JP2014158010A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a wiring board including a via and capable of coping with miniaturization.SOLUTION: A method for manufacturing a wiring board comprises the steps of: forming a via hole in an insulating layer; forming a via conductor in the via hole; forming a catalyst layer on the insulating film; forming a desired pattern mask on the catalyst layer; forming a conductor layer on the catalyst layer by electroless plating; peeling the mask; and removing a catalyst layer in the portion exposed as a result of peeling the mask.

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.

従来より配線基板の配線の微細化が進んでいる。配線の微細化に対応するため、従来の配線基板では、絶縁層上に無電解銅めっき層を形成した後、該無電解銅めっき層上にドライフィルムにて所定のパターンを形成して、電解銅めっき層を形成するセミアディティブ法が使用されることが多い。   2. Description of the Related Art Miniaturization of wiring on a wiring board has progressed conventionally. In order to cope with the miniaturization of wiring, in a conventional wiring board, after forming an electroless copper plating layer on an insulating layer, a predetermined pattern is formed on the electroless copper plating layer with a dry film to perform electrolysis. A semi-additive method for forming a copper plating layer is often used.

セミアディティブ法では、ドライフィルムを剥離した後、該剥離により露出した無電解銅めっき層を除去するためにウェットエッチングを行う。しかしながら、このウェットエッチングにより、配線の下部がエッチングされるアンダーカットや、配線自体が細くなる配線細りが生じる。この結果、さらなる配線の微細化が難しくなっている。   In the semi-additive method, after the dry film is peeled off, wet etching is performed to remove the electroless copper plating layer exposed by the peeling. However, this wet etching causes an undercut in which the lower portion of the wiring is etched and a wiring thinning that makes the wiring itself narrow. As a result, further miniaturization of the wiring is difficult.

そこで、絶縁層上に無電解めっきの触媒(Pd)を含むフォトレジストを塗布して、所望の形状にパターニングした後、配線を形成する領域にのみ触媒を残した状態で無電解めっきを行い、配線を形成することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Therefore, after applying a photoresist containing an electroless plating catalyst (Pd) on the insulating layer and patterning it to a desired shape, electroless plating is performed in a state where the catalyst is left only in a region where wiring is formed, It has been proposed to form wiring (see, for example, Patent Document 1).

特開平05−206121号公報JP 05-206121 A

しかしながら、特許文献1で提案される手法では、配線の形成方法については、開示されているものの、配線層と配線層を接続するビアの形成方法については、何ら開示されていない。このため、特許文献1で提案される手法では、配線層が1層の配線基板しか得ることができない。   However, although the method proposed in Patent Document 1 discloses a method for forming a wiring, it does not disclose any method for forming a via that connects a wiring layer and a wiring layer. For this reason, with the method proposed in Patent Document 1, only a wiring substrate having a single wiring layer can be obtained.

本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、微細化に対応したビアを有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in response to the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a wiring board having vias corresponding to miniaturization.

上記目的を達成すべく、本発明は、絶縁層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に導体材料を充填してビア導体を形成する工程と、前記絶縁層上に主触媒層を形成する工程と、前記主触媒層上に所望のパターンをなす第1の開口を有するマスクを形成する工程と、無電解めっき法により、前記第1の開口から露出する前記主触媒層上に主導体層を形成する工程と、前記マスクを剥離する工程と、前記マスクの剥離により露出した部分の前記主触媒層を除去する工程と、をこの順に有することを特徴とする。   To achieve the above object, the present invention includes a step of forming a via hole in an insulating layer, a step of forming a via conductor by filling the via hole with a conductive material, and forming a main catalyst layer on the insulating layer. A step of forming a mask having a first opening having a desired pattern on the main catalyst layer, and a main conductor layer on the main catalyst layer exposed from the first opening by an electroless plating method. , A step of peeling the mask, and a step of removing the main catalyst layer in a portion exposed by peeling of the mask.

本発明によれば、主触媒層を除去する際に、配線となる主導体層の下部がエッチングされるアンダーカットや、配線自体が細くなる配線細りが生じるのを抑制することができる。また、主導体層の形成に先立ってビア導体を形成しているのでビア導体に充填不良が生じることを抑制することができる。   According to the present invention, when the main catalyst layer is removed, it is possible to suppress the occurrence of undercut in which the lower portion of the main conductor layer to be a wiring is etched and the thinning of the wiring itself. In addition, since the via conductor is formed prior to the formation of the main conductor layer, it is possible to suppress the filling failure of the via conductor.

