JP2014160696A - 位置検出装置、露光装置、および、光量調整方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】出射光量調整部は、位置検出ユニットの受光部に、対象面内に規定されたサンプル取得位置における反射光の光量分布データを、サンプル光量分布データF(i)(i=1,2,・・)として取得させるサンプルデータ取得部と、サンプル光量分布データF(i)に基づいて、位置検出ユニットの光源の出射光量の修正値を算出する修正値算出部とを備える。修正値算出部は、サンプル光量分布データF(i)に、受光光量が感度限界以上の光量過多画素がある場合に、当該サンプル光量分布データF(i)に含まれる光量過多画素の個数を加味して、光源の出射光量の下げ幅を決定する。
【選択図】図15
Description
露光装置1の構成について、図1、図2を参照しながら説明する。図1は、露光装置1の構成を模式的に示す側面図である。図2は、露光装置1の構成を模式的に示す平面図である。
ステージ10は、平板状の外形を有し、その上面に基板Wを水平姿勢に載置して保持する保持部である。ステージ10の上面には、複数の吸引孔(図示省略)が形成されており、この吸引孔に負圧(吸引圧)を形成することによって、ステージ10上に載置された基板Wをステージ10の上面に固定保持することができるようになっている。
ステージ駆動機構20は、ステージ10を基台105に対して移動させる機構であり、ステージ10を主走査方向(Y軸方向)、副走査方向(X軸方向)、および回転方向(Z軸周りの回転方向(θ軸方向))に移動させる。ステージ駆動機構20は、具体的には、ステージ10を回転させる回転機構21と、回転機構21を介してステージ10を支持する支持プレート22と、支持プレート22を副走査方向に移動させる副走査機構23とを備える。ステージ駆動機構20は、さらに、副走査機構23を介して支持プレート22を支持するベースプレート24と、ベースプレート24を主走査方向に移動させる主走査機構25とを備える。
ステージ位置計測部30は、ステージ10の位置を計測する機構である。ステージ位置計測部30は、具体的には、例えば、ステージ10外からステージ10に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光し、当該反射光と出射光との干渉からステージ10の位置(具体的には、主走査方向に沿うY位置、および、回転方向に沿うθ位置)を計測する、干渉式のレーザ測長器により構成される。
光学ユニット40は、ステージ10上に保持された基板Wの上面に描画光を照射して基板Wにパターンを描画するための機構である。上述したとおり、露光装置1は2個の光学ユニット40,40を備える。例えば、一方の光学ユニット40が基板Wの+X側半分の露光を担当し、他方の光学ユニット40が基板Wの−X側半分の露光を担当する。これら2個の光学ユニット40,40は、ステージ10およびステージ駆動機構20を跨ぐようにして基台105上に架設された支持フレーム107に、副走査方向(X軸方向)に沿って、間隔をあけて固設される。なお、2個の光学ユニット40,40の間隔は必ずしも一定に固定されている必要はなく、光学ユニット40,40の一方あるいは両方の位置を変更可能とする機構を設けて、両者の間隔を調整可能としてもよい。もっとも、光学ユニット40の搭載個数は、必ずしも2個である必要はなく、1個であってもよいし、3個以上であってもよい。
オートフォーカスユニット50は、各光学ユニット40と対応付けて設けられる。オートフォーカスユニット50は、対応する光学ユニット40の投影光学系45のフォーカシングレンズ455の高さ(すなわち、フォーカシングレンズ455の、基板Wの上面(具体的には、感光材料の塗布膜の上面)からの離間距離)を調整して、フォーカシングレンズ455を通過して基板Wの表面に導かれる光を、基板Wの表面に適切に結像させる。
アライメントマーク撮像部60は、支持フレーム107に固設され、ステージ10に保持された基板Wの上面に形成されたアライメントマークを撮像する。アライメントマーク撮像部60が撮像した撮像データは、基板Wが適切な位置にくるように精密に位置合わせする処理(アライメント処理)に供される。
搬送装置70は、基板Wを搬送する装置であり、具体的には、例えば、基板Wを支持するための2本のハンド71,71と、ハンド71,71を独立に移動(進退移動および昇降移動)させるハンド駆動機構72とを備える。露光装置1の本体外部であって、受渡し領域103に隣接する位置には、カセットCを載置するためのカセット載置部104が配置されており、搬送装置70は、カセット載置部104に載置されたカセットCに収容された未処理の基板Wを取り出して処理領域102に搬入するとともに、処理領域102から処理済みの基板Wを搬出してカセットCに収容する。なお、カセット載置部104に対するカセットCの受渡しは外部搬送装置(図示省略)によって行われる。
