JP2014154361A - 透明ガスバリアフィルムの製造方法、透明ガスバリアフィルムの製造装置、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 209
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 185
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 184
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 184
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 210
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 148
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 18
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 17
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- -1 nitride carbides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
【課題】 ガスバリア性に優れ、且つガスバリア層の内部応力が非常に低い透明ガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法は、ロールツーロール方式を用いて実施される。その製造方法は、プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板8を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板8に複数の層を蒸着する工程を有し、前記蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板8とプラズマ源52との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を前記樹脂基板8に形成する。
【選択図】 図6
【解決手段】 本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法は、ロールツーロール方式を用いて実施される。その製造方法は、プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板8を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板8に複数の層を蒸着する工程を有し、前記蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板8とプラズマ源52との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を前記樹脂基板8に形成する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、ロールツーロール方式を用いた透明ガスバリアフィルムの製造方法及びその製造装置などに関する。
液晶表示デバイス、有機EL(ELは、エレクトロルミネッセンスの略である)デバイス、電子ペーパー、太陽電池、薄膜リチウムイオン電池等の各種エレクトロニクスデバイスは、近年、軽量化・薄型化が進んでいる。これらデバイスの多くは大気中の水蒸気によって変質して劣化することが知られている。
従来、これらデバイスにはその支持基板としてガラス基板が用いられてきた。しかし、軽量性、耐衝撃性、屈曲性等の各種特性に優れるという理由により、ガラス基板に代えて、樹脂基板の使用が検討されている。前記樹脂基板は、一般には、ガラス等の無機材料から形成された基板と比較して、水蒸気等のガス透過性が著しく大きいという性質を有する。したがって、上記デバイスに使用される樹脂基板においては、その光透過性を維持しつつ、ガスバリア性を向上させることが要求される。
ところで、エレクトロニクスデバイスのガスバリア性は、食品包装用途でのそれに比べ、桁違いに高いレベルが要求されている。ガスバリア性は、例えば、水蒸気透過速度(Water Vapor Transmission Rate。以下、WVTR)で表される。従来の食品包装用途でのWVTRの値は、1〜10g・m−2・day−1程度であるのに対し、例えば薄膜シリコン太陽電池や化合物薄膜系太陽電池用途の基板に必要なWVTRは、1×10−3g・m−2・day−1以下、さらには、有機ELデバイス用途の基板に必要なWVTRは、1×10−5g・m−2・day−1以下と考えられている。このような非常に高いガスバリア性の要求に対応するため、樹脂基板上にガスバリア層を形成させる方法が、種々提案されている(例えば、特許文献1及び2参照)。しかし、これらの方法に代表される真空プロセスにより形成される無機膜のガスバリア性は、上記の要求を満足できるものではなかった。
そこで、無機層とポリマー層とを交互に複数層積層させてハイブリッド化することによりガスバリア性を向上させることが提案されている(例えば、特許文献3乃至5参照)。しかしながら、この方法は、異なる材料の層を異なるプロセスにより形成するため、製造効率やコストの観点からは好ましくない。また、無機層とポリマー層との層間の密着性が高くないため、折り曲げによる層剥離が生じ、結果としてガスバリア性が劣化するという問題がある。このため、この方法による基板は、フレキシブルデバイスへの適用には適さない。
本発明の目的は、ガスバリア性に優れ、且つガスバリア層の内部応力が非常に低い透明ガスバリアフィルムの製造方法及びその製造装置などを提供することである。
本発明者らは、鋭意研究した結果、次のような透明ガスバリアフィルムは、ガスバリア性に優れ且つ透明ガスバリア層の内部応力が非常に低いことを見出した。
かかる透明ガスバリアフィルムは、樹脂基板と、前記樹脂基板上に積層され且つ金属及び半金属の少なくとも1種を含む透明ガスバリア層と、を有し、前記透明ガスバリア層が、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有し、その密度の変化が、高密度から低密度への変化、又は、低密度から高密度への変化である。
本発明者らは、かかる透明ガスバリアフィルムを効率的に製造するために、本発明に想到した。
かかる透明ガスバリアフィルムは、樹脂基板と、前記樹脂基板上に積層され且つ金属及び半金属の少なくとも1種を含む透明ガスバリア層と、を有し、前記透明ガスバリア層が、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有し、その密度の変化が、高密度から低密度への変化、又は、低密度から高密度への変化である。
本発明者らは、かかる透明ガスバリアフィルムを効率的に製造するために、本発明に想到した。
本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法は、ロールツーロール方式を用いて実施される。その製造方法は、プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板に複数の層を蒸着する工程を有し、前記蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を前記樹脂基板に形成する。
本発明の好ましい製造方法は、前記距離の変化が、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を大きくする変化及び前記樹脂基板とプラズマ源との距離を小さくする変化の少なくとも何れか一方である。
本発明のさらに好ましい製造方法は、前記金属及び半金属の少なくとも1種が、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
本発明のさらに好ましい製造方法は、前記金属及び半金属の少なくとも1種が、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
本発明の別に局面によれば、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を有する透明ガスバリアフィルムを製造するための製造装置を提供する。
この製造装置は、蒸着エリア及び非蒸着エリアを有するチャンバーと、プラズマを発生するプラズマ源と、金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を含む蒸着源と、長尺帯状の樹脂基板を送る搬送装置と、を有し、前記搬送装置が、前記樹脂基板を前記蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させ、前記樹脂基板を蒸着エリアに通過させる際に、前記プラズマ源から離れる又は近づくように前記樹脂基板を送るように構成されている。
この製造装置は、蒸着エリア及び非蒸着エリアを有するチャンバーと、プラズマを発生するプラズマ源と、金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を含む蒸着源と、長尺帯状の樹脂基板を送る搬送装置と、を有し、前記搬送装置が、前記樹脂基板を前記蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させ、前記樹脂基板を蒸着エリアに通過させる際に、前記プラズマ源から離れる又は近づくように前記樹脂基板を送るように構成されている。
本発明の好ましい製造装置は、前記搬送装置が、螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送るように構成されている。
本発明のさらに好ましい製造装置は、前記蒸着エリアには、前記プラズマ源のプラズマ照射により、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在し、前記搬送装置が、前記長尺帯状の樹脂基板を螺旋状に巻き付ける1つのガイドローラを有し、前記ガイドローラは、その軸が前記プラズマ密度の最も高い部分と最も低い部分を結んだ仮想線に対して直交する方向に配置されている。
本発明のさらに好ましい製造装置は、前記蒸着エリアに、前記プラズマ源のプラズマ照射により、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在し、前記搬送装置が、前記長尺帯状の樹脂基板を長手方向に送る複数のガイドローラを有し、前記ガイドローラのうち少なくとも前記蒸着エリアに設けられたガイドローラは、その回転軸が前記プラズマ密度の最も高い部分と最も低い部分を結んだ仮想線に対して直交する方向に配置されている。
本発明のさらに好ましい製造装置は、前記チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置をさらに有する。
本発明のさらに好ましい製造装置は、前記蒸着エリアに、前記プラズマ源のプラズマ照射により、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在し、前記搬送装置が、前記長尺帯状の樹脂基板を長手方向に送る複数のガイドローラを有し、前記ガイドローラのうち少なくとも前記蒸着エリアに設けられたガイドローラは、その回転軸が前記プラズマ密度の最も高い部分と最も低い部分を結んだ仮想線に対して直交する方向に配置されている。
本発明のさらに好ましい製造装置は、前記チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置をさらに有する。
本発明の別の局面によれば、有機ELデバイスを提供する。
1つの有機ELデバイスは、支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機EL層と、を有し、前記支持基板が、前記製造方法又は製造装置から得られる透明ガスバリアフィルムである。
もう1つの有機ELデバイスは、支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機EL層と、前記有機EL層を封止する封止部材と、を有し、前記封止部材が、前記製造方法又は製造装置から得られる透明ガスバリアフィルムである。
1つの有機ELデバイスは、支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機EL層と、を有し、前記支持基板が、前記製造方法又は製造装置から得られる透明ガスバリアフィルムである。
もう1つの有機ELデバイスは、支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機EL層と、前記有機EL層を封止する封止部材と、を有し、前記封止部材が、前記製造方法又は製造装置から得られる透明ガスバリアフィルムである。
本発明の製造方法及び製造装置を用いれば、ガスバリア性に優れ、且つ、透明ガスバリア層の内部応力が非常に低い透明ガスバリアフィルムを、効率的に製造できる。