本発明の一態様においては、絶縁層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に導体材料を充填してビア導体を形成する工程と、前記絶縁層上に主触媒層を形成する工程と、前記主触媒層上に所望のパターンをなす第2の開口を有するマスクを形成する工程と、前記主触媒層のうち前記マスクから露出した部分を除去する工程と、前記マスクを剥離する工程と、無電解めっき法により、前記主触媒層上に主導体層を形成する工程と、をこの順に有することを特徴とする。   In one aspect of the present invention, a step of forming a via hole in the insulating layer, a step of filling the via hole with a conductive material to form a via conductor, a step of forming a main catalyst layer on the insulating layer, Forming a mask having a second opening having a desired pattern on the main catalyst layer; removing a portion of the main catalyst layer exposed from the mask; and peeling the mask; And a step of forming a main conductor layer on the main catalyst layer by an electroless plating method in this order.

本発明の一態様によれば、主触媒層を除去する際に、配線の下部がエッチングされるアンダーカットや、配線自体が細くなる配線細りが生じるのを抑制することができる。   According to one embodiment of the present invention, when the main catalyst layer is removed, it is possible to suppress the occurrence of undercut in which the lower portion of the wiring is etched, or wiring thinning in which the wiring itself is thinned.

本発明の他の態様においては、前記ビア導体を形成する工程は、前記ビアホールの内壁面を含む前記絶縁層上に副触媒層を形成する工程と、無電解めっき法により、前記副触媒層上に副導体層を形成する工程と、前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程と、を有することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the step of forming the via conductor includes a step of forming a sub-catalyst layer on the insulating layer including an inner wall surface of the via hole, and an electroless plating method on the sub-catalyst layer Forming a sub conductor layer, and removing the sub conductor layer formed in a region excluding the inside of the via hole to form the via conductor in the via hole.

本発明の他の態様によれば、充填不良のないビア導体を確実に形成することができる。   According to another aspect of the present invention, it is possible to reliably form a via conductor having no filling failure.

本発明の他の態様においては、前記ビア導体を形成する工程は、前記ビアホールの内壁面を含む前記絶縁層上に副触媒層を形成する工程と、前記ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている前記副触媒層を除去する工程と、無電解めっき法により、前記ビアホールの内壁面に形成されている前記副触媒層上に前記ビア導体を形成する工程と、を有することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the step of forming the via conductor is formed in a region other than the step of forming a sub catalyst layer on the insulating layer including the inner wall surface of the via hole and the inner wall surface of the via hole. Removing the secondary catalyst layer, and forming the via conductor on the secondary catalyst layer formed on the inner wall surface of the via hole by an electroless plating method. .

本発明の他の態様によれば、ビア導体を形成する前に副触媒層を除去しているので、ビア導体がエッチングされる虞がない。   According to another aspect of the present invention, since the sub-catalyst layer is removed before forming the via conductor, there is no possibility that the via conductor is etched.

本発明の他の態様においては、前記ビアホールを形成する工程において、前記絶縁層上に保護層を有する状態で前記保護層と前記絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することにより前記ビアホールを形成し、前記副触媒層を形成する工程において、前記ビアホールの内壁面と前記保護層の表面に前記副触媒層を形成し、前記保護層を除去することにより、前記ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている前記副触媒層を除去することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, in the step of forming the via hole, the via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having a protective layer on the insulating layer. In the step of forming the sub catalyst layer, the sub catalyst layer is formed on the inner wall surface of the via hole and the surface of the protective layer, and the protective layer is removed, so that the region other than the inner wall surface of the via hole is formed. The formed sub catalyst layer is removed.

本発明の他の態様によれば、絶縁層上に保護層を有する状態で保護層と絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することによりビアホールを形成し、ビアホールの内壁面と前記保護層の表面に副触媒層を形成した後、保護層を除去することにより、ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている副触媒層を除去しているので、ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている副触媒層を容易に除去することができる。また、副触媒層の除去にエッチングが不要であるため、ビア導体がエッチングされるのを抑制することができる。   According to another aspect of the present invention, a via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having the protective layer on the insulating layer, and the inner wall surface of the via hole and the protective layer After forming the secondary catalyst layer on the surface, the protective layer is removed to remove the secondary catalyst layer formed in the region other than the inner wall surface of the via hole, so that it is formed in the region other than the inner wall surface of the via hole. The secondary catalyst layer can be easily removed. Further, since etching is not necessary for removing the sub catalyst layer, it is possible to suppress the via conductor from being etched.

本発明の他の態様においては、前記ビア導体を形成する工程は、印刷法により、前記ビアホール内を含む前記絶縁層上に副導体層を形成する工程と、前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程と、を有することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the step of forming the via conductor is formed in a region excluding the inside of the via hole and the step of forming a sub-conductor layer on the insulating layer including the inside of the via hole by a printing method. And removing the sub conductor layer and forming the via conductor in the via hole.

