JP2010034430A - Wiring board and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress occurrence of electro-migration between wirings by reducing the resistivity of a wiring. <P>SOLUTION: The wiring board is manufactured by steps of: forming a resin layer 15 so as to cover the side of a base material 11 on which a wiring layer 13 is formed; forming trenches 15a corresponding to the shape of a wiring pattern on the surface of the resin layer 15, forming a first conductor layer 17 by means of electroless plating on the resin layer 15 including the wall and the bottom of each of the trenches 15a, forming a second conductor layer 18 in the trenches covered with the first conductor layer 17 by filling a conductive paste therein by means of screen printing, which is made of the same metal as that of the first conductor layer 17; and removing an exposed part of the first conductor layer 17. Moreover, when the trenches 15a are formed, a via-hole reaching the wiring layer 13 of the base material 11 is also formed in each of the trenches 15a, and the first conductor layer 17 is also formed on the wall and the bottom of each of the via-holes. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子(チップ)等の電子部品を搭載するのに用いられる配線基板(以下、便宜上、「半導体パッケージ」ともいう。)及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board (hereinafter also referred to as “semiconductor package” for convenience) used for mounting an electronic component such as a semiconductor element (chip) and a manufacturing method thereof.

最近の携帯端末やモバイル機器等の電子機器においては、その高機能化及び小型化(薄型化)が要求されており、その要求に伴い、かかる電子機器に内蔵されて用いられる配線基板(半導体パッケージ)についても配線の微細化及び高密度化が進んでいる。微細配線の形成技術としては、従来よりセミアディティブ法を利用したプロセスが多く用いられている。これは、対象とする基材(樹脂基板)に所要の前処理(両面接続用の穴明け、表面粗化、デスミア、触媒化など)を行った後、無電解銅(Cu)めっきを施し、次いで、めっきレジストのパターンを形成し、そのパターン部分に電解Cuめっきを施した後、不要のCu部分をエッチングして配線を形成するものである。   2. Description of the Related Art Recent electronic devices such as mobile terminals and mobile devices are required to have high functionality and downsizing (thinning), and in response to such demands, wiring boards (semiconductor packages) used in such electronic devices are used. ) Is also progressing in miniaturization and high density of wiring. As a technique for forming fine wiring, a process using a semi-additive method has been conventionally used. This is the target base material (resin substrate) after the necessary pretreatment (drilling for double-sided connection, surface roughening, desmear, catalyzed, etc.), then electroless copper (Cu) plating, Next, a plating resist pattern is formed, electrolytic Cu plating is applied to the pattern portion, and then unnecessary Cu portions are etched to form wiring.

かかるセミアディティブ法では、無電解Cuめっきを施した後、めっきレジストを用いて必要な部分だけに電解Cuめっきを施して回路(配線)としているため、微細配線の形成には有利であるが、処理時間の面においては不利である。つまり、無電解Cuめっき及び電解Cuめっきにそれぞれ相当の時間を必要とするため、それに応じて配線形成に要する時間も長くかかる。そのため、生産性向上を目的として、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法による配線形成技術が実用化されている。   In such a semi-additive method, after electroless Cu plating is performed, only a necessary portion is subjected to electrolytic Cu plating using a plating resist to form a circuit (wiring), which is advantageous for forming fine wiring. It is disadvantageous in terms of processing time. That is, since a considerable amount of time is required for the electroless Cu plating and the electrolytic Cu plating, the time required for wiring formation accordingly increases. Therefore, for the purpose of improving productivity, a wiring forming technique by a screen printing method using a conductive paste has been put into practical use.

かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献1に記載されるように、絶縁板の片面又は両面に、導通回路となる部分を除去した絶縁樹脂層を設け、この除去された部分に導電性ペーストを充填して導通回路とするようにしたものがある。また、特許文献2に記載されるように、プリント配線層間の電気的接続をスルーホールに導電ペーストを注入・硬化させて行うに際し、予めスルーホールの壁面に銅などの導体膜を形成したものを使用するようにしたものがある。
特開平9−331136号公報 特開平4−53188号公報
As a technique related to such a conventional technique, for example, as described in Patent Document 1, an insulating resin layer from which a portion to be a conductive circuit is removed is provided on one or both surfaces of an insulating plate, and the removed portion is provided on this removed portion. There is a conductive circuit filled with a conductive paste. In addition, as described in Patent Document 2, when electrical connection between printed wiring layers is performed by injecting and curing a conductive paste into a through hole, a conductor film such as copper is previously formed on the wall surface of the through hole. There is something to use.
JP-A-9-331136 JP-A-4-53188

上述したように従来の技術では、生産性の向上を図るために導電性ペーストを用いた配線形成が実用化されているが、この配線形成では、以下の課題があった。   As described above, in the prior art, wiring formation using a conductive paste has been put to practical use in order to improve productivity, but this wiring formation has the following problems.

先ず、配線として印刷された導電性ペーストの厚みが限定されるため、その導通抵抗値が大きくなってしまうという問題点があった。つまり、その導電性ペースト(配線)の断面積(電流の流れる方向と直交する面の面積)が相対的に小さくなるため、その抵抗率が上がり、配線全体としての抵抗率が大きくなってしまうという問題点があった。   First, since the thickness of the conductive paste printed as the wiring is limited, there is a problem that the conduction resistance value becomes large. That is, since the cross-sectional area of the conductive paste (wiring) (area of the surface orthogonal to the direction of current flow) is relatively small, the resistivity is increased and the resistivity of the entire wiring is increased. There was a problem.

また、厚みのある状態で微細配線を印刷すると、隣合う配線間でエレクトロマイグレーション(もしくはイオンマイグレーション)が発生しやすく、配線間でショート(短絡)をひき起こし、絶縁信頼性が損なわれるという問題点もあった。これに関連して、上記の特許文献1に記載された技術では、絶縁樹脂層の導通回路となる部分に凹部を設け、この凹部に導電性ペーストを充填して導通回路(配線)を形成することで、隣合う配線間でのエレクトロマイグレーションの発生を抑制している。   In addition, when fine wiring is printed in a thick state, electromigration (or ion migration) is likely to occur between adjacent wirings, causing a short circuit between the wirings and impairing insulation reliability. There was also. In relation to this, in the technique described in Patent Document 1 described above, a recess is provided in a portion of the insulating resin layer that becomes a conductive circuit, and the conductive circuit (wiring) is formed by filling the concave portion with a conductive paste. Thus, the occurrence of electromigration between adjacent wirings is suppressed.