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「長尺帯状」とは、一方向における長さが他方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記長尺帯状は、例えば、前記一方向における長さが他方向における長さの10倍以上の略長方形状であり、好ましくは30倍以上であり、より好ましくは100倍以上である。「長手方向」は、前記長尺帯状の一方向(長尺帯状の長辺と平行な方向)であり、「短手方向」は、前記長尺帯状の他方向(帯状の短辺と平行な方向)である。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「長尺帯状」とは、一方向における長さが他方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記長尺帯状は、例えば、前記一方向における長さが他方向における長さの10倍以上の略長方形状であり、好ましくは30倍以上であり、より好ましくは100倍以上である。「長手方向」は、前記長尺帯状の一方向(長尺帯状の長辺と平行な方向)であり、「短手方向」は、前記長尺帯状の他方向(帯状の短辺と平行な方向)である。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
[透明ガスバリアフィルム]
本発明の製造方法及び製造装置によって得られる透明ガスバリアフィルムは、樹脂基板と、前記樹脂基板上に積層され且つ金属及び半金属の少なくとも1種を含む透明ガスバリア層と、を有する。
前記透明ガスバリア層は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有し、その密度の変化が、高密度から低密度への変化、又は、低密度から高密度への変化となっている。本発明では、厚み方向に密度が連続的に変化する層は、金属又は半金属を含む材料を樹脂基板に蒸着することによって形成される。
以下、厚み方向に密度が連続的に変化する層を「蒸着層」という場合があり、また、その厚み方向に密度が連続的に変化する層の複数を区別する必要があるときに、その用語の頭に第1、第2などを付ける場合がある。
本発明の製造方法及び製造装置によって得られる透明ガスバリアフィルムは、樹脂基板と、前記樹脂基板上に積層され且つ金属及び半金属の少なくとも1種を含む透明ガスバリア層と、を有する。
前記透明ガスバリア層は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有し、その密度の変化が、高密度から低密度への変化、又は、低密度から高密度への変化となっている。本発明では、厚み方向に密度が連続的に変化する層は、金属又は半金属を含む材料を樹脂基板に蒸着することによって形成される。
以下、厚み方向に密度が連続的に変化する層を「蒸着層」という場合があり、また、その厚み方向に密度が連続的に変化する層の複数を区別する必要があるときに、その用語の頭に第1、第2などを付ける場合がある。
前記透明ガスバリア層は、金属及び半金属の少なくとも1種を含んでいる。前記金属又は半金属の少なくとも1種は、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。前記金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、インジウム、マグネシウムなどが挙げられる。前記半金属としては、例えば、ケイ素、ビスマス、ゲルマニウムなどが挙げられる。ガスバリア性の向上のためには、透明ガスバリア層内におけるネットワーク構造(網目状の構造)を緻密にするような炭素、窒素を含むことが好ましい。さらに透明性を向上させるためには、酸素を含有していることが好ましい。前記透明ガスバリア層の成分は、金属及び半金属の少なくとも1種、炭素、酸素並びに窒素のいずれをも含んでいることが特に好ましい。このような成分は、代表的には、金属又は半金属の酸化窒化炭化物である。
図1は、透明ガスバリアフィルムの平面図であり、図2は、そのフィルムを厚み方向で切断した断面図である。
この透明ガスバリアフィルム1は、樹脂基板2上に透明ガスバリア層3を有する。透明ガスバリア層3は、厚み方向に密度が連続的に変化する第1乃至第5蒸着層31,32,33,34,35を有する。この第1乃至第5蒸着層31乃至35の密度は、それぞれ厚み方向に連続的且つ周期的に変化していることが好ましい。前記各蒸着層31乃至35の密度は、厚み方向において高密度から低密度へ変化し、又は、低密度から高密度へ変化している。
なお、図示例では、透明ガスバリア層3は、第1乃至第5蒸着層31乃至35の5層から構成されているが、これに限定されるわけではない。例えば、透明ガスバリア層は、厚み方向に密度が連続的に変化する、2つの層から構成されていてもよいし、或いは、3つの層から構成されていてもよいし、或いは、それ以上の層から構成されていてもよい(いずれも図示せず)。
なお、透明ガスバリア層3は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有することを条件として、密度が連続的に変化しない層を有していてもよい。
この透明ガスバリアフィルム1は、樹脂基板2上に透明ガスバリア層3を有する。透明ガスバリア層3は、厚み方向に密度が連続的に変化する第1乃至第5蒸着層31,32,33,34,35を有する。この第1乃至第5蒸着層31乃至35の密度は、それぞれ厚み方向に連続的且つ周期的に変化していることが好ましい。前記各蒸着層31乃至35の密度は、厚み方向において高密度から低密度へ変化し、又は、低密度から高密度へ変化している。
なお、図示例では、透明ガスバリア層3は、第1乃至第5蒸着層31乃至35の5層から構成されているが、これに限定されるわけではない。例えば、透明ガスバリア層は、厚み方向に密度が連続的に変化する、2つの層から構成されていてもよいし、或いは、3つの層から構成されていてもよいし、或いは、それ以上の層から構成されていてもよい(いずれも図示せず)。
なお、透明ガスバリア層3は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有することを条件として、密度が連続的に変化しない層を有していてもよい。
図3及び図4は、透明ガスバリアフィルムにおけるガスバリア層の厚み方向の密度分布の例を示す模式図である。なお、この模式図においても、5つの層(第1乃至第5蒸着層)から形成された透明ガスバリア層を例示しているが、この数に限定されるわけではない。
図3に示す密度分布の例では、透明ガスバリア層を構成する各蒸着層は、樹脂基板から透明ガスバリア層の表面側に向かい、密度が徐々に増加している。従って、透明ガスバリア層は、厚み方向において密度が徐々に増加するというパターン(低密度→高密度)を繰り返している。
図4に示す密度分布の例では、透明ガスバリア層を構成する各蒸着層は、樹脂基板から透明ガスバリア層の表面側に向かい、密度が徐々に減少している。従って、透明ガスバリア層は、厚み方向において密度が徐々に減少するというパターン(高密度→低密度)を繰り返している。
なお、前記密度の変化は、直線的であってもよいし、曲線的であってもよい。また、前記各蒸着層の密度は、連続的に変化していることを条件として、同じでもよいし、異なっていてもよい。前記各蒸着層の密度勾配は、同じでもよいし、異なっていてもよい。
図3に示す密度分布の例では、透明ガスバリア層を構成する各蒸着層は、樹脂基板から透明ガスバリア層の表面側に向かい、密度が徐々に増加している。従って、透明ガスバリア層は、厚み方向において密度が徐々に増加するというパターン(低密度→高密度)を繰り返している。
図4に示す密度分布の例では、透明ガスバリア層を構成する各蒸着層は、樹脂基板から透明ガスバリア層の表面側に向かい、密度が徐々に減少している。従って、透明ガスバリア層は、厚み方向において密度が徐々に減少するというパターン(高密度→低密度)を繰り返している。
なお、前記密度の変化は、直線的であってもよいし、曲線的であってもよい。また、前記各蒸着層の密度は、連続的に変化していることを条件として、同じでもよいし、異なっていてもよい。前記各蒸着層の密度勾配は、同じでもよいし、異なっていてもよい。
一般に、高密度の層を形成することにより、高いガスバリア性は得られるが、高密度の層の厚みを厚くする又はその層と他の層を積層した積層構造にすると、内部応力が高まり、マイクロクラックが生じガスバリア性が低下し易かった。
そこで、前記のように、密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を形成することにより、内部応力を低くすることができる。このため、本発明の透明ガスバリアフィルムは、マイクロクラックの発生を防止でき、高いガスバリア性を実現することができる。このような高いガスバリア性を実現できる理由は明らかではないが、密度がある一定の層厚で変化することで、ランダムな層厚での変化に比べ、応力が低減される傾向にある。
そこで、前記のように、密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を形成することにより、内部応力を低くすることができる。このため、本発明の透明ガスバリアフィルムは、マイクロクラックの発生を防止でき、高いガスバリア性を実現することができる。このような高いガスバリア性を実現できる理由は明らかではないが、密度がある一定の層厚で変化することで、ランダムな層厚での変化に比べ、応力が低減される傾向にある。
前記透明ガスバリア層における、密度の極小値(X)に対する極大値(Y)の比(Y/X)は、1.1以上であることが好ましい。前記Xに対する前記Yの比が1に近く、差が小さい場合は、ガスバリア性向上及び内部応力低下のいずれかの機能が十分ではなくなる。前記透明ガスバリア層の密度は、その形成材料、組成及び成膜方法によっても異なるが、例えば、前記材料が酸化シリコン層である場合には、透明ガスバリア層の密度は、1.6〜2.2g・cm−3であり、窒化シリコン層の場合には、2.3〜2.7g・cm−3である。
前記透明ガスバリア層の厚みは、ガスバリア性、透明性、成膜時間、膜の内部応力の観点を考慮し、1μm以下であることが好ましく、より好ましくは、100nm〜800nmの範囲であり、さらに好ましくは、200nm〜500nmの範囲である。前記厚み方向に密度が変化する各蒸着層の厚みは、それぞれ独立して50nm〜200nmの範囲であることが好ましく、より好ましくは、10nm〜100nmの範囲である。前記各蒸着層の厚みは、同じでもよいし、或いは、それぞれ独立して異なっていてもよいが、好ましくは、各蒸着層の厚みは同じに形成される。
なお、前記厚み方向に密度が変化する蒸着層の数は、2層以上であり、好ましくは3層〜20層の範囲、より好ましくは5層〜16層の範囲である。
なお、前記厚み方向に密度が変化する蒸着層の数は、2層以上であり、好ましくは3層〜20層の範囲、より好ましくは5層〜16層の範囲である。
前記樹脂基板は、フレキシブル性を有する。フレキシブルな樹脂基板は、ロールに巻くことができる、柔軟なシート状物である。また、樹脂基板は、透明なものが用いられる。
前記樹脂基板としては、プラズマや蒸着源からの輻射熱による加熱の影響を考慮すると、耐熱性が高い基板、特に、Tg(ガラス転移温度)が高く且つ熱収縮し難い基板を用いることが好ましい。Tgが低い又は熱収縮し易い基板を用いると、透明ガスバリア層の形成の際に基板に歪が生じ、透明ガスバリア層にクラックなどが生じてガスバリア性が劣化するおそれがある。このような点から、樹脂基板としては、耐熱性の高い透明フィルムを用いることが好ましい。例えば、前記樹脂フィルムとして、短手方向(TD)及び長手方向(MD)の各収縮率が、ともに0.5%以下である樹脂フィルムことが好ましい。
具体的には、前記樹脂フィルムとしては、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニルサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドなどからなる透明性を有するフィルムが挙げられる。
前記樹脂基板の厚みは、20μm〜200μmが好ましく、ハンドリングの面から50μm〜150μmの厚みが特に好ましい。
また、前記樹脂基板の幅は、特に限定されないが、例えば50mm以下が好ましい。
前記樹脂基板としては、プラズマや蒸着源からの輻射熱による加熱の影響を考慮すると、耐熱性が高い基板、特に、Tg(ガラス転移温度)が高く且つ熱収縮し難い基板を用いることが好ましい。Tgが低い又は熱収縮し易い基板を用いると、透明ガスバリア層の形成の際に基板に歪が生じ、透明ガスバリア層にクラックなどが生じてガスバリア性が劣化するおそれがある。このような点から、樹脂基板としては、耐熱性の高い透明フィルムを用いることが好ましい。例えば、前記樹脂フィルムとして、短手方向(TD)及び長手方向(MD)の各収縮率が、ともに0.5%以下である樹脂フィルムことが好ましい。