本発明の他の態様によれば、印刷法により副導体層を形成した後、ビアホール内を除く領域に形成されている副導体層を除去してビアホール内にビア導体を形成している。このため、ビア導体の形成のために触媒層を形成する必要がなく工程を簡略化することができる。   According to another aspect of the present invention, after the sub-conductor layer is formed by a printing method, the sub-conductor layer formed in a region other than the inside of the via hole is removed to form a via conductor in the via hole. For this reason, it is not necessary to form a catalyst layer for forming the via conductor, and the process can be simplified.

本発明の他の態様においては、前記ビアホールを形成する工程において、前記絶縁層上に保護層を有する状態で前記保護層と前記絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することにより前記ビアホールを形成し、前記副導体層を形成する工程において、前記ビアホールの内壁面と前記保護層の表面に前記副導体層を形成し、前記保護層を除去することにより、前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, in the step of forming the via hole, the via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having a protective layer on the insulating layer. In the step of forming the sub-conductor layer, the sub-conductor layer is formed on the inner wall surface of the via hole and the surface of the protective layer, and the protective layer is removed, so that the sub-conductor layer is formed in a region excluding the inside of the via hole. The sub conductor layer is removed.

本発明の他の態様によれば、絶縁層上に保護層を有する状態で保護層と絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することにより前記ビアホールを形成し、ビアホールの内壁面と保護層の表面に副導体層を形成した後、保護層を除去することにより、ビアホール内を除く領域に形成されている副導体層を除去しているので、ビアホール内を除く領域に形成されている副導体層を容易に除去することができる。   According to another aspect of the present invention, the via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having the protective layer on the insulating layer, and the inner wall surface of the via hole and the protective layer After forming the sub-conductor layer on the surface, the sub-conductor layer formed in the region excluding the inside of the via hole is removed by removing the protective layer, so the sub-conductor formed in the region excluding the inside of the via hole The layer can be easily removed.

本発明の他の態様においては、前記ビア導体を形成する工程は、インクジェット法により、前記ビアホール内に導体ペーストを充填し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程を有することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the step of forming the via conductor includes a step of filling the via hole with a conductive paste and forming the via conductor in the via hole by an inkjet method. .

本発明の他の態様によれば、インクジェット法により、ビアホール内に導体ペーストを充填し、ビアホール内にビア導体を形成している。このため、ビア導体の形成のために触媒層を形成する必要がなく工程を簡略化することができる。   According to another aspect of the present invention, the via paste is filled in the via hole by the ink jet method, and the via conductor is formed in the via hole. For this reason, it is not necessary to form a catalyst layer for forming the via conductor, and the process can be simplified.

本発明の他の態様においては、前記主触媒層は、Pd粒子を前記絶縁層上に付着させて形成されることを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the main catalyst layer is formed by depositing Pd particles on the insulating layer.

本発明の他の態様によれば、主触媒層としてPd粒子を絶縁層上に付着させているので、無電解めっきを用いて絶縁層上に主導体層をより確実に形成することができる。   According to another aspect of the present invention, since the Pd particles are adhered on the insulating layer as the main catalyst layer, the main conductor layer can be more reliably formed on the insulating layer using electroless plating.

本発明の他の態様においては、前記主触媒層は、薬液にて除去されることを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the main catalyst layer is removed with a chemical solution.

本発明の他の態様によれば、主触媒層は、薬液にて除去されるので、配線やビア導体がエッチング液によりエッチングされる虞がない。   According to the other aspect of the present invention, the main catalyst layer is removed by the chemical solution, so that there is no possibility that the wiring and via conductor are etched by the etching solution.

以上説明したように、本発明によれば、微細化に対応したビアを有する配線基板の製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a wiring board having vias corresponding to miniaturization.

実施形態に係る配線基板の断面図。Sectional drawing of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態の他の例に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on the other example of embodiment. 実施形態の他の例に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on the other example of embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施形態)
図1は、実施形態における配線基板100の断面図である。図1に示すように、配線基板100は、樹脂絶縁層101,103と、配線パターンを含む主導体層102,104と、フィルドビア105(以下、ビア105と記載する)とを備える。樹脂絶縁層101,103は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂材料で構成される。主導体層102,104は、導電性の材料、例えば、銅(Cu)などの金属で構成される。
(Embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a wiring board 100 in the embodiment. As shown in FIG. 1, the wiring board 100 includes resin insulating layers 101 and 103, main conductor layers 102 and 104 including a wiring pattern, and filled vias 105 (hereinafter referred to as vias 105). The resin insulating layers 101 and 103 are made of, for example, a thermosetting insulating resin material mainly composed of an epoxy resin. The main conductor layers 102 and 104 are made of a conductive material, for example, a metal such as copper (Cu).

ビア105は、樹脂絶縁層103に形成されたビアホール105aと、ビアホール105a内側に充填された導体材料(例えば、銅(Cu))からなるビア導体105bとを有する。ビア105は、主導体層102と、主導体層104とを電気的に接続する。   The via 105 includes a via hole 105a formed in the resin insulating layer 103 and a via conductor 105b made of a conductive material (for example, copper (Cu)) filled inside the via hole 105a. The via 105 electrically connects the main conductor layer 102 and the main conductor layer 104.

