JP2014154229A - ガスロック装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】効率的なガスロック装置を提供する。
【解決手段】ガスロック装置は、貫通部２ａ₁、及び表面２ｂと貫通部２ａ₁を連結する連結孔２ｃ、を含む一つのチャンバ２と、チャンバ２に取り付けられ、貫通部２ａ₁を塞ぐ少なくとも一つの光学素子７４と、少なくとも一つのガス供給装置５２と、一方が少なくとも一つのガス供給装置５２に取り付けられ、他方がチャンバ２に取り付けられ、連結孔２ｃと連通する流路を画定する管と、を含んでもよい。
【選択図】図４

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するチャンバに設置されたガスロック装置に関する。さらに、本開示は、そのようなガスロック装置を用いた極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置と、の３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書

概要

ガスロック装置は、
貫通部、及び表面と前記貫通部を連結する連結孔、を含む一つのチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
少なくとも一つのガス供給装置と、
一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記チャンバに取り付けられ、前記連結孔と連通する流路を画定する管と、
を含んでもよい。

ガスロック装置は、
貫通部を含む一つのチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記光学素子に対して間隙が形成される第１筒部材と、
前記第１筒部材の外径よりも大きい内径を備え、少なくとも一部が前記貫通部内で前記第１筒部材の外周側に設置される第２筒部材と、
少なくとも一つのガス供給装置と、
一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記第２筒部材に取り付けられ、前記第１筒部材と前記第２筒部材の間隙と連通する流路を画定する管と、
を含んでもよい。

ガスロック装置は、
貫通部を含む一つのチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記貫通部内で開口が形成される第１筒部材と、
前記第１筒部材の外径よりも大きい内径を備え、少なくとも一部が前記貫通部内で前記第１筒部材の外周側に設置される第２筒部材と、
少なくとも一つのガス供給装置と、
一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記第２筒部材に取り付けられ、前記第１筒部材と前記第２筒部材の間隙と連通する流路を画定する管と、
を含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の概略的な構成を示す。 図２は、一実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を示す図である。 図３は、参考例を用いてガスロック装置の課題を説明するための図である。 図４は、第１実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図５は、第２実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図６は、図５のVI−VI断面を示す図である。 図７は、第３実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図８は、図７のVIII−VIII断面を示す図である。 図９は、第４実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１０は、第５実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１１は、第６実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１２は、図１１のXII−XII断面を示す図である。 図１３は、第７実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１４は、第８実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１５は、第９実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。 図１６は、ＥＵＶ光生成装置の他の実施形態を示す平面図である。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ガスロック装置を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．ガスロック装置の構造
５．１ 第１の実施形態
５．１．１ 構成
５．１．２ 動作
５．１．３ 作用
５．２ 第２の実施形態
５．２．１ 構成
５．２．２ 動作
５．２．３ 作用
５．３ 第３の実施形態
５．３．１ 構成
５．３．２ 動作
５．３．３ 作用
５．４ 第４の実施形態
５．４．１ 構成
５．４．２ 動作
５．４．３ 作用
５．５ 第５の実施形態
５．５．１ 構成
５．５．２ 動作
５．５．３ 作用
５．６ 第６の実施形態
５．６．１ 構成
５．６．２ 動作
５．６．３ 作用
５．７ 第７の実施形態
５．７．１ 構成
５．７．２ 動作
５．７．３ 作用
５．８ 第８の実施形態
５．８．１ 構成
５．８．２ 動作
５．８．３ 作用
５．９ 第９の実施形態
５．９．１ 構成
５．９．２ 動作
５．９．３ 作用
６．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置のノズル孔から、ターゲット物質のドロップレットがチャンバ内に出力されてもよい。ドロップレットが所望のタイミングでチャンバ内のプラズマ生成領域に到達するように、ターゲット供給装置が制御されてもよい。ドロップレットがプラズマ生成領域に到達する時点で、パルスレーザ光がドロップレットに照射されることで、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射されてもよい。

パルスレーザ光が照射されたターゲットがプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成される際、スズ等のターゲットは、プラズマの膨張圧力による衝撃により拡散してもよい。衝撃により拡散したそれぞれのターゲットはチャンバ内に微細な汚染物質のデブリとなって拡散してもよい。拡散したデブリは、チャンバに設けられた光学素子に到達するおそれがあってもよい。光学素子に到達したデブリは、表面に堆積し、供給された水素ガスと反応してスタナンガスを生成することで除去可能であってもよい。しかし、水素ガスの供給方法によっては、光学素子の表面に効果的に水素ガスを供給することが困難な場合があり得た。このため、水素ガスの供給機構が大型であったり、水素ガスの使用量が多かったりし得た。

そこで、本実施形態のガスロック装置は、貫通部、及び表面と貫通部を連結する連結孔、を含む一つのチャンバと、チャンバに取り付けられ、貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、少なくとも一つのガス供給装置と、一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方がチャンバに取り付けられ、連結孔と連通する流路を画定する管とを含んでもよい。

また、本実施形態のガスロック装置は、貫通部を含む一つのチャンバと、チャンバに取り付けられ、貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、少なくとも一部が貫通部内に設置され、光学素子に対して間隙が形成される第１筒部材と、第１筒部材の外径よりも大きい内径を備え、少なくとも一部が貫通部内で第１筒部材の外周側に設置される第２筒部材と、少なくとも一つのガス供給装置と、一方が少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が第２筒部材に取り付けられ、第１筒部材と第２筒部材の間隙と連通する流路を画定する管とを含んでもよい。

このような構成により、本実施形態では、小型で、ランニングコストが少ないガスロック装置を提供してもよい。

２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうちプラズマ化されなかったもの及びプラズマから放出されるイオン粒子や中性粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。

３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１０と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置（例えばドロップレット発生器４１）を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁に取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ（Ｓｎ）、若しくはスズ（Ｓｎ）に、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれかを組み合わせたものでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通部が設けられてもよい。その貫通部をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。貫通部には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ９４が設けられてもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム１１を含むことができる。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４２を含むことができる。ターゲットセンサ４２は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を有していてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置してもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収器２８などを含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経てパルスレーザ光３２としてウィンドウ９４を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ドロップレット発生器４１は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が生成される。放射光２５１にはＥＵＶ光が含まれていてもよい。放射光２５１に含まれる光の内ＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されるとともに集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３に反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム１１は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム１１は、ターゲットセンサ４２によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム１１は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御およびターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御システム１１は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。

４．ガス供給システム５を含むＥＵＶ光生成装置１
４．１ 構成
次に、ガス供給システム５を含むＥＵＶ光生成装置１について説明する。

図２は、一実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１を示す図である。

図２に示すように、本実施形態によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ装置３と、ターゲット制御システム４と、ガス供給システム５と、レーザ集光部９と、プラズマセンサ２６と、ビームデリバリーシステム３６と、を含んでもよい。ビームデリバリーシステム３６は、第１デリバリーミラー３６ａ及び第２デリバリーミラー３６ｂを含んでもよい。プラズマセンサ２６は、ＥＵＶ光生成制御システム１１に接続されていてもよい。

ターゲット制御システム４は、ドロップレット発生器４１と、ターゲットセンサ４２と、ターゲット制御装置４５と、を含んでもよい。

ドロップレット発生器４１、ターゲットセンサ４２は、チャンバ２に設置されてもよい。ターゲットセンサ４２は、発光部７と、受光部８とを含んでもよい。発光部７と受光部８は、ドロップレット発生器４１から落下するターゲット２７の落下軌道を挟んで反対側に対向して設置されてもよい。ドロップレット発生器４１は、図１の実施形態と同様でよい。

ガス供給システム５は、圧力センサ５１と、ガス供給装置５２と、排気装置５３と、ガス制御装置５５と、管１００と、を含んでもよい。

圧力センサ５１及び排気装置５３は、チャンバ２に設置されてもよい。ガス供給装置５２は、水素ガスを含むガスを供給する装置であって、管１００に連結されてもよい。管１００は、発光部７、受光部８、レーザ集光部９、及びプラズマセンサ２６に連結されてもよい。

