JP2014154207A - スピンホール効果を利用する磁気読み取りセンサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電子分極にスピンホール効果を利用する磁界測定用の磁気センサー。このセンサーは、ピン止め層構造または反強磁性層(AFM層)の必要性を排除し、それによってデータ密度増大に必要なギャップ厚さの低減を実現する。このセンサーは、非磁性の導電層を含み、その非磁性導電層は、電流がそれを面内に貫通して流れる際に、その一方の側面に、主として1つのスピンの電子を蓄積するように構成される。磁化自由層が、非磁性導電層のその側面に隣接して配置される。自由層の磁化の方向がスピン偏極電子の方位に対して変化すると、センサーの電圧出力が変化する。
【選択図】 図3
Description
112 磁気ディスク
113 スライダ
114 スピンドル
115 サスペンション
118 ディスク駆動モータ
119 アクチュエータアーム
121 磁気ヘッド
122 ディスク表面
123 ライン
125 記録チャネル
127 アクチュエータ手段
128 ライン
129 制御ユニット
300 磁気センサー
302 センサースタック
304 第1磁気シールド
306 第2磁気シールド
308 非磁性導電層
309 頂面
310 電流源
311 底面
312 磁化自由層
314 磁化(の方向)
316 第1磁気バイアス層
318 第2磁気バイアス層
320 絶縁層
322 バイアスキャッピング層
324 キャッピング層
326 絶縁層
328 スピン偏極
330 スピン偏極
332 界面
334 接地
336 電圧検出器
400 磁気センサー
402 バリア層
500 磁気センサー
502 第1磁化自由層
504 第2磁化自由層
506 シード層
510 磁化(の方向)
512 磁化(の方向)
514 電気絶縁材料
516 界面
518 界面
600 磁気センサー
700 磁気センサー
702 センサースタック
704 第1磁気シールド
706 第2磁気シールド
708 ピン止め層
710 自由層
712 バリア層
714 第1磁性層
716 第2磁性層
718 結合層
720 AFM層
722 バイアス層
724 電気絶縁層
726 キャッピング層
G ギャップ厚さ
i 電流
t 非磁性導電層の厚さ
Claims (22)
- 磁化自由層と、
前記磁化自由層に隣接して形成される非磁性導電層であって、電流が前記非磁性導電層を面内に貫通して流れる際に、スピンホール効果に基づいて、その側面にスピン偏極電子を蓄積するように構成される非磁性導電層と、
を含む磁気センサー。 - 前記磁化自由層と非磁性導電層とがそれらの間に界面を規定し、かつ、前記界面に、スピンホール効果によってスピン偏極電子の蓄積が生じる、請求項1に記載の磁気センサー。
- 前記界面におけるスピン偏極電子の蓄積の結果、前記非磁性導電層と前記磁化自由層との間に電位差が生じ、その電圧は、前記磁化自由層の磁化の方向に応答して変動する、請求項2に記載の磁気センサー。
- 前記磁化自由層が、空気ベアリング表面と平行な方向にバイアスされる磁化であるが、磁界に応答して自在に動く磁化を有する、請求項1に記載の磁気センサー。
- 第1および第2の導電性磁気シールドであって、前記非磁性導電層および前記磁化自由層が前記第1および第2の導電性磁気シールドの間に配置されるように構成される、第1および第2導電性磁気シールドと、
前記非磁性導電層を面内に貫通する電流を供給するための、前記非磁性導電層に接続される回路と、
前記磁化自由層および前記非磁性導電層を横切る電位を測定するための、前記第1および第2の導電性磁気シールドの少なくとも一方に接続される回路と、
をさらに含む、請求項1に記載の磁気センサー。 - 非磁性導電層と、
磁化自由層と、
前記磁化自由層および前記非磁性導電層の間に挟み込まれた非磁性の電気絶縁性バリア層と、
を含む磁気センサーであって、
前記非磁性導電層が、電流が前記非磁性導電層を面内に貫通して流れる際に、スピンホール効果に基づいて、その側面にスピン偏極電子を蓄積するように構成される、
磁気センサー。 - 前記磁化自由層が、空気ベアリング表面と平行な方向にバイアスされる磁化を有する、請求項6に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層を面内に貫通する電流を供給するための、前記非磁性導電層に接続される回路をさらに含む、請求項6に記載の磁気センサー。
- 第1および第2の導電性磁気シールドであって、前記非磁性導電層および前記磁化自由層が前記第1および第2の導電性磁気シールドの間に配置されるように構成される、第1および第2導電性磁気シールドと、
前記非磁性導電層を面内に貫通する電流を供給するための、前記非磁性導電層に接続される回路と、
前記磁化自由層と前記非磁性の電気絶縁性バリア層と前記非磁性導電層とを横切る電圧を供給するための、前記第1および第2の導電性磁気シールドの少なくとも一方に接続される回路と、
をさらに含む、請求項6に記載の磁気センサー。 - 前記非磁性導電層が、少なくとも0.1のスピンホール角を有する材料を含む、請求項6に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層が、少なくとも0.1のスピンホール角を有する材料を含む、請求項1に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層が、Pt、TaおよびWの1つ以上を含む、請求項6に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層が、Pt、TaおよびWの1つ以上を含む、請求項1に記載の磁気センサー。
- 非磁性導電層であって、電流が前記非磁性導電層を面内に貫通して流れる際に、スピンホール効果に基づいて、その反対側の両側面にスピン偏極電子を蓄積するように構成される非磁性導電層と、
第1および第2の磁化自由層であって、前記非磁性導電層が前記第1および第2の磁化自由層の間に配置されるように構成され、互いに反平行磁気結合される第1および第2磁化自由層と、
を含む磁気センサー。 - 前記第1および第2の磁化自由層の間の電位を測定するための回路をさらに含む、請求項14に記載の磁気センサー。
- 前記第1および第2の磁化自由層の間の電位を測定するための回路と、
前記非磁性導電層に電流を供給するための回路と、
をさらに含む、請求項14に記載の磁気センサー。 - 第1および第2の導電性磁気シールドであって、前記非磁性導電層と前記第1および第2の磁化自由層とが前記第1および第2の導電性シールドの間に配置される、第1および第2の導電性磁気シールドと、
前記第1および第2の導電性磁気シールドの間の電位を測定するための回路と、
前記非磁性導電層に電流を供給するための回路と、
をさらに含む、請求項14に記載の磁気センサー。 - 前記第1の磁化自由層および前記第1の導電性磁気シールドの間に配置される非磁性のシード層と、
前記第2の磁化自由層および前記第2の導電性磁気シールドの間に配置される非磁性のキャッピング層と、
をさらに含む、請求項17に記載の磁気センサー。 - 前記第1の磁化自由層が前記非磁性導電層の第1側面に接触して、それらの間に界面を形成し、かつ、
前記第2の磁化自由層が前記非磁性導電層の第2側面に接触して、それらの間に界面を形成する、
請求項15に記載の磁気センサー。 - 前記磁化自由層が、側方に対向した第1側面および第2側面を有し、前記第1および第2の導電性磁気シールドの少なくとも一方が、前記磁化自由層の前記第1および第2側面に隣接して延びている、請求項5に記載の磁気センサー。
