBmol%、残部ZnOとしたとき、15≦A+B≦50、かつ、A≧3B/2、の条件を満たし、アモルファス膜であることを特徴とする薄膜。
14)さらに、B2O3、P2O5、K2O、V2O5、Sb2O3、TeO2、Ti2O3、PbO、Bi2O3、MoO3からなる群から選択される一種以上の酸化物を形成する金属を酸化物重量換算で0.1〜5wt%含有することを特徴とする請求項12又は13記載の薄膜。
15)波長450nmにおける消衰係数が0.01以下であることを特徴とする上記12)〜14)のいずれか一に記載の薄膜。
16)波長550nmにおける屈折率が2.00以下であることを特徴とする上記12)〜15)のいずれか一に記載の薄膜。
17)体積抵抗率が1×10−3〜1×109Ω・cmであることを特徴とする上記12
)〜16)のいずれか一に記載の薄膜。
なお、本発明では、焼結体中の各金属の含有量を酸化物換算で規定しているが、焼結体中の各金属はその一部又は全てが複合酸化物として存在している。また、通常用いられる焼結体の成分分析では、酸化物ではなく、金属として、それぞれの含有量が測定される。
したがって、3価の金属元素の酸化物の総添加量(A)、酸化ゲルマニウム及び/又は二酸化珪素の総添加量(B)としたとき、15≦A+B≦70とする。A+B<15では、アモルファスになり難いため好ましくなく、A+B>70とすると、ZnOの含有量が少なくなり、絶縁性の膜となるため、好ましくない。
例えば、3価の金属元素であるアルミニウム(Al)の場合、Al2O3からなる酸化物を意味する。3価の金属元素としては、特に、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ボロン(B)、イットリウム(Y)及びインジウム(In)からなる群から選択される一種以上の元素であることが好ましい。
また、本発明において、前記3価の金属元素の総含有量は、3価の金属元素/(Zn+3価の金属元素)の原子数比で0.1以上とすることが好ましく、より好ましくは、0.15以上とする。この場合、低屈折率化とアモルファス化に有効である。この効果を発揮ささるために、原子数比で0.1以上、より好ましくは0.15以上とする。
イオンプレーティング法は、真空中で金属を電子線などで蒸発させ、高周波プラズマ等によりイオン化し(カチオン)、基板に負電位を与えることにより、そのカチオンを加速して付着させ膜を形成する技術である。イオンプレーティングは、スパッタリングに比べ材料の使用効率が高く、生産性の向上が見込まれるといったメリットがある。
イオンプレーティング材として使用する場合は、焼結体を仕上げ加工した板状のものを使用できるほか、この焼結体をさらに粉砕して粉末又は粒状としたものを使用することもできる。粉砕して粉末又は粒状にしたものは、板状のものに比べて、蒸発しやすいので、生産効率の観点から、より好ましい。
0.1wt%未満では、その効果が発揮できず、また5wt%を超えると、特性に変動が生じるおそれがあるため、好ましくないので、上記の数値範囲とする。
酸化ゲルマニウム(GeO2)や二酸化珪素(SiO2)、3価の金属元素からなる酸化物(中でもAl2O3、Ga2O3、B2O3、Y3O2、In2O3)は、酸化亜鉛(ZnO)よりも低屈折率の材料であるため、これらの酸化物の添加によって、従来のよりも低屈折率の膜を得ることができる。
ZnO粉、Al2O3粉、SiO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料を真空中、温度1100℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。
その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は99.3%に達し、バルク抵抗は2.1mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、Ga2O3粉、SiO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1100℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は98.5%に達し、バルク抵抗は1.6mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、Al2O3粉、GeO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1100℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は98.6%に達し、バルク抵抗は3.6mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、Y2O3粉、GeO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1000℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は98.3%に達し、バルク抵抗は7.6mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、In2O3粉、GeO2粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1050℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は98.7%に達し、バルク抵抗は1.3mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
表1に示す通り、スパッタにより形成した薄膜はアモルファス膜であって、その屈折率は1.88(波長550nm)、体積抵抗率は2×10−3Ω・cm、消衰係数は0.01未満(波長450nm)と、低屈折率のアモルファス膜が得られた。
ZnO粉、B2O3粉、SiO2粉と、低融点酸化物として、Bi2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料を圧力500kgf/cm2でプレス成形し、この成形体を真空中、温度1300℃で常圧焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は96.5%に達し、バルク抵抗は2.3Ω・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、Ga2O3粉、GeO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載される配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料を圧力500kgf/cm2でプレス成形し、この成形体をアルゴン雰囲気中、温度1100℃で常圧焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表1に示す通り、相対密度は99.8%に達し、バルク抵抗は0.9mΩ・cmとなり、安定したDCスパッタが可能であった。
ZnO粉、Ga2O3粉、GeO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載されるようにA+B<15の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1050℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
ZnO粉、Al2O3粉、SiO2粉と、低融点酸化物として、B2O3粉を準備した。次に、これらの粉末を表1に記載されるようにA+B>70の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、温度1100℃、圧力250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=80.0:13.0:7.0mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=52.7:29.4:17.9mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