４．２ 動作
次に、ガス供給システム５を含むＥＵＶ光生成装置１０の動作について説明する。

ＥＵＶ光生成制御システム１１は、ガス制御装置５５に制御信号を送信してもよい。ガス制御装置５５は、圧力センサ５１の検出値に基づいて、チャンバ２内の圧力が、例えば、数Ｐａ〜数百Ｐａの所定の値となるように、ガス供給装置５２が供給するガスの量と排気装置５３が排気するガスの量のうち、少なくとも１つを制御してもよい。ガス供給装置５２から供給される水素ガスを含むガスは、管１００を通過して、発光部７、受光部８、レーザ集光部９、及びプラズマセンサ２６に供給されてもよい。ガス制御装置５５は、圧力センサ５１の検出値が所定の値となった際に、ＥＵＶ光生成制御システム１１に信号を送信してもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム１１は、ガス制御装置５５から圧力センサ５１の検出値が所定の値となった信号を受信した後、ターゲット２７を出力する信号をターゲット制御装置４５に送信してもよい。ターゲット制御装置４５は、ＥＵＶ光生成制御システム１１から送信された信号に基づいて、ドロップレット発生器４１からターゲット２７を出力させてもよい。

発光部７はターゲット２７の軌道上に光を出力してよく、この光によるターゲット２７の影または反射光が受光部８に検知されてもよい。受光部８は、発光部７が出力した光に基づいて、ドロップレット発生器４１から出力されたターゲット２７を検出してもよい。受光部８は、ターゲット制御装置４５に検出値を送信してもよい。ターゲット制御装置４５は、受光部８が検出した検出値からターゲット２７の軌道を演算してもよい。ターゲット制御装置４５は、ターゲット２７の軌道があらかじめ定めた範囲内の所望の軌道となるように、ドロップレット発生器４１に制御信号を送信してもよい。ドロップレット発生器４１は、ターゲット制御装置４５から送信された制御信号に基づき、たとえば、ドロップレット発生器４１を支持する２軸ステージをフィードバック制御することにより、ターゲット２７の軌道を修正してもよい。

ターゲット制御装置４５は、ターゲット２７の軌道があらかじめ定めた範囲内に安定した場合に、ドロップレット発生器４１が出力するターゲット２７の出力信号に同期して、所定時間遅延したトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。または、ターゲット制御装置４５は、ドロップレット発生器４１が出力するターゲット２７の出力信号をＥＵＶ光生成制御システム１１に送信してもよく、その場合ＥＵＶ光生成制御システム１１がトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。トリガ信号の遅延時間は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達した時にパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されるように設定してもよい。

図２を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３６を介して進行方向が制御されたパルスレーザ光３２としてレーザ集光部９に入射してもよい。ビームデリバリーシステム３６の第１デリバリーミラー３６ａ及び第２デリバリーミラー３６ｂの角度は、図１に示したレーザ光進行方向制御装置３４により制御されてもよい。それにより、パルスレーザ光３１の進行方向が制御されてもよい。パルスレーザ光３２は、レーザ集光部９を経てチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

プラズマセンサ２６は、パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されることで生成するプラズマから放射する光を検出してよく、検出結果をＥＵＶ光生成制御システム１１に送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム１１はプラズマセンサ２６による検出結果を基づいて、レーザ装置を介してレーザ光進行方向制御装置３４にレーザ光進行方向制御信号を送信してもよい。レーザ光進行方向制御装置３４はレーザ光進行方向制御信号に基づいて第１デリバリーミラー３６ａ及び第２デリバリーミラー３６ｂの角度を調整してもよい。

４．３ 課題
図３は、参考例を用いてガスロック装置の課題を説明するための図である。図３に示す参考例は、発光部１７０とその付近を例としてもよい。発光部１７０は、図２の発光部７の比較対象例であってもよい。

発光部１７０は、ホルダ１７１と、光源１７２と、集光光学系１７３と、ウィンドウ１７４と、フランジ１７５と、筒部材１７６と、を含んでもよい。

ホルダ１７１は、光源ホルダ１７１ａとウィンドウホルダ１７１ｂとを含んでもよい。光源ホルダ１７１ａは、光源１７２及び集光光学系１７３を保持してもよい。ウィンドウホルダ１７１ｂは、ウィンドウ１７４をチャンバ１２０に取り付けるものであってもよい。フランジ１７５は、筒部材１７６をチャンバ１２０に取り付けてもよい。筒部材１７６は、チャンバ１２０内側のウィンドウ１７４に隣接した部分に設けられてもよい。管１００は、筒部材１７６に連結されてもよい。ウィンドウ１７４とチャンバ１２０の間には、第１Ｏリング１２１が設置されてもよい。チャンバ１２０と筒部材１７６の間には、第２Ｏリング１２２が設置されてもよい。

光源１７２が発光した光は、集光光学系１７３で集光されて、ウィンドウ１７４を透過し、ターゲット１２７の軌道を通過して、図示しない受光部に向かってもよい。管１００により流路１０１が画定されてもよい。流路１０１から供給される水素ガスを含むガスは、噴出部１０１ａから筒部材１７６の内側に噴き出してもよい。

第１の課題として、図３に示す参考例のように、噴出部１０１ａがウィンドウ１７４から離間していると、噴出したガスは、矢印で示すように筒部材１７６の先端１７６ａ側に流れるガスと、ウィンドウ１７４側に流れるガスに分かれてもよい。ウィンドウ１７４側に流れたガスは、排出される出口がなくよどんでしまう可能性があってもよい。したがって、噴出部１０１ａよりもウィンドウ１７４側にデブリ１２７ａが進入した場合、デブリ１２７ａをウィンドウ１７４から離間する方向に流すことが困難となる可能性があってもよい。

そこで、本実施形態は、デブリ１２７ａを的確に流動させるガスロック装置を提供してもよい。すなわち、本実施形態の噴出部１０１ａをウィンドウ１７４の近くに配置し、デブリ１２７ａをウィンドウ１７４から離間する方向に流動させることが可能であってもよい。

続いて、第２の課題について説明する。図３に示す参考例のように、ウィンドウ１７４に隣接して設けられた筒部材１７６は、デブリ１２７ａに対して障壁となってもよい。筒部材１７６は、壁となることで、デブリ１２７ａがウィンドウ１７４に到達するのを低減してもよい。加えて、噴出部１０１ａから供給される水素ガスを含むガスの一部は、筒部材１７６内側からウィンドウ１７４の反対側へ向かって流れてもよい。水素ガスを含むガスの流れによって、デブリ１２７ａが筒部材１７６の内側に進入し、ウィンドウ１７４に到達するのを低減してもよい。

ここで、デブリ１２７ａの拡散度をペクレ数によって表してもよい。ペクレ数は、以下の式（１）のように表してもよい。
Ｐｅ＝ｖＬ/Ｄｆ （１）
ただし、
Ｐｅは、ペクレ数、
ｖは、水素ガスを含むガスの流速（m/s）、
Ｄｆは、水素ガスを含むガス中におけるデブリ１２７ａの拡散係数、
Ｌは、供給流路１０１の噴出部１０１ａから筒部材１７６の先端１７６ａまでの距離、
である。

図３に示した参考例のように、筒部材１７６が円柱状の場合、ペクレ数は、以下の式（２）のように表してもよい。
Ｐｅ＝｛（Ｑ/Ｐ）（４/πＤ²）Ｌ｝/Ｄｆ （２）
ただし、
Ｑは、圧力当たりの筒部材１７５を通過する水素ガスを含むガス流量（Pa・m³/s）、
Ｐは、筒部材１７６内の圧力（Pa）、
Ｄは、筒部材１７６の内径（m）、
である。