しかしながら、配線の更なる微細化及び高密度化を実現しようとすると、それに応じて凹部の幅やそのピッチを微小なものにする必要があるため、上記のように凹部に導電性ペーストを充填するだけの方法では、必ずしもエレクトロマイグレーションの発生を効果的に抑制できない場合が起こり得る。すなわち、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法では、一般にスキージを用いて溝(凹部)にペーストを充填する手法が用いられるが、スキージの移動に伴って隣合う凹部間の絶縁性基材表面にペーストの一部(残渣)が付着する場合もあり、特に凹部が狭ピッチで設けられている場合に、このペースト残渣を介して隣合う配線がショートする可能性が高くなる。   However, if further miniaturization and higher density of the wiring are to be realized, it is necessary to make the width and pitch of the recesses correspondingly, so that the recess is filled with the conductive paste as described above. However, it may not always be possible to effectively suppress the occurrence of electromigration. That is, in the screen printing method using a conductive paste, a method of filling a groove (concave portion) with a paste using a squeegee is generally used, but as the squeegee moves, the surface of the insulating substrate between adjacent concave portions is used. In some cases, a part (residue) of the paste adheres. In particular, when the recesses are provided at a narrow pitch, there is a high possibility that the adjacent wiring is short-circuited through the paste residue.

本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、配線の抵抗率を小さくし、配線間のエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention was created in view of the problems in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a wiring board that can reduce the resistivity of wiring and suppress the occurrence of electromigration between wirings, and a method for manufacturing the same. And

上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面に配線パターンの形状に応じて溝を形成する工程と、前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第1の導体層を形成する工程と、前記第1の導体層で覆われた前記溝内に、前記第1の導体層と同じ金属からなる導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して第2の導体層を形成する工程と、前記第1の導体層の露出している部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。   In order to solve the above-described problems of the prior art, according to one aspect of the present invention, a step of forming a resin layer on a base substrate and a groove are formed on the surface of the resin layer according to the shape of the wiring pattern. A step of forming a first conductor layer on the resin layer including a wall surface and a bottom surface of the groove by electroless plating, and the groove covered with the first conductor layer, Filling a conductive paste made of the same metal as the first conductor layer by a screen printing method to form a second conductor layer; and removing the exposed portion of the first conductor layer. A method of manufacturing a wiring board is provided.

この形態に係る配線基板の製造方法によれば、ベース基材上の樹脂層の表面に配線パターンの形状に応じて形成された溝に、第1の導体層及びこの上に形成された第2の導体層からなる配線層が埋め込まれている。つまり、この配線層は溝内に形成され、電流の流れる方向に沿って第1の導体層と第2の導体層とが並列に接続された構造を有している。かかる構造により、上記の従来技術に見られたような、絶縁樹脂層の凹部に導電性ペーストのみを充填して配線形成する場合と比べて、第1の導体層と第2の導体層との並列接続によって構成される配線層の抵抗率を小さくすることができる。   According to the method for manufacturing a wiring board according to this embodiment, the first conductor layer and the second conductor formed on the groove are formed on the surface of the resin layer on the base substrate according to the shape of the wiring pattern. A wiring layer made of a conductive layer is embedded. That is, the wiring layer is formed in the groove and has a structure in which the first conductor layer and the second conductor layer are connected in parallel along the direction in which the current flows. With this structure, the first conductive layer and the second conductive layer are compared with the case where the wiring is formed by filling only the conductive paste in the concave portion of the insulating resin layer as seen in the above prior art. The resistivity of the wiring layer configured by parallel connection can be reduced.

また、配線層は、溝の壁面及び底面を覆って形成された第1の導体層(外側層)を介在させて第2の導体層(内側層)を当該溝内に埋め込んでいるので、配線の更なる微細化を図るために溝を狭ピッチで設けた場合でも、隣合う配線間のエレクトロマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。すなわち、配線層の外側層(第1の導体層)を無電解めっきにより形成し、配線層の内側層(第2の導体層)を導電性ペーストの充填によって形成しているので、スキージの移動に伴って隣合う溝間の部分にペーストの一部が仮に付着したとしても、その付着する部分は、配線層の外側層の厚みの分だけ隣りの溝内の配線層の内側層から隔てられる。これにより、そのペーストの一部を介して隣合う配線がショートする可能性を大いに減じることができ、エレクトロマイグレーションの発生の抑制に寄与する。   In addition, since the wiring layer embeds the second conductor layer (inner layer) in the groove with the first conductor layer (outer layer) formed so as to cover the wall surface and bottom surface of the groove, Even when grooves are provided at a narrow pitch in order to achieve further miniaturization, the occurrence of electromigration between adjacent wirings can be effectively suppressed. That is, since the outer layer (first conductor layer) of the wiring layer is formed by electroless plating and the inner layer (second conductor layer) of the wiring layer is formed by filling with conductive paste, the movement of the squeegee As a result, even if a part of the paste adheres to the portion between adjacent grooves, the attached portion is separated from the inner layer of the wiring layer in the adjacent groove by the thickness of the outer layer of the wiring layer. . As a result, the possibility of short-circuiting the adjacent wiring through part of the paste can be greatly reduced, which contributes to suppression of the occurrence of electromigration.

さらに、第1の導体層と第2の導体層を同じ金属で形成しているので、配線層を構成する外側層(第1の導体層)と内側層(第2の導体層)との密着性が向上し、配線層としての信頼性を高めることができる。   Furthermore, since the first conductor layer and the second conductor layer are formed of the same metal, the outer layer (first conductor layer) and the inner layer (second conductor layer) constituting the wiring layer are in close contact with each other. Thus, the reliability of the wiring layer can be improved.

また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係る配線基板の製造方法によって製造され得る配線基板が提供される。この配線基板は、ベース基材と、前記ベース基材上に設けられ、その表面に配線パターンの形状に応じて溝が形成された樹脂層と、前記樹脂層の溝に埋め込まれた配線層とを備え、該配線層が、前記溝の壁面及び底面を覆うように無電解めっきにより形成された第1の導体層と、該第1の導体層上にスクリーン印刷法により形成され、該第1の導体層と同じ金属からなる第2の導体層とから構成されていることを特徴とする。   Moreover, according to the other form of this invention, the wiring board which can be manufactured with the manufacturing method of the wiring board which concerns on said form is provided. The wiring board includes a base substrate, a resin layer provided on the base substrate and having grooves formed on the surface according to the shape of the wiring pattern, and a wiring layer embedded in the grooves of the resin layer. The wiring layer is formed by electroless plating so as to cover the wall surface and the bottom surface of the groove, and is formed on the first conductor layer by a screen printing method. And a second conductor layer made of the same metal as the conductor layer.