具体的には、前記樹脂フィルムとしては、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニルサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドなどからなる透明性を有するフィルムが挙げられる。
前記樹脂基板の厚みは、20μm〜200μmが好ましく、ハンドリングの面から50μm〜150μmの厚みが特に好ましい。
また、前記樹脂基板の幅は、特に限定されないが、例えば50mm以下が好ましい。
前記樹脂基板は、その表面(透明ガスバリア層を形成する面)に、コロナ放電処理、プラズマ放電処理若しくはイオンエッチング(RIE)処理などの表面改質処理が施されていてもよい。または、前記樹脂基板の表面に、平滑層及び接着層となる、無機物の層又はポリマーの層が形成されていてもよい。
[透明ガスバリアフィルムの用途]
本発明の製造方法及び製造装置によって得られた透明ガスバリアフィルムは、様々な用途に使用できる。特に、本発明の透明ガスバリアフィルムは、ガスバリア性に優れ、フレキシブル性も良好であることから、各種エレクトロニクスデバイスの構成部材として好適に使用できる。例えば、本発明の透明ガスバリアフィルムは、有機ELデバイスの支持基板又は封止部材;太陽電池の被覆フィルム;薄膜電池の被覆フィルムなどに使用できる。
本発明の製造方法及び製造装置によって得られた透明ガスバリアフィルムは、様々な用途に使用できる。特に、本発明の透明ガスバリアフィルムは、ガスバリア性に優れ、フレキシブル性も良好であることから、各種エレクトロニクスデバイスの構成部材として好適に使用できる。例えば、本発明の透明ガスバリアフィルムは、有機ELデバイスの支持基板又は封止部材;太陽電池の被覆フィルム;薄膜電池の被覆フィルムなどに使用できる。
例えば、前記有機ELデバイス100は、図5に示すように、支持基板110と、有機EL層120と、封止部材130と、を有する。有機EL(エレクトロルミネッセンス)層120は、前記支持基板110上に設けられた第1電極層121と、この第1電極層121上に設けられた発光層を含む有機層122と、この有機層122上に設けられた第2電極層123と、を有する積層体からなる。この積層体上(第2電極層123上)に封止部材130が設けられる。この支持基板110及び封止部材130の少なくとも何れか一方として、本発明の透明ガスバリアフィルムを用いることができる。
前記第1電極層は、陽極又は陰極の何れでもよいが、例えば、陽極層である。この陽極層としては、例えば、透明な電極層である、ITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(登録商標、Indium Zinc Oxide)などが挙げられる。前記有機層は、発光層を有し、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層から選ばれる層を少なくとも1層有する。前記第2電極層は、陰極又は陽極の何れでもよいが、例えば、陰極層である。この陰極層としては、アルミニウム層、マグネシウム/アルミニウム層、マグネシウム/銀層などが挙げられる。
前記封止部材は、1層構造でもよいし、或いは、多層構造でもよい。封止部材が多層構造の場合には、そのうちの少なくとも1層に本発明の透明ガスバリアフィルムが用いられる。
本発明の透明ガスバリアフィルムを封止部材として用いた場合には、それを前記積層体に接着剤又はヒートシールなどの固定手段を用いて固定することにより、ガスバリア性に優れた有機ELデバイスを構成できる。
本発明の透明ガスバリアフィルムを封止部材として用いた場合には、それを前記積層体に接着剤又はヒートシールなどの固定手段を用いて固定することにより、ガスバリア性に優れた有機ELデバイスを構成できる。
また、前記有機ELデバイスの支持基板として、本発明の透明ガスバリアフィルムを用いると、有機ELデバイスを、軽量化、薄型化及び柔軟化できる。
支持基板として本発明の透明ガスバリアフィルムを用いた前記有機ELデバイスは、フレキシブルなディスプレイとなり、これを丸めるなどして、電子ペーパーのように使用することも可能となる。また、封止部材として本発明の透明ガスバリアフィルムを用いた場合には、有機EL層の封止が容易であり、さらに、薄型の有機ELデバイスを得ることができる。
支持基板として本発明の透明ガスバリアフィルムを用いた前記有機ELデバイスは、フレキシブルなディスプレイとなり、これを丸めるなどして、電子ペーパーのように使用することも可能となる。また、封止部材として本発明の透明ガスバリアフィルムを用いた場合には、有機EL層の封止が容易であり、さらに、薄型の有機ELデバイスを得ることができる。
例えば、前記太陽電池は、太陽電池セルを含み、その太陽電池セルが、本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されている。特に、前記透明ガスバリアフィルムは、太陽電池の受光側フロントシート及び保護用バックシートとしても好適に使用できる。太陽電池の構造の一例としては、薄膜シリコンやCIGS(Copper Indium Gallium DiSelenide)薄膜により形成した太陽電池セルを、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の樹脂により封止し、さらに本発明の透明ガスバリアフィルムによってそれを挟み込んだ構造が挙げられる。なお、前記樹脂による封止を省略し、前記太陽電池セルを本発明の透明ガスバリアフィルムによって直接挟み込んでもよい。
また、例えば、前記薄膜電池は、集電層と、陽極層と、固体電解質層と、陰極層と、集電層と、をこの順で有する積層体からなり、この積層体が、本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されている。前記薄膜電池としては、薄膜リチウムイオン電池などが挙げられる。前記薄膜電池は、具体的には、基板上に設けられた金属からなる集電層と、金属無機膜からなる陽極層と、固体電解質層と、陰極層と、金属からなる集電層と、がこの順で積層されている。本発明の透明ガスバリアフィルムを、前記薄膜電池の基板としても使用することもできる。
[透明ガスバリアフィルムの製造方法及びその製造装置について]
上記透明ガスバリアフィルムの製造方法は、プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種の材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板に複数の層を蒸着する工程を有する。この蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を樹脂基板に形成することができる。
上記透明ガスバリアフィルムの製造方法は、プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種の材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板に複数の層を蒸着する工程を有する。この蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を樹脂基板に形成することができる。
本発明の製造方法によれば、長尺帯状の樹脂基板を長手方向に送る工程で、その樹脂基板の表面に、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数積層することができる。
前記樹脂基板とプラズマ源との距離の変化は、好ましくは、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を大きくする変化及び前記樹脂基板とプラズマ源との距離を小さくする変化の少なくとも一方である。
さらに、前記金属及び半金属の少なくとも1種は、好ましくは、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
本発明の製造方法によって得られる透明ガスバリアフィルムのWVTRは、0.01g・m−2・day−1以下であり、好ましくは、0.001g・m−2・day−1以下である。
前記樹脂基板とプラズマ源との距離の変化は、好ましくは、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を大きくする変化及び前記樹脂基板とプラズマ源との距離を小さくする変化の少なくとも一方である。
さらに、前記金属及び半金属の少なくとも1種は、好ましくは、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
本発明の製造方法によって得られる透明ガスバリアフィルムのWVTRは、0.01g・m−2・day−1以下であり、好ましくは、0.001g・m−2・day−1以下である。
本発明の製造装置は、前記製造方法を実施するために使用される。
すなわち、本発明の製造装置は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を有する透明ガスバリアフィルムを製造するために適用される装置である。
この製造装置は、蒸着エリア及び非蒸着エリアを有するチャンバーと、プラズマを発生するプラズマ源と、金属及び半金属の少なくとも1種の材料を含む蒸着源と、長尺帯状の樹脂基板を送る搬送装置と、を有し、さらに、チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置を有することが好ましい。
前記プラズマ源及び蒸着源は、前記チャンバー内に設けられる。
前記搬送装置は、前記樹脂基板を前記蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させ、前記樹脂基板を蒸着エリアに通過させる際に、前記プラズマ源から離れる又は近づくように前記樹脂基板を送るように構成されている。
以下、具体的に説明する。
すなわち、本発明の製造装置は、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を有する透明ガスバリアフィルムを製造するために適用される装置である。
この製造装置は、蒸着エリア及び非蒸着エリアを有するチャンバーと、プラズマを発生するプラズマ源と、金属及び半金属の少なくとも1種の材料を含む蒸着源と、長尺帯状の樹脂基板を送る搬送装置と、を有し、さらに、チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置を有することが好ましい。
前記プラズマ源及び蒸着源は、前記チャンバー内に設けられる。
前記搬送装置は、前記樹脂基板を前記蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させ、前記樹脂基板を蒸着エリアに通過させる際に、前記プラズマ源から離れる又は近づくように前記樹脂基板を送るように構成されている。
以下、具体的に説明する。
[本発明の製造方法及び製造装置の第1実施形態]
第1実施形態の製造方法及び製造装置は、1つのガイドローラを用いて螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送ることにより、前記樹脂基板を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら、樹脂基板の表面に複数の蒸着層を積層していく態様である。
図6及び図7は、第1実施形態の製造装置の構成例を示す。
以下、各製造装置を示す各図において、便宜上、水平面に直交する方向を「Z方向」、前記Z方向に直交する方向を「X方向」、前記Z方向及びX方向に直交する方向を「Y方向」という。また、X方向一方側を「X1側」、X方向反対側(前記一方側と反対側)を「X2側」といい、Y方向一方側を「Y1側」、Y方向反対側(前記一方側と反対側)を「Y2側」といい、Z方向一方側を「Z1側」、Z方向反対側(前記一方側と反対側)を「Z2側」という。
第1実施形態の製造方法及び製造装置は、1つのガイドローラを用いて螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送ることにより、前記樹脂基板を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら、樹脂基板の表面に複数の蒸着層を積層していく態様である。
図6及び図7は、第1実施形態の製造装置の構成例を示す。
以下、各製造装置を示す各図において、便宜上、水平面に直交する方向を「Z方向」、前記Z方向に直交する方向を「X方向」、前記Z方向及びX方向に直交する方向を「Y方向」という。また、X方向一方側を「X1側」、X方向反対側(前記一方側と反対側)を「X2側」といい、Y方向一方側を「Y1側」、Y方向反対側(前記一方側と反対側)を「Y2側」といい、Z方向一方側を「Z1側」、Z方向反対側(前記一方側と反対側)を「Z2側」という。
図6は、X2側からX方向(X2からX1の方向)に製造装置を見た正面図であり、図7は、Y1側からY方向(Y1からY2の方向)に製造装置を見た左側面図である。
