JP2014154835A - 光送信器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光送信器であって、任意の波長で発振する分布帰還型半導体レーザと、分布帰還型半導体レーザと光学的に結合する電界吸収型変調器と、分布帰還型半導体レーザに接続され、分布帰還型半導体レーザの出射光を分波する光分波器と、光分波器に接続され、分布帰還型半導体レーザの出射光を分布帰還型半導体レーザの活性領域に帰還させるための光伝送路と、分波器に接続され、光分波器の分波光の雑音強度を検出する検波部と、検出部に接続され、検波部の出力値と目標値の偏差を検出して分布帰還型半導体レーザの出射光の雑音強度が最小になるように動作する制御部と、制御部に接続され、制御部の出力を光伝送路に電界として印加するための駆動部とを具備することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明を代表する実施形態を示す。光源として任意の波長で発振する分布帰還型レーザ001(以下DFB−LDと称す)を用い、外部変調器として電界吸収型変調器002(以下EAと称す)を用いる。DFB−LD001の後方出射部は、光カップラ100を介して、DFB−LDの発振光を透過する導波路000に接続され、金属反射面003で終端する。導波路の上下層にクラッド層が形成され、その最表面に電極面が形成され、電界印加によって導波路の屈折率を変化させる。尚、導波路の材料としては、半導体、絶縁体、強誘電体のいずれでも可能であるが、導波路の構成は、半波長電圧Vπと素子長の積が小さいものが望ましい。また、金属反射面で終端する代わりに、リング状の導波路によってDFB−LDの後方出射光を周回させて活性領域に帰還させても良い。以下、本導波路を制御導波路と称す。本実施例では、素子長500μm、Vπ=10Vの半導体導波路を制御導波路として用いて集積する。半導体材料は、前記DFB−LD以上のバンドギャップを有する。
001 分布帰還型レーザ
002 電界吸収型変調器
003 金属反射端
100 光カップラ
101 フォトダイオード
102 ローパスフィルタ
103 比較器
104 PID制御器
105 制御導波路駆動回路
201 変調信号発生装置
202 信号電流発生装置
300 活性導波路領域
301 光導波路領域
Claims (6)
- 任意の波長で発振する分布帰還型半導体レーザと、
前記分布帰還型半導体レーザと光学的に結合する電界吸収型変調器と、
前記分布帰還型半導体レーザに接続され、前記分布帰還型半導体レーザの出射光を分波する光分波器と、
前記光分波器に接続され、前記分布帰還型半導体レーザの前記出射光を前記分布帰還型半導体レーザの活性領域に帰還させるための光伝送路と、
前記分波器に接続され、前記光分波器の分波光の雑音強度を検出する検波部と、
前記検出部に接続され、前記検波部の出力値と目標値の偏差を検出して前記分布帰還型半導体レーザの前記出射光の雑音強度が最小になるように動作する制御部と、
前記制御部に接続され、前記制御部の出力を前記光伝送路に電界として印加するための駆動部と
を具備することを特徴とする光送信器。 - 前記検波部は、ローパスフィルタを具備し、前記分布帰還型半導体レーザの活性領域に帰還する光波によって誘起される振動成分のみを検出すること特徴とする請求項1に記載の光送信器。
- 前記検波部は、フォトダイオードをさらに具備し、前記分波光を受光し電圧を出力することを特徴とする請求項2に記載の光送信器。
- 前記制御部は、比較器およびPID制御器を具備し、前記比較器は前記検波部の出力値と目標値の偏差を検出し、前記PID制御器は前記偏差をPIDによって操作して前記出射光の雑音強度を最小にすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光送信器。
- 前記駆動部は、制御導波路駆動回路を具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の光送信器。
- 半導体レーザの外部に備えられた導波路内を伝播する光波の位相を負帰還制御する方法であって、
前記導波路を、前記半導体レーザの活性領域と光学的に結合させるステップと、
前記半導体レーザの出射光を分波した分波光の雑音強度を検出するステップと、
前記検出された前記雑音強度を最小にするステップと、
前記雑音強度が最小にされた前記分波光を前記導波路に電界として印加するステップと
を備えたことを特徴とする負帰還制御する方法。
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2013
- 2013-02-13 JP JP2013025817A patent/JP2014154835A/ja active Pending
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