本発明に係る配線基板及びその製造方法の他の構成上の特徴及びそれに基づく有利な利点等については、以下に記述する発明の実施の形態を参照しながら説明する。   Other structural features of the wiring board and the manufacturing method thereof according to the present invention and advantageous advantages based thereon will be described with reference to the embodiments of the invention described below.

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の工程(本発明に関連する部分の工程)を断面図の形態で示したものである。また、図2はその製造方法を使用して得られた配線基板(半導体パッケージ)の一例を断面図の形態で示したものであり、図3はその配線基板に半導体素子を実装したときの状態(半導体装置)を断面図の形態で示したものである。   FIG. 1 is a sectional view showing steps of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention (steps related to the present invention). FIG. 2 shows an example of a wiring board (semiconductor package) obtained by using the manufacturing method in the form of a sectional view, and FIG. 3 shows a state when a semiconductor element is mounted on the wiring board. (Semiconductor device) is shown in the form of a sectional view.

先ず、本実施形態の配線基板(半導体パッケージ)10の構成について、図2を参照しながら説明する。   First, the configuration of the wiring board (semiconductor package) 10 of this embodiment will be described with reference to FIG.

図示の配線基板(半導体パッケージ)10において、11は配線基板のベース基材としてのコア基板、12はコア基板11の所要の箇所に形成されたスルーホールに充填された導体、13及び14はコア基板11の両面にそれぞれ所要のパターン形状に形成された1層目の配線層を示す。各配線層13,14は、所要の箇所においてコア基板11内の導体12を介して相互に接続されている。   In the illustrated wiring substrate (semiconductor package) 10, 11 is a core substrate as a base substrate of the wiring substrate, 12 is a conductor filled in a through hole formed in a required portion of the core substrate 11, and 13 and 14 are cores. A first wiring layer formed in a required pattern shape on both surfaces of the substrate 11 is shown. The wiring layers 13 and 14 are connected to each other through the conductors 12 in the core substrate 11 at required places.

また、15及び16はコア基板11上にそれぞれ配線層13及び14を覆って形成された層間絶縁層(樹脂層)を示し、これら樹脂層15,16には、それぞれ表面に所要の配線パターンの形状に応じて溝15a,16aが形成され、さらに当該溝内の所要の箇所において当該配線層13,14のパッド部に達するビアホール15b,16bが形成されている。17及び19はそれぞれ対応する樹脂層15,16の溝15a,16aの壁面及び底面を覆い、さらにビアホール15b,16bの壁面及び底面を覆って形成された第1の導体層(配線層の外側層)を示し、18及び20はそれぞれ対応する第1の導体層17,19上に形成された第2の導体層(配線層の内側層)を示す。これら第1、第2の導体層により、本パッケージ10における2層目の配線層が構成されている。つまり、2層目の配線層17及び18(19及び20)は、図示のように対応する樹脂層15,16の溝15a,16a及びビアホール15b,16bに埋め込まれて形成され、電流の流れる方向に沿って第1の導体層17,19と第2の導体層18,20とが並列に接続された構造を有している。   Reference numerals 15 and 16 denote interlayer insulation layers (resin layers) formed on the core substrate 11 so as to cover the wiring layers 13 and 14, respectively. The resin layers 15 and 16 each have a required wiring pattern on the surface. Grooves 15a and 16a are formed according to the shape, and via holes 15b and 16b reaching the pad portions of the wiring layers 13 and 14 are formed at required locations in the grooves. Reference numerals 17 and 19 denote first conductor layers (outer layers of the wiring layer) formed to cover the wall surfaces and bottom surfaces of the grooves 15a and 16a of the corresponding resin layers 15 and 16, respectively, and to cover the wall surfaces and bottom surfaces of the via holes 15b and 16b. , And 18 and 20 indicate second conductor layers (inner layers of the wiring layer) formed on the corresponding first conductor layers 17 and 19, respectively. The first and second conductor layers constitute a second wiring layer in the package 10. That is, the second wiring layers 17 and 18 (19 and 20) are formed so as to be embedded in the grooves 15a and 16a and the via holes 15b and 16b of the corresponding resin layers 15 and 16 as shown in the drawing, and the direction of current flow. The first conductor layers 17 and 19 and the second conductor layers 18 and 20 are connected in parallel with each other.

また、21及び22はそれぞれ対応する配線層18,20及び樹脂層15,16を覆って形成された層間絶縁層(樹脂層)を示し、これら樹脂層21,22にも同様に、それぞれ表面に所要の配線パターンの形状に応じて溝21a,22aが形成され、さらに当該溝内の所要の箇所において当該配線層18,20のパッド部に達するビアホール21b,22bが形成されている。23及び25はそれぞれ対応する樹脂層21,22の溝21a,22aの壁面及び底面を覆い、さらにビアホール21b,22bの壁面及び底面を覆って形成された第1の導体層(配線層の外側層)を示し、24及び26はそれぞれ対応する第1の導体層23,25上に形成された第2の導体層(配線層の内側層)を示す。これら第1、第2の導体層により、本パッケージ10における3層目の配線層が構成されている。つまり、3層目の配線層23及び24(25及び26)も同様に、図示のように対応する樹脂層21,22の溝21a,22a及びビアホール21b,22bに埋め込まれて形成され、電流の流れる方向に沿って第1の導体層23,25と第2の導体層24,26とが並列に接続された構造を有している。   Reference numerals 21 and 22 denote interlayer insulating layers (resin layers) formed so as to cover the corresponding wiring layers 18 and 20 and the resin layers 15 and 16, respectively. Grooves 21a and 22a are formed according to the shape of the required wiring pattern, and via holes 21b and 22b reaching the pad portions of the wiring layers 18 and 20 are formed at required positions in the groove. Reference numerals 23 and 25 respectively denote first conductor layers (outer layers of the wiring layer) formed to cover the wall surfaces and bottom surfaces of the grooves 21a and 22a of the corresponding resin layers 21 and 22, and further to cover the wall surfaces and bottom surfaces of the via holes 21b and 22b. , And 24 and 26 indicate second conductor layers (inner layers of the wiring layer) formed on the corresponding first conductor layers 23 and 25, respectively. The first and second conductor layers constitute a third wiring layer in the package 10. That is, the third wiring layers 23 and 24 (25 and 26) are also formed by being embedded in the grooves 21a and 22a and the via holes 21b and 22b of the corresponding resin layers 21 and 22 as shown in the figure. The first conductor layers 23 and 25 and the second conductor layers 24 and 26 are connected in parallel along the flowing direction.