水素ガスを含むガスを使用した場合にウィンドウ１７４に到達するデブリ１２７ａの量÷使用しない場合にウィンドウ１７４に到達するデブリ１２７ａの量をＲとすると、Ｒは以下の式（３）のように表す事ができてもよい。
Ｒ＝ＥＸＰ（Ｐｅ） （３）

式（３）から判断すると、デブリ１２７ａがウィンドウ１７４に到達することを低減するためには、ペクレ数を大きくすればよい。ペクレ数を大きくするには、式（２）から判断すると、以下の３つが考えられてもよい。
ａ．水素ガスを含むガス流量Ｑを多くしてもよい。
ｂ．水素ガスを含むガスの供給流路１０１の噴出部１０１ａから筒部材１７６の先端１７６ａまでの距離Ｌを長くしてもよい。
ｃ．筒部材１７６の内径Ｄを小さくしてもよい。

しかしながら、第２の課題として、それぞれ以下のペクレ数を大きくすることに伴う課題があってもよい。
ａ’．水素ガスを含むガスの流量Ｑを多くすると、ランニングコストが増加する可能性があってもよい。
ｂ’．筒部材１７６の長さを長くしすぎると、他の部材と干渉する可能性があってもよい。
ｃ’．筒部材１７６の内径Ｄを小さくしすぎると、光学素子を通過する光の光路と干渉する可能性があってもよい。

そこで、本実施形態は、小型で、ランニングコストが少ないガスロック装置を提供してもよい。すなわち、本実施形態のガスロック装置は、できる限り、水素ガスを含むガスの流量Ｑを少なく、筒部材１７６の長さを短く、筒部材１７６の内径Ｄを小さく形成しながら、デブリ１２７ａの拡散を少なくすることが可能であってもよい。

５．ガスロック装置の実施形態
５．１ 第１実施形態
次に、ガスロック装置の第１実施形態について説明する。

５．１．１ 構成
図４は、第１実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。第１実施形態のガスロック装置は、例えば、発光部７付近に用いてもよい。

図４に示すように、第１実施形態の発光部７は、ホルダ７１と、光源７２と、集光光学系７３と、ウィンドウ７４と、管２００と、オリフィス部２０２と、を含んでいてもよい。なお、ウィンドウ７４は、光学素子を構成してもよい。

管２００の内部を第１流路２０１としてもよい。チャンバ２は、内側の表面２ｂに形成された開口から貫通部２ａ₁に形成された開口へ連通する連結孔２ｃを含んでもよい。連結孔２ｃは、連結流路２０３を画定してもよい。連結孔２ｃが貫通部２ａ₁につながる部分を噴出部２０４と画定してもよい。貫通部２ａ₁の直径をＤ１、噴出部２０４からチャンバ２の内側の表面２ｂまでの距離をＬ１としてもよい。

ホルダ７１は、光源ホルダ７１ａと、ウィンドウホルダ７１ｂを含んでもよい。光源ホルダ７１ａは、光源７２及び集光光学系７３を保持してもよい。チャンバ２には、貫通部２ａ₁が設けられてもよい。ウィンドウ７４は、ウィンドウホルダ７１ｂによって、貫通部２ａ₁を塞ぐように、チャンバ２に取り付けられてもよい。ウィンドウ７４とチャンバ２の間には、Ｏリング２１が設置されてもよい。

管２００は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方をチャンバ２の連結孔２ｃに連結されてもよい。管２００と連結孔２ｃを連結することで、第１流路２０１、オリフィス部２０２、連結流路２０３、及び噴出部２０４をつなげた流路が画定されてもよい。

５．１．２ 動作
光源７２が発光した光の一部は、集光光学系７３で集光されて、ウィンドウ７４を透過し、ターゲット２７の軌道を通過して、図２における受光部８に入射してもよい。

オリフィス部２０２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって流路の径を制御されてもよい。第１流路２０１を流れる水素ガスは、ガス制御装置５５がオリフィス部２０２の径を制御することによって、流量を調節されてもよい。オリフィス部２０２で流量を調節された水素ガスを含むガスは、連結流路２０３を流れて、噴出部２０４からウィンドウ７４に向けて噴出され、貫通部２ａ₁に流入してもよい。

噴出部２０４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ７４にぶつかり、ウィンドウ７４の表面に沿って流れてもよい。ウィンドウ７４表面に沿って流れた水素ガスを含むガスは、貫通部２ａ₁内をウィンドウ７４から離間するように流れてもよい。水素ガスを含むガスは、層流として流れてもよい。

５．１．３ 作用
第１実施形態では、噴出部２０４をウィンドウ７４の近くに配置し、デブリをウィンドウ７４から離間する方向に的確に流動させることが可能であってもよい。

第１実施形態では、水素ガスを含むガスは、光学素子であるウィンドウ７４にぶつかり、ウィンドウ７４に沿って流れ、その後ウィンドウ７４から離間するように流れてもよい。その結果、デブリがウィンドウ７４に到達したとしても、ウィンドウ７４に到達したデブリは、水素ガスを含むガスの流れによってウィンドウ７４から除去され得る。

第１実施形態では、第１流路２０１を通過する水素ガスを含むガスは、オリフィス部２０２によって、状況に応じて流量を調節されてもよい。たとえば、デブリが多い場合に水素ガスを含むガスの流量を上げるようにしてもよい。あるいは、ＥＵＶ光生成装置１の期間稼動に応じて、第１流路２０１を通過する水素ガスを含むガスの流量を調整するようにしてもよい。このように、水素ガスを含むガスの流量を制御できるので、ガスを適量で使用でき、ランニングコストが低減されてもよい。

第１実施形態では、水素ガスを含むガスは、噴出部２０４からチャンバ２の貫通部２ａ₁に噴き出すので、チャンバ２の内側の表面２ｂからさらに内側に図３に示したような筒部材を設けなくてもよい。また、図３に示すような筒部材を用いなくても、噴出部２０４からチャンバ２の内側の表面２ｂまでの距離Ｌ１を確保することで、式（２）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ７４に到達することが低減されてもよい。

第１実施形態では、水素ガスを含むガスは、貫通部２ａ₁に沿って、層流として流し得る。このため、乱流によってデブリが貫通部２ａ₁内部に滞留し続ける状況を低減できてよい。

５．２ 第２実施形態
次に、ガスロック装置の第２実施形態について説明する。

５．２．１ 構成
図５は、第２実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。第２実施形態のガスロック装置は、例えば、発光部７付近に用いてもよい。

図５に示すように、第２実施形態の発光部７は、ホルダ７１と、光源７２と、集光光学系７３と、ウィンドウ７４と、フランジ７５と、筒部材７６と、管２１０と、オリフィス部２１２と、を含んでいてもよい。このうち、ホルダ７１、光源７２、集光光学系７３、及びウィンドウ７４は、第１実施形態と同様の構成なので、説明を省略する。なお、ウィンドウ７４は、光学素子を構成してもよい。

筒部材７６の外径は、チャンバ２の貫通部２ａ₁の径よりも小さくてもよい。管２１０の内部を第１流路２１１としてもよい。チャンバ２は、内側の表面２ｂに形成された開口から貫通部２ａ₁に形成された開口へ通じる連結孔２ｃを含んでもよい。連結孔２ｃは、連結流路２１３としてもよい。

筒部材７６の少なくとも一部は、貫通部２ａ₁内に設けられてもよい。筒部材７６は、フランジ７５を介してチャンバ２に取り付けられてもよい。フランジ７５とチャンバ２の間には、第２Ｏリング２２を設置してもよい。筒部材７６の一方の端部は、ウィンドウ７４に対して間隙が形成されるように設置してもよい。その間隙の大きさは、筒部材７６の周方向についてほぼ均一であってもよい。または、筒部材７６の一方の端部には、筒部材７６の周方向について等間隔に等しい大きさのスリットが複数設けられてもよい。この場合、スリット以外の部分はウィンドウ７４に接してもよいが僅な隙間を形成してもよい。あるいは、筒部材７６の端部付近に周方向について等間隔に等しい大きさの孔が複数設けられてもよい。この場合、筒部材７６の端部はウィンドウ７４に接してもよいが僅な隙間を形成してもよい。