プリアライメント部80は、基板Wの回転位置を粗く補正する処理(プリアライメント処理)を行う装置である。プリアライメント部80は、例えば、回転可能に構成された載置台と、載置台に載置された基板Wの外周縁の一部に形成された切り欠き部(例えば、ノッチ、オリエンテーションフラット等)の位置を検出するセンサと、載置台を回転させる回転機構とから構成することができる。この場合、プリアライメント部80におけるプリアライメント処理は、まず、載置台に載置された基板Wの切り欠き部の位置をセンサで検出し、続いて、回転機構が、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。
制御部90は、露光装置1が備える各部と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ露光装置1の各部の動作を制御する。
次に、オートフォーカスユニット50が備える位置検出ユニット51について、図5、図6を参照しながら説明する。図5は、光源510および受光部520の構成を模式的に示す図である。図6は、位置検出ユニット51の機能構成を示すブロック図である。
光源510は、例えばレーザ光を出射するレーザ光源により構成される。また、受光部520は、直線状に配列された複数の画素を備えるラインセンサ(例えば、CMOSラインセンサ、あるいは、CCDラインセンサ)521を含んで構成される。図示の例では、ラインセンサ521の複数の画素は、鉛直方向に沿って配列される。光源510および受光部520は、制御部90と接続されており、制御部90からの指示に応じて動作する。制御部90は、光源510からの光の出射タイミング、光の出射時間、および、出射光量を制御し、また、受光部520が取得した情報を受信する。
位置検出部530は、受光部520にて取得された反射光の光量分布データに基づいて、当該反射光が反射された反射面の高さ位置を検出する。
上述したとおり、位置検出部530にて反射面の高さ位置を正確に特定するためには、受光部520で取得される光量分布データの最大光量Yが、定められた許容範囲内にあることが好ましい。ここで、受光部520にて受光される反射光の光量は、光源510の出射光量と、反射面(具体的には、基板Wの上面)の反射率との関係から決まってくる。つまり、位置検出部530にて反射面の高さ位置を正確に特定するためには、光源510の出射光量が、基板Wの反射率に対して適切なものとなるように調整されている必要がある。
出射光量調整部540は、サンプルデータ取得部541と、修正値算出部542と、出射光量変更部543と、最適値算出部544とを備える。これら各部は、例えば、制御部90において、プログラムPに記述された手順に従ってCPU91が演算処理を行うことにより実現される。
サンプルデータ取得部541は、位置検出ユニット51に、基板Wの上面内に規定された複数のサンプル取得位置P(1),P(2),・・,P(N)の各々での反射光の光量分布データ(以下「サンプル光量分布データ」ともいう)F(i)(i=1,2,・・,N)を取得させる。
修正値算出部542は、サンプル光量分布データF(i)(i=1,2,・・,N)に基づいて、当該サンプル光量分布データF(i)の最大光量Yを理想最大光量Yoに近づけることができるような光源510の出射光量の値を算出し、当該値を光源510の出射光量の修正値(修正出射光量)R(i+1)として取得する。
第1類型は、光量過多画素Gが含まれる光量分布データ(すなわち、1個以上の画素において、その受光光量が感度限界L2以上となっている光量分布データ)である。例えば図8に示される光量分布データは、第1類型となる。
第2類型は、有効画素Eがない光量分布データ(すなわち、全ての画素の受光光量がカットレベルL1より小さい光量分布データ)である。例えば図9に示される光量分布データは、第2類型となる。
第3類型は、第1類型にも第2類型にも該当しない光量分布データ(すなわち、有効画素Eがあり、かつ、光量過多画素Gがない光量分布データ)である。例えば、図10、図11に示される光量分布データは、第3類型となる。
出射光量変更部543は、i番目(i=1,2,・・)のサンプル光量分布データF(i)に基づいて修正出射光量R(i+1)が算出された場合に、次の(i+1)番目のサンプル光量分布データF(i+1)が取得されるのに先立って、光源510の出射光量を当該修正出射光量R(i+1)に変更する。したがって、(i+1)番目のサンプル光量分布データF(i+1)は、変更後の新たな出射光量の下で取得されることになる(図15参照)。ただし、1番目のサンプル光量分布データF(1)は、定められた初期出射光量R(1)の下で取得される。