また、27及び28はそれぞれ対応する配線層24,26の所要の箇所に画定されたパッド部24P,26Pを除いて両面を覆うように形成された保護膜としてのソルダレジスト層を示す。導体12及び配線層13,14,17〜20,23〜26の材料としては代表的に銅(Cu)が用いられ、樹脂層15,16,21,22の材料としては代表的にエポキシ系樹脂が用いられる。   Reference numerals 27 and 28 denote solder resist layers as protective films formed so as to cover both surfaces except for the pad portions 24P and 26P defined at required portions of the corresponding wiring layers 24 and 26, respectively. Copper (Cu) is typically used as the material for the conductor 12 and the wiring layers 13, 14, 17 to 20, and 23 to 26, and the epoxy resin is typically used as the material for the resin layers 15, 16, 21, and 22. Is used.

また、ソルダレジスト層27,28から露出するパッド部24P,26Pには、それぞれ外部接続端子(本パッケージ10に搭載されるチップの電極端子、本パッケージ10をマザーボード等の実装用基板に実装する際に使用されるはんだボールやピン等)が接合されるので、各パッド部(Cu)24P,26Pにニッケル(Ni)めっき及び金(Au)めっきをこの順に施しておく。これは、外部接続端子を接合したときのコンタクト性を良くするためと、パッド部24P,26Pを構成するCuとの密着性を高め、CuがAu層中へ拡散するのを防止するためである。   Further, the pad portions 24P and 26P exposed from the solder resist layers 27 and 28 are respectively connected to external connection terminals (chip terminal terminals of the chip mounted on the package 10, and when the package 10 is mounted on a mounting substrate such as a motherboard. Since the solder balls and pins used in the above are joined, nickel (Ni) plating and gold (Au) plating are applied to the pad portions (Cu) 24P and 26P in this order. This is to improve the contactability when the external connection terminals are joined, to improve the adhesion with Cu constituting the pad portions 24P and 26P, and to prevent Cu from diffusing into the Au layer. .

さらに、チップ実装面側(図示の例では上側)のパッド部24Pについては、客先等の便宜を考慮して、実装時にチップの電極端子と接続し易いようにはんだ29を被着させている。一方、チップ実装面側と反対側のパッド部26Pについては、客先等で必要に応じて外部接続端子を接合できるように露出させた状態のままにしている。あるいは、図中破線で示すように前もってパッド部26Pにはんだボール等の外部接続端子を接合しておいてもよい。   Furthermore, for the pad portion 24P on the chip mounting surface side (upper side in the illustrated example), solder 29 is attached so that it can be easily connected to the electrode terminals of the chip at the time of mounting in consideration of the convenience of the customer. . On the other hand, the pad portion 26P on the side opposite to the chip mounting surface side is left exposed so that the external connection terminals can be joined as required by the customer. Alternatively, as indicated by a broken line in the figure, an external connection terminal such as a solder ball may be bonded to the pad portion 26P in advance.

以上のように構成された配線基板(半導体パッケージ)10には、図3に一例として示すように、半導体素子(チップ)40がその電極端子41を介して表面実装され得る。チップ40と配線基板10の電気的接続は、配線基板10のパッド部24Pに被着されたはんだ29上にチップ40の電極端子41を当接させてリフローにより行う。さらに、配線基板10とチップ40の間隙に、エポキシ系樹脂等のアンダーフィル樹脂42を充填し、熱硬化させて固定化する。図示の半導体装置50においては、チップ実装面側と反対側の面に外部接続端子としてのはんだボール30が接合されている。   On the wiring board (semiconductor package) 10 configured as described above, a semiconductor element (chip) 40 can be surface-mounted via its electrode terminals 41 as shown as an example in FIG. The electrical connection between the chip 40 and the wiring board 10 is performed by reflow by bringing the electrode terminal 41 of the chip 40 into contact with the solder 29 attached to the pad portion 24P of the wiring board 10. Further, an underfill resin 42 such as an epoxy resin is filled in the gap between the wiring substrate 10 and the chip 40, and is fixed by thermosetting. In the illustrated semiconductor device 50, a solder ball 30 as an external connection terminal is bonded to the surface opposite to the chip mounting surface.

次に、本実施形態の配線基板(半導体パッケージ)10を製造する方法について、その製造工程の一例(本発明に関連する部分の工程)を示す図1を参照しながら説明する。図示の例では、簡略化のため、配線基板の一方の面側(チップ実装面側)の構成のみを示している。また、図示の構成に対応する他方の面側の各部材については、当該部材を指示する参照番号をかっこ書で付加している。   Next, a method for manufacturing the wiring board (semiconductor package) 10 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 showing an example of the manufacturing process (steps related to the present invention). In the illustrated example, only the configuration on one surface side (chip mounting surface side) of the wiring substrate is shown for the sake of simplicity. Further, for each member on the other surface side corresponding to the illustrated configuration, a reference number indicating the member is added in parentheses.

先ず最初の工程では(図1(a)参照)、ベース基材としてコア基板11を用意し、その所要の箇所にスルーホールを形成して導体を充填し、さらに両面に所要のパターン形状に配線層13(14)を形成する。例えば、プリント配線板に広く用いられているガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板を用意し、その所要の箇所にドリル加工等によりスルーホールを形成する。次に、その積層板の両面の銅箔をシード層(給電層)として利用した電解Cuめっきにより、あるいはCuペーストを用いたスクリーン印刷法やインクジェット法等により、当該スルーホールに導体12(図2参照)を充填する。さらに、この導体12に接続されるようにしてコア基板11の両面に、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法等により、所要のパターン形状に1層目の配線層13(14)を形成する。セミアディティブ法もしくはインクジェット法を用いた場合には、スルーホールへの導体12の充填と同時に配線層13(14)を形成することができ、工程の簡素化に寄与する。   First, in the first step (see FIG. 1A), a core substrate 11 is prepared as a base material, through holes are formed in the required locations, filled with conductors, and further wired in the required pattern shape on both sides. Layer 13 (14) is formed. For example, a glass cloth base epoxy resin copper-clad laminate widely used for printed wiring boards is prepared, and through holes are formed by drilling or the like at the required locations. Next, the conductor 12 (FIG. 2) is formed in the through hole by electrolytic Cu plating using the copper foils on both sides of the laminate as seed layers (feeding layers), or by screen printing or ink jet using a Cu paste. Filling). Further, the first wiring layer 13 (14) is formed in a required pattern shape on both surfaces of the core substrate 11 so as to be connected to the conductor 12 by a subtractive method, a semi-additive method, an ink jet method or the like. . When the semi-additive method or the ink jet method is used, the wiring layer 13 (14) can be formed simultaneously with the filling of the conductor 12 into the through hole, which contributes to simplification of the process.