この製造装置4Aは、内部を真空に保持できるチャンバー51と、長尺帯状の樹脂基板8を連続的に送る搬送装置7と、プラズマを発生するプラズマ源52と、蒸着する材料を入れた蒸着源53と、前記チャンバー51内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置54と、前記チャンバー51内に放電ガスを供給する放電ガス供給装置55と、前記チャンバー51内を真空状態にする真空ポンプ56と、を有する。
前記搬送装置7の主要部は、前記チャンバー51内に備えられ、前記プラズマ源52及び蒸着源53は、前記チャンバー51内に備えられている。
この製造装置4Aは、内部を真空に保持できるチャンバー51と、長尺帯状の樹脂基板8を連続的に送る搬送装置7と、プラズマを発生するプラズマ源52と、蒸着する材料を入れた蒸着源53と、前記チャンバー51内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置54と、前記チャンバー51内に放電ガスを供給する放電ガス供給装置55と、前記チャンバー51内を真空状態にする真空ポンプ56と、を有する。
前記搬送装置7の主要部は、前記チャンバー51内に備えられ、前記プラズマ源52及び蒸着源53は、前記チャンバー51内に備えられている。
前記チャンバー51内には、蒸着エリアと非蒸着エリアを区画する、隔壁511が設けられている。蒸着エリアは、被着体(すなわち、長尺帯状の樹脂基板8)に材料を蒸着させることができる、チャンバー51内の一つの領域である。非蒸着エリアは、被着体に材料を蒸着させない、チャンバー51内の他の領域である。図示例では、前記隔壁511を基準にして、隔壁511よりもZ2側(下側)の領域が蒸着エリアであり、隔壁511よりもZ1側(上側)の領域が非蒸着エリアである。
もっとも、前記隔壁511は必ずしも設けられていなければならないわけではなく、隔壁511を省略することも可能である。
もっとも、前記隔壁511は必ずしも設けられていなければならないわけではなく、隔壁511を省略することも可能である。
前記プラズマは、特に限定されず、例えば、アーク放電プラズマ、グロー放電プラズマなどを用いることができる。グロー放電プラズマなどとは異なり、非常に高い電子密度となることから、アーク放電プラズマを用いることが好ましい。アーク放電プラズマを用いることにより、材料の反応性を高めることができ、非常に緻密な透明ガスバリア層を樹脂基板上に形成できる。
アーク放電プラズマの発生源(プラズマ源52)としては、例えば、圧力勾配型プラズマガン、直流放電プラズマ発生装置、高周波放電プラズマ発生装置などを利用できる。これらの中では、蒸着中において高密度なプラズマを安定的に発生させることが可能であることから、プラズマ源52として圧力勾配型プラズマガンを用いることが好ましい。
図示例では、プラズマ源52として圧力勾配型プラズマガンが用いられている。そのプラズマ源52は、図6に示すように、例えば、チャンバー51の第1側壁(Y1側の側壁)に設けられている。前記圧力勾配型プラズマガンと対向するように、チャンバー51の第2側壁(前記第1側壁とは反対側の、Y2側の側壁)には、反射電極57が設けられている。また、プラズマ源52の周囲及び反射電極57の周囲には、収束電極581,582,583,584が設けられている。プラズマ源52は、反射電極57に向かってプラズマビーム9を照射し、そのプラズマビーム9は、収束電極581,582,583,584によって所要の形状になるように制御される。
前記プラズマ密度は、前記プラズマ源52に近い位置ほど高く、それに遠いほど低い。図示例では、Y1側に向かうに従いプラズマ密度が高くなり、Y2側に向かうに従いプラズマ密度が低くなっている。従って、前記チャンバー51内の蒸着エリアには、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在する。通常、プラズマ密度が最も高い部分は、プラズマ源52の近傍位置であり、プラズマ密度が最も低い部分は、反射電極57の近傍位置である。前記プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線は、Y方向と平行である。
前記プラズマ密度は、前記プラズマ源52に近い位置ほど高く、それに遠いほど低い。図示例では、Y1側に向かうに従いプラズマ密度が高くなり、Y2側に向かうに従いプラズマ密度が低くなっている。従って、前記チャンバー51内の蒸着エリアには、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在する。通常、プラズマ密度が最も高い部分は、プラズマ源52の近傍位置であり、プラズマ密度が最も低い部分は、反射電極57の近傍位置である。前記プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線は、Y方向と平行である。
蒸着源53は、搬送装置7と対向するように、チャンバー51の底部に設置されている。蒸着源53の上面には、蒸着するための材料が入れられている。
前記蒸着源53に入れられた材料を蒸発させる手段としては、前記プラズマを用いることができるが、抵抗加熱や電子ビームを用いてもよい。
前記蒸着源53に入れられる材料としては、金属、半金属、これらの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物から適宜選択できる。本実施形態のように、反応ガスの存在下で蒸着する場合には、その反応ガスの成分を、前記蒸着源53の材料に導入しながら蒸着層を形成できる。
例えば、前記材料として金属及び半金属から選ばれる少なくとも1種を含む材料を用いた場合でも、反応ガスの存在下でプラズマを発生させて蒸着を行うことによって、前記酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物からなる蒸着層を形成できる。もっとも、蒸着源53に入れる材料として、前記酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物を用いてもよい。
前記蒸着源53に入れられた材料を蒸発させる手段としては、前記プラズマを用いることができるが、抵抗加熱や電子ビームを用いてもよい。
前記蒸着源53に入れられる材料としては、金属、半金属、これらの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物から適宜選択できる。本実施形態のように、反応ガスの存在下で蒸着する場合には、その反応ガスの成分を、前記蒸着源53の材料に導入しながら蒸着層を形成できる。
例えば、前記材料として金属及び半金属から選ばれる少なくとも1種を含む材料を用いた場合でも、反応ガスの存在下でプラズマを発生させて蒸着を行うことによって、前記酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物からなる蒸着層を形成できる。もっとも、蒸着源53に入れる材料として、前記酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物を用いてもよい。
前記反応ガス供給装置54は、例えば、チャンバー51の第2側壁に設けられている。前記反応ガス供給装置54には、反応ガスの数に対応した反応ガス収納ボンベ541,542,543が接続されており、反応ガス供給装置54は、適度な圧力の反応ガスを、前記チャンバー51内に供給する。
前記反応ガスとしては、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭化水素含有ガス、又はこれらの混合ガスなどが挙げられる。前記酸素含有ガスとしては、酸素(O2)、一酸化二窒素(N2O)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記窒素含有ガスとしては、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記炭化水素含有ガスとしては、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、ブタン(C4H10)、エチレン(C2H4)、アセチレン(C2H2)などが挙げられる。
前記反応ガスとしては、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭化水素含有ガス、又はこれらの混合ガスなどが挙げられる。前記酸素含有ガスとしては、酸素(O2)、一酸化二窒素(N2O)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記窒素含有ガスとしては、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記炭化水素含有ガスとしては、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、ブタン(C4H10)、エチレン(C2H4)、アセチレン(C2H2)などが挙げられる。
前記放電ガス供給装置55は、例えば、チャンバー51の第2側壁に設けられている。前記放電ガス供給装置55には、放電ガス収納ボンベ551が接続されており、放電ガス供給装置55は、適度な圧力の放電ガスを、前記チャンバー51内に供給する。前記放電ガスとしては、代表的には、アルゴンガスなどの不活性ガスを用いることができる。
前記真空ポンプ56は、例えば、チャンバー51の第2側壁に設けられている。前記真空ポンプ56を作動させることにより、前記チャンバー51内を真空状態に減圧できる。
前記真空ポンプ56は、例えば、チャンバー51の第2側壁に設けられている。前記真空ポンプ56を作動させることにより、前記チャンバー51内を真空状態に減圧できる。
前記搬送装置7は、いわゆるロールツーロール方式にて長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に搬送する。
本実施形態では、搬送装置7は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置7としては、例えば、特開2009−209438号に開示された方法などを利用できる。
本実施形態では、搬送装置7は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置7としては、例えば、特開2009−209438号に開示された方法などを利用できる。
本実施形態の搬送装置7は、螺旋軌道を描きながら長尺帯状の樹脂基板8を長手方向に送るため、1本のガイドローラ71を有する。蒸着エリアに樹脂基板8を導くため、前記ガイドローラ71の下部は、蒸着エリアに露出している。
長尺帯状の樹脂基板8は、X1側からX2側に向かって、前記ガイドローラ71の周面に螺旋状に巻回されている。従って、ガイドローラ71に螺旋状に巻かれた樹脂基板8は、ガイドローラ71の下部において、蒸着エリアを通過し、ガイドローラ71の上方部において、非蒸着エリアを通過する。
ガイドローラ71は、軸72を中心とする円柱状のローラである。前記軸72の延びる方向(軸方向)は、X方向と平行である。従って、前記軸72は、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線の方向(Y方向)と直交するように配置されている。
ガイドローラ71は、軸72を中心に回転可能に構成されていてもよいし、軸72に固定されていてもよい。また、樹脂基板8を円滑に送るため、ガイドローラ71に周面に、案内溝や案内突起(図示せず)などが形成されていてもよい。
図示例では、樹脂基板8は、螺旋状に搬送される間に、断続的に5回蒸着エリアを通過するように、ガイドローラ71に巻かれている。
長尺帯状の樹脂基板8は、X1側からX2側に向かって、前記ガイドローラ71の周面に螺旋状に巻回されている。従って、ガイドローラ71に螺旋状に巻かれた樹脂基板8は、ガイドローラ71の下部において、蒸着エリアを通過し、ガイドローラ71の上方部において、非蒸着エリアを通過する。
ガイドローラ71は、軸72を中心とする円柱状のローラである。前記軸72の延びる方向(軸方向)は、X方向と平行である。従って、前記軸72は、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線の方向(Y方向)と直交するように配置されている。
ガイドローラ71は、軸72を中心に回転可能に構成されていてもよいし、軸72に固定されていてもよい。また、樹脂基板8を円滑に送るため、ガイドローラ71に周面に、案内溝や案内突起(図示せず)などが形成されていてもよい。
図示例では、樹脂基板8は、螺旋状に搬送される間に、断続的に5回蒸着エリアを通過するように、ガイドローラ71に巻かれている。
なお、蒸着エリアを通過する樹脂基板8の近傍には、蒸着速度を計測及び制御するための水晶モニター59が設けられている。水晶モニター59は、樹脂基板8が蒸着エリアに入る回数分に応じて、5個所定間隔を開けて設けられている。
また、必要に応じて、ガイドローラ71に、温度制御手段(図示せず)を附属させてもよい。前記温度制御手段は、ガイドローラ71の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