また、消衰係数は0.01未満(波長450nm)であり、薄膜の体積抵抗率は3×106Ω・cmと導電性を示した。また、アモルファス膜であることが確認された。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=66.3:20.6:13.1mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=74.5:16.9:8.6mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=67.7:23.4:8.9mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=50.2:41.9:7.9mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=85.0:2.2:12.8mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=44.0:34.0:22.0mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
3N相当で5μm以下のZnO粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGa2O3粉、3N相当で平均粒径5μm以下のGeO2粉、を準備した。次に、ZnO粉とGa2O3粉とGeO2粉とをZnO:Ga2O3:GeO2=90.0:7.0:3.0mol%の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料をアルゴン雰囲気中、850°C、250kgf/cm2の圧力でホットプレス焼結してイオンプレーティング用焼結体とした。
Claims (18)
- 亜鉛(Zn)、3価の金属元素、ゲルマニウム(Ge)及び/又はシリコン(Si)、酸素(O)からなり、3価の金属元素の総含有量が酸化物換算でAmol%、Ge及び/又はSiの総含有量がGeO2及び/又はSiO2換算でBmol%としたとき、15≦A+B≦70であることを特徴とする焼結体。
- 前記Ge及び/又はSiの総含有量が、5≦B≦30であることを特徴とする請求項1記載の焼結体。
- 前記3価の金属元素の総含有量が、3価の金属元素/(Zn+3価の金属元素)の原子数比で0.1以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の焼結体。
- 前記3価の金属元素がアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ボロン(B)、イットリウム(Y)及びインジウム(In)からなる群から選択される一種以上の元素であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の焼結体。
- 亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)の酸化物からなり、Gaの含有量がGa2O3換算でAmol%、Geの含有量がGeO2換算でBmol%、残部ZnOとしたとき、15≦A+B≦50、かつ、A≧3B/2、の条件を満たすことを特徴とする焼結体。
- さらに、融点が1000℃以下の酸化物を形成する金属を酸化物重量換算で0.1〜5wt%含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の焼結体。
- 前記融点が1000℃以下の酸化物が、B2O3、P2O5、K2O、V2O5、Sb2O3、TeO2、Ti2O3、PbO、Bi2O3、MoO3からなる群から選択される一種以上の酸化物であることを特徴とする請求項6記載の焼結体。
- 相対密度が90%以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の焼結体。
- バルク抵抗値が10Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の焼結体。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載される焼結体を用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項5に記載される焼結体を用いることを特徴とするイオンプレーティング材。
- 亜鉛(Zn)、3価の金属元素、ゲルマニウム(Ge)及び/又はシリコン(Si)、酸素(O)からなり、3価の金属元素の総含有量が酸化物換算でAmol%、Ge及び/又はSiの総含有量がGeO2及び/又はSiO2換算でBmol%としたとき、15≦A+B≦70であって、アモルファス膜であることを特徴とする薄膜。
- 亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)の酸化物からなり、Gaの含有量がGa2O3換算でAmol%、Geの含有量がGeO2換算でBmol%、残部ZnOとしたとき、15≦A+B≦50、かつ、A≧3B/2、の条件を満たし、アモルファス膜であることを特徴とする薄膜。
- さらに、B2O3、P2O5、K2O、V2O5、Sb2O3、TeO2、Ti2O3、PbO、Bi2O3、MoO3からなる群から選択される一種以上の酸化物を形成する金属を酸化物重量換算で0.1〜5wt%含有することを特徴とする請求項12又は13記載の薄膜。
- 波長450nmにおける消衰係数が0.01以下であることを特徴とする請求項12〜14のいずれか一項に記載の薄膜。
- 波長550nmにおける屈折率が2.00以下であることを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の薄膜。
- 体積抵抗率が1×10−3〜1×109Ω・cmであることを特徴とする請求項12〜16記載のいずれか一項に記載の薄膜。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載される焼結体の製造方法であって、原料粉を混合し、得られた混合粉を不活性ガス又は真空雰囲気の下、1000℃〜1500℃で加圧焼結するか、又は得られた混合粉をプレス成形した後、この成形体を不活性ガス又は真空雰囲気の下、1000℃〜1500℃で常圧焼結することを特徴とする焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014040380A JP5770323B2 (ja) | 2012-07-03 | 2014-03-03 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012149357 | 2012-07-03 | ||
JP2012149357 | 2012-07-03 | ||
JP2012287729 | 2012-12-28 | ||
JP2012287729 | 2012-12-28 | ||
JP2014040380A JP5770323B2 (ja) | 2012-07-03 | 2014-03-03 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119611A Division JP5550768B1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-06-06 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014166950A true JP2014166950A (ja) | 2014-09-11 |
JP5770323B2 JP5770323B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=51416781
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119611A Active JP5550768B1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-06-06 | 焼結体及びアモルファス膜 |
JP2013220038A Pending JP2014141392A (ja) | 2012-07-03 | 2013-10-23 | 焼結体及びアモルファス膜 |
JP2014040380A Active JP5770323B2 (ja) | 2012-07-03 | 2014-03-03 | 焼結体及びアモルファス膜 |
JP2014040381A Pending JP2014159634A (ja) | 2012-07-03 | 2014-03-03 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119611A Active JP5550768B1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-06-06 | 焼結体及びアモルファス膜 |