図2〜図6は、実施形態に係る配線基板100の製造工程を示す図である。以下、図1〜図6を参照して配線基板100の製造工程について説明する。   2-6 is a figure which shows the manufacturing process of the wiring board 100 which concerns on embodiment. Hereinafter, the manufacturing process of the wiring board 100 will be described with reference to FIGS.

初めに、樹脂絶縁層101上に主触媒層201を形成する(図2(a)参照)。主触媒層201は、例えば、無電解めっき用の触媒であるパラジウム(Pd)粒子を樹脂絶縁層101上に付着させて形成される。次に、主触媒層201の表面に感光性のドライフィルムをラミネートした後、露光・現像を行い、所望のパターンをなす開口K1を有するマスクM1を形成する(図2(b)参照)。次に、マスクM1の開口K1から露出する主触媒層201上に無電解銅めっきを行い、主導体層102となる銅めっき層C1を形成する(図2(c)参照)。   First, the main catalyst layer 201 is formed on the resin insulating layer 101 (see FIG. 2A). The main catalyst layer 201 is formed, for example, by depositing palladium (Pd) particles, which are a catalyst for electroless plating, on the resin insulating layer 101. Next, after laminating a photosensitive dry film on the surface of the main catalyst layer 201, exposure and development are performed to form a mask M1 having an opening K1 forming a desired pattern (see FIG. 2B). Next, electroless copper plating is performed on the main catalyst layer 201 exposed from the opening K1 of the mask M1, thereby forming a copper plating layer C1 to be the main conductor layer 102 (see FIG. 2C).

次に、マスクM1を剥離した後、マスクM1の剥離により露出した部分の主触媒層201を除去する(図3(a)参照)。この主触媒層201の除去には、主触媒層201のみを除去できる薬液を用いることが好ましい。主導体層102の配線パターンにアンダーカットや配線細りが生じるのを防止するためである。例えば、主触媒層201のみを除去できる薬液としては、シアン化ナトリウム水溶液等のシアン系水溶液を用いることができる。なお、図3(a)に示すように、主導体層102は、主触媒層201及び銅めっき層C1により構成される。   Next, after peeling off the mask M1, the main catalyst layer 201 in a portion exposed by peeling off the mask M1 is removed (see FIG. 3A). For the removal of the main catalyst layer 201, it is preferable to use a chemical that can remove only the main catalyst layer 201. This is for preventing undercutting or thinning of the wiring pattern of the main conductor layer 102. For example, as the chemical solution that can remove only the main catalyst layer 201, a cyan aqueous solution such as a sodium cyanide aqueous solution can be used. In addition, as shown to Fig.3 (a), the main conductor layer 102 is comprised by the main catalyst layer 201 and the copper plating layer C1.

次に、樹脂絶縁層103となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を表面に保護フィルムHF(保護層)を有する状態で、主導体層102が形成された樹脂絶縁層101上に配置し、真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着し、樹脂絶縁層103を形成する(図3(b)参照)。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、保護フィルムHF及び樹脂絶縁層103を貫通する貫通孔を形成することでビアホール105aを形成する(図3(c)参照)。   Next, on the resin insulating layer 101 on which the main conductor layer 102 is formed in a state in which a film-shaped insulating resin material mainly composed of an epoxy resin to be the resin insulating layer 103 has a protective film HF (protective layer) on the surface. It arrange | positions and pressurizes and heats with a vacuum press-bonding hot press machine, and it crimps | bonds, heat-curing a film-form insulating resin material, and forms the resin insulating layer 103 (refer FIG.3 (b)). Next, laser irradiation is performed using a conventionally known laser processing apparatus to form a through hole that penetrates the protective film HF and the resin insulating layer 103, thereby forming a via hole 105a (see FIG. 3C).

次に、ビアホール105aの内壁面を含む樹脂絶縁層103上に副触媒層202を形成する(図4(a)参照)。副触媒層202は、例えば、無電解めっき用の触媒であるパラジウム(Pd)粒子をビアホール105aの内壁面及び保護フィルムHF上に付着させて形成される。次に、保護フィルムHFを剥離し、ビアホール105aの内壁面以外の領域に形成されている副触媒層202を除去する(図4(b)参照)。次に、無電解銅めっきを行い、ビアホール105a内にビア導体105bとなる銅めっき層C2(副導体層)を形成し、ビア105を得る(図4(c)参照)。なお、図4(c)に示すように、ビア導体105bは、副触媒層202及び銅めっき層C2により構成される。   Next, the sub catalyst layer 202 is formed on the resin insulating layer 103 including the inner wall surface of the via hole 105a (see FIG. 4A). The sub-catalyst layer 202 is formed, for example, by depositing palladium (Pd) particles, which are a catalyst for electroless plating, on the inner wall surface of the via hole 105a and the protective film HF. Next, the protective film HF is peeled off, and the sub-catalyst layer 202 formed in a region other than the inner wall surface of the via hole 105a is removed (see FIG. 4B). Next, electroless copper plating is performed to form a copper plating layer C2 (sub conductor layer) to be the via conductor 105b in the via hole 105a, thereby obtaining the via 105 (see FIG. 4C). As shown in FIG. 4C, the via conductor 105b is composed of the sub catalyst layer 202 and the copper plating layer C2.