次の工程では(図1(b)参照)、配線層13(14)及びコア基板11上に、エポキシ系樹脂等からなる半硬化状態の樹脂フィルムをラミネートし、熱硬化させて、層間絶縁層としての樹脂層15(16)を形成する。   In the next step (see FIG. 1B), a semi-cured resin film made of an epoxy resin or the like is laminated on the wiring layer 13 (14) and the core substrate 11, and thermally cured to obtain an interlayer insulating layer. The resin layer 15 (16) is formed.

次の工程では(図1(c)参照)、コア基板11上に配線層13(14)を覆って形成された樹脂層15(16)の所要の箇所に、エキシマレーザ、CO2 レーザ、UV−YAGレーザ等を用いて、2層目の配線パターンの形状に応じた溝15a(16a)を形成する。さらに、同図には示していないが、同様のレーザ加工により、当該溝内の所要の箇所に、それぞれ下層の配線層13(14)のパッド部に達するビアホール15b(16b)を形成する。   In the next step (see FIG. 1C), an excimer laser, a CO 2 laser, a UV − is applied to a required portion of the resin layer 15 (16) formed on the core substrate 11 so as to cover the wiring layer 13 (14). Using a YAG laser or the like, a groove 15a (16a) corresponding to the shape of the second-layer wiring pattern is formed. Further, although not shown in the figure, via holes 15b (16b) reaching the pad portions of the lower wiring layer 13 (14) are formed at required locations in the groove by the same laser processing.

このように樹脂層15(16)にレーザ加工をすると、各ビアホール15b(16b)の底面(下層の配線層13(14)上)に樹脂の残渣(樹脂スミア)が残ることがある。樹脂スミアが残っていると、この後の工程で導電性ペーストの充填を行ったときに、各ビアホールと下層の配線層13(14)との導通不良の原因となるため、スミア除去(デスミア)を行う。デスミアは、過マンガン酸カリウム法などにより行う。   When the laser processing is performed on the resin layer 15 (16) in this manner, a resin residue (resin smear) may remain on the bottom surface (on the lower wiring layer 13 (14)) of each via hole 15b (16b). If the resin smear remains, it becomes a cause of poor conduction between each via hole and the lower wiring layer 13 (14) when the conductive paste is filled in the subsequent process, so that smear removal (desmear) is performed. I do. Desmearing is performed by the potassium permanganate method or the like.

次の工程では(図1(d)参照)、樹脂層15(16)に形成された各溝15a(16a)の壁面及び底面を含み、さらに当該溝内に形成された各ビアホール15b(16b)の壁面及び底面を含めて当該樹脂層上に、無電解銅(Cu)めっきを施して、第1の導体層17(19)を形成する。この第1の導体層17(19)は、通常よりも厚めに、例えば、溝15a(16a)の幅に対して20%程度の厚みで形成する。   In the next step (see FIG. 1 (d)), each via hole 15b (16b) formed in the groove includes the wall surface and bottom surface of each groove 15a (16a) formed in the resin layer 15 (16). The first conductor layer 17 (19) is formed on the resin layer including the wall surface and the bottom surface by performing electroless copper (Cu) plating. The first conductor layer 17 (19) is formed thicker than usual, for example, with a thickness of about 20% with respect to the width of the groove 15a (16a).

次の工程では(図1(e)参照)、無電解Cuめっき膜(第1の導体層17(19))で覆われた溝15a(16a)及びビアホール15b(16b)内に、銅(Cu)ペーストや銀(Ag)ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、第2の導体層18(20)を形成する。   In the next step (see FIG. 1E), copper (Cu) is formed in the groove 15a (16a) and the via hole 15b (16b) covered with the electroless Cu plating film (first conductor layer 17 (19)). ) A conductive paste such as paste or silver (Ag) paste is filled by screen printing to form the second conductor layer 18 (20).

次の工程では(図1(f)参照)、無電解Cuめっき膜(第1の導体層17(19))の露出している部分を、フラッシュエッチングにより除去する。これによって、除去された無電解Cuめっき膜17(19)直下の樹脂層15(16)が露出し、隣り合う配線層17,18(19,20)は、図示のように相互に絶縁された状態となる。   In the next step (see FIG. 1 (f)), the exposed portion of the electroless Cu plating film (first conductor layer 17 (19)) is removed by flash etching. As a result, the resin layer 15 (16) just under the removed electroless Cu plating film 17 (19) is exposed, and the adjacent wiring layers 17, 18 (19, 20) are insulated from each other as shown. It becomes a state.

なお、本工程ではフラッシュエッチングを行っているが、不要な無電解Cuめっき膜を除去する方法はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、バフ研磨(研磨材を埋め込んだ円筒状のバフを回転させ、このバフと加工対象(銅表面)を冷却水で湿潤させながら、バフを銅表面に押し当てて研磨する方法)等の機械的な方法を用いてもよい。   In addition, although flash etching is performed in this process, it is needless to say that the method of removing the unnecessary electroless Cu plating film is not limited to this. For example, a machine such as buffing (a method in which a cylindrical buff embedded with an abrasive is rotated and the buff and the object to be processed (copper surface) are wetted with cooling water and the buff is pressed against the copper surface for polishing) A typical method may be used.

この段階で、図示のようにコア基板11の両面に1層目の配線層13(14)、樹脂層15(16)及び2層目の配線層17,18(19,20)が形成された構造体が作製されたことになる。   At this stage, the first wiring layer 13 (14), the resin layer 15 (16), and the second wiring layers 17, 18 (19, 20) are formed on both surfaces of the core substrate 11 as shown in the figure. A structure is produced.

さらにこの後、特に図示はしていないが、この構造体に対し、(b)〜(f)の工程で行った処理と同様の処理を所要の層数となるまで繰り返し、樹脂層と配線層を交互に積み上げていく。図2に示した構成例では、コア基板11(その両面の配線層13,14を含む)を挟んで両側に各2層の配線層(ビルドアップ層)を形成している。さらに、最外層の配線層24,26のパッド部24P,26Pの部分を除いて両面を覆うようにそれぞれソルダレジスト層27,28を形成し、各ソルダレジスト層27,28から露出している各パッド部24P,26PにNi/Auめっきを施す。そして、チップ実装面側のパッド部24Pについては、プリソルダを施しておく(はんだ29の被着)。   Further, although not specifically shown, the resin layer and the wiring layer are repeatedly processed on the structure body in the same manner as the processing performed in the steps (b) to (f) until the required number of layers is obtained. Are stacked alternately. In the configuration example shown in FIG. 2, two wiring layers (build-up layers) are formed on both sides of the core substrate 11 (including the wiring layers 13 and 14 on both sides). Further, the solder resist layers 27 and 28 are formed so as to cover both surfaces except for the pad portions 24P and 26P of the outermost wiring layers 24 and 26, and the solder resist layers 27 and 28 are exposed. Ni / Au plating is applied to the pad portions 24P and 26P. Then, a pre-solder is applied to the pad portion 24P on the chip mounting surface side (attachment of solder 29).