管２１０は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方をチャンバ２の内側の表面２ｂの連結孔２ｃに連結するようにチャンバ２に接続されてもよい。チャンバ２の貫通部２ａ₁と筒部材７６との間隙によって、第２流路２１４が画定されてもよい。筒部材７６とウィンドウ７４との間に形成された間隙または複数のスリットまたは複数の孔によって、噴出部２１５が画定されてもよい。

管２１０、チャンバ２の連結孔２ｃ、チャンバ２の貫通部２ａ₁と筒部材７６、及び筒部材７６とウィンドウ７４によって、第１流路２１１、オリフィス部２１２、連結流路２１３、第２流路２１４、及び噴出部２１５をつなげた流路が画定されてもよい。

筒部材７６の内径をＤ２、噴出部２１５から筒部材７６の先端７６ａまでの距離をＬ２１、チャンバ２の内側の表面２ｂから筒部材７６の先端７６ａまでの距離をＬ２２としてもよい。噴出部２１５から筒部材７６の先端７６ａまでの距離Ｌ２１は、筒部材７６の長さでよい。

５．２．２ 動作

オリフィス部２１２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって流路の径が制御されてもよい。第１流路２１１を流れる水素ガスを含むガスは、ガス制御装置５５がオリフィス部２１２の径を制御することによって、流量が調節されてもよい。オリフィス部２１２で流量が調節された水素ガスを含むガスは、連結流路２１３及び第２流路２１４を流れてもよい。第２流路２１４を流れた水素ガスを含むガスは、噴出部２１５の手前付近でウィンドウ７４にぶつかり、噴出部２１５からチャンバ２の貫通部２ａ₁に少なくとも一部を設置された筒部材７６の内側に噴き出してもよい。

噴出部２１５から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ７４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ７４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４から離間する方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、筒部材７６に沿って、層流として流れてもよい。

５．２．３ 作用
第２実施形態では、第１実施形態の作用に加えて、筒部材７６の少なくとも一部をチャンバ２の貫通部２ａ₁内に設置することで、筒部材７６と他の部材との干渉を減らしながら、噴出部２１５から筒部材７６の先端７６ａまでの距離Ｌ２２を確保してもよい。したがって、式（２）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリを光学素子であるウィンドウ７４に到達させることが低減されてもよい。

５．３ 第３実施形態
次に、ガスロック装置の第３実施形態について説明する。

５．３．１ 構成
図７は、第１実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。図８は、図７のVIII−VIII断面図である。第３実施形態のガスロック装置は、例えば、発光部７付近に用いてもよい。

図７に示すように、第３実施形態の発光部７は、ホルダ７１と、光源７２と、集光光学系７３と、ウィンドウ７４と、フランジ７５と、第１筒部材７６と、第２筒部材７７と、管２２０と、オリフィス部２２２と、を含んでもよい。このうち、ホルダ７１、光源７２、集光光学系７３、及びウィンドウ７４は、第１実施形態と同様の構成なので、説明を省略する。なお、ウィンドウ７４は、光学素子を構成してもよい。

第１筒部材７６の外径は、第２筒部材７７の内径よりも小さくてもよい。第１筒部材７６の中心軸と第２筒部材７７の中心軸とを略一致させるように、第１筒部材７６を第２筒部材７７の内部へ挿入してもよい。

第１筒部材７６の少なくとも一部は、貫通部２ａ₁内に設けられてもよい。第１筒部材７６の一方の端部は、ウィンドウ７４に対して間隙が形成されるように設置されてもよい。その間隙の大きさは、ほぼ均一であってもよい。あるいは、第２実施形態における筒部材７６の端部と同様の構成であってよい。第１筒部材７６の他方の端部には、第２筒部材７７との間隙を塞ぐ蓋部７６ｂを取り付けてもよい。なお、蓋部７６ｂは、第１筒部材７６とは別体であってもよい。蓋部材７６ｂを含む第１筒部材７６の先端を７６ａとしてもよい。

第２筒部材７７の少なくとも一部は、貫通部２ａ₁内に設けられてもよい。第２筒部材７７とチャンバ２の間には、第３Ｏリング２３が設置されてもよい。なお、第３Ｏリング２３のＯリング溝は、第２筒部材７７に加工されてもよい。第２筒部材７７は、フランジ７５を介してチャンバ２に取り付けられてもよい。

管２２０は、オリフィス部２２２を含んでもよい。管２２０は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方を第２筒部材７７に連結されてもよい。第１筒部材７６の一方の端部とウィンドウ７４との間の間隙によって噴出部２２４を画定してもよい。管２２０の内部を第１流路２２１とし、第１筒部材７６と第２筒部材７７との間に画定される空間を第２流路２２３としてもよい。噴出部２２４は、間隙または複数のスリットまたは複数の孔であってもよい。第１筒部材７６とウィンドウ７４の間隙は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍにしてもよい。

管２２０、第１筒部材７６と第２筒部材７７、及び第１筒部材７６とウィンドウ７４によって、第１流路２２１、オリフィス部２２２、第２流路２２３、及び噴出部２２４をつなげた流路が画定されてもよい。

第１筒部材７６の内径をＤ３、噴出部２２４から筒部材７６の先端７６ａまでの距離をＬ３１、チャンバ２の内側の表面２ｂから第１筒部材７６の先端７６ａまでの距離をＬ３２としてもよい。噴出部２２４から第１筒部材７６の先端７６ａまでの距離Ｌ３１は、第１筒部材７６の長さでよい。距離Ｌ３２と、距離Ｌ３１との関係はＬ３２＜Ｌ３１であってもよい。

５．３．２ 動作

オリフィス部２２２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって流路の径が制御されてもよい。第１流路２２１を流れる水素ガスを含むガスは、ガス制御装置５５がオリフィス部２２２の径を制御することによって、流量が調節されてもよい。オリフィス部２２２で流量が調節された水素ガスを含むガスは、第２流路２２３を流れてもよい。第２流路２２３を流れた水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４にぶつかり、噴出部２２４からチャンバ２の貫通部２ａ₁に少なくとも一部が設置された第１筒部材７６の内側に噴き出してもよい。

噴出部２２４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ７４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ７４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４から離間する方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第１筒部材７６に沿って、層流として流れてもよい。

５．３．３ 作用
第３実施形態では、第１実施形態と同様の作用に加えて、距離Ｌ３１を長くすることで、式（２）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ７４に到達することが低減されてもよい。また、チャンバ２に連結孔２ｃを加工しておく必要が無く、ガスロックの設置されていない他のウィンドウ等へのガスロックの追加設置が容易であり得る。

５．４ 第４実施形態
次に、ガスロック装置の第４実施形態について説明する。第３実施形態と同様の部分については、説明を省略する。

５．４．１ 構成
図９は、第４実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。第４実施形態のガスロック装置は、例えば、発光部７付近に用いてもよい。

図９に示すように、第４実施形態の発光部７は、ホルダ７１と、光源７２と、集光光学系７３と、ウィンドウ７４と、フランジ７５と、第１筒部材７６と、第２筒部材７７と、連結部材７８と、第３筒部材７９と、管２３０と、オリフィス部２３２と、を含んでもよい。このうち、ホルダ７１、光源７２、集光光学系７３、ウィンドウ７４、フランジ７５、第１筒部材７６、及び第２筒部材７７は、第３実施形態と同様の構成なので、説明を省略する。なお、ウィンドウ７４は、光学素子を構成してもよい。

第１筒部材７６及び第２筒部材７７には、ウィンドウ７４に対して反対側の端部に、間隙を塞ぐように、連結部材７８が取り付けられてもよい。連結部材７８は、ねじ部７８ａを含んでもよい。第３筒部材７９は、連結部材７８のねじ部７８ａに取り付けられるねじ部７９ａを含んでもよい。第３筒部材７９は、連結部材７８にねじ結合されてもよい。