上記説明では、保護フィルムHF(保護層)を有する状態で副触媒層202を形成する方法について説明しているが、副触媒層202の形成時において樹脂絶縁層103上に保護フィルムHF(保護層)を有していなくてもよい。この場合、ビアホール105aの内壁面を含む樹脂絶縁層103の表面に副触媒層202が形成され、無電解銅めっきを行うことによりビアホール105aの内壁面を含む樹脂絶縁層103の表面に銅めっき層(副導体層)が形成されることとなるが、ビアホール105a内を除く領域に形成されている銅めっき層を研磨等により除去すればよい。   In the above description, the method for forming the sub-catalyst layer 202 with the protective film HF (protective layer) is described. However, the protective film HF (protective layer) is formed on the resin insulating layer 103 when the sub-catalyst layer 202 is formed. ) May not be included. In this case, the sub-catalyst layer 202 is formed on the surface of the resin insulating layer 103 including the inner wall surface of the via hole 105a, and a copper plating layer is formed on the surface of the resin insulating layer 103 including the inner wall surface of the via hole 105a by performing electroless copper plating. (Sub conductor layer) will be formed, but the copper plating layer formed in the region excluding the inside of the via hole 105a may be removed by polishing or the like.

また、ビア導体105bの形成は、無電解銅めっきのほか、印刷法により、導体ペーストをビアホール105a内に充填した後、保護フィルムHFを剥離して、ビア導体105bを形成するようにしてもよい。また、保護フィルムHFを剥離した後、印刷法により、導体ペーストをビアホール105a内に充填し、その後、ビアホール105a内に充填されている導体ペースト以外の導体ペーストを除去するようにしてもよい。なお、印刷法によりビア導体105bを形成する場合、ビア導体105bの形成のために副触媒層202を形成する必要はない。   The via conductor 105b may be formed by electroless copper plating, or by filling the via hole 105a with a conductive paste by a printing method and then peeling off the protective film HF to form the via conductor 105b. . Further, after peeling off the protective film HF, the conductor paste may be filled in the via hole 105a by a printing method, and then the conductor paste other than the conductor paste filled in the via hole 105a may be removed. When the via conductor 105b is formed by a printing method, it is not necessary to form the sub catalyst layer 202 for forming the via conductor 105b.

また、インクジェット法により、導体ペーストをビアホール105a内に充填して、ビア導体105bを形成してもよい。インクジェット法を用いる場合、ビアホール105a内にのみ、導体ペーストが充填される。このため、保護フィルムHFを剥離した後、ビアホール105a内に導体ペーストを充填したとしても、余分な導体ペーストを除去する必要がない。この結果、配線基板100の製造工程を簡略化することができる。インクジェット法によりビア導体105bを形成する場合も、ビア導体105bの形成のために副触媒層202を形成する必要はない。   Alternatively, the via conductor 105b may be formed by filling the via hole 105a with a conductive paste by an ink jet method. When the inkjet method is used, the conductor paste is filled only in the via hole 105a. For this reason, even if the conductive paste is filled in the via hole 105a after the protective film HF is peeled off, it is not necessary to remove the excess conductive paste. As a result, the manufacturing process of the wiring board 100 can be simplified. Even when the via conductor 105b is formed by the inkjet method, it is not necessary to form the sub-catalyst layer 202 in order to form the via conductor 105b.

次に、ビア導体105bの表面を含む樹脂絶縁層103上に主触媒層203を形成する(図5(a)参照)。主触媒層203は、例えば、無電解めっき用の触媒であるパラジウム(Pd)粒子をビア導体105bの表面を含む樹脂絶縁層103上に付着させて形成される。次に、主触媒層203の表面に感光性のドライフィルムをラミネートした後、露光・現像を行い、所望のパターンの開口K2(第1の開口)を有するマスクM2を形成する(図5(b)参照)。次に、マスクM2の開口K2から露出する主触媒層203上に無電解銅めっきを行い、主導体層104となる銅めっき層C3を形成する(図5(c)参照)。   Next, the main catalyst layer 203 is formed on the resin insulating layer 103 including the surface of the via conductor 105b (see FIG. 5A). The main catalyst layer 203 is formed, for example, by depositing palladium (Pd) particles, which are a catalyst for electroless plating, on the resin insulating layer 103 including the surface of the via conductor 105b. Next, after laminating a photosensitive dry film on the surface of the main catalyst layer 203, exposure and development are performed to form a mask M2 having an opening K2 (first opening) of a desired pattern (FIG. 5B). )reference). Next, electroless copper plating is performed on the main catalyst layer 203 exposed from the opening K2 of the mask M2 to form a copper plating layer C3 to be the main conductor layer 104 (see FIG. 5C).