- 前記磁化自由層が側方において反対側の第1側面および第2側面を有し、前記第1および第2導電性磁気シールドの少なくとも一方が、前記磁化自由層の第1および第2側面に隣接して延びている、請求項9に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層および前記第1の磁化自由層の間に配置される非磁性の第1電気絶縁性バリア層と、
前記非磁性導電層および前記第2の磁化自由層の間に配置される非磁性の第2電気絶縁性バリア層と
をさらに含む、請求項14に記載の磁気センサー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/764,600 | 2013-02-11 | ||
US13/764,600 US9099119B2 (en) | 2013-02-11 | 2013-02-11 | Magnetic read sensor using spin hall effect |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154207A true JP2014154207A (ja) | 2014-08-25 |
JP5764684B2 JP5764684B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=51297278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014023000A Expired - Fee Related JP5764684B2 (ja) | 2013-02-11 | 2014-02-10 | スピンホール効果を利用する磁気読み取りセンサー |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9099119B2 (ja) |
JP (1) | JP5764684B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150287426A1 (en) * | 2014-04-07 | 2015-10-08 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic read head having spin hall effect layer |
US9858952B1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-02 | Western Digital Technologies, Inc. | Microwave assisted magnetic recording head having spin torque oscillator frequency detection |
WO2018111356A1 (en) | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin-orbit torque induced magnetization switching in a magnetic recording head |
US10283561B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-05-07 | Regents Of The University Of Minnesota | Two-terminal spintronic devices |
US9947347B1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-04-17 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic sensor using inverse spin hall effect |
US10720570B2 (en) * | 2017-06-12 | 2020-07-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic sensor using spin hall effect |
CN107192989B (zh) * | 2017-06-13 | 2019-09-10 | 电子科技大学 | 一种微波射频接收机 |
US10014012B1 (en) * | 2017-06-23 | 2018-07-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin-orbit torque based magnetic recording |
US10210888B1 (en) * | 2017-06-23 | 2019-02-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Dual spin-orbit torque oscillator in magnetic recording |
US11205446B1 (en) | 2019-03-27 | 2021-12-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin-orbit torque induced magnetization switching in a magnetic recording head |
US10789977B1 (en) | 2019-06-26 | 2020-09-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin orbital torque via spin hall effect based energy assisted magnetic recording |
US10748562B1 (en) | 2019-11-12 | 2020-08-18 | Headway Technologies, Inc. | Third alternative design for magnetic recording assisted by one or two spin hall effect (SHE) layers in the write gap |
US11839162B2 (en) | 2019-11-22 | 2023-12-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetoresistive memory device including a plurality of reference layers |
US11489108B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-11-01 | Western Digital Technologies, Inc. | BiSb topological insulator with seed layer or interlayer to prevent sb diffusion and promote BiSb (012) orientation |
US11495741B2 (en) | 2020-06-30 | 2022-11-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Bismuth antimony alloys for use as topological insulators |
US11100946B1 (en) | 2020-07-01 | 2021-08-24 | Western Digital Technologies, Inc. | SOT differential reader and method of making same |