連結部材７８及び第３筒部材７９は、それぞれ長さ及び径のサイズが異なる複数の種類を用意してもよい。そして、連結部材７８及び第３筒部材７９をそれぞれ状況に応じて複数の種類から選択して使用してもよい。

第３筒部材７９の内径をＤ４、噴出部２３４から第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離をＬ４１、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離をＬ４２としてもよい。

５．４．２ 動作

オリフィス部２３２のガス制御装置５５による制御は、第３実施形態と同様であってもよい。第１流路２３１を流れる水素ガスを含むガスは、オリフィス部２３２により、流量が調節されてもよく、流量を調節された水素ガスを含むガスは、第２流路２３３を流れてもよい。第２流路２を流れた水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４にぶつかり、噴出部２３４からチャンバ２の貫通部２ａ₁に少なくとも一部が設置された第１筒部材７６の内側に噴き出してもよい。

噴出部２３４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ７４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ７４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４から離間して、第３筒部材７９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第１筒部材７６及び第３筒部材７９に沿って、層流として流れてもよい。

５．４．３ 作用
第４実施形態では、第３施形態と同様の作用に加えて、噴出部２３４から第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離Ｌ４１をさらに長くすることで、式（２）に示したペクレ数をさらに大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ７４に到達することがさらに低減されてもよい。

第４実施形態では、第３施形態と同様の作用に加えて、連結部材７８及び第３筒部材７９をチャンバ２内の圧力又は温度等の状況に応じて複数種類の中から選択して用いることで、噴出部２３４から第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離Ｌ４１、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離Ｌ４２、及び第３筒部材７９の内径Ｄ４を変更してもよい。したがって、状況に応じて式（２）に示したペクレ数を変更することができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ７４に到達することを状況に応じて低減してもよい。

５．５ 第５実施形態
次に、ガスロック装置の第５実施形態について説明する。

５．５．１ 構成
図１０は、第５実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。

図１０に示すように、第５実施形態の発光部７は、図５に示した第２実施形態の発光部７の筒部材７６に、連結部材７８及び第３筒部材７９を取り付けてもよい。その他の構成は、第２実施形態と同様であってもよい。第２実施形態と同様の部分については、説明を省略する。

第３筒部材７９の内径をＤ５、噴出部２４５から第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離をＬ５１、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材７９の先端７９ｂまでの距離をＬ５２としてもよい。

５．５．２ 動作

オリフィス部２４２のガス制御装置５５による制御は第２実施形態と同様であってもよい。第１流路２４１を流れる水素ガスを含むガスは、オリフィス部２４２の径の制御により流量が調節されてもよく、流量が調節された水素ガスを含むガスは、連結流路２４３及び第２流路２４４を流れてもよい。第２流路２４４を流れた水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４にぶつかり、噴出部２４５からチャンバ２の貫通部２ａ₁に少なくとも一部が設置された筒部材７６の内側に噴き出してもよい。

噴出部１０２ａから噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ７４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ７４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ７４から離間して、第３筒部材７９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第２筒部材７６及び第３筒部材７９に沿って、層流として流れてもよい。

５．５．３ 作用
第５実施形態は、第２実施形態及び第４実施形態と同様の作用を含んでもよい。

５．６ 第６実施形態
次に、ガスロック装置の第６実施形態について説明する。

５．６．１ 構成
図１１は、第６実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。図１２は、図１１のXII−XII断面図である。第６実施形態のガスロック装置は、例えば、受光部８付近に用いてもよい。

図１１に示すように、第６実施形態の受光部８は、ホルダ８１と、イメージセンサ８２と、転写光学系８３と、光学素子としてのウィンドウ８４と、フランジ８５と、第１筒部材８６と、第２筒部材８７と、連結部材８８と、第３筒部材８９と、管３００と、オリフィス部３０２と、を含んでいてもよい。

第１筒部材８６の外径は、第２筒部材８７の内径よりも小さくてもよい。第１筒部材８６の中心軸と第２筒部材８７の中心軸とを略一致させるように、第１筒部材８６を第２筒部材８７の内部へ挿入してもよい。

ホルダ８１は、イメージセンサホルダ８１ａと、ウィンドウホルダ８１ｂを含んでもよい。イメージセンサホルダ８１ａは、イメージセンサ８２及び転写光学系８３を保持してもよい。ウィンドウホルダ８１ｂは、ウィンドウ８４をチャンバ２に取り付けてもよい。ウィンドウ８４とチャンバ２の間には、第１Ｏリング２１が設置されてもよい。

第１筒部材８６の少なくとも一部は、チャンバ２の貫通部２ａ₂内に設けられてもよい。第１筒部材８６は、ウィンドウ８４に近い一方の端部に、第２筒部材８７との間隙を塞ぐ蓋部８６ａが設けられてもよい。なお、蓋部８６ａは、第２筒部材８７に設けられてもよい。また、蓋部８６ａは、第１筒部材８６と第２筒部材８７とは、別体の部材で設けられてもよい。

第２筒部材８７の少なくとも一部は、チャンバ２の貫通部２ａ₂内に設けられてもよい。第２筒部材８７とチャンバ２の間には、第３Ｏリング２３が設置されてもよい。第２筒部材８７は、フランジ８５を介してチャンバ２に取り付けられてもよい。

第１筒部材８６及び第２筒部材８７には、ウィンドウ８４に対して反対側の端部に、間隙を塞ぐように、連結部材８８が取り付けられてもよい。連結部材８８は、ねじ部８８ａを含んでもよい。第３筒部材８９は、連結部材８８のねじ部８８ａに取り付けられるねじ部８９ａを含んでもよい。連結部材８８及び第３筒部材８９は、取り付けなくてもよい。この場合、連結部材８８に代わって第１筒部材８５と第２筒部材８６の間隙を塞ぐ部材が取り付けられてもよい。

連結部材８８及び第３筒部材８９は、それぞれ長さ及び径のサイズが異なる複数の種類を用意してもよい。そして、連結部材８８及び第３筒部材８９をそれぞれ状況に応じて複数の種類から選択して使用してもよい。

管３００は、オリフィス部３０２を含んでもよい。管３００は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方を第２筒部材８７へ取り付けてもよい。管３００の内部を第１流路３０１とし、第１筒部材８６と第２筒部材８７との間に画定される空間を第２流路３０３としてもよい。第１筒部材８６の開口としての孔８６ｂによって噴出部３０４を画定してもよい。噴出部３０４は、開口としての複数の孔又は環状のスリットであってもよい。第１流路３０１、オリフィス部３０２、第２流路３０３、及び噴出部３０４で流路を形成してもよい。

５．６．２ 動作
図２において説明した発光部７が出力した光の一部は、ターゲット２７の軌道を通過して、ウィンドウ８４を透過し、転写光学系８３で集光されて、受光部８２に向かってもよい。

オリフィス部３０２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって径を制御されてもよい。第１流路３０１を流れる水素ガスを含むガスは、オリフィス部３０２の径が制御されることによって、流量が調節されてもよい。オリフィス部３０２で流量が調節された水素ガスを含むガスは、第２流路３０３を流れてもよい。第２流路３０３を流れた水素ガスを含むガスは、噴出部３０４からチャンバ２の貫通部２ａ₂に少なくとも一部が設置された第１筒部材８６の内側に噴き出してもよい。

噴出部３０４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ８４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ８４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ８４から離間して、第３筒部材８９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第２筒部材８６に沿って、層流として流れてもよい。

５．６．３ 作用
第６実施形態では、噴出部３０４をウィンドウ８４の近くに配置し、デブリをウィンドウ８４から離間する方向に的確に流動させることが可能であってもよい。

第６実施形態では、水素ガスを含むガスは、光学素子であるウィンドウ８４に近い位置で噴出されてもよい。その結果、デブリがウィンドウ８４に到達したとしても、ウィンドウ８４に到達したデブリは、水素ガスを含むガスの流れによってウィンドウ８４から除去され得る。