最適値算出部544は、複数のサンプル光量分布データF(1),F(2),・・,F(N)の各々を取得した際の光源510の出射光量(すなわち、初期出射光量R(1)、および、一群の修正出射光量R(2),R(3),・・,R(N))に基づいて、光源510の出射光量の最適値(最適出射光量)Roを算出する。
光源510の出射光量を調整する処理の流れについて、図12〜図16を参照しながら説明する。図13は、当該処理の流れを示す図である。図14は、図13のステップS103の処理の流れを示す図である。図15、図16は、当該処理を説明するための図である。
露光装置1において実行される処理の流れについて、図17を参照しながら説明する。図17は、当該処理の流れを示す図である。以下に説明する一連の動作は、制御部90の制御下で行われる。
上記の実施の形態によると、サンプル光量分布データF(i)に光量過多画素Gが含まれる場合に、当該サンプル光量分布データF(i)に含まれる光量過多画素Gの個数(「n」)を加味して光源510の出射光量の下げ幅ΔRを決定する。サンプル光量分布データF(i)に光量過多画素Gが含まれる場合、受光部520が受光した反射光の最大光量が測定不能であるため、例えばこの最大光量から下げ幅を特定することができないところ、ここでは、光量過多画素Gの個数を加味して当該下げ幅ΔRを決定することによって、最大光量が不明であっても、適切な下げ幅ΔRを直ちに得ることができる。したがって、光源510の出射光量の調整に要する時間を短縮できる。例えば、露光装置1において、シリコン基板Wを処理した後に、引き続いて、銅基板Wを処理する場合、反射率が大幅に増加するため、光源510の出射光量を大きく下げる必要があるところ、このような場合にも適切な下げ幅ΔRを直ちに得て短時間で光源510の出射光量を調整できる。
上記の実施の形態において、光量過多画素Gの個数(「n」)が比較的大きい場合等に、(式2)にて規定される下げ幅ΔRが非常に大きくなる場合がある。この場合、例えば、次のサンプル取得位置P(i+1)が、反射率が比較的小さい領域にある場合などに、当該サンプル取得位置P(i+1)で取得されるサンプル光量分布データF(i+1)に有効画素Eが現れない(第3類型となってしまう)、といった事態が発生する可能性がある。このような事態の発生を未然に回避するべく、下げ幅ΔRの上限値を設ける構成としてもよい。すなわち、(式1)にて算出された値が、元の出射光量R(i)の例えば半分より小さくなる場合に、(式1)にて算出された値に換えて、元の出射光量R(i)の半分の値を、修正出射光量R(i+1)として採用する構成としてもよい。この場合、元の出射光量R(i)の半分に相当する値が、下げ幅ΔRの上限値とされることになる。もっとも、下げ幅ΔRの上限値は、必ずしもこれに限るものではなく、任意の値を下げ幅ΔRの上限値とすることができる。
10 ステージ
20 ステージ駆動機構
30 ステージ位置計測部
40 光学ユニット
50 オートフォーカスユニット
60 アライメントマーク撮像部
70 搬送装置
80 プリアライメント部
90 制御部
51 位置検出ユニット
52 駆動部
510 光源
520 受光部
530 位置検出部
540 出射光量調整部
541 サンプルデータ取得部
542 修正値算出部
543 出射光量変更部
544 最適値算出部
P(1),P(2),・・,P(N) サンプル取得位置
F(1),F(2),・・,F(N) サンプル光量分布データ
W 基板
Wc 中央領域
Claims (12)
- 対象面に向けて光を出射する光源と、
前記対象面での反射光をラインセンサで受光して、前記ラインセンサの複数の画素に対応する受光光量の分布を表す光量分布データを取得する受光部と、
前記光量分布データに基づいて、前記対象面の位置を検出する位置検出部と、
前記光源の出射光量を調整する出射光量調整部と、
を備え、
前記出射光量調整部が、
前記受光部に、前記対象面内に規定されたサンプル取得位置での反射光の光量分布データを、サンプル光量分布データとして取得させるサンプルデータ取得部と、
前記サンプル光量分布データに基づいて、前記光源の出射光量の修正値を算出する修正値算出部と、
を備え、
前記修正値算出部が、
前記サンプル光量分布データに、受光光量が感度限界以上の光量過多画素がある場合に、当該サンプル光量分布データに含まれる前記光量過多画素の個数を加味して、前記光源の出射光量の下げ幅を決定する、
位置検出装置。 - 請求項1に記載の位置検出装置であって、
前記修正値算出部が、
前記サンプル光量分布データに、受光光量がカットレベル以上の有効画素がない場合に、前記カットレベルの光量値を加味して、前記光源の出射光量の上げ幅を決定する、
位置検出装置。 - 請求項1または2に記載の位置検出装置であって、