また、必要に応じて、ガイドローラ71に、温度制御手段(図示せず)を附属させてもよい。前記温度制御手段は、ガイドローラ71の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
上流側のロール81から引き出された長尺帯状の樹脂基板8は、Z1側からZ2側へ送られ、ガイドローラ71の下部周面に巻かれた後、Z2側からZ1側へと送られ、やや傾斜させながら前記ガイドローラ71の上部周面に巻かれる。樹脂基板8が前記ガイドローラ71の下部周面を通っているときには、その樹脂基板8は、Y1側からY2側(Y方向)に送られている。また、樹脂基板8が前記ガイドローラ71の上部周面を通っているときには、その樹脂基板8は、Y2側からY1側(Y方向)に送られている。
さらに、前記長尺帯状の樹脂基板8は、前記ガイドローラ71の上部周面に巻かれた後、同様に、ガイドローラ71の下部周面から上部周面と順に螺旋軌跡を描きながら送られる。従って、前記樹脂基板8は、X1側から見て、全体的に時計回りに螺旋軌跡を描きながら送られ、下流側のロール82に巻き取られる。よって、搬送装置7は、樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
ガイドローラ71に巻かれた樹脂基板8の搬送は、例えば、上流側のロール81の繰り出し動作及び下流側のロール82の巻き取り動作などによって行われる。
さらに、前記長尺帯状の樹脂基板8は、前記ガイドローラ71の上部周面に巻かれた後、同様に、ガイドローラ71の下部周面から上部周面と順に螺旋軌跡を描きながら送られる。従って、前記樹脂基板8は、X1側から見て、全体的に時計回りに螺旋軌跡を描きながら送られ、下流側のロール82に巻き取られる。よって、搬送装置7は、樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
ガイドローラ71に巻かれた樹脂基板8の搬送は、例えば、上流側のロール81の繰り出し動作及び下流側のロール82の巻き取り動作などによって行われる。
ただし、前記樹脂基板8が蒸着エリアを通過する際には、図6に示すように、樹脂基板8は、Y方向(Y1側からY2側)に送られる。Y1側にプラズマ源52が配置されている本実施形態の製造装置4Aにおいては、蒸着エリアを通過させる際、プラズマ源52から離れるように樹脂基板8を送るようになっている。
次に、透明ガスバリアフィルムを製造する方法について説明する。以下の説明においては、図6及び図7に示す製造装置4Aを用いて透明ガスバリアフィルムを製造する方法を説明するが、本発明の製造方法は、この製造装置4Aを用いて実施する場合に限定されるものではない。
前記真空ポンプ56を作動させることにより、チャンバー51の内部を真空状態に保つ。樹脂基板8に蒸着層を形成する際のチャンバー51内の圧力は。0.01Pa〜0.1Paの範囲内であり、好ましくは0.02Pa〜0.05Paである。
前記チャンバー51内の蒸着エリアにおいては、アーク放電プラズマ発生源52である圧力勾配型プラズマガンに、放電ガス供給装置55から放電ガスを導入し、一定電圧を印加して、プラズマを反射電極57に向かって照射する。プラズマビーム9の形状は、収束電極581,582,583,584によって所要の形状になるよう制御される。アーク放電プラズマの出力は、例えば、1〜10kWである。また、チャンバー51内に、反応ガス供給装置54から反応ガスを導入する。また、蒸着源53に入れた材料に、例えば、電子ビーム531を照射し、前記材料を樹脂基板8に向かって蒸発させる。
前記反応ガスの導入と前記プラズマの発生は、同時に行ってもよいし、或いは、前記反応ガスの導入後に前記プラズマを発生させてもよいし、或いは、前記プラズマの発生後に反応ガスを導入してもよい。反応ガスは、透明ガスバリア層の形成時に蒸着エリア内に存在すればよい。
なお、予め蒸着源53と樹脂基板8の間に開閉シャッター(図示せず)を設けておき、材料の蒸発開始から蒸着速度が安定化するまで前記シャッターを閉じ、蒸着速度が安定した後、前記シャッターを開けて、樹脂基板8に材料を蒸着させることが好ましい。
前記材料の蒸着速度は、適宜設定でき、例えば、10〜300nm/分である。
前記チャンバー51内の蒸着エリアにおいては、アーク放電プラズマ発生源52である圧力勾配型プラズマガンに、放電ガス供給装置55から放電ガスを導入し、一定電圧を印加して、プラズマを反射電極57に向かって照射する。プラズマビーム9の形状は、収束電極581,582,583,584によって所要の形状になるよう制御される。アーク放電プラズマの出力は、例えば、1〜10kWである。また、チャンバー51内に、反応ガス供給装置54から反応ガスを導入する。また、蒸着源53に入れた材料に、例えば、電子ビーム531を照射し、前記材料を樹脂基板8に向かって蒸発させる。
前記反応ガスの導入と前記プラズマの発生は、同時に行ってもよいし、或いは、前記反応ガスの導入後に前記プラズマを発生させてもよいし、或いは、前記プラズマの発生後に反応ガスを導入してもよい。反応ガスは、透明ガスバリア層の形成時に蒸着エリア内に存在すればよい。
なお、予め蒸着源53と樹脂基板8の間に開閉シャッター(図示せず)を設けておき、材料の蒸発開始から蒸着速度が安定化するまで前記シャッターを閉じ、蒸着速度が安定した後、前記シャッターを開けて、樹脂基板8に材料を蒸着させることが好ましい。
前記材料の蒸着速度は、適宜設定でき、例えば、10〜300nm/分である。
他方、上流側のロール81から長尺帯状の樹脂基板8を引き出し、それを前記チャンバー51内に導く。なお、図示例では、ロール81,82は、チャンバー51の外部に配置されているが、チャンバー51内の非蒸着エリアに配置してもよい。
長尺帯状の樹脂基板8の短手方向の長さは、特に限定されず、適宜設定でき、例えば、数mm〜1000mmであり、好ましくは、数mm〜50mmである。
例えば、有機ELデバイスの支持基板として用いられる透明ガスバリアフィルムを製造する場合には、樹脂基板8の短手方向の長さは、例えば数mm〜100mm、好ましくは数mm〜50mm程度に設定される。
長尺帯状の樹脂基板8の短手方向の長さは、特に限定されず、適宜設定でき、例えば、数mm〜1000mmであり、好ましくは、数mm〜50mmである。
例えば、有機ELデバイスの支持基板として用いられる透明ガスバリアフィルムを製造する場合には、樹脂基板8の短手方向の長さは、例えば数mm〜100mm、好ましくは数mm〜50mm程度に設定される。
前記樹脂基板8を搬送装置7のガイドローラ71に巻き回し、樹脂基板8を螺旋軌跡を描くように送って蒸着エリアと非蒸着エリアを交互に通過させる。
樹脂基板8の搬送速度は、蒸着速度及び形成される蒸着層の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、0.1〜20m/分である。
樹脂基板8の搬送速度は、蒸着速度及び形成される蒸着層の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、0.1〜20m/分である。
前記樹脂基板8が順次蒸着エリアを通過する際(つまり、樹脂基板8がガイドローラ71の下部を通る際)、樹脂基板8に材料が蒸着されていき、蒸着層が順次形成される。
上述のように、樹脂基板8は、蒸着エリアを通過する際にはY1側からY2側へと移動するので、樹脂基板8はプラズマ源52から遠ざかる。従って、蒸着エリアにおいて、樹脂基板8とプラズマ源52との間の距離が変化し(この場合、距離が大きくなる変化)、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層を複数形成できる。
蒸着エリアにおいて蒸着を促すため、樹脂基板8の表面温度は、例えば20℃〜200℃とされており、好ましくは80℃〜150℃とされる。
上述のように、樹脂基板8は、蒸着エリアを通過する際にはY1側からY2側へと移動するので、樹脂基板8はプラズマ源52から遠ざかる。従って、蒸着エリアにおいて、樹脂基板8とプラズマ源52との間の距離が変化し(この場合、距離が大きくなる変化)、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層を複数形成できる。
蒸着エリアにおいて蒸着を促すため、樹脂基板8の表面温度は、例えば20℃〜200℃とされており、好ましくは80℃〜150℃とされる。
具体的には、樹脂基板8がガイドローラ71の周面を通って蒸着エリアを通過した際には、樹脂基板8の表面に、材料が蒸着し、第1蒸着層が形成される。蒸着エリアにおいて、プラズマ源52から遠ざかるように樹脂基板8が送られる本実施形態においては、蒸着層に含まれる材料の密度は徐々に低くなる。従って、図8に示すように、樹脂基板8の表面側の密度が最も高く、且つ樹脂基板8から離れるに従って密度が低くなる第1蒸着層31が形成される。
第1蒸着層31が形成された樹脂基板8は、ガイドローラ71の上部周面を通って非蒸着エリアを通過した後、再び、ガイドローラ71の周面を通って、蒸着エリアに導かれる。その際、第1蒸着層31の表面に、材料が蒸着し、第2蒸着層32が形成される。第2蒸着層32も、第1蒸着層31と同様に、樹脂基板8から離れるに従って密度が連続的に低くなる。
以後同様に、図8に示すように、前記第2蒸着層32の表面に、密度が変化した第3蒸着層33が形成され、前記第3蒸着層33の表面に、密度が変化した第4蒸着層34が形成され、前記第4蒸着層34の表面に、密度が変化した第5蒸着層35が形成される。よって、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層31乃至35を複数(図示例では、5層)有する透明ガスバリア層を、樹脂基板8に形成できる。このように樹脂基板8が蒸着エリアを通過する毎に、蒸着層が形成されていく。従って、形成される蒸着層の数は、蒸着エリアを通過する回数と同じである。
第1蒸着層31が形成された樹脂基板8は、ガイドローラ71の上部周面を通って非蒸着エリアを通過した後、再び、ガイドローラ71の周面を通って、蒸着エリアに導かれる。その際、第1蒸着層31の表面に、材料が蒸着し、第2蒸着層32が形成される。第2蒸着層32も、第1蒸着層31と同様に、樹脂基板8から離れるに従って密度が連続的に低くなる。
以後同様に、図8に示すように、前記第2蒸着層32の表面に、密度が変化した第3蒸着層33が形成され、前記第3蒸着層33の表面に、密度が変化した第4蒸着層34が形成され、前記第4蒸着層34の表面に、密度が変化した第5蒸着層35が形成される。よって、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層31乃至35を複数(図示例では、5層)有する透明ガスバリア層を、樹脂基板8に形成できる。このように樹脂基板8が蒸着エリアを通過する毎に、蒸着層が形成されていく。従って、形成される蒸着層の数は、蒸着エリアを通過する回数と同じである。
本発明の製造装置及び製造方法によれば、ロールツーロール方式を用いて、長尺帯状の樹脂基板8に、連続的に複数の蒸着層を形成できるので、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリアフィルムを効率良く製造できる。かかる透明ガスバリアフィルムは、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有するので、ガスバリア性に優れ、内部応力が非常に低い。
特に、本実施形態の製造装置及び製造方法によれば、図3又は図4に示すように、略同じ密度分布及び密度勾配を有する複数の蒸着層を有する、透明ガスバリアフィルムを形成できる。
特に、本実施形態の製造装置及び製造方法によれば、図3又は図4に示すように、略同じ密度分布及び密度勾配を有する複数の蒸着層を有する、透明ガスバリアフィルムを形成できる。
なお、上記第1実施形態においては、図4に示すような、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に低くなる複数の蒸着層を形成できる装置及び方法を例示したが、図3に示すような、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に高くなる複数の蒸着層を形成することもできる。
このような蒸着層は、例えば、上記製造装置4Aを次の(1)又は(2)のように変更することにより得ることができる。
(1)樹脂基板の搬送方向を逆転させる。つまり、下流側のロール82から樹脂基板8を引き出し、搬送装置7にて蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に搬送し、上流側のロール81へ巻き取る。
(2)プラズマ源52の設置位置を変更する。つまり、Y2側に向かうに従いプラズマ密度が高く且つY1側に向かうに従いプラズマ密度が低くなるように、プラズマ源52の設置位置を変更する。
このような蒸着層は、例えば、上記製造装置4Aを次の(1)又は(2)のように変更することにより得ることができる。