第６実施形態では、第１流路３０１から供給される水素ガスを含むガスは、オリフィス部３０２によって、状況に応じて流量を適量に調節され得るので、ランニングコストが低減されてもよい。

第６実施形態では、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材８９の先端８９ｂまでの距離Ｌ６２と、水素ガスを含むガスの噴出部３０４から第３筒部材８９の先端８９ｂまでの距離Ｌ６１との関係は、Ｌ６２＜Ｌ６１であってもよい。この結果、式（２）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ８４に到達することを低減してもよい。

第６実施形態では、連結部材８８及び第３筒部材８９をチャンバ２内の圧力又は温度等の状況に応じて複数種類の中から選択して用いることで、距離Ｌ６１、距離Ｌ６２、及び第３筒部材８９の内径Ｄ６を変更してもよい。したがって、状況に応じて式（２）に示したペクレ数を変更することができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ８４に到達することを状況に応じて低減してもよい。

第６実施形態では、水素ガスを含むガスは、第２筒部材８６に沿って、層流として流し得る。このため、乱流によって、デブリが第２筒部材８６内部に滞留し続ける状況を低減できてよい。

５．７ 第７実施形態
次に、ガスロック装置の第７実施形態について説明する。

５．７．１ 構成
図１３は、第７実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。第７施形態のガスロック装置は、第６実施形態の噴出部３０４を変更したものなので、噴出部３０４について説明する。第７施形態のその他の部分は、第６実施形態と同様でもよい。

図１３に示すように、第７実施形態の噴出部３０４は、第６実施形態と比較して、第１筒部材８６の開口としての孔８６ｂをウィンドウ８４に向けた所定の角度をつけて形成することで画定してもよい。噴出部３０４は、開口としての複数の孔又は環状のスリットであってもよい。

５．７．２ 動作
噴出部３０４から噴き出した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ８４にぶつかり、ウィンドウ８４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ８４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ８４から離間して、第３筒部材８９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第２筒部材８６に沿って、層流として流れてもよい。その他の動作は、第６実施形態と同様でもよい。

５．７．３ 作用
第７実施形態では、水素ガスを含むガスは、光学素子であるウィンドウ８４にぶつかり、ウィンドウ８４に沿って流れるので、万が一デブリがウィンドウ８４に到達したとしても、ウィンドウ８４に到達したデブリは、水素ガスを含むガスによってはじき飛ばされてもよい。その他の作用は、第６実施形態と同様でもよい。
５．８ 第８実施形態
次に、ガスロック装置の第８実施形態について説明する。

５．８．１ 構成
図１４は、第８実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。第８実施形態のガスロック装置は、例えば、レーザ集光部９付近に用いてもよい。

図１４に示すように、第８実施形態のレーザ集光部９は、ホルダ９１と、集光光学系９３と、光学素子としてのウィンドウ９４と、フランジ９５と、第１筒部材９６と、第２筒部材９７と、連結部材９８と、第３筒部材９９と、管４００と、オリフィス部４０２と、を含んでもよい。

第１筒部材９６の外径は、第２筒部材９７の内径よりも小さくてもよい。第１筒部材９６の中心軸と第２筒部材９７の中心軸とを略一致させるように、第１筒部材９６を第２筒部材９７の内部へ挿入してもよい。

ホルダ９１は、集光部ホルダ９１ａと、ウィンドウホルダ９１ｂを含んでもよい。集光部ホルダ９１ａは、集光光学系９３を支持してもよい。ウィンドウホルダ９１ｂは、ウィンドウ９４をチャンバ２に取り付けてもよい。ウィンドウ９４とチャンバ２の間には、第１Ｏリング２１を設置してもよい。

第１筒部材９６の少なくとも１部は、ウィンドウ９４に隣接したチャンバ２の貫通部２ａ₃内に設けられてもよい。第１筒部材９６は、ウィンドウ９４から離間するにしたがって、内径を小さくなるように構成してもよい。

第２筒部材９７の少なくとも１部は、ウィンドウ９４に隣接したチャンバ２の貫通部２ａ₃内に設けられてもよい。第２筒部材９７とチャンバ２の間には、第２Ｏリング２３を設置してもよい。第２筒部材９７は、フランジ９５を介してチャンバ２に取り付けてもよい。

第１筒部材９６及び第２筒部材９７には、ウィンドウ９４に対して反対側の端部に、間隙を塞ぐように、連結部材９８が取り付けられてもよい。連結部材９８は、ねじ部９８ａを含んでもよい。第３筒部材９９は、連結部材９８のねじ部９８ａに取り付けられるねじ部９９ａを含んでもよい。第３筒部材９９は、ウィンドウ９４から離間するにしたがって、内径を小さくなるように構成してもよい。第８実施形態では、第２筒部材９６及び第３筒部材９９の内面によって形成される円錐状の面を、光路に沿って形成するようにしてもよい。

連結部材９８及び第３筒部材９９は、取り付けなくてもよい。この場合、連結部材９８に代わって第１筒部材９６と第２筒部材９７の間隙を塞ぐ部材が取り付けられてもよい。

連結部材９８及び第３筒部材９９は、それぞれ長さ及び径のサイズが異なる複数の種類を用意してもよい。そして、連結部材９８及び第３筒部材９９をそれぞれ状況に応じて複数の種類から選択して使用してもよい。

管４００は、オリフィス部４０２を含んでもよい。管４００は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方を第２筒部材９７へ取り付けてもよい。管４００の内部を第１流路４０１とし、第１筒部材９６と第２筒部材９７との間に画定される空間を第２流路４０３としてもよい。第１筒部材９６の一方の端部とウィンドウ９４との間の間隙によって噴出部４０４を画定してもよい。噴出部４０４は、開口としての環状のスリット又は複数の孔であってもよい。あるいは、第２実施形態における筒部材７６の端部と同様の構成であってよい。第１流路４０１、オリフィス部４０２、第２流路４０３、及び噴出部４０４で流路を形成してもよい。第１筒部材９６とウィンドウ９４の間隙は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍにしてもよい。

５．８．２ 動作
図示しないレーザ装置から生成されたレーザ光は、集光光学系９３で集光されて、ウィンドウ９４を透過し、ターゲット２７に向かってもよい。

オリフィス部４０２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって径を制御されてもよい。第１流路４０１を流れる水素ガスを含むガスは、オリフィス部４０２の径の制御によって、流量が調節されてもよい。オリフィス部４０２で流量が調節された水素ガスを含むガスは、第２流路４０３を流れてもよい。第２流路４０３を流れた水素ガスを含むガスは、ウィンドウ９４にぶつかり、噴出部４０４からチャンバ２の貫通部２ａ₃に一部が設置された第１筒部材９６の内側に噴き出してもよい。

噴出部４０４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ９４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ９４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ９４から離間して、第３筒部材９９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第１筒部材９６に沿って、層流として流れてもよい。

５．８．３ 作用
第８実施形態では、ペクレ数は、以下の式（４）のように表してもよい。
Ｐｅ＝｛（Ｑ/Ｐ）（４/π×Ｄ８１×Ｄ８２）Ｌ｝/Ｄｆ （４）
ただし、
Ｄ８１は、第３筒部材９９の先端９９ｂでの内径（m）、
Ｄ８２は、第１筒部材９６の噴出部４０４での内径（m）、
である。

第８実施形態では、噴出部４０４をウィンドウ９４の近くに配置し、デブリをウィンドウ９４から離間する方向に的確に流動させることが可能であってもよい。

第８実施形態では、水素ガスを含むガスは、光学素子であるウィンドウ９４にぶつかり、ウィンドウ９４に沿って流れてもよい。その結果、デブリがウィンドウ９４に到達したとしても、ウィンドウ９４に到達したデブリは、水素ガスを含むガスの流れによってウィンドウ９４から除去され得る。

第８実施形態では、第１流路４０１を通過する水素ガスを含むガスは、オリフィス部４０２によって、状況に応じて適量に流量を調節され得るので、ランニングコストが低減されてもよい。