前記修正値算出部が、
前記サンプル光量分布データに、受光光量がカットレベル以上の有効画素があり、かつ、前記光量過多画素がない場合に、当該サンプル光量分布データの最大値を加味して、前記光源の出射光量の変更幅を決定する、
位置検出装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の位置検出装置であって、
前記サンプルデータ取得部が、
前記受光部に、前記対象面内に規定された複数のサンプル取得位置の各々での反射光の光量分布データを、前記サンプル光量分布データとして次々と取得させ、
前記出射光量調整部が、
前記サンプル光量分布データに基づいて前記修正値が算出された場合に、次のサンプル光量分布データが取得されるのに先立って、前記光源の出射光量を当該修正値に変更する出射光量変更部と、
前記複数のサンプル光量分布データの各々を取得した際の前記光源の出射光量に基づいて、前記光源の出射光量の最適値を算出する最適値算出部と、
をさらに備える、位置検出装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の位置検出装置であって、
前記対象面が基板の上面であり、
前記基板の主面内において、その端縁から一定の幅の領域を端縁領域とし、前記端縁領域を除いた領域を中央領域として、
前記複数のサンプル取得位置が、前記中央領域内に規定される、
位置検出装置。 - 基板の上面を対象面とし、光学ヘッドから、前記光学ヘッドに対して相対的に移動する前記対象面に対して光を照射して、前記対象面にパターンを露光する露光装置であって、
請求項1から5のいずれかに記載の位置検出装置と、
前記位置検出装置が検出した前記対象面の位置に基づいて、前記光学ヘッドの光学系の前記対象面に対する位置を調整する位置調整部と、
を備える、露光装置。 - 請求項6に記載の露光装置であって、
前記サンプル光量分布データの取得が、前記光学ヘッドから前記対象面に対して光を照射する前に行われる、
露光装置。 - 対象面に対して光源から光を照射し、その反射光を検出することによって前記対象面の位置を検出するにあたって、前記光源の出射光量を調整する光量調整方法であって、
a)前記光源に、前記対象面内に規定されたサンプル取得位置に向けて光を出射させるとともに、前記サンプル取得位置での反射光をラインセンサで受光させて、前記ラインセンサの複数の画素に対応する受光光量の分布を表す光量分布データを取得する工程と、
b)前記サンプル取得位置での反射光の光量分布データをサンプル光量分布データとし、前記サンプル光量分布データに基づいて、前記光源の出射光量の修正値を算出する工程と、
を備え、
前記b)工程において、
前記サンプル光量分布データに、受光光量が感度限界以上の光量過多画素がある場合に、当該サンプル光量分布データに含まれる前記光量過多画素の個数を加味して、前記光源の出射光量の下げ幅を決定する、
光量調整方法。 - 請求項8に記載の光量調整方法であって、
前記b)工程において、
前記サンプル光量分布データに、受光光量がカットレベル以上の有効画素がない場合に、前記カットレベルの光量値を加味して、前記光源の出射光量の上げ幅を決定する、
光量調整方法。 - 請求項8または9に記載の光量調整方法であって、
前記b)工程において、
前記サンプル光量分布データに、受光光量がカットレベル以上の有効画素があり、かつ、前記光量過多画素がない場合に、当該サンプル光量分布データの最大値を加味して、前記光源の出射光量の変更幅を決定する、
光量調整方法。 - 請求項8から10のいずれかに記載の光量調整方法であって、
c)前記a)工程を複数回繰り返して、前記対象面内に規定された複数のサンプル取得位置の各々での反射光の光量分布データを、前記サンプル光量分布データとして次々と取得する繰り返し工程と、
d)前記a)工程で取得された前記サンプル光量分布データに基づいて前記b)工程で前記修正値が算出された場合に、次のサンプル光量分布データが取得されるのに先立って、前記光源の出射光量を当該修正値に変更する工程と、
e)前記複数のサンプル光量分布データの各々を取得した際の前記光源の出射光量に基づいて、前記光源の出射光量の最適値を算出する工程と、
をさらに備える、光量調整方法。 - 請求項8から11のいずれかに記載の光量調整方法であって、
前記対象面が基板の上面であり、
前記基板の主面内において、その端縁から一定の幅の領域を端縁領域とし、前記端縁領域を除いた領域を中央領域として、
前記複数のサンプル取得位置が、前記中央領域内に規定される、
光量調整方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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