次に、マスクM2を剥離した後、マスクM2の剥離により露出した部分の主触媒層203を除去し、図1に示す配線基板100を得る。ここで、図1に示す主導体層104は、主触媒層203及び銅めっき層C3により構成される。なお、この主触媒層203の除去には、主触媒層201のみを除去できる薬液を用いることが好ましい。主導体層104の配線パターンにアンダーカットや配線細りが生じるのを防止するためである。   Next, after peeling off the mask M2, the main catalyst layer 203 exposed by peeling off the mask M2 is removed to obtain the wiring board 100 shown in FIG. Here, the main conductor layer 104 shown in FIG. 1 includes the main catalyst layer 203 and the copper plating layer C3. In addition, it is preferable to use the chemical | medical solution which can remove only the main catalyst layer 201 for the removal of this main catalyst layer 203. FIG. This is to prevent undercutting or thinning of the wiring pattern of the main conductor layer 104.

なお、上記主導体層102を形成する工程では、樹脂絶縁層101上に主触媒層201を形成した後、所望のパターンの開口K1を有するマスクM1を形成し、このマスクM1から露出する主触媒層201上に無電解銅めっきを行い、主導体層102となる銅めっき層C1を形成して、主導体層102を形成している。しかしながら、主導体層102の形成は、上記方法に限られない。   In the step of forming the main conductor layer 102, after forming the main catalyst layer 201 on the resin insulating layer 101, a mask M1 having an opening K1 having a desired pattern is formed, and the main catalyst exposed from the mask M1 is formed. Electroless copper plating is performed on the layer 201 to form a copper plating layer C1 to be the main conductor layer 102, thereby forming the main conductor layer 102. However, the formation of the main conductor layer 102 is not limited to the above method.

図6,図7は、実施形態の他の例に係る配線基板100の製造工程を示す図である。以下、図6,図7を参照して、他の例に係る配線基板100の製造工程について説明する。なお、図1〜図5を参照して説明した配線基板100の構成と同じ構成には同一の符号を付して重複する説明を省略する。   6 and 7 are diagrams showing a manufacturing process of the wiring board 100 according to another example of the embodiment. Hereinafter, with reference to FIGS. 6 and 7, a manufacturing process of the wiring substrate 100 according to another example will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as the structure of the wiring board 100 demonstrated with reference to FIGS. 1-5, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

初めに、樹脂絶縁層101上に主触媒層201を形成する(図6(a)参照)。次に、主触媒層201の表面に感光性のドライフィルムをラミネートした後、露光・現像を行い、所望のパターンの開口K3(第2の開口)を有するマスクM3を形成する(図6(b)参照)。次に、マスクM3の開口K3から露出する主触媒層201を、薬液を用いて除去する(図6(c)参照)。   First, the main catalyst layer 201 is formed on the resin insulating layer 101 (see FIG. 6A). Next, after laminating a photosensitive dry film on the surface of the main catalyst layer 201, exposure and development are performed to form a mask M3 having an opening K3 (second opening) of a desired pattern (FIG. 6B). )reference). Next, the main catalyst layer 201 exposed from the opening K3 of the mask M3 is removed using a chemical solution (see FIG. 6C).

次に、マスクM3を剥離する(図7(a)参照)。次に、マスクM3の剥離により露出した主触媒層201上に無電解銅めっきを行い無電解銅めっき層C1を形成して、主導体層102を得る(図7(b)参照)。なお、主導体層104についても、図6,図7を参照して説明した上記方法にて形成することができる。なお、図6,図7を参照して説明した方法では、形成されるマスクの開口の位置が異なる点に留意する。   Next, the mask M3 is peeled off (see FIG. 7A). Next, electroless copper plating is performed on the main catalyst layer 201 exposed by peeling off the mask M3 to form an electroless copper plating layer C1, thereby obtaining the main conductor layer 102 (see FIG. 7B). The main conductor layer 104 can also be formed by the above-described method described with reference to FIGS. Note that the method described with reference to FIGS. 6 and 7 differs in the position of the opening of the mask to be formed.