第８実施形態では、水素ガスを含むガスは、噴出部４０４からチャンバ２の貫通部２ａ₃に噴き出すので、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材９９の先端９９ｂまでの距離Ｌ８２と、水素ガスを含むガスの噴出部４０４から第３筒部材９９の先端９９ｂまでの距離Ｌ８１との関係は、Ｌ８２＜Ｌ８１であってもよい。噴出部４０４から第３筒部材９９の先端９９ｂまでの距離Ｌ８１を長くすることで、式（４）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ９４に到達することを低減してもよい。

第８実施形態では、連結部材９８及び第３筒部材９９をチャンバ２内の圧力又は温度等の状況に応じて複数種類の中から選択して用いることで、噴出部４０４から第３筒部材９９の先端９９ｂまでの距離Ｌ８１、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材９９の先端９９ｂまでの距離Ｌ８２、第３筒部材９９の内径Ｄ８１及び第１筒部材９７の内径Ｄ８２を変更してもよい。したがって、状況に応じて式（４）に示したペクレ数を変更することができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ９４に到達することを状況に応じて低減してもよい。

第８実施形態では、第２筒部材９６及び第３筒部材９９の内面の形状が円錐状となり、第３筒部材９９の先端９９ｂに近づくほど水素ガスを含むガスの流速が早くなり得る。このため、他の実施形態と比較して、流量が同じであってもペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ９４に到達することを低減してもよい。

第８実施形態では、水素ガスを含むガスは、第２筒部材９７に沿って、層流として流れてもよいので、乱流によってデブリが滞留し続ける状況を低減できてよい。
５．９ 第９実施形態
次に、ガスロック装置の第９実施形態について説明する。

５．９．１ 構成
図１５は、第９実施形態のガスロック装置付近を拡大した図である。第９実施形態のガスロック装置は、例えば、プラズマセンサ２６付近に用いてもよい。

図１５に示すように、第９実施形態のプラズマセンサ２６は、ホルダ４２１と、イメージセンサ４２２と、転写光学系４２３と、光学素子としてのウィンドウ４２４と、フランジ４２５と、第１筒部材４２６と、第２筒部材４２７と、連結部材４２８と、第３筒部材４２９と、管５００と、オリフィス部５０２と、を含んでいてもよい。また、プラズマセンサ２６を傾斜させて取り付けるため、チャンバ２にスペーサー２ｅを取り付けてもよい。

第１筒部材４２６の外径は、第２筒部材４２７の内径よりも小さくてもよい。第１筒部材４２６の中心軸と第２筒部材４２７の中心軸とを略一致させるように、第１筒部材４２６を第２筒部材４２７の内部へ挿入してもよい。

ホルダ４２１は、イメージセンサホルダ４２１ａと、ウィンドウホルダ４２１ｂを含んでもよい。イメージセンサホルダ４２１ａは、イメージセンサ４２２及び転写光学系４２３を保持してもよい。ウィンドウホルダ４２１ｂは、ウィンドウ４２４をチャンバ２に取り付けてもよい。スペーサー２ｅとチャンバ２の間には、第１Ｏリング２１ａを設置してもよい。

第１筒部材４２６の少なくとも一部は、貫通部２ａ₄内に設けられてもよい。

第２筒部材４２７の少なくとも一部は、貫通部２ａ₄内に設けられてもよい。第２筒部材４２７とチャンバ２の間には、第３Ｏリング２３を設置してもよい。第２筒部材４２７は、フランジ４２５を介してチャンバ２に取り付けてもよい。

第１筒部材４２６及び第２筒部材４２７には、ウィンドウ４２４に対して反対側の端部に、間隙を塞ぐように、連結部材４２８が取り付けられてもよい。連結部材４２８は、ねじ部４２８ａを含んでもよい。第３筒部材４２９は、連結部材４２８のねじ部４２８ａに取り付けられるねじ部４２９ａを含んでもよい。連結部材４２８及び第３筒部材４２９は、取り付けなくてもよい。この場合、連結部材４２８に代わって第１筒部材４２６と第２筒部材４２７の間隙を塞ぐ部材が取り付けられてもよい。

連結部材４２８及び第３筒部材４２９は、それぞれ長さ及び径のサイズが異なる複数の種類を用意してもよい。そして、連結部材４２８及び第３筒部材４２９をそれぞれ状況に応じて複数の種類から選択して使用してもよい。

管５００は、オリフィス部５０２を含んでもよい。管５００は、一方を少なくとも一つのガス供給装置５２に連結され、他方を第２筒部材４２７へ取り付けてもよい。管５００の内部を第１流路５０１とし、第１筒部材４２６と第２筒部材４２７との間に画定される空間を第２流路５０３としてもよい。第１筒部材４２６の一方の端部とウィンドウ４２４との間の間隙によって噴出部５０４を画定してもよい。噴出部５０４は、環状のスリット又は複数の孔であってもよい。あるいは、第２実施形態における筒部材７６の端部と同様の構成であってよい。第１流路５０１、オリフィス部５０２、第２流路５０３、及び噴出部５０４で流路を形成してもよい。第１筒部材４２６とウィンドウ４２４の間隙は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍにしてもよい。

５．９．２ 動作
プラズマから放射する光は、ウィンドウ４２４を透過し、転写光学系４２３で集光されて、イメージセンサ４２２に向かってもよい。

オリフィス部５０２は、ガス制御システム５のガス制御装置５５によって径を制御されてもよい。第１流路５０１を流れる水素ガスを含むガスは、オリフィス部５０２の径が制御されることによって、流量が調節されてもよい。オリフィス部５０２で流量を調節された水素ガスを含むガスは、第２流路５０３を流れてもよい。第２流路５０３を流れた水素ガスを含むガスは、ウィンドウ４２４にぶつかり、噴出部５０４からチャンバ２の貫通部２ａ₄に噴き出してもよい。

噴出部５０４から噴き出した水素ガスを含むガスは、矢印で示すようにウィンドウ４２４の周囲から中心部に向かって、ウィンドウ４２４の表面に沿って流れてもよい。中心部付近に到達した水素ガスを含むガスは、ウィンドウ４２４から離間して、第３筒部材４２９に向かう方向に流れてもよい。水素ガスを含むガスは、第２筒部材４２７に沿って、層流として流れてもよい。

５．９．３ 作用
第９実施形態では、噴出部５０４をウィンドウ４２４の近くに配置し、デブリ２７ａをウィンドウ４２４から離間する方向に的確に流動させることが可能であってもよい。

第９実施形態では、水素ガスを含むガスは、光学素子であるウィンドウ４２４にぶつかり、ウィンドウ４２４に沿って流れてもよい。その結果、デブリがウィンドウ４２４に到達したとしても、ウィンドウ４２４に到達したデブリは、水素ガスを含むガスの流れによってウィンドウ４２４から除去され得る。

第９実施形態では、供給流路５０１から供給される水素ガスを含むガスは、オリフィス部５０２によって、状況に応じて流量を適量に調節され得るので、ランニングコストが低減されてもよい。

第９実施形態では、チャンバ２の内側の表面２ｂから第３筒部材４２９の先端４２９ｂまでの距離Ｌ９２と、水素ガスを含むガスの噴出部５０４から第３筒部材４２９の先端４２９ｂまでの距離Ｌ９１との関係は、Ｌ９２＜Ｌ９１であってもよい。噴出部５０４から第３筒部材４２９の先端４２９ｂまでの距離Ｌ９１を長くすることで、式（２）に示したペクレ数を大きくすることができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ４２４に到達することを低減してもよい。

第９実施形態では、連結部材４２８及び第３筒部材４２９をチャンバ２内の圧力又は温度等の状況に応じて複数種類の中から選択して用いることで、距離Ｌ９１、距離Ｌ９２、第３筒部材４２９の内径Ｄ９を変更してもよい。したがって、状況に応じて式（４）に示したペクレ数を変更することができるので、デブリが光学素子であるウィンドウ４２４に到達することを状況に応じて低減してもよい。