US11094338B1 (en) | 2020-07-09 | 2021-08-17 | Western Digital Technologies, Inc. | SOT film stack for differential reader |
US11282538B1 (en) | 2021-01-11 | 2022-03-22 | Seagate Technology Llc | Non-local spin valve sensor for high linear density |
US11763973B2 (en) | 2021-08-13 | 2023-09-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Buffer layers and interlayers that promote BiSbx (012) alloy orientation for SOT and MRAM devices |
US11532323B1 (en) | 2021-08-18 | 2022-12-20 | Western Digital Technologies, Inc. | BiSbX (012) layers having increased operating temperatures for SOT and MRAM devices |
CN113889567B (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-18 | 北京科技大学 | 一种具有拓扑磁性的多组态霍尔天平材料及其制备方法 |
US11875827B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-01-16 | Western Digital Technologies, Inc. | SOT reader using BiSb topological insulator |
US11783853B1 (en) | 2022-05-31 | 2023-10-10 | Western Digital Technologies, Inc. | Topological insulator based spin torque oscillator reader |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009146512A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP2009158554A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | スピンホール効果素子を用いた磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気メモリ |
JP2010272199A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | スピン蓄積磁気センサのための三端子設計 |
JP2011238342A (ja) * | 2010-05-05 | 2011-11-24 | Headway Technologies Inc | 磁気抵抗効果センサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6403999B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-11 | Spinix Corporation | Detection of polarized spin transport in semiconductors |
JP3604617B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2004-12-22 | 富士通株式会社 | 磁気検出素子 |
US6683359B2 (en) * | 2002-06-21 | 2004-01-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Hall effect device with multiple layers |
ATE492820T1 (de) | 2006-10-10 | 2011-01-15 | Univ Plymouth | Verfahren zur detektion der ladungsträgerspinpolarisation und vorrichtung dafür |
KR100982660B1 (ko) | 2008-08-01 | 2010-09-17 | 한국과학기술연구원 | 스핀 홀 효과를 이용한 자기메모리셀 판독 방법 및자기메모리 장치 |
US8686525B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-04-01 | Toroku University | Magnetic sensor and magnetic memory |
US9281467B2 (en) * | 2012-06-29 | 2016-03-08 | Intel Corporation | Spin hall effect memory |
US9076537B2 (en) * | 2012-08-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing a magnetic tunneling junction using spin-orbit interaction based switching and memories utilizing the magnetic tunneling junction |
-
2013
- 2013-02-11 US US13/764,600 patent/US9099119B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-10 JP JP2014023000A patent/JP5764684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009146512A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP2009158554A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | スピンホール効果素子を用いた磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気メモリ |
JP2010272199A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | スピン蓄積磁気センサのための三端子設計 |
JP2011238342A (ja) * | 2010-05-05 | 2011-11-24 | Headway Technologies Inc | 磁気抵抗効果センサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5764684B2 (ja) | 2015-08-19 |
US20140226239A1 (en) | 2014-08-14 |
US9099119B2 (en) | 2015-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20141212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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