(1)樹脂基板の搬送方向を逆転させる。つまり、下流側のロール82から樹脂基板8を引き出し、搬送装置7にて蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に搬送し、上流側のロール81へ巻き取る。
(2)プラズマ源52の設置位置を変更する。つまり、Y2側に向かうに従いプラズマ密度が高く且つY1側に向かうに従いプラズマ密度が低くなるように、プラズマ源52の設置位置を変更する。
[本発明の製造方法及び製造装置の第2実施形態]
第2実施形態の製造方法及び製造装置は、2つのガイドローラを用いて螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送ることにより、前記樹脂基板を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら、樹脂基板の表面に複数の蒸着層を積層していく態様である。
以下、第2実施形態を説明するが、第1実施形態と同様な構成は、それを説明したものとみなしてその説明を省略し、用語及び符号をそのまま援用する。
第2実施形態の製造方法及び製造装置は、2つのガイドローラを用いて螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送ることにより、前記樹脂基板を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら、樹脂基板の表面に複数の蒸着層を積層していく態様である。
以下、第2実施形態を説明するが、第1実施形態と同様な構成は、それを説明したものとみなしてその説明を省略し、用語及び符号をそのまま援用する。
図9は、X2側からX方向に第2実施形態の製造装置を見た正面図であり、図10は、Y1側からY方向に同製造装置を見た左側面図である。
この製造装置4Bは、上記第1実施形態と同様に、チャンバー51と、搬送装置7と、プラズマ源52と、反射電極57と、収束電極581,582,583,584と、蒸着源53と、反応ガス供給装置54と、放電ガス供給装置55と、真空ポンプ56と、を有する。
本実施形態の搬送装置6は、ロールツーロール方式にて長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に搬送する点で上記第1実施形態の搬送装置6と同様であるが、搬送機構が上記第1実施形態とは異なる。
この製造装置4Bは、上記第1実施形態と同様に、チャンバー51と、搬送装置7と、プラズマ源52と、反射電極57と、収束電極581,582,583,584と、蒸着源53と、反応ガス供給装置54と、放電ガス供給装置55と、真空ポンプ56と、を有する。
本実施形態の搬送装置6は、ロールツーロール方式にて長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に搬送する点で上記第1実施形態の搬送装置6と同様であるが、搬送機構が上記第1実施形態とは異なる。
具体的には、本実施形態では、搬送装置6は、長尺帯状の樹脂基板8を長手方向に送る複数のガイドローラ611,621を有する。蒸着エリアに樹脂基板8を導くため、前記複数のガイドローラのうちの幾つかは、蒸着エリアに設けられている。
搬送装置6は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置6としては、例えば、特許第4472962号に開示された装置などを利用できる。
その搬送装置6の基本構成は、図9及び図10に示すように、長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に送るように回転可能な、一対のガイドローラ611,612を複数組有する。
一対のガイドローラの一方は、蒸着エリアに配置され、その他方は、非蒸着エリアに配置されている。以下、蒸着エリアに配置されたガイドローラを、便宜上、「内ガイドローラ」といい、非蒸着エリアに配置されたガイドローラを、「外ガイドローラ」といい、複数のガイドローラを区別するため、第1、第2などの接頭語を付す。
図示例の製造装置4Bは、樹脂基板8に第1乃至第5蒸着層を積層することができる装置であり、その蒸着層の数と同じ内ガイドローラ(第1乃至第5内ガイドローラ611,612,613,614,615)が蒸着エリアに設けられている。
なお、蒸着エリアに設けられた内ガイドローラ611,…(第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615)は、その全体が蒸着エリア内に収められていてもよいし、図示したように、その一部分が蒸着エリアに含まれるように配置されていてもよい。
他方、外ガイドローラ621,…は、内ガイドローラ611よりもZ1側に配置されており、その数は、内ガイドローラ611よりも1つ少ない。
搬送装置6は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置6としては、例えば、特許第4472962号に開示された装置などを利用できる。
その搬送装置6の基本構成は、図9及び図10に示すように、長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に送るように回転可能な、一対のガイドローラ611,612を複数組有する。
一対のガイドローラの一方は、蒸着エリアに配置され、その他方は、非蒸着エリアに配置されている。以下、蒸着エリアに配置されたガイドローラを、便宜上、「内ガイドローラ」といい、非蒸着エリアに配置されたガイドローラを、「外ガイドローラ」といい、複数のガイドローラを区別するため、第1、第2などの接頭語を付す。
図示例の製造装置4Bは、樹脂基板8に第1乃至第5蒸着層を積層することができる装置であり、その蒸着層の数と同じ内ガイドローラ(第1乃至第5内ガイドローラ611,612,613,614,615)が蒸着エリアに設けられている。
なお、蒸着エリアに設けられた内ガイドローラ611,…(第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615)は、その全体が蒸着エリア内に収められていてもよいし、図示したように、その一部分が蒸着エリアに含まれるように配置されていてもよい。
他方、外ガイドローラ621,…は、内ガイドローラ611よりもZ1側に配置されており、その数は、内ガイドローラ611よりも1つ少ない。
第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615は、例えば、それぞれ同径同幅のローラを用いることができる。第1乃至第4外ガイドローラ621,622,623,624も、例えば、それぞれ同径同幅のローラを用いることができる。
第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615は、軸63に回転可能に取り付けられており、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624も軸64に回転可能に取り付けられている。これらの軸63,64の延びる方向(軸方向)は、いずれもX方向と平行である。従って、これらの軸63,64は、前記プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線の方向(Y方向)と直交するように配置されている。
第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615は、所要の間隔を開けて軸63に並列されており、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624も同様に、所要の間隔を開けて軸64に並列されている。装置を小型化できる上、密度分布及び密度勾配が比較的均一な複数の蒸着層を形成できることから、隣接する内ガイドローラ611の間隔は、出来るだけ小さいことが好ましい。
各ガイドローラに樹脂基板8を螺旋状に送るため、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624は、軸64に対して若干傾斜した状態でそれに回転可能に取り付けられている。
第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615は、軸63に回転可能に取り付けられており、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624も軸64に回転可能に取り付けられている。これらの軸63,64の延びる方向(軸方向)は、いずれもX方向と平行である。従って、これらの軸63,64は、前記プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分を結んだ仮想線の方向(Y方向)と直交するように配置されている。
第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615は、所要の間隔を開けて軸63に並列されており、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624も同様に、所要の間隔を開けて軸64に並列されている。装置を小型化できる上、密度分布及び密度勾配が比較的均一な複数の蒸着層を形成できることから、隣接する内ガイドローラ611の間隔は、出来るだけ小さいことが好ましい。
各ガイドローラに樹脂基板8を螺旋状に送るため、第1乃至第4外ガイドローラ621乃至624は、軸64に対して若干傾斜した状態でそれに回転可能に取り付けられている。
なお、第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615の近傍には、蒸着速度を計測及び制御するための水晶モニター59が設けられている。
また、必要に応じて、第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615に、温度制御手段(図示せず)を附属させてもよい。前記温度制御手段は、内ガイドローラ611の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
また、必要に応じて、第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615に、温度制御手段(図示せず)を附属させてもよい。前記温度制御手段は、内ガイドローラ611の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
上流側のロール81から引き出された長尺帯状の樹脂基板8は、Z1側からZ2側へ送られ、第1内ガイドローラ611の下部周面に巻かれた後、Z2側からZ1側へと送られ、第1外ガイドローラ621の上部周面に巻かれる。樹脂基板8が前記第1内ガイドローラ611の下部周面を通っているときには、その樹脂基板8は、Y1側からY2側(Y方向)に送られている。また、樹脂基板8が前記第1外ガイドローラ621の上部周面を通っているときには、その樹脂基板8は、Y2側からY1側(Y方向)に送られている。
そして、前記長尺帯状の樹脂基板8は、前記第1外ガイドローラ621の上部周面に巻かれた後、同様に、第2内ガイドローラ612、第2外ガイドローラ622、第3内ガイドローラ613、第3外ガイドローラ623、第4内ガイドローラ614、第4外ガイドローラ624、第5内ガイドローラ615に順に巻かれた後、Z2側からZ1側へと送られて、下流側のロール82に巻き取られる。
従って、前記樹脂基板8は、X1側から見て、全体的に時計回りに螺旋軌跡を描きながら送られていく。つまり、前記のように蒸着エリア及び非蒸着エリアに設けられた複数の内ガイドローラ611,…及び外ガイドローラ621,…を通じて、樹脂基板8は螺旋状に送られる。よって、搬送装置6は、樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
そして、前記長尺帯状の樹脂基板8は、前記第1外ガイドローラ621の上部周面に巻かれた後、同様に、第2内ガイドローラ612、第2外ガイドローラ622、第3内ガイドローラ613、第3外ガイドローラ623、第4内ガイドローラ614、第4外ガイドローラ624、第5内ガイドローラ615に順に巻かれた後、Z2側からZ1側へと送られて、下流側のロール82に巻き取られる。
従って、前記樹脂基板8は、X1側から見て、全体的に時計回りに螺旋軌跡を描きながら送られていく。つまり、前記のように蒸着エリア及び非蒸着エリアに設けられた複数の内ガイドローラ611,…及び外ガイドローラ621,…を通じて、樹脂基板8は螺旋状に送られる。よって、搬送装置6は、樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
ただし、前記樹脂基板8が蒸着エリアを通過する際には、図9に示すように、樹脂基板8は、Y方向(Y1側からY2側)に送られる。Y1側にプラズマ源52が配置されている本実施形態の製造装置4Bにおいては、蒸着エリアを通過させる際、プラズマ源52から離れるように樹脂基板8を送るようになっている。