以上の工程により、本実施形態の配線基板(半導体パッケージ)10が製造されたことになる。   The wiring board (semiconductor package) 10 of the present embodiment is manufactured through the above steps.

以上説明したように、本実施形態に係る配線基板(半導体パッケージ)10及びその製造方法によれば、ベース基材としてのコア基板11(及び下層の樹脂層15,16)上の樹脂層15,16(及び樹脂層21,22)の表面に、2層目の配線パターン(及び3層目の配線パターン)の形状に応じて溝15a,16a(及び溝21a,22a)が形成され、さらに当該溝内にビアホール15b,16b(及びビアホール21b,22b)が形成されている。そして、これら各溝及びその対応するビアホールの壁面及び底面を覆って第1の導体層17,19(及び第1の導体層23,25)が形成され、さらに当該第1の導体層上に第2の導体層18,20(及び第2の導体層24,26)が形成されて、これら第1、第2の導体層により2層目の配線層(及び3層目の配線層)が構成されている。つまり、各配線層は当該溝及びビアホール内に埋め込まれ、電流の流れる方向に沿って第1の導体層17,19(及び23,25)と第2の導体層18,20(及び24,26)とが並列に接続された構造を有している。   As described above, according to the wiring substrate (semiconductor package) 10 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the resin layer 15 on the core substrate 11 (and the lower resin layers 15 and 16) as the base substrate. Grooves 15a and 16a (and grooves 21a and 22a) are formed on the surface of 16 (and resin layers 21 and 22) according to the shape of the second-layer wiring pattern (and third-layer wiring pattern). Via holes 15b and 16b (and via holes 21b and 22b) are formed in the groove. Then, the first conductor layers 17 and 19 (and the first conductor layers 23 and 25) are formed so as to cover the wall surfaces and the bottom surfaces of the grooves and the corresponding via holes, and the first conductor layers are formed on the first conductor layers. Two conductor layers 18 and 20 (and second conductor layers 24 and 26) are formed, and the first and second conductor layers constitute the second wiring layer (and the third wiring layer). Has been. That is, each wiring layer is embedded in the trench and the via hole, and the first conductor layers 17 and 19 (and 23 and 25) and the second conductor layers 18 and 20 (and 24 and 26 are arranged along the direction in which the current flows. ) And are connected in parallel.

かかる構造により、前述した従来技術に見られたような、絶縁樹脂層の凹部に導電性ペーストのみを充填して配線形成する場合と比べて、第1の導体層と第2の導体層との並列接続によって構成される配線層の抵抗率を小さくすることができる。   With such a structure, the first conductor layer and the second conductor layer are compared with the case where the wiring is formed by filling only the conductive paste in the recesses of the insulating resin layer as seen in the above-described prior art. The resistivity of the wiring layer configured by parallel connection can be reduced.

特に本実施形態では、配線層の外側層を構成する第1の導体層17,19,23,25は通常よりも厚めに形成されているので、この第1の導体層の断面積(電流の流れる方向と直交する面の面積)は相対的に大きくなり、その抵抗率が下がるため、配線層全体としての抵抗率を更に小さくすることができる。   In particular, in the present embodiment, the first conductor layers 17, 19, 23, and 25 constituting the outer layer of the wiring layer are formed thicker than usual, so that the cross-sectional area (current current) of the first conductor layer is formed. The area of the surface perpendicular to the flowing direction) is relatively large and the resistivity is lowered, so that the resistivity of the entire wiring layer can be further reduced.

また、2層目(3層目)の配線層は、溝15a,16a(21a,22a)及びその対応するビアホール15b,16b(21b,22b)の壁面及び底面を覆って形成された第1の導体層17,19(23,25)を介在させて第2の導体層18,20(24,26)が当該溝内に埋め込まれた構造を有しているので、配線の更なる微細化のために当該溝を狭ピッチで設けた場合でも、隣合う配線間でエレクトロマイグレーションが発生するのを効果的に抑制することができる。すなわち、配線層の外側層を構成する第1の導体層17,19(23,25)を無電解Cuめっきにより形成し、配線層の内側層を構成する第2の導体層18,20(24,26)を導電性ペースト(Cuペースト等)の充填によって形成しているので、スキージの移動に伴って隣合う溝間の部分にペーストの一部が仮に付着したとしても、その付着する部分は、配線層の外側層の厚みの分だけ隣りの溝内の配線層の内側層から隔てられる。これにより、そのペーストの一部を介して隣合う配線がショートする可能性を大いに減じることができ、エレクトロマイグレーションの発生の抑制に寄与することができる。   The second layer (third layer) wiring layer is formed to cover the grooves 15a, 16a (21a, 22a) and the corresponding via holes 15b, 16b (21b, 22b) and the wall surfaces and bottom surfaces thereof. Since the second conductor layers 18 and 20 (24 and 26) are embedded in the grooves with the conductor layers 17 and 19 (23 and 25) interposed therebetween, the wiring can be further miniaturized. Therefore, even when the grooves are provided at a narrow pitch, it is possible to effectively suppress the occurrence of electromigration between adjacent wirings. That is, the first conductor layers 17 and 19 (23 and 25) constituting the outer layer of the wiring layer are formed by electroless Cu plating, and the second conductor layers 18 and 20 (24 constituting the inner layer of the wiring layer are formed. , 26) is formed by filling with a conductive paste (Cu paste or the like), so even if a portion of the paste temporarily adheres to the portion between adjacent grooves as the squeegee moves, The wiring layer is separated from the inner layer of the wiring layer in the adjacent groove by the thickness of the outer layer of the wiring layer. As a result, the possibility of short-circuiting the adjacent wiring through a part of the paste can be greatly reduced, and it can contribute to the suppression of the occurrence of electromigration.

また、配線層の内側層を構成する第2の導体層18,20,24,26を導電性ペーストの充填によって形成しているので、セミアディティブ法で用いられている電解Cuめっきによる配線形成の場合と比較して、配線形成に要する時間を短縮することができる。   In addition, since the second conductor layers 18, 20, 24, and 26 constituting the inner layer of the wiring layer are formed by filling with a conductive paste, wiring formation by electrolytic Cu plating used in the semi-additive method is performed. Compared to the case, the time required for wiring formation can be shortened.