JP2013220038A Pending JP2014141392A (ja) | 2012-07-03 | 2013-10-23 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014040381A Pending JP2014159634A (ja) | 2012-07-03 | 2014-03-03 | 焼結体及びアモルファス膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP5550768B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016098395A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3089229B1 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-17 | Tokyo Institute of Technology | Organic electroluminescence element and organic solar cell provided with metal oxide thin film |
JP5929979B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-06-08 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
JP5688179B1 (ja) * | 2014-09-10 | 2015-03-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 |
JP5735190B1 (ja) * | 2015-01-22 | 2015-06-17 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
JP6023920B1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-11-09 | Jx金属株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
CN114127029A (zh) | 2019-10-23 | 2022-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 氧化物溅射靶 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6241756A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-23 | 菱電化成株式会社 | 低膨脹性耐熱材料の製法 |
JPH04219359A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-10 | Tosoh Corp | 導電性酸化亜鉛焼結体 |
WO2009145152A1 (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | 株式会社カネカ | 透明導電膜およびその製造方法 |
WO2009148154A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 出光興産株式会社 | 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法 |
JP2012004940A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sanritz Automation Co Ltd | リモートi/oシステム及びリモートi/oシステムにおける時刻同期方法 |
JP2012039041A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Sony Corp | メモリ素子 |
JP2013144821A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜 |
JP2013189657A (ja) * | 2011-02-25 | 2013-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 透明酸化物膜およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11322332A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体およびその製造方法 |
WO2006070715A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 導電膜、導電性基材及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN101911303B (zh) * | 2007-12-25 | 2013-03-27 | 出光兴产株式会社 | 氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 |
CN103518003A (zh) * | 2011-05-10 | 2014-01-15 | 出光兴产株式会社 | In2O3-ZnO系溅射靶 |
-
2013
- 2013-06-06 JP JP2013119611A patent/JP5550768B1/ja active Active
- 2013-10-23 JP JP2013220038A patent/JP2014141392A/ja active Pending
-
2014
- 2014-03-03 JP JP2014040380A patent/JP5770323B2/ja active Active
- 2014-03-03 JP JP2014040381A patent/JP2014159634A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6241756A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-23 | 菱電化成株式会社 | 低膨脹性耐熱材料の製法 |
JPH04219359A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-10 | Tosoh Corp | 導電性酸化亜鉛焼結体 |
WO2009145152A1 (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | 株式会社カネカ | 透明導電膜およびその製造方法 |
WO2009148154A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 出光興産株式会社 | 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法 |
JP2012004940A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sanritz Automation Co Ltd | リモートi/oシステム及びリモートi/oシステムにおける時刻同期方法 |
JP2012039041A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Sony Corp | メモリ素子 |
JP2013189657A (ja) * | 2011-02-25 | 2013-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 透明酸化物膜およびその製造方法 |
JP2013144821A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016098395A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014159634A (ja) | 2014-09-04 |
JP5550768B1 (ja) | 2014-07-16 |
JP5770323B2 (ja) | 2015-08-26 |
JP2014141386A (ja) | 2014-08-07 |
JP2014141392A (ja) | 2014-08-07 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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