次に、透明ガスバリアフィルムを製造する方法について説明する。以下の説明においては、図9及び図10に示す製造装置4Bを用いて透明ガスバリアフィルムを製造する方法を説明するが、本発明の製造方法は、この製造装置4Bを用いて実施する場合に限定されるものではない。
上記第1実施形態と同様に、チャンバー51内の蒸着エリアを、材料が被着体に蒸着できる状態にしておく。
他方、上流側のロール81から長尺帯状の樹脂基板8を引き出し、それを前記チャンバー51内に導く。なお、図示例では、ロール81,82は、チャンバー51の外部に配置されているが、チャンバー51内の非蒸着エリアに配置してもよい。
前記樹脂基板8を搬送装置6の各ガイドローラ611,621に巻き回し、樹脂基板8を螺旋軌跡を描くように送って蒸着エリアと非蒸着エリアを交互に通過させる。
樹脂基板8の搬送速度は、蒸着速度及び形成される蒸着層の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、0.1〜20m/分である。
前記樹脂基板8を搬送装置6の各ガイドローラ611,621に巻き回し、樹脂基板8を螺旋軌跡を描くように送って蒸着エリアと非蒸着エリアを交互に通過させる。
樹脂基板8の搬送速度は、蒸着速度及び形成される蒸着層の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、0.1〜20m/分である。
前記樹脂基板8が順次蒸着エリアを通過する際(つまり、樹脂基板8が第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615の下部を通る際)、樹脂基板8に材料が蒸着されていき、蒸着層が順次形成される。
上述のように、樹脂基板8は、蒸着エリアを通過する際にはY1側からY2側へと移動するので、樹脂基板8はプラズマ源52から遠ざかる。従って、蒸着エリアにおいて、樹脂基板8とプラズマ源52との間の距離が変化し(この場合、距離が大きくなる変化)、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層を複数形成できる。
蒸着エリアにおいて蒸着を促すため、樹脂基板8の表面温度は、例えば20℃〜200℃とされており、好ましくは80℃〜150℃とされる。
上述のように、樹脂基板8は、蒸着エリアを通過する際にはY1側からY2側へと移動するので、樹脂基板8はプラズマ源52から遠ざかる。従って、蒸着エリアにおいて、樹脂基板8とプラズマ源52との間の距離が変化し(この場合、距離が大きくなる変化)、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層を複数形成できる。
蒸着エリアにおいて蒸着を促すため、樹脂基板8の表面温度は、例えば20℃〜200℃とされており、好ましくは80℃〜150℃とされる。
具体的には、樹脂基板8が第1内ガイドローラ611の周面を通って蒸着エリアを通過した際には、樹脂基板8の表面に、材料が蒸着し、第1蒸着層が形成される。蒸着エリアにおいて、プラズマ源52から遠ざかるように樹脂基板8が送られる本実施形態においては、蒸着層に含まれる材料の密度は徐々に低くなる。従って、図8に示すように、樹脂基板8の表面側の密度が最も高く、且つ樹脂基板8から離れるに従って密度が低くなる第1蒸着層31が形成される。
以後同様に、前記第1蒸着層31の表面に、密度が変化した第2蒸着層32乃至第5蒸着層35が順次形成される。よって、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層31乃至35を複数有する透明ガスバリア層を、樹脂基板8に形成できる。このように樹脂基板8が蒸着エリアを通過する毎に、蒸着層が形成されていく。本実施形態で例示の製造装置を用いた場合には、形成される蒸着数の数は、内ガイドローラの数と同じである。
以後同様に、前記第1蒸着層31の表面に、密度が変化した第2蒸着層32乃至第5蒸着層35が順次形成される。よって、厚み方向に密度が連続的に変化する蒸着層31乃至35を複数有する透明ガスバリア層を、樹脂基板8に形成できる。このように樹脂基板8が蒸着エリアを通過する毎に、蒸着層が形成されていく。本実施形態で例示の製造装置を用いた場合には、形成される蒸着数の数は、内ガイドローラの数と同じである。
本実施形態の製造装置及び製造方法も、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリアフィルムを効率良く製造できる。
なお、上記第2実施形態においては、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に低くなる複数の蒸着層を形成する装置及び方法を例示したが、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に高くなる複数の蒸着層を形成することもできる。
このような蒸着層は、例えば、第1実施形態で説明した(1)又は(2)のように変更すればよい。
なお、上記第2実施形態においては、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に低くなる複数の蒸着層を形成する装置及び方法を例示したが、樹脂基板8の表面から離れるに従って密度が連続的に高くなる複数の蒸着層を形成することもできる。
このような蒸着層は、例えば、第1実施形態で説明した(1)又は(2)のように変更すればよい。
また、上記第2実施形態において、同径の複数の内ガイドローラ611を用いているが、一部の内ガイドローラとして径の異なるローラ(図示せず)を用いることもできる。一例を挙げれば、第1乃至第3内ガイドローラ611,612,613として小径のガイドローラをそれぞれ用い、第4及び第5内ガイドローラ614,615として大径のガイドローラをそれぞれ用いる。この場合、樹脂基板が大径の内ガイドローラの下部周面を通るときと、樹脂基板が小径の内ガイドローラの下部周面を通るときを比較すると、大径の内ガイドローラの下部周面を通るときに、樹脂基板8が蒸着エリアを長く通過するので、厚みの大きい蒸着層を形成できる。
1 透明ガスバリアフィルム
2 樹脂基板
3 透明ガスバリア層
31乃至35 第1乃至第5蒸着層
4A,4B 透明ガスバリアフィルムの製造装置
51 チャンバー
52 プラズマ源
53 蒸着源
54 反応ガス供給装置
6,7 搬送装置
611,621,71 ガイドローラ
2 樹脂基板
3 透明ガスバリア層
31乃至35 第1乃至第5蒸着層
4A,4B 透明ガスバリアフィルムの製造装置
51 チャンバー
52 プラズマ源
53 蒸着源
54 反応ガス供給装置
6,7 搬送装置
611,621,71 ガイドローラ
図9は、X2側からX方向に第2実施形態の製造装置を見た正面図であり、図10は、Y1側からY方向に同製造装置を見た左側面図である。
この製造装置4Bは、上記第1実施形態と同様に、チャンバー51と、搬送装置6と、プラズマ源52と、反射電極57と、収束電極581,582,583,584と、蒸着源53と、反応ガス供給装置54と、放電ガス供給装置55と、真空ポンプ56と、を有する。
本実施形態の搬送装置6は、ロールツーロール方式にて長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に搬送する点で上記第1実施形態の搬送装置7と同様であるが、搬送機構が上記第1実施形態とは異なる。
この製造装置4Bは、上記第1実施形態と同様に、チャンバー51と、搬送装置6と、プラズマ源52と、反射電極57と、収束電極581,582,583,584と、蒸着源53と、反応ガス供給装置54と、放電ガス供給装置55と、真空ポンプ56と、を有する。
本実施形態の搬送装置6は、ロールツーロール方式にて長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に搬送する点で上記第1実施形態の搬送装置7と同様であるが、搬送機構が上記第1実施形態とは異なる。
具体的には、本実施形態では、搬送装置6は、長尺帯状の樹脂基板8を長手方向に送る複数のガイドローラ611,621を有する。蒸着エリアに樹脂基板8を導くため、前記複数のガイドローラのうちの幾つかは、蒸着エリアに設けられている。
搬送装置6は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置6としては、例えば、特許第4472962号に開示された装置などを利用できる。
その搬送装置6の基本構成は、図9及び図10に示すように、長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に送るように回転可能な、一対のガイドローラ611,621を複数組有する。
一対のガイドローラの一方は、蒸着エリアに配置され、その他方は、非蒸着エリアに配置されている。以下、蒸着エリアに配置されたガイドローラを、便宜上、「内ガイドローラ」といい、非蒸着エリアに配置されたガイドローラを、「外ガイドローラ」といい、複数のガイドローラを区別するため、第1、第2などの接頭語を付す。
図示例の製造装置4Bは、樹脂基板8に第1乃至第5蒸着層を積層することができる装置であり、その蒸着層の数と同じ内ガイドローラ(第1乃至第5内ガイドローラ611,612,613,614,615)が蒸着エリアに設けられている。
なお、蒸着エリアに設けられた内ガイドローラ611,…(第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615)は、その全体が蒸着エリア内に収められていてもよいし、図示したように、その一部分が蒸着エリアに含まれるように配置されていてもよい。
他方、外ガイドローラ621,…は、内ガイドローラ611よりもZ1側に配置されており、その数は、内ガイドローラ611よりも1つ少ない。
搬送装置6は、前記樹脂基板8を螺旋状に搬送し、その樹脂基板8を蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に導いていく。
このような螺旋状に搬送する搬送装置6としては、例えば、特許第4472962号に開示された装置などを利用できる。
その搬送装置6の基本構成は、図9及び図10に示すように、長尺帯状の樹脂基板8をその長手方向に送るように回転可能な、一対のガイドローラ611,621を複数組有する。
一対のガイドローラの一方は、蒸着エリアに配置され、その他方は、非蒸着エリアに配置されている。以下、蒸着エリアに配置されたガイドローラを、便宜上、「内ガイドローラ」といい、非蒸着エリアに配置されたガイドローラを、「外ガイドローラ」といい、複数のガイドローラを区別するため、第1、第2などの接頭語を付す。
図示例の製造装置4Bは、樹脂基板8に第1乃至第5蒸着層を積層することができる装置であり、その蒸着層の数と同じ内ガイドローラ(第1乃至第5内ガイドローラ611,612,613,614,615)が蒸着エリアに設けられている。
なお、蒸着エリアに設けられた内ガイドローラ611,…(第1乃至第5内ガイドローラ611乃至615)は、その全体が蒸着エリア内に収められていてもよいし、図示したように、その一部分が蒸着エリアに含まれるように配置されていてもよい。
他方、外ガイドローラ621,…は、内ガイドローラ611よりもZ1側に配置されており、その数は、内ガイドローラ611よりも1つ少ない。
Claims (10)
- プラズマを発生させることにより金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を蒸着させる蒸着エリアと、前記材料を蒸着させない非蒸着エリアと、に長尺帯状の樹脂基板を交互に通過させ、前記長尺帯状の樹脂基板に複数の層を蒸着する工程を有し、
前記蒸着エリアにおいて、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を変化させることにより、厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を前記樹脂基板に形成する、
ロールツーロール方式を用いた透明ガスバリアフィルムの製造方法。 - 前記距離の変化が、前記樹脂基板とプラズマ源との距離を大きくする変化及び前記樹脂基板とプラズマ源との距離を小さくする変化の少なくとも何れか一方である、請求項1に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。
- 前記密度が連続的に変化する層が、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。
- 厚み方向に密度が連続的に変化する層を複数有する透明ガスバリア層を有する透明ガスバリアフィルムの製造装置であって、
蒸着エリア及び非蒸着エリアを有するチャンバーと、プラズマを発生するプラズマ源と、金属及び半金属の少なくとも1種を含む材料を含む蒸着源と、長尺帯状の樹脂基板を送る搬送装置と、を有し、
前記搬送装置が、前記樹脂基板を前記蒸着エリアと非蒸着エリアに交互に通過させ、前記樹脂基板を蒸着エリアに通過させる際に、前記プラズマ源から離れる又は近づくように前記樹脂基板を送るように構成されている、透明ガスバリアフィルムの製造装置。 - 前記搬送装置が、螺旋状の搬送軌跡を描くように長尺帯状の樹脂基板を送るように構成されている、請求項4に記載の透明ガスバリアフィルムの製造装置。