特に本実施形態では、配線層の外側層を構成する第1の導体層17,19,23,25は通常よりも厚めに形成されているので、この「厚い」導体層で覆われた溝及びその対応するビアホール内に導電性ペーストを充填して第2の導体層を形成するにあたり、その導電性ペーストの使用量は相対的に少なくて済むため、その充填に要する時間を相対的に短縮することができる。これは、配線形成に要する時間の短縮化に寄与する。   In particular, in the present embodiment, the first conductor layers 17, 19, 23, and 25 constituting the outer layer of the wiring layer are formed thicker than usual, so that the groove covered with the “thick” conductor layer and In forming the second conductor layer by filling the corresponding via hole with the conductive paste, the amount of the conductive paste used is relatively small, so the time required for the filling is relatively shortened. be able to. This contributes to shortening the time required for wiring formation.

また、第2の導体層18,20,24,26を銅(Cu)ペーストの充填によって形成した場合、この第2の導体層(Cuペースト)は第1の導体層(無電解Cuめっき膜)17,19,23,25と同じ金属で形成されることになるので、配線層の外側層(第1の導体層)と内側層(第2の導体層)との密着性が向上し、配線層としての信頼性を高めることができる。さらに、銅(Cu)は樹脂との密着性も高いため、当該配線層とこれに接する樹脂層15,16,21,22との密着性も高められ、配線の信頼性の更なる向上に寄与することができる。   When the second conductor layers 18, 20, 24, and 26 are formed by filling with a copper (Cu) paste, the second conductor layer (Cu paste) is the first conductor layer (electroless Cu plating film). Since it is formed of the same metal as 17, 19, 23, 25, the adhesion between the outer layer (first conductor layer) and the inner layer (second conductor layer) of the wiring layer is improved, and the wiring The reliability as a layer can be improved. Furthermore, since copper (Cu) has high adhesion to the resin, the adhesion between the wiring layer and the resin layers 15, 16, 21, and 22 in contact with the wiring layer is also improved, contributing to further improvement in wiring reliability. can do.

また、第1の導体層17,19,23,25と第2の導体層18,20,24,26を同じ金属(Cu)で形成することにより、第1、第2の各導体層は同時にエッチング除去することができる。これにより、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法により第1の導体層上に第2の導体層の一部が形成された場合(つまり、残渣がある場合)でも、その残渣(第2の導体層の一部)と第1の導体層を同一工程で同時に除去することができ、工程の簡略化を図ることができる。   Further, the first and second conductor layers 17, 19, 23, 25 and the second conductor layers 18, 20, 24, 26 are formed of the same metal (Cu), so that the first and second conductor layers can be simultaneously formed. Etching can be removed. Thereby, even when a part of the second conductor layer is formed on the first conductor layer by the screen printing method using the conductive paste (that is, when there is a residue), the residue (second conductor) Part of the layer) and the first conductor layer can be removed simultaneously in the same process, and the process can be simplified.

また、無電解Cuめっきにより第1の導体層17,19,23,25を形成しているので、いわゆる大判基板に対しても均一な膜質で導体層(無電解Cuめっき膜)を形成することができる。同じ大判基板に対して、例えば、スパッタリングにより導体層を均一に形成する場合、その大判基板に対応したスパッタリング装置を新たに製造する必要があり、コスト面で不利であるが、無電解Cuめっきにより形成することで、そのような不利は解消され得る。   Further, since the first conductor layers 17, 19, 23, and 25 are formed by electroless Cu plating, a conductor layer (electroless Cu plating film) is formed with a uniform film quality even on a so-called large-sized substrate. Can do. For example, when a conductor layer is uniformly formed by sputtering on the same large substrate, it is necessary to newly manufacture a sputtering apparatus corresponding to the large substrate, which is disadvantageous in terms of cost. By forming it, such disadvantages can be eliminated.

さらに、第1の導体層17,19,23,25を無電解Cuめっきにより形成しているので、スパッタリングプロセスを用いて形成する場合と比べて、当該導体層を厚く形成することが可能である。   Furthermore, since the first conductor layers 17, 19, 23, and 25 are formed by electroless Cu plating, it is possible to form the conductor layers thicker than when formed using a sputtering process. .

上述した実施形態では、無電解Cuめっき膜(第1の導体層17,19,23,25)で覆われた溝15a,16a,21a,22a及びビアホール15b,16b,21b,22b内にCuペースト等の導電性ペーストを充填して第2の導体層18,20,24,26を形成する場合(図1(e)参照)を例にとって説明したが、当該溝及びその対応するビアホール内に充填される導電性材料の形態もしくは充填方法がこれに限定されないことはもちろんである。例えば、電解めっきにより第2の導体層18,20,24,26を形成してもよい。特に図示はしないが、この場合のプロセスを説明すると以下の通りである。   In the above-described embodiment, Cu paste is formed in the grooves 15a, 16a, 21a, 22a and the via holes 15b, 16b, 21b, 22b covered with the electroless Cu plating film (first conductor layers 17, 19, 23, 25). The case where the second conductor layers 18, 20, 24, and 26 are formed by filling a conductive paste such as (see FIG. 1 (e)) has been described as an example. However, the groove and the corresponding via hole are filled. Of course, the form or filling method of the conductive material is not limited to this. For example, the second conductor layers 18, 20, 24, and 26 may be formed by electrolytic plating. Although not shown in particular, the process in this case will be described as follows.

先ず、図1(d)の工程で得られた構造体に対し、無電解Cuめっき膜(第1の導体層17)上にパターニング材料を使用してめっきレジストを形成し、その所要の箇所を開口する(開口部を備えたレジスト層の形成)。このレジスト層の開口部は、配線パターンの形状(溝15aの形状)に従ってパターニング形成される。パターニング材料としては、感光性のドライフィルムが用いられる。レジストのパターニング方法は、例えば、以下のようにして行う。先ず両面を洗浄し、無電解Cuめっき膜の表面に所要の厚さのドライフィルムを熱圧着により貼り付けた後(ラミネーション)、そのドライフィルムに対し、所要の形状にパターニングされたマスク(図示せず)を用いて紫外線(UV)照射による露光を施して硬化させ、さらに所定の現像液(ネガ型の場合は有機溶剤を含む現像液、ポジ型の場合はアルカリ系の現像液)を用いて当該部分をエッチングし(開口部の形成)、所要のパターンの形状に応じたレジスト層を形成する。   First, a plating resist is formed using a patterning material on the electroless Cu plating film (first conductor layer 17) for the structure obtained in the step of FIG. Opening (formation of a resist layer having an opening). The opening of the resist layer is formed by patterning according to the shape of the wiring pattern (the shape of the groove 15a). A photosensitive dry film is used as the patterning material. The resist patterning method is performed as follows, for example. First, after cleaning both surfaces, a dry film having a required thickness is attached to the surface of the electroless Cu plating film by thermocompression bonding (lamination), and then a mask (not shown) patterned to the required shape for the dry film. And using a predetermined developer (a developer containing an organic solvent in the case of a negative type, an alkali developer in the case of a positive type). The portion is etched (formation of an opening), and a resist layer corresponding to a required pattern shape is formed.