以上のように、本実施形態に係る配線基板100の製造方法によれば、従来のように無電解銅めっき層C1,C3を除去するためにウェットエッチングを行う必要がない。また、主触媒層201,203、副触媒層202の除去に、無電解めっきの触媒であるパラジウム(Pd)だけを除去する薬液を用いている。このため、主導体層102,104の配線パターンの下部がエッチングされるアンダーカットや配線細りが生じる虞がない。このため、配線パターンが微細化された配線基板、特に、配線幅が5μm以下の配線パターンを有する配線基板の製造に好適である。   As described above, according to the method for manufacturing the wiring substrate 100 according to the present embodiment, it is not necessary to perform wet etching in order to remove the electroless copper plating layers C1 and C3 as in the related art. Further, a chemical solution that removes only palladium (Pd), which is an electroless plating catalyst, is used to remove the main catalyst layers 201 and 203 and the sub catalyst layer 202. For this reason, there is no possibility of undercut or thinning of the wiring in which the lower portions of the wiring patterns of the main conductor layers 102 and 104 are etched. For this reason, it is suitable for manufacturing a wiring board having a fine wiring pattern, particularly a wiring board having a wiring pattern with a wiring width of 5 μm or less.

また、ビア導体105bを形成する工程においても、無電銅めっき層を除去するためにウェットエッチングを行う必要がない。このため、ビア導体105bがエッチングされる虞がなく、主導体層102と主導体層104との接続信頼性が向上する。さらに、表面に保護フィルムHF(保護層)を有する状態で、フィルム状絶縁樹脂材料を加圧加熱して樹脂絶縁層103を形成した後、保護フィルムHFを有する状態で、副触媒層202を形成しているので、保護フィルムHFを除去するだけで、ビアホール105aの内壁面以外の領域に形成されている副触媒層202を容易に除去することができる。   Also in the process of forming the via conductor 105b, it is not necessary to perform wet etching in order to remove the electroless copper plating layer. For this reason, there is no possibility that the via conductor 105b is etched, and the connection reliability between the main conductor layer 102 and the main conductor layer 104 is improved. Further, after forming the resin insulating layer 103 by pressurizing and heating the film-like insulating resin material with the protective film HF (protective layer) on the surface, the sub catalyst layer 202 is formed with the protective film HF. Therefore, the secondary catalyst layer 202 formed in the region other than the inner wall surface of the via hole 105a can be easily removed by simply removing the protective film HF.

また、ビア導体105bをインクジェット法により形成する場合、ビアホール105a内を除く領域に形成されている副導体層C2を除去する必要がなく、配線基板100の製造工程を簡略化することができる。   Further, when the via conductor 105b is formed by the ink jet method, it is not necessary to remove the sub conductor layer C2 formed in a region other than the inside of the via hole 105a, and the manufacturing process of the wiring board 100 can be simplified.

なお、本実施形態の製造方法により製造される配線基板100では、上記したように、銅めっき層C3とビア導体105bとの間に、パラジウム(Pd)粒子で形成された主触媒層203が残存している(図5(c)参照)。このパラジウム(Pd)粒子で形成された主触媒層203については、EDX(エネルギー分散型X線分析)、EPMA(電子線プローブマイクロアナリシス)、AES(オージェ電子分光分析)、SIMS(2次イオン質量分析)などの分析を行うことによって、確認することができる。   In the wiring substrate 100 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, as described above, the main catalyst layer 203 formed of palladium (Pd) particles remains between the copper plating layer C3 and the via conductor 105b. (See FIG. 5C). For the main catalyst layer 203 formed of the palladium (Pd) particles, EDX (energy dispersive X-ray analysis), EPMA (electron probe microanalysis), AES (Auger electron spectroscopy), SIMS (secondary ion mass) It can be confirmed by performing an analysis such as (Analysis).

(その他の実施形態)
以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention has been described in detail with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to the above contents, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.

100…配線基板、101,103…樹脂絶縁層、102,104…主導体層、105…フィルドビア、105a…ビアホール、105b…ビア導体、201,203…主触媒層、202…副触媒層、K1〜K3…開口、M1〜M3…マスク、HF…保護フィルム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Wiring board, 101, 103 ... Resin insulation layer, 102, 104 ... Main conductor layer, 105 ... Filled via, 105a ... Via hole, 105b ... Via conductor, 201, 203 ... Main catalyst layer, 202 ... Sub catalyst layer, K1- K3 ... opening, M1 to M3 ... mask, HF ... protective film.