第９実施形態では、水素ガスを含むガスは、第２筒部材４２７に沿って、層流として流し得る。このため、乱流によってデブリが滞留し続ける状況を低減できてよい。

６．その他
次に、ＥＵＶ光生成装置の他の実施形態について説明する。

６．１ 構成
図１６は、ＥＵＶ光生成装置の他の実施形態を示す平面図である。

図１６に示す実施形態は、図２に示したＥＵＶ光生成装置において、磁場を生成する磁場生成装置１５を設置してもよい。

磁場生成装置１５は、２つのコイル１６を含んでもよい。２つのコイル１６は、トロイダル状のコイルであってもよい。２つのコイル１６は、チャンバ２の側方の外側に、チャンバ２を挟むように設置してもよい。２つのコイル１６のトロイダルの中心軸は、プラズマ生成領域２５を通ってもよい。２つのコイル１６のトロイダルの中心軸上であって、チャンバ２の内側には、ターゲット回収器２８を設置してもよい。

６．２ 動作
２つのコイル１６は、図示しない電源から電流を供給することにより、磁場を発生してもよい。磁場は、プラズマ生成領域２５に発生されてもよい。ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達し、レーザ光を照射されることによって、プラズマが生成され、イオンを生成してもよい。生成されたイオンは、磁場にトラップされ、ターゲット回収器２８に到達して回収されてもよい。

この時、チャンバ２内の水素ガスを含むガスの圧力は、０．１〜２０Ｐａの範囲であってもよい。水素ガスを含むガスの圧力が高くなればなるほど、生成されたイオンは、水素ガスを含むガスと衝突し、拡散され、ターゲット回収器２８に回収される量が減少し得る。ターゲット回収器２８に回収されるイオンの量が減少すると、残ったイオンは、光学素子等に付着し得る。

したがって、磁場の生成によって、イオンをトラップする装置の場合、チャンバ２内の水素ガスを含むガスの圧力は、０．１〜２０Ｐａの範囲の所定の値に制御し、且つ、水素ガスを含むガスの流量を減らしてもよい。第１〜第６実施形態のガスロック装置は、チャンバ２内のガス圧を低くし、且つ、水素ガスを含むガスの流量を減らすのに有効であってもよい。

なお、全ての実施形態において、ガスロック装置に用いられる光学素子としてウィンドウを例示したが、これに限定されることなく、レンズ、ミラー等の光学素子に用いてもよい。ガスロック装置からチャンバ内に供給されるガスは、水素ガスを含むガスを例示したが、単に水素ガスでもよいし、水素ガスを他のガスで希釈したガスでもよい。さらに、ガスロック装置から供給されるガスは、ターゲット物質と反応性を有する成分を含有するガスであるとよいが、不活性ガスを用いた場合でもデブリが光学素子に到達するのを抑制し得る。

また、ガスロック装置に用いられる噴出部は、パイプ状、スリット状、又は穴状の噴出部を用いてもよい。

さらに、ガスロック装置に用いられる第１筒部材及び第２筒部材は、円筒に限らず、楕円筒、角筒又はその他の断面の筒であってもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成制御システム、
２…チャンバ、２ａ，２ａ₁，２ａ₂，２ａ₃，２ａ₄…貫通部、２１…Ｏリング、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１…放射光、２５２…放射光、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収器、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、
３…レーザ装置、３１，３２，３３…パルスレーザ光、３６…ビームデリバリーシステム、
４…ターゲット制御システム、４１…ドロップレット発生器、４２…ターゲットセンサ、４５…ターゲット制御装置、
４２１…ホルダ、４２２…イメージセンサ、４２３…転写光学系、４２４…ウィンドウ（光学素子）、４２５…フランジ、４２６…第１筒部材、４２７…第２筒部材、４２８連結部材、４２９…第３筒部材
５…ガス供給システム、５１…圧力センサ、５２…ガス供給装置、５３…排気装置、５５…ガス制御装置、
６…露光装置、
７…発光部、７１…ホルダ、７２…光源、７３…集光光学系、７４…ウィンドウ（光学素子）、７５…フランジ、７６…第１筒部材、７７…第２筒部材、７８…連結部材、７９…第３筒部材、
８…受光部、８１…ホルダ、８２…イメージセンサ、８３…転写光学系、８４…ウィンドウ（光学素子）、８５…フランジ、８６…第１筒部材、８７…第２筒部材、８８…連結部材、８９…第３筒部材、
９…レーザ集光部、９１…ホルダ、９３…集光光学系、９４…ウィンドウ（光学素子）、９５…フランジ、９６…第１筒部材、９７…第２筒部材、９８…連結部材、９９…第３筒部材、
１００，２００，２１０，２２０，２３０，２４０，３００，４００，５００…管、
１０１，２０１，２１１，２２１，２３１，２４１，３０１，４０１，５０１…第１流路、
２０２，２１２，２２２，２３２，２４２，３０２，４０２，５０２…オリフィス部、
２０３，２１３，２４３…連結流路、
２１４，２２３，２３３，２４４，３０３，４０３，５０３…第２流路
２０４，２１５，２２４，２３４，２４５，３０４，４０４，５０４…噴出部

Claims (13)

1. 貫通部、及び表面と前記貫通部を連結する連結孔、を含む一つのチャンバと、
   前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
   少なくとも一つのガス供給装置と、
   一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記チャンバに取り付けられ、前記連結孔と連通する流路を画定する管と、
   を含むガスロック装置。
2. 少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記チャンバとの間隙によって前記連結孔と連通する流路を画定し、前記光学素子に対して間隙が形成される筒部材と、
   を含む請求項１に記載のガスロック装置。
3. 少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記チャンバとの間隙によって前記連結孔と連通する流路を画定し、前記貫通部内で開口が形成される筒部材と、
   を含む請求項１に記載のガスロック装置。
4. 前記筒部材は、前記開口が前記光学素子に向けて形成される
   請求項３に記載のガスロック装置。
5. 前記筒部材に取り付けられる他の筒部材を含む
   請求項２又は３に記載のガスロック装置。
6. 前記筒部材は、前記光学素子から離間するにしたがって内径が小さくなる
   請求項２又は３に記載のガスロック装置。
7. 貫通部を含む一つのチャンバと、
   前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
   少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記光学素子に対して間隙が形成される第１筒部材と、
   前記第１筒部材の外径よりも大きい内径を備え、少なくとも一部が前記貫通部内で前記第１筒部材の外周側に設置される第２筒部材と、
   少なくとも一つのガス供給装置と、
   一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記第２筒部材に取り付けられ、前記第１筒部材と前記第２筒部材の間隙と連通する流路を画定する管と、
   を含むガスロック装置。
8. 貫通部を含む一つのチャンバと、
   前記チャンバに取り付けられ、前記貫通部を塞ぐ少なくとも一つの光学素子と、
   少なくとも一部が前記貫通部内に設置され、前記貫通部内で開口が形成される第１筒部材と、
   前記第１筒部材の外径よりも大きい内径を備え、少なくとも一部が前記貫通部内で前記第１筒部材の外周側に設置される第２筒部材と、
   少なくとも一つのガス供給装置と、
   一方が前記少なくとも一つのガス供給装置に取り付けられ、他方が前記第２筒部材に取り付けられ、前記第１筒部材と前記第２筒部材の間隙と連通する流路を画定する管と、
   を含むガスロック装置。
9. 前記第１筒部材は、前記開口が前記光学素子に向けて形成される
   請求項８に記載のガスロック装置。
10. 前記第１筒部材と前記第２筒部材に取り付けられる第３筒部材を含む
    請求項７に記載のガスロック装置。
11. 前記第１筒部材は、前記光学素子から離間するにしたがって内径が小さくなる
    請求項７に記載のガスロック装置。
12. 前記チャンバに前記光学素子を傾斜させて取り付けるスペーサーを含む
    請求項７に記載のガスロック装置。
13. 請求項７に記載のガスロック装置
    を含む極端紫外光生成装置。

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