- 前記蒸着エリアには、前記プラズマ源のプラズマ照射により、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在し、
前記搬送装置が、前記長尺帯状の樹脂基板を螺旋状に巻き付ける1つのガイドローラを有し、
前記ガイドローラは、その軸が前記プラズマ密度の最も高い部分と最も低い部分を結んだ仮想線に対して直交する方向に配置されている、請求項4又は5に記載の透明ガスバリアフィルムの製造装置。 - 前記蒸着エリアには、前記プラズマ源のプラズマ照射により、プラズマ密度が最も高い部分とプラズマ密度が最も低い部分が存在し、
前記搬送装置が、前記長尺帯状の樹脂基板を長手方向に送る複数のガイドローラを有し、
前記ガイドローラのうち少なくとも前記蒸着エリアに設けられたガイドローラは、その軸が前記プラズマ密度の最も高い部分と最も低い部分を結んだ仮想線に対して直交する方向に配置されている、請求項4又は5に記載の透明ガスバリアフィルムの製造装置。 - 前記チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置をさらに有する、請求項4乃至7の何れか一項に記載の透明ガスバリアフィルムの製造装置。
- 支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、を有し、前記支持基板が、請求項1乃至3の何れかに記載の製造方法により得られる透明ガスバリアフィルムである有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ第1電極層、発光層を含む有機層及び第2電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層を封止する封止部材と、を有し、前記封止部材が、請求項1乃至3の何れかに記載の製造方法により得られる透明ガスバリアフィルムである有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013023298A JP2014154361A (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、透明ガスバリアフィルムの製造装置、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
US14/395,871 US20150333289A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-01-22 | Method for producing transparent gas barrier film, apparatus for producing transparent gas barrier film, and organic electroluminescence device |
PCT/JP2014/051187 WO2014122987A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-01-22 | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、透明ガスバリアフィルムの製造装置、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
KR1020147027847A KR20150116765A (ko) | 2013-02-08 | 2014-01-22 | 투명 가스 배리어 필름의 제조 방법, 투명 가스 배리어 필름의 제조 장치 및 유기 일렉트로루미네센스 디바이스 |
EP14749069.2A EP2955245A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-01-22 | Method for producing transparent gas-barrier film, device for producing transparent gas-barrier film, and organic electroluminescence device |
CN201480001509.6A CN104364415A (zh) | 2013-02-08 | 2014-01-22 | 透明阻气膜的制造方法、透明阻气膜的制造装置以及有机电致发光器件 |
TW103104050A TW201441394A (zh) | 2013-02-08 | 2014-02-07 | 透明氣體障蔽薄膜之製造方法、透明氣體障蔽薄膜之製造裝置、及有機電致發光元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013023298A JP2014154361A (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、透明ガスバリアフィルムの製造装置、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154361A true JP2014154361A (ja) | 2014-08-25 |
Family
ID=51299584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013023298A Withdrawn JP2014154361A (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、透明ガスバリアフィルムの製造装置、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150333289A1 (ja) |
EP (1) | EP2955245A1 (ja) |
JP (1) | JP2014154361A (ja) |
KR (1) | KR20150116765A (ja) |
CN (1) | CN104364415A (ja) |
TW (1) | TW201441394A (ja) |
WO (1) | WO2014122987A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016094629A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 東レエンジニアリング株式会社 | 基材搬送処理装置 |
JP2017084846A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-05-18 | Nltテクノロジー株式会社 | 薄膜デバイスとその製造方法 |
JP2019515430A (ja) * | 2016-04-25 | 2019-06-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | バッテリ用途のセパレータ製作のための方法及び装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI501873B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-10-01 | Nitto Denko Corp | Transparent gas barrier film, transparent gas barrier film manufacturing method, organic EL element, solar cell and thin film battery |
JP2014152362A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、及び透明ガスバリアフィルムの製造装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6083628A (en) | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
JPH08164595A (ja) | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透明積層フィルム |
JP2004151528A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Bridgestone Corp | 薄膜表示素子保護用バリヤー膜 |
JP4472962B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-06-02 | ヒラノ光音株式会社 | 表面処理装置 |
WO2006033233A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明ガスバリア性フィルム |
JP4954574B2 (ja) | 2006-03-02 | 2012-06-20 | 日東電工株式会社 | 透明ガスバリア性フィルムの製造方法および透明ガスバリア性フィルムの製造装置 |
JP4941149B2 (ja) | 2007-07-23 | 2012-05-30 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
JP2009209438A (ja) | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Panasonic Corp | 薄膜形成装置 |
JP5780154B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2015-09-16 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜を有する基材の製造方法 |
EP2360293A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
JP5828895B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2015-12-09 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシーLotus Applied Technology, Llc | ロール・ツー・ロール薄膜堆積用の可撓性ウェブ基板の片面接触式基板輸送機構 |
JP5544271B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2014-07-09 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体薄膜の成膜方法および成膜装置 |
-
2013
- 2013-02-08 JP JP2013023298A patent/JP2014154361A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-01-22 US US14/395,871 patent/US20150333289A1/en not_active Abandoned
- 2014-01-22 EP EP14749069.2A patent/EP2955245A1/en not_active Withdrawn
- 2014-01-22 CN CN201480001509.6A patent/CN104364415A/zh not_active Withdrawn
- 2014-01-22 WO PCT/JP2014/051187 patent/WO2014122987A1/ja active Application Filing
- 2014-01-22 KR KR1020147027847A patent/KR20150116765A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-02-07 TW TW103104050A patent/TW201441394A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014122987A1 (ja) | 2014-08-14 |
TW201441394A (zh) | 2014-11-01 |
CN104364415A (zh) | 2015-02-18 |
US20150333289A1 (en) | 2015-11-19 |
KR20150116765A (ko) | 2015-10-16 |
EP2955245A1 (en) | 2015-12-16 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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