Claims (10)

絶縁層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に導体材料を充填してビア導体を形成する工程と、
前記絶縁層上に主触媒層を形成する工程と、
前記主触媒層上に所望のパターンをなす第1の開口を有するマスクを形成する工程と、
無電解めっき法により、前記第1の開口から露出する前記主触媒層上に主導体層を形成する工程と、
前記マスクを剥離する工程と、
前記マスクの剥離により露出した部分の前記主触媒層を除去する工程と、
をこの順に有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Forming a via hole in the insulating layer;
Filling the via hole with a conductive material to form a via conductor;
Forming a main catalyst layer on the insulating layer;
Forming a mask having a first opening in a desired pattern on the main catalyst layer;
Forming a main conductor layer on the main catalyst layer exposed from the first opening by an electroless plating method;
Peeling the mask;
Removing the portion of the main catalyst layer exposed by peeling of the mask;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
絶縁層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に導体材料を充填してビア導体を形成する工程と、
前記絶縁層上に主触媒層を形成する工程と、
前記主触媒層上に所望のパターンをなす第2の開口を有するマスクを形成する工程と、
前記主触媒層のうち前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記マスクを剥離する工程と、
無電解めっき法により、前記主触媒層上に主導体層を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Forming a via hole in the insulating layer;
Filling the via hole with a conductive material to form a via conductor;
Forming a main catalyst layer on the insulating layer;
Forming a mask having a second opening in a desired pattern on the main catalyst layer;
Removing a portion of the main catalyst layer exposed from the mask;
Peeling the mask;
Forming a main conductor layer on the main catalyst layer by an electroless plating method;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
前記ビア導体を形成する工程は、
前記ビアホールの内壁面を含む前記絶縁層上に副触媒層を形成する工程と、
無電解めっき法により、前記副触媒層上に副導体層を形成する工程と、
前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法。
The step of forming the via conductor includes
Forming a sub-catalyst layer on the insulating layer including the inner wall surface of the via hole;
Forming a sub-conductor layer on the sub-catalyst layer by an electroless plating method;
Removing the sub-conductor layer formed in a region excluding the inside of the via hole, and forming the via conductor in the via hole;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
前記ビア導体を形成する工程は、
前記ビアホールの内壁面を含む前記絶縁層上に副触媒層を形成する工程と、
前記ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている前記副触媒層を除去する工程と、
無電解めっき法により、前記ビアホールの内壁面に形成されている前記副触媒層上に前記ビア導体を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法。
The step of forming the via conductor includes
Forming a sub-catalyst layer on the insulating layer including the inner wall surface of the via hole;
Removing the sub-catalyst layer formed in a region other than the inner wall surface of the via hole;
Forming the via conductor on the sub-catalyst layer formed on the inner wall surface of the via hole by an electroless plating method;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
前記ビアホールを形成する工程において、前記絶縁層上に保護層を有する状態で前記保護層と前記絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することにより前記ビアホールを形成し、
前記副触媒層を形成する工程において、前記ビアホールの内壁面と前記保護層の表面に前記副触媒層を形成し、
前記保護層を除去することにより、前記ビアホールの内壁面以外の領域に形成されている前記副触媒層を除去することを特徴とする請求項4に記載の配線基板の製造方法。
In the step of forming the via hole, the via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having a protective layer on the insulating layer,
In the step of forming the sub catalyst layer, the sub catalyst layer is formed on the inner wall surface of the via hole and the surface of the protective layer,
The method of manufacturing a wiring board according to claim 4, wherein the sub catalyst layer formed in a region other than the inner wall surface of the via hole is removed by removing the protective layer.
前記ビア導体を形成する工程は、
印刷法により、前記ビアホール内を含む前記絶縁層上に副導体層を形成する工程と、
前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法。
The step of forming the via conductor includes
Forming a sub conductor layer on the insulating layer including the inside of the via hole by a printing method;
Removing the sub-conductor layer formed in a region excluding the inside of the via hole, and forming the via conductor in the via hole;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
前記ビアホールを形成する工程において、前記絶縁層上に保護層を有する状態で前記保護層と前記絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することにより前記ビアホールを形成し、
前記副導体層を形成する工程において、前記ビアホールの内壁面と前記保護層の表面に前記副導体層を形成し、
前記保護層を除去することにより、前記ビアホール内を除く領域に形成されている前記副導体層を除去することを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。
In the step of forming the via hole, the via hole is formed by forming a through hole penetrating the protective layer and the insulating layer in a state having a protective layer on the insulating layer,
In the step of forming the sub conductor layer, the sub conductor layer is formed on the inner wall surface of the via hole and the surface of the protective layer,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 6, wherein the sub-conductor layer formed in a region excluding the inside of the via hole is removed by removing the protective layer.
前記ビア導体を形成する工程は、
インクジェット法により、前記ビアホール内に導体ペーストを充填し、前記ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法。
The step of forming the via conductor includes
3. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a step of filling the via hole with a conductive paste and forming the via conductor in the via hole by an inkjet method.
前記主触媒層は、Pd粒子を前記絶縁層上に付着させて形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the main catalyst layer is formed by attaching Pd particles on the insulating layer. 前記主触媒層は、薬液にて除去されることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the main catalyst layer is removed with a chemical solution.
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