次に、そのめっきレジストの開口部から露出している無電解Cuめっき膜(第1の導体層17)上に、この無電解Cuめっき膜を給電層として利用した電解Cuめっきにより、第2の導体層18を形成する。そして、めっきレジスト(ドライフィルム)を、水酸化ナトリウムやモノエタノールアミン系等のアルカリ性の薬液を用いて除去する。これによって、図1(e)の工程で得られた構造体と同等のものが作製される。この後の工程は、上述した図1(f)の工程と同じである。   Next, on the electroless Cu plating film (first conductor layer 17) exposed from the opening of the plating resist, the second electroplating is performed by using the electroless Cu plating film as a power feeding layer. The conductor layer 18 is formed. Then, the plating resist (dry film) is removed using an alkaline chemical such as sodium hydroxide or monoethanolamine. Thereby, a structure equivalent to the structure obtained in the step of FIG. The subsequent steps are the same as the steps shown in FIG.

また、上述した実施形態では、配線基板のベース基材の形態として、プラスチックパッケージにおいて用いられている樹脂基板を使用した場合を例にとって説明したが、本発明の要旨からも明らかなように、ベース基材の形態がこれに限定されないことはもちろんである。例えば、セラミックパッケージにおいて用いられているセラミック基板を用いてもよいし、あるいは、CSP(チップサイズパッケージ)において用いられているシリコン基板の形態であってもよい。   In the above-described embodiment, the case where a resin substrate used in a plastic package is used as an example of the form of the base substrate of the wiring board has been described. However, as is apparent from the gist of the present invention, the base Of course, the form of the substrate is not limited to this. For example, a ceramic substrate used in a ceramic package may be used, or a silicon substrate used in a CSP (chip size package) may be used.

本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の工程(本発明に関連する部分の工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process (process of the part relevant to this invention) of the manufacturing method of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の製造方法を使用して得られた配線基板(半導体パッケージ)の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the wiring board (semiconductor package) obtained using the manufacturing method of FIG. 図2の配線基板に半導体素子を実装したときの状態(半導体装置)を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state (semiconductor device) when a semiconductor element is mounted on the wiring board of FIG. 2.

符号の説明Explanation of symbols

10…配線基板(半導体パッケージ)、
11…コア基板(ベース基材)、
13,14…配線層、
15,16,21,22…樹脂層、
15a,16a,21a,22a…溝(配線パターン)、
15b,16b,21b,22b…ビアホール、
17,19,23,25…配線層の外側層(シード層/第1の導体層)、
18,20,24,26…配線層の内側層(第2の導体層)。
10: Wiring board (semiconductor package),
11 ... Core substrate (base material),
13, 14 ... wiring layer,
15, 16, 21, 22 ... resin layer,
15a, 16a, 21a, 22a ... grooves (wiring patterns),
15b, 16b, 21b, 22b ... via holes,
17, 19, 23, 25 ... outer layer of the wiring layer (seed layer / first conductor layer),
18, 20, 24, 26... Inner layer of the wiring layer (second conductor layer).

Claims (4)

ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面に配線パターンの形状に応じて溝を形成する工程と、
前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第1の導体層を形成する工程と、
前記第1の導体層で覆われた前記溝内に、前記第1の導体層と同じ金属からなる導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して第2の導体層を形成する工程と、
前記第1の導体層の露出している部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
Forming a resin layer on the base substrate;
Forming a groove on the surface of the resin layer according to the shape of the wiring pattern;
Forming a first conductor layer by electroless plating on the resin layer including the wall surface and bottom surface of the groove;
Filling the groove covered with the first conductor layer with a conductive paste made of the same metal as the first conductor layer by screen printing to form a second conductor layer;
And a step of removing the exposed portion of the first conductor layer.
前記ベース基材上に樹脂層を形成する工程において、少なくとも一方の面に配線層が形成されたベース基材を用意し、該ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って当該樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面に溝を形成する工程において、さらに当該溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールを形成し、
前記第1の導体層を形成する工程において、該第1の導体層をさらに前記ビアホールの壁面及び底面にも形成することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
In the step of forming the resin layer on the base substrate, a base substrate having a wiring layer formed on at least one surface is prepared, and the surface of the base substrate on which the wiring layer is formed is covered. Forming the resin layer,
In the step of forming a groove on the surface of the resin layer, further forming a via hole reaching the wiring layer of the base substrate in the groove,
2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein in the step of forming the first conductor layer, the first conductor layer is further formed on the wall surface and bottom surface of the via hole.
ベース基材と、
前記ベース基材上に設けられ、その表面に配線パターンの形状に応じて溝が形成された樹脂層と、
前記樹脂層の溝に埋め込まれた配線層とを備え、
該配線層が、前記溝の壁面及び底面を覆うように無電解めっきにより形成された第1の導体層と、該第1の導体層上にスクリーン印刷法により形成され、該第1の導体層と同じ金属からなる第2の導体層とから構成されていることを特徴とする配線基板。
A base substrate;
A resin layer provided on the base substrate and having grooves formed on the surface according to the shape of the wiring pattern;
A wiring layer embedded in the groove of the resin layer,
The wiring layer is formed by electroless plating so as to cover a wall surface and a bottom surface of the groove, and is formed on the first conductor layer by a screen printing method, and the first conductor layer And a second conductor layer made of the same metal as the wiring board.
前記ベース基材は、少なくとも一方の面に形成された配線層を有し、
前記樹脂層は、前記ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って形成され、前記樹脂層の溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールが形成されており、
前記第1の導体層は、さらに前記ビアホールの壁面及び底面を覆って形成されていることを特徴とする請求項3に記載の配線基板。
The base substrate has a wiring layer formed on at least one surface,
The resin layer is formed so as to cover a surface of the base substrate on which the wiring layer is formed, and a via hole reaching the wiring layer of the base substrate is formed in the groove of the resin layer,
The wiring board according to claim 3, wherein the first conductor layer is further formed to cover a wall surface and a bottom surface of